This work was supported by the Department of Energy under the FPACE program (DE-EE0005398), the Ohio State University Institute for Materials Research, and the Ohio Office of Technology Investments&#8217; Third Frontier Program.

وقد كتب هذا البروتوكول مع افتراض أن القارئ سوف يكون لدينا فهم عمل عملية SEM القياسية. وهذا يتوقف على الصانع، نموذج، وحتى إصدار البرنامج، ويمكن كل SEM ديك الأجهزة و / أو البرامج المختلفة بشكل كبير الواجهات. ويمكن قول الشيء نفسه فيما يتعلق التكوين الداخلي للأداة. يجب أن يكون المشغل الحذر وملاحظ عند اتباع هذا البروتوكول، وحتى التغيرات الصغيرة نسبيا في حجم العينة / الهندسة، والتوجه العينة (الميل والدوران)، والعمل عن بعد، يمكن أن تشكل خطرا لإجراء اتصالات مع قطعة القطب، وخاصة إذا ليس في ارتفاع eucentric. الإرشادات المتوفرة هنا هي لالأداة المستخدمة لأداء هذا العمل، وسيريون SEM الاتحاد الدولي للفروسية مجهزة بندقية الانبعاثات الميدان ومعيار، القطب قطعة شنت الدائري سي تشتت ارتدادي كاشف. وبالتالي، فمن الضروري أن القارئ على فهم كيفية تنفيذ الإجراءات تعادل على المعدات الخاصة بها. </P&gt; التحضير 1. عينة <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> عينة يلتصق، جاب / سي لهذه الدراسة، إلى حجم مناسب وفقا لحجم العينة SEM الجبل الذي لاستخدامها. ملاحظة: يمكن أن تكون العينة صغيرة مثل 5 مم × 5 مم أو كبيرة مثل رقاقