فإن الكتاب أود أن أنوه الأفراد في شعبة الكم الالكترونيات والضوئيات من المعهد الوطني للمعايير والتكنولوجيا في بولدر، CO على مساعدتهم.

كانت تزرع الجاليوم NWS المستخدمة في هذه التجارب من قبل خالية من حافز الجزيئية تناضد شعاع (مبي) على سي (111) ركائز 9. ويتضح الإجراء العام لإعداد تعليق NW من الركيزة مع NWS كما نمت في الشكل 1. 1. أسلاك متناهية الصغر التعليق التحضير <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> يلتصق صغيرة (&lt;5 مم × 5 مم) قطعة من NWS كما نمت على الركيزة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ملء قارورة صغيرة توج مع حوالي 1 مل من الأيزوبروبانول (IPA). </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> وضع قطعة المشقوق في قنينة، وإغلاق الغطاء ويصوتن لمدة 30 ثانية من أجل إزالة NWS من الركيزة. مرة واحدة على استعداد، لا يزال تعليق NW قابلة للحياة لفترة ممتدة من الزمن. </li></ol> 2. إعداد الركيزة ركائز المستخدمة هي مخدر مشددة (ρ ~ 0،001-0،005 Ω سم) 3 بوصة سي رقائق مع 200 نيوتن متر من نمت حراريا-شافي 2 على كلا الجانبين. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إذا ايلىهو المطلوب الاتصال ctrical إلى الركيزة السيليكون، وحفر قبالة أكسيد من مساعدات من الرقاقة باستخدام مطبوع ري مع الشروط التالية، O 2 تدفق = 20 SCCM، CHF 3 تدفق = 50 SCCM، -240 V التحيز، 120 W لل 20 دقيقة. يساعد هذه الخطوة أيضا تجنب شحن من العينة خلال المجهر الإلكتروني. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> بعد أكسيد حفر، ويفر نظيفة عن طريق الغمر وجهه لأسفل باستخدام حامل ثلاثي القوائم في كوب 1،000 مل مع ~ 100 مل من الأسيتون لمدة 5 دقائق. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إزالة رقاقة من الأسيتون وعلى الفور شطف جانبي الرقاقة باستخدام زجاجة بخ IPA من أكثر من 1،000 فارغة كوب مل، والتي سيتم استخدامها للنفايات المذيبات. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> كرر الخطوة 2 باستخدام IPA. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> كرر الخطوة 3 الشطف الرقاقة مع H 2 O منزوع الأيونات أكثر من الدورق النفايات المذيبات. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> كرر الخطوة 2 باستخدام H 2 O. منزوع الأيونات </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ضربة الجافة باستخدام رقاقة N الجافة مضغوط 2. </li></ol> 3. أسلاك متناهية الصغر تشتت <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> يلتصق نظيفة ثأفير إلى 4 أرباع متساوية. وسوف يكون كل ربع 3 أنماط الاتصال المودعة على ذلك في المناطق العامة هو مبين في الأرقام 2A وباء. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> يصوتن القارورة من NW التعليق قبل الاستغناء من أجل الحصول على تركيز NW موحدة في التعليق. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تعيين micropipette لحجم قطرة المطلوب (3-30 ميكرولتر) ورسم تعليق NW من القارورة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تأخذ قطعة الركيزة (¼ رقاقة) التي سيتم استخدامها للتفريق وضمان أن يكون مستوى بحيث التعليق NW لا تهاجر بعيدا إلى الحواف. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> الاستغناء عن التعليق على NW (المؤكسد) السطح الأمامي من الركيزة سي في المنطقة العامة حيث سيتم إيداع نمط الاتصال. إذا رغبت في ذلك، وديعة قطرات إضافية من تعليق NW في نفس المنطقة، بعد المذيب من الانخفاض السابق قد تبخرت تماما. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> كرر الخطوة 3.4 لمناطق أخرى حيث 2 نمط الاتصال سيكون. لا تستغني تعليق NW من أكثرمن 1 المدى النمو على قطعة ركيزة واحدة (¼ رقاقة) من أجل تجنب التلوث المتبادل. ويتضح تشتت تعليق NW على الركيزة في أرقام 2C والتطوير. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> بعد أن تبخرت قطرة النهائي من NW التعليق، ضع عينة الوجه إلى أسفل في حامل ثلاثي القوائم وتراجع بلطف في الحمامات المتعاقبة من الأسيتون والأيزوبروبانول لإزالة الشوائب غير المرغوب فيها. شطف في H 2 O منزوع الأيونات، وضربة الجافة في N 2. لا تستخدم زجاجات بخ أو يصوتن المذيب خلال هذه عملية التنظيف لتجنب إزالة الزائدة من NWS من على سطح الأرض. </li></ol> 4. ضوئيه من نمط الاتصال استخدام تقنيات الطباعة التصويرية القياسية لإنشاء نمط الاتصال في غرفة نظيفة مع الظروف المحيطة من ~ 20 درجة مئوية والرطوبة النسبية ~ 40٪. سوف قناع كثافة اليجنر (الخطوة 4.6)، وقت التعرض (الخطوة 4.8) ووضع الوقت (الخطوة 4.9) تكون تعتمد على المعدات والثانية ينبغي تعديلها لإنتاج أقصى قدر تعريف النمط مع رفع خارج مقاومة (LOR) تقوض من حوالي 0.5 ميكرون. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تدور انطلاقه مقاومة على عينة باستخدام خطوتين صفة (1) 300 دورة في الدقيقة لمدة 10 ثانية (2) 2،000 دورة في الدقيقة لمدة 45 ثانية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> وضع عينة على طبق ساخن لخبز لمدة 5 دقائق على 150-170 درجة مئوية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إزالة عينة والسماح لتبرد لمدة 30 ثانية ثم تدور على مقاومة للضوء باستخدام خطوتين صفة (1) 1،000 دورة في الدقيقة لمدة 3 ثانية (2) في 5،000 دورة في الدقيقة لمدة 45 ثانية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> وضع عينة على طبق ساخن لخبز لمدة 1 دقيقة في 115 درجة مئوية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تسمح العينة لتبرد لمدة 1 دقيقة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> معايرة قناع اليجنر إلى شدة ضوء ~ 1.90 ميغاواط / سم 2. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تحميل العينة إلى قناع اليجنر، مع قناع المناسبة لنمط الاتصال المثبتة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> جلب عينة في اتصال مع قناع وفضح عينة لمدة 24 ثانية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تطوير مقاومة للضوء عن طريق عينة يحوم في كوب من المطور لمدة 21 ثانية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> شطف مع H 2 O منزوع الأيونات وضربة الجافة ثإيث N 2. </li></ol> 5. عينة المعالجة المسبقة قبل ترسب المعادن قبل تحميل العينات في المبخر شعاع الإلكترون لترسب المعادن، وإعطاء رقاقة منقوشة علاج الأوزون والأشعة فوق البنفسجية وحمض الهيدروكلوريك: H 2 O حمام. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> عينات الحمل إلى الأشعة فوق البنفسجية مولد الأوزون لمدة 10 دقيقة مع فائق النقاء O 2 معدل تدفق 80 SCCM. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> بعد العلاج بالأوزون والأشعة فوق البنفسجية، وعينات من مكان في حمض الهيدروكلوريك: H 2 O (1:10) حل لمدة 1 دقيقة في درجة حرارة الغرفة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> شطف عينات مع H 2 O منزوع الأيونات وضربة الجافة بلطف مع N 2. </li></ol> 6. شعاع الإلكترون التبخر من الاتصال المعادن <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> مباشرة بعد المعالجة، تركيب العينات إلى الصوانى باستخدام مسامير ومقاطع والصوانى آمنة في المبخر البريد شعاع. تأكد من أن يكفي ني والاتحاد الافريقي متاحة للترسب. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ضخ أسفل غرفة حتى يكون الضغط أقل من 1.3 × 10 -3 Pو(1 μTorr) (قد يتطلب ضخ بين عشية وضحاها). </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> مجموعة عالية الجهد إلى 10 كيلو فولت وتبدأ دوران عينات في 5 دورة في الدقيقة. يتم إغلاق مصراع جعل بالتأكيد. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> حدد بوتقة ني وأدخل المعلمات لني في رصد معدل وضوح الشمس. إيداع 50 نانومتر (500 Å) ني بمعدل ترسب ~ 0.1 نانومتر / ث. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> بمجرد أن يبرد مصدر ني بما فيه الكفاية لأسفل (~ 15 دقيقة)، والتحول إلى الاتحاد الافريقي بوتقة، تغيير المعلمات إلى تلك الخاصة الاتحاد الافريقي، وإيداع 100 نانومتر (1،000 Å) للاتحاد الافريقي في معدل ترسب ~ 0.1 نانومتر / ثانية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> مرة واحدة قد بردت الاتحاد الافريقي بوتقة أسفل (~ 10 دقيقة)، وتنفيس وتفريغ غرفة عينة الصوانى. إذا لم تكن متأكدا من سماكة المعادن، واستخدام profilometer لتحديد سمك ني / الاتحاد الافريقي. </li></ol> 7. الاتصال المعادن الرفع حالا <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إزالة عينات من الصوانى ووضع في حمام متجرد مقاوم الضوء في درجة حرارة الغرفة لبضع ساعات لرفع قبالة معدنية تترسب على مقاومة للضوء. إذا رغبت في ذلك، رفع درجة حرارة حمام إلى حوالي 50-60 درجة مئوية إلى acceleمعدل انطلاقه. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إذا لم يكن هذا المعدن تؤتي ثمارها تماما، استخدام زجاجة بخ من مزيل PG لإزالة بقوة المعدن غير مرغوب فيها المتبقي من السطح. لا يصوتن العينة لأن هذا يمكن أن يسبب أسلاك لكسر خالية من المعدن. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> شطف مزيل PG من العينة مع IPA في كوب النفايات المذيبات ووضع العينة إلى دورق نظيفة IPA. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> كرر الخطوة 7.3 باستخدام H 2 O منزوع الأيونات ثم ضربة العينة الجافة باستخدام N 2. </li></ol> 8. الاتصال يصلب أجهزة اختبار قبل يصلب الاتصال من أجل مقارنة هذه مع أجهزة صلب. أداء يصلب الاتصال من الأفلام ني / الاتحاد الافريقي باستخدام annealer الحراري السريع (RTA) مع فائق النقاء N 2 / O 2 (3:1) مثل الغاز العملية. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> الانتظار على الأقل 24 ساعة بعد إزالة الاتصال المعدنية قبل عينات الصلب، لضمان وصلت الاتصالات المعدن التوازن بعد الترسيب. </li><li&gt; تطهير هيئة الطرق والمواصلات عن طريق تشغيل 2 N 2 / O عند درجة حرارة 650 درجة مئوية لمدة 5 دقائق من دون أي عينات. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> عينات الحمل وضبط معدل تدفق N 2 / O 2-1،4 SLPM. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> عينات يصلب على 550 درجة مئوية لمدة 10 دقيقة. كان معدل زيادة درجة الحرارة ~ 500 درجة مئوية / دقيقة. </li></ol> 9. إزالة ني / الاتحاد الافريقي السينمائي منذ إزالة الفيلم ني / الاتحاد الافريقي هو عملية مدمرة، وعادة ما يتم تصويرها الأجهزة واختبارها قبل هذه الخطوة. ويتضح هذا الإجراء لإزالة الفيلم ني / الاتحاد الافريقي في الشكل 3. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> الانتظار على الأقل 24 ساعة بعد الاتصال يصلب قبل إزالة فيلم ني / الاتحاد الافريقي. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> يلتصق قطعة من العينة من منطقة الفائدة. جعل حجم متأكدا من عينة كبيرة بما فيه الكفاية من أجل الاستيلاء على الحواف مع ملاقط دون لمس مجال الاهتمام. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تأمين دبوس كعب SEM جبل في حامل بحيث الجبل يمكن نقلها بسهولة أو يؤخذ بها. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> وضع قطعة من جonductive الشريط الكربون مسطحة على سطح جبل. قطعة من الشريط الكربون يجب أن تكون أكبر من مساحة الفيلم الذي هو المراد إزالتها. علامة تبويب الكربون موصل وهذا هو الحجم الدقيق للسطح جبل يعمل بشكل جيد جدا لهذا التطبيق. تطبيق الشريط الكربون أو علامة التبويب إلى سطح جبل ببطء وبعناية للتأكد من أن السطح على نحو سلس قدر الإمكان. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> قبل إزالة الدعم من الشريط، وذلك باستخدام الإصبع، تضغط بشدة على الشريط بحيث يتم التمسك بحزم على سطح جبل. وهذا مهم جدا حتى ان الشريط لا تؤتي ثمارها مع العينة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> أخذ عينة قطعة المشقوق ووضع بلطف مجال الاهتمام مباشرة على الشريط الكربون على طول حافة جبل ان هذه المنطقة من العينة التي تم استخدامها للتعامل مع مع ملاقط معلقة قبالة (3A الشكل) الحافة. مرة واحدة تم وضع العينة على الشريط، لا إزالته لاعادة تموضع من أجل تجنب تدمير الفيلم ني / الاتحاد الافريقي. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> اضغط بشدة على أسفلإلى الجزء الخلفي من العينة باستخدام ملقط (الشكل 3B). والحرص على عدم الضغط من الصعب جدا على العينة حول حواف جبل لأن هذا يمكن أن يسبب عينة لكسر. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> لإزالة الركيزة، واتخاذ شفرة حلاقة نظيفة أو مشرط ودفع برفق بين الركيزة والشريط على طول حواف العينة (الشكل 3C). كرر هذه العملية بعناية، بايعاز شفرة الحلاقة أبعد قليلا في كل مرة حتى يمكن بسهولة مقشر الركيزة قبالة عن طريق الاستيلاء عليه مع ملاقط. يمكن استخدام الكثير من القوة كسر العينة. للحفاظ على الشريط من نزوله مع الركيزة، وضع زوج من ملقط أو التحقيق على منطقة الشريط الذي هو المجاورة لالركيزة عند التحديق الركيزة من (الشكل 3C). ينبغي أن يظل الفيلم ني / الاتحاد الافريقي صلب انضمت إلى الشريط (الشكل 3D). في المتوسط، وهذا يستغرق حوالي خطوة 1 دقيقة لإكمال. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> صورة إزالة حديثا فيلم ني / الاتحاد الافريقي باستخدام SEM في أقرب وقت ممكن حتى لق لمراقبة واجهة تتعرض حديثا من الفيلم قبل أن يصبح الملوثة. </li></ol>

<ol>
	<li>Lu, W., Lieber, C. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Semiconductor+nanowires.">Semiconductor nanowires.</a> J. Phys. D: Appl. Phys. 39, R387-R406 (2006).</li><li>Mater Res, A. n. n. u. R. e. v. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> 34, 83-122 (2004).</li><li>Pettersen, S. V., Grande, A. P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Formation+and+electronic+properties+of+oxygen+annealed+Au/Ni+and+Pt/Ni+contacts+to+p-type.">Formation and electronic properties of oxygen annealed Au/Ni and Pt/Ni contacts to p-type.</a> 22, 186-193 (2007).</li><li>Chen, L. C., Ho, J. K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Effect+of+Heat+Treatment+on+Ni/Au+Ohmic+Contacts+to+p-Type.">The Effect of Heat Treatment on Ni/Au Ohmic Contacts to p-Type.</a> 176, 773-777 (1999).</li><li>Liday, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+NiOx-based+contacts+on+p-GaN.">Investigation of NiOx-based contacts on p-GaN.</a> J. Mater. Sci. Mater. Electron. 19, 855-862 (2008).</li><li>Narayan, J., Wang, H., Oh, T. H., Choi, H. K., Fan, J. C. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Formation+of+epitaxial+Au/Ni/Au+ohmic+contacts+to+p-GaN.">Formation of epitaxial Au/Ni/Au ohmic contacts to p-GaN.</a> Appl. Phys. Lett. 81 (21), 3978-3980 (2002).</li><li>Ho, J. K., Jong, C. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low-resistance+ohmic+contacts+to+p-type+GaN+achieved+by+the+oxidation+of+Ni/Au+films.">Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN achieved by the oxidation of Ni/Au films.</a> J. Appl. Phys. Lett. 86 (8), 4491-4497 (1999).</li><li>Herrero, A. M., Blanchard, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Microstructure+evolution+and+development+of+annealed+Ni/Au+contacts+to+GaN+nanowires.">Microstructure evolution and development of annealed Ni/Au contacts to GaN nanowires.</a> Nanotechnology. 23 (36), 5203.1-5203.10 (2012).</li><li>Bertness, K. A., Roshko, A., Sanford, N. A., Barker, J. M., Davydov, A. V. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Spontaneously+grown+GaN+and+AlGaN+nanowires.">Spontaneously grown GaN and AlGaN nanowires.</a> J. Crystal Growth. 287, 522-527 (2006).</li><li>Herrero, A. M., Bertness, K. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optimization+of+Dispersion+and+Surface+Pretreatment+for+Single+GaN+Nanowire+Devices.">Optimization of Dispersion and Surface Pretreatment for Single GaN Nanowire Devices.</a> J. Vac. Sci. Tech. B. 30 (6), 2201.1-2201.5 (2012).</li></ol>

أعلن عن أي تضارب في المصالح.

تقنية عرض يسمح للتحليل الاتصال / الركيزة والاتصال / NW المجهرية الأجهزة NW احد. المزايا الرئيسية لهذه التقنية منخفضة التكلفة والبساطة. فإنه يسمح للتحليل نوعي وكمي من واجهة الاتصال على نطاق واسع مع الركيزة وكذلك على نطاق submicrometer مع NWS الفردية. استخدام الشريط الكربون لإزا...

مصنوعة أجهزة احد NW عن طريق تشتيت تعليق NW على ركيزة العازلة وتشكيل منصات الاتصال على الركيزة عبر ضوئيه التقليدية وترسب المعادن، مما يؤدي إلى مشكلة عشوائيا الأجهزة الطرفية اثنين. وعادة ما يستخدم سميكة شافي 2 الفيلم على رقاقة سيليكون باعتبارها الركيزة العازلة 1،2. للمعادن تترسب على سطح شافي 2، وهو مشكلة شائعة الناتجة عن المعالجة الحرارية هو وقوع تشكيل الفراغ في المعادن / شافي 2 واجهة. بالإضافة إلى تكسير والتبطين للفيلم المعادن، وهذا يمكن تشكيل الفراغ تؤثر سلبا على أداء الجهاز من زيادة في المقاومة الناجمة عن الحد من منطقة التماس. الاتصالات ني / الاتحاد الافريقي تتأكسد في N 2 / O 2 الاجواء هي نظام الاتصال السائدة المطبقة على ف الجاليوم 3-7. خلال المعالجة الحرارية في N 2 / O 2، وينشر ني إلى السطح لتشكيل بظاهرة والاتحاد الافريقي ينشر وصولا الىسطح الركيزة. في هذا العمل، وقد تبين تشكيل الفراغ المفرط في الاتصال / NW والاتصال / شافي 2 واجهات لتحدث أثناء الصلب من الاتصالات ني / الاتحاد الافريقي لNWS على شافي 2 8. مورفولوجيا سطح الفيلم ني / الاتحاد الافريقي صلب، ومع ذلك، لا تشير إلى وجود فراغات أو الدرجة التي حدثت تشكيل الفراغ. لمعالجة هذه المشكلة، قمنا بتطوير تقنية لإزالة الاتصالات ني / الاتحاد الافريقي والجاليوم NWS من شافي 2 / سي ركائز من أجل تحليل واجهة للاتصال مع الركيزة وNWS. هذه التقنية يمكن استخدامها لإزالة أي هيكل الاتصال الذي يحتوي على التصاق الفقراء إلى الركيزة. تتم إزالة الأفلام ني / الاتحاد الافريقي مع الجاليوم NWS جزءا لا يتجزأ منها من الركيزة شافي 2 مع الشريط الكربون. وانضمت الشريط الكربون إلى دبوس معيار جبل لتوصيف عن طريق استخدام المسح الضوئي المجهر الإلكتروني (SEM) جنبا إلى جنب مع العديد من الأدوات الأخرى. الإجراء مفصلة عن القوات المسلحة البورونديةموصوفة rication الأجهزة الجاليوم NW واحد وتحليل الاتصال واجهة التشكل.

<table border="1">
	<tbody>
		<tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>REAGENTS and MATERIALS</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Lift-off resist</td>
			<td>MicroChem</td>
			<td>LOR 5A</td>
			<td>Varies according to application</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Photoresist</td>
			<td>Shipley</td>
			<td>1813</td>
			<td>Varies according to application</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Developer</td>
			<td>Rohm and Haas Electronic Materials</td>
			<td>MF CD-26</td>
			<td>Varies according to application</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Photoresist stripper</td>
			<td>MicroChem</td>
			<td>Nano Remover PG</td>
			<td>Varies according to application</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ni source</td>
			<td>International Advanced Materials</td>
			<td>99.999% purity</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Au source</td>
			<td>International Advanced Materials</td>
			<td>99.999% purity</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>SiO2/Si wafers</td>
			<td>Silicon Valley Microelectronics</td>
			<td>3-inch &#60;100&#62; N/As 0.001-0.005 Ohm-cm, 200 nm thermal oxide</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Carbon tape</td>
			<td>SPI Supplies</td>
			<td>5072, 8 mm wide</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>Solvents are standard semiconductor or research grade. Vendor is not important for the experimental outcome.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>Reactive ion etch gases and thermal annealing gases are high purity grade. Vendor is not important for the experimental outcome.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>EQUIPMENT</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ultrasonic cleaner</td>
			<td>Cole-Palmer</td>
			<td>EW-08849-00</td>
			<td>Low power</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Micropipette</td>
			<td>Rainin</td>
			<td>PR-200</td>
			<td>Metered, disposal tips</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Reactive ion etcher</td>
			<td>SemiGroup</td>
			<td>RIE 1000 TP</td>
			<td>Other vendors also used with different process parameters</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Mask aligner</td>
			<td>Karl Suss</td>
			<td>MJB3</td>
			<td>Other vendors also used with different process parameters</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>UV ozone cleaner</td>
			<td>Jelight</td>
			<td>Model 42</td>
			<td>Other vendors also used with different process parameters</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>E-beam evaporator</td>
			<td>CVC</td>
			<td>SC-6000</td>
			<td>Other vendors also used with different process parameters</td>
		</tr>
		<tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>* Manufacturers and product names are given solely for completeness. These specific citations neither constitute an endorsement of the product by NIST nor imply that similar products from other companies would be less suitable.</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

analysis of contact interfaces for single gan nanowire devices

واحد الجاليوم أسلاك متناهية الصغر (شمال غرب) الأجهزة ملفقة على شافي 2 يمكن أن يحمل تدهور قوية بعد الصلب بسبب وقوع تشكيل الفراغ في الاتصال / شافي 2 واجهة. هذا تشكيل الفراغ يمكن أن يسبب تكسير والتبطين للفيلم المعدنية، والتي يمكن أن تزيد من المقاومة أو تؤدي إلى الفشل الكامل للجهاز NW. من أجل معالجة القضايا المرتبطة تشكيل الفراغ، تم تطوير تقنية التي تزيل ني / الاتحاد الافريقي الأفلام الاتصال معدن من ركائز للسماح لفحص وتوصيف الاتصال / الركيزة واجهات اتصال / NW الأجهزة الجاليوم NW احد. يحدد هذا الإجراء درجة الالتصاق من الأفلام اتصال لالركيزة وNWS ويسمح لتوصيف التشكل وتكوين واجهة اتصال مع الركيزة وأسلاك. هذه التقنية مفيدة أيضا لتقييم كمية التلوث المتبقية التي لا تزال من NW التعليق علىالثانية من عمليات الطباعة بصفائح معدة ضوئيا على سطح NW-شافي 2 قبل ترسب المعادن. يتم عرض خطوات تفصيلية من هذا الإجراء لإزالة صلب الاتصالات ني / الاتحاد الافريقي لالمغنيسيوم مخدر الجاليوم NWS على شافي 2 الركيزة.

ويرد مثال على تحليل ووزارة شؤون المرأة في صلب الأفلام ني / الاتحاد الافريقي إزالتها من الركيزة شافي 2 باستخدام الشريط الكربون في الشكل 4. يظهر سطح الاتصال ني / الاتحاد الافريقي قبل إزالة في الشكل 4A. يظهر الجانب السفلي من نفس المنطقة من معين هذا ا...

Watch this Scientific Journal Video about Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices at JoVE.com

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

وقد تم تطوير تقنية التي تزيل ني / الاتحاد الافريقي الأفلام الاتصال معدن من الركيزة للسماح لفحص وتوصيف الاتصال / الركيزة واجهات اتصال / NW الأجهزة الجاليوم أسلاك متناهية الصغر واحدة.

تحليل الاتصال واجهات لأجهزة أسلاك متناهية الصغر واحدة الجاليوم

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

analysis-of-contact-interfaces-for-single-gan-nanowire-devices

Research

JoVE Journal

Engineering

9.3K Views.  National Institute of Standards and Technology.  وقد تم تطوير تقنية التي تزيل ني / الاتحاد الافريقي الأفلام الاتصال معدن من الركيزة للسماح لفحص وتوصيف الاتصال / الركيزة واجهات اتصال / NW الأجهزة الجاليوم أسلاك متناهية الصغر واحدة. 

Video: Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra shallow and sharp doping profiles at the nanometer scale. In MLCD process the dopant source is a monolayer containing dopant atoms.
In this article a detailed procedure for surface doping of silicon substrate as well as silicon nanowires is demonstrated. Phosphorus dopant source was formed using tetraethyl methylenediphosphonate monolayer on a silicon substrate. This monolayer containing substrate was brought to contact with a pristine intrinsic silicon target substrate and annealed while in contact. Sheet resistance of the target substrate was measured using 4 point probe. Intrinsic silicon nanowires were synthesized by chemical vapor deposition (CVD) process using a vapor-liquid-solid (VLS) mechanism; gold nanoparticles were used as catalyst for nanowire growth. The nanowires were suspended in ethanol by mild sonication. This suspension was used to dropcast the nanowires on silicon substrate with a silicon nitride dielectric top layer. These nanowires were doped with phosphorus in similar manner as used for the intrinsic silicon wafer. Standard photolithography process was used to fabricate metal electrodes for the formation of nanowire based field effect transistor (NW-FET). The electrical properties of a representative nanowire device were measured by a semiconductor device analyzer and a probe station.

A detailed procedure for surface doping of Silicon interfaces is provided. The ultra-shallow surface doping is demonstrated by using phosphorus containing monolayers and rapid annealing process. The method can be used for doping of macroscopic area surfaces as well as nanostructures.

الاتصال أحادي الطبقة المنشطات من السيليكون السطوح والأسلاك المتناهية الصغر عن طريق المركبات الفوسفورية العضوية

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra ...

Thermal Measurement Techniques in Analytical Microfluidic Devices

Thermal measurement techniques have been used for many applications such as thermal characterization of materials and chemical reaction detection. Micromachining techniques allow reduction of the thermal mass of fabricated structures and introduce the possibility to perform high sensitivity thermal measurements in the micro-scale and nano-scale devices. Combining thermal measurement techniques with microfluidic devices allows performing different analytical measurements with low sample consumption and reduced measurement time by integrating the miniaturized system on a single chip. The procedures of thermal measurement techniques for particle detection, material characterization, and chemical detection are introduced in this paper.

Here, we present three protocols for thermal measurements in microfluidic devices.

تقنيات القياس الحرارية في تحليلي الأجهزة ميكروفلويديك

Thermal measurement techniques have been used for many applications such as thermal characterization of materials and chemical reaction detection. ...

Seedless Growth of Bismuth Nanowire Array via Vacuum Thermal Evaporation

Here a seedless and template-free technique is demonstrated to scalably grow bismuth nanowires, through thermal evaporation in high vacuum at RT. Conventionally reserved for the fabrication of metal thin films, thermal evaporation deposits bismuth into an array of vertical single crystalline nanowires over a flat thin film of vanadium held at RT, which is freshly deposited by magnetron sputtering or thermal evaporation. By controlling the temperature of the growth substrate the length and width of the nanowires can be tuned over a wide range. Responsible for this novel technique is a previously unknown nanowire growth mechanism that roots in the mild porosity of the vanadium thin film. Infiltrated into the vanadium pores, the bismuth domains (~ 1 nm) carry excessive surface energy that suppresses their melting point and continuously expels them out of the vanadium matrix to form nanowires. This discovery demonstrates the feasibility of scalable vapor phase synthesis of high purity nanomaterials without using any catalysts.

A protocol for seedless and high yield growth of bismuth nanowire arrays through vacuum thermal evaporation technique is presented.

نمو البذور من البزموت أسلاك متناهية الصغر صفيف عبر فراغ التبخر الحراري

Here a seedless and template-free technique is demonstrated to scalably grow bismuth nanowires, through thermal evaporation in high vacuum at RT. ...

Solvent Bonding for Fabrication of PMMA and COP Microfluidic Devices

Thermoplastic microfluidic devices offer many advantages over those made from silicone elastomers, but bonding procedures must be developed for each thermoplastic of interest. Solvent bonding is a simple and versatile method that can be used to fabricate devices from a variety of plastics. An appropriate solvent is added between two device layers to be bonded, and heat and pressure are applied to the device to facilitate the bonding. By using an appropriate combination of solvent, plastic, heat, and pressure, the device can be sealed with a high quality bond, characterized as having high bond coverage, bond strength, optical clarity, durability over time, and low deformation or damage to microfeature geometry. We describe the procedure for bonding devices made from two popular thermoplastics, poly(methyl-methacrylate) (PMMA), and cyclo-olefin polymer (COP), as well as a variety of methods to characterize the quality of the resulting bonds, and strategies to troubleshoot low quality bonds. These methods can be used to develop new solvent bonding protocols for other plastic-solvent systems.

Solvent bonding is a simple and versatile method for fabricating thermoplastic microfluidic devices with high quality bonds. We describe a protocol to achieve strong, optically clear bonds in PMMA and COP microfluidic devices that preserve microfeature details, by a judicious combination of pressure, temperature, an appropriate solvent, and device geometry.

الرابطة المذيبات لتصنيع PMMA وCOP أجهزة ميكروفلويديك

Thermoplastic microfluidic devices offer many advantages over those made from silicone elastomers, but bonding procedures must be developed for each ...

Scanning Light Scattering Profiler (SLPS) Based Methodology to Quantitatively Evaluate Forward and Backward Light Scattering from Intraocular Lenses

The scanning light scattering profiler (SLSP) methodology has been developed for the full-angle quantitative evaluation of forward and backward light scattering from intraocular lenses (IOLs) using goniophotometer principles. This protocol describes the SLSP platform and how it employs a 360&#176; rotational photodetector sensor that is scanned around an IOL sample while recording the intensity and location of scattered light as it passes through the IOL medium. The SLSP platform can be used to predict, non-clinically, the propensity for current and novel IOL designs and materials to induce light scatter. Non-clinical evaluation of light scattering properties of IOLs can significantly reduce the number of patient complaints related to unwanted glare, glistening, optical defects, poor image quality, and other phenomena associated with the unintended light scattering. Future studies should be conducted to correlate SLSP data with clinical results to help identify which measured light scatter is most problematic for patients that have undergone cataract surgery subsequent to IOL implantation.

Scanning Light Scattering Profiler SLPS Based Methodology to Quantitatively Evaluate Forward and Backward Light Scattering from Intraocular Lenses

This protocol describes the scanning light scattering profiler (SLSP) that enables the full-angle quantitative evaluation of forward and backward scattering of light from intraocular lenses (IOLs) using goniophotometer principles.

المسح الضوئي لانتثار الضوء المنشئ (سلبس) المنهجية لتقييم كميا إلى الأمام والخلف نثر الضوء من العدسات داخل العين

The scanning light scattering profiler (SLSP) methodology has been developed for the full-angle quantitative evaluation of forward and backward light ...

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of nanowires. DEP is used for nanowire analysis, characterization, and for solution-based fabrication of semiconducting devices. The method works by applying an alternating electric field between metallic electrodes. The nanowire formulation is then dropped onto the electrodes which are on an inclined surface to create a flow of the formulation using gravity. The nanowires then align along the gradient of the electric field and in the direction of the liquid flow. The frequency of the field can be adjusted to select nanowires with superior conductivity and lower trap density. 
In this work, flow-assisted DEP is used to create nanowire field effect transistors. Flow-assisted DEP has several advantages: it allows selection of nanowire electrical properties; control of nanowire length; placement of nanowires in specific areas; control of orientation of nanowires; and control of nanowire density in the device. 
The technique can be expanded to many other applications such as gas sensors and microwave switches. The technique is efficient, quick, reproducible, and it uses a minimal amount of dilute solution making it ideal for the testing of novel nanomaterials. Wafer scale assembly of nanowire devices can also be achieved using this technique, allowing large numbers of samples for testing and large-area electronic applications.

In this paper, flow assisted dielectrophoresis is demonstrated for the self-assembly of nanowire devices. The fabrication of a silicon nanowire field effect transistor is shown as an example.

ديليكتروفوريسيس ساعد تدفق: طريقة منخفضة تكلفة لتصنيع الأجهزة عالية الأداء الحل مفهرسة أسلاك متناهية الصغر

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...

Atmospheric Pressure Fabrication of Large-Sized Single-Layer Rectangular SnSe Flakes

Tin selenide (SnSe) belongs to the family of layered metal chalcogenide materials with a buckled structure like phosphorene, and has shown potential for applications in two-dimensional nanoelectronics devices. Although many methods to synthesize SnSe nanocrystals have been developed, a simple way to fabricate large-sized single-layer SnSe flakes remains a great challenge. Herein, we show the experimental method to directly grow large-sized single-layer rectangular SnSe flakes on commonly used SiO2/Si insulating substrates using a straightforward two-step fabrication method in an atmospheric pressure quartz tube furnace system. The single-layer rectangular SnSe flakes with an average thickness of ~6.8 &#197; and lateral dimensions of about 30 &#181;m &#215; 50 &#181;m were fabricated by a combination of vapor transport deposition technique and nitrogen etching route. We characterized the morphology, microstructure, and electrical properties of the rectangular SnSe flakes and obtained excellent crystallinity and good electronic properties. This article about the two-step fabrication method can help researchers grow other similar two-dimensional, large-sized, single-layer materials using an atmospheric pressure system.

A protocol is presented demonstrating a two-step fabrication technique to grow large-sized single-layer rectangular shaped SnSe flakes on low-cost SiO2/Si dielectrics wafers in an atmospheric pressure quartz tube furnace system.

الضغط الجوي تصنيع رقائق سنسي مستطيلة طبقة واحدة كبيرة الحجم

Tin selenide (SnSe) belongs to the family of layered metal chalcogenide materials with a buckled structure like phosphorene, and has shown potential for ...

Fabrication of Refractive-index-matched Devices for Biomedical Microfluidics

The use of microfluidic devices has emerged as a defining tool for biomedical applications. When combined with modern microscopy techniques, these devices can be implemented as part of a robust platform capable of making simultaneous complementary measurements. The primary challenge created by the combination of these two techniques is the mismatch in refractive index between the materials traditionally used to make microfluidic devices and the aqueous solutions typically used in biomedicine. This mismatch can create optical artifacts near the channel or device edges. One solution is to reduce the refractive index of the material used to fabricate the device by using a fluorinated polymer such as MY133-V2000 whose refractive index is similar to that of water (n = 1.33). Here, the construction of a microfluidic device made out of MY133-V2000 using soft lithography techniques is demonstrated, using O2 plasma in conjunction with an acrylic holder to increase the adhesion between the MY133-V2000 fabricated device and the polydimethylsiloxane (PDMS) substrate. The device is then tested by incubating it filled with cell culture media for 24 h to demonstrate the ability of the device to maintain cell culture conditions during the course of a typical imaging experiment. Finally, quantitative phase microscopy (QPM) is used to measure the distribution of mass within the live adherent cells in the microchannel. This way, the increased precision, enabled by fabricating the device from a low index of refraction polymer such as MY133-V2000 in lieu of traditional soft lithography materials such as PDMS, is demonstrated. Overall, this approach for fabricating microfluidic devices can be readily integrated into existing soft lithography workflows in order to reduce optical artifacts and increase measurement precision.

This protocol describes the fabrication of microfluidic devices from MY133-V2000 to eliminate artifacts that often arise in microchannels due to the mismatching refractive indices between microchannel structures and an aqueous solution. This protocol uses an acrylic holder to compress the encapsulated device, improving adhesion both chemically and mechanically.

تصنيع الأجهزة المتطابقة من مؤشر الانكسار للطب الحيوي ميكروفلويديكس

The use of microfluidic devices has emerged as a defining tool for biomedical applications. When combined with modern microscopy techniques, these devices ...

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes normally result in very poor cell performance. Embedding or sandwiching silver nanowires using moderately conductive transparent materials, such as indium tin oxide or zinc oxide, can improve cell performance. However, the solution-processed matrix layers can cause a significant number of interfacial defects between transparent electrodes and the CdS buffer, which can eventually result in low cell performance. This manuscript describes how to fabricate robust electrical contact between a silver nanowire electrode and the underlying CdS buffer layer in a Cu(In,Ga)Se2 solar cell, enabling high cell performance using matrix-free silver nanowire transparent electrodes. The matrix-free silver nanowire electrode fabricated by our method proves that the charge-carrier collection capability of silver nanowire electrode-based cells is as good as that of standard cells with sputtered ZnO:Al/i-ZnO as long as the silver nanowires and CdS have high-quality electrical contact. The high-quality electrical contact was achieved by depositing an additional CdS layer as thin as 10 nm onto the silver nanowire surface.

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

In this protocol, we describe the detailed experimental procedure for the fabrication of a robust nanoscale contact between a silver nanowire network and CdS buffer layer in a CIGS thin-film solar cell.

تصنيع اتصال قوي نانوي بين القطب نانوواير الفضة وطبقة العازلة CDS في Cu (في، Ga) Se2 الخلايا الشمسية رقيقة الفيلم

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

Crack Monitoring in Resonance Fatigue Testing of Welded Specimens Using Digital Image Correlation

A procedure using digital image correlation (DIC) to detect cracks on welded specimens during fatigue tests on resonance testing machines is presented. It is intended as a practical and reproducible procedure to identify macroscopic cracks at an early stage and monitor crack propagation during fatigue tests. It consists of strain field measurements at the weld using DIC. Images are taken at fixed load cycle intervals. Cracks become visible in the computed strain field as elevated strains. This way, the whole width of a small-scale specimen can be monitored to detect where and when a crack initiates. Subsequently, it is possible to monitor the development of the crack length. Because the resulting images are saved, the results are verifiable and comparable. The procedure is limited to cracks initiating at the surface and is intended for fatigue tests under laboratory conditions. By visualizing the crack, the presented procedure allows direct observation of macrocracks from their formation until rupture of the specimen.

Digital image correlation is used in fatigue tests on a resonance testing machine to detect macroscopic cracks and monitor crack propagation in welded specimens. Cracks on the specimen surface become visible as increased strains.

رصد الكراك في اختبار التعب الرنين من العينات الملحومة باستخدام ارتباط الصورة الرقمية

A procedure using digital image correlation (DIC) to detect cracks on welded specimens during fatigue tests on resonance testing machines is presented. It ...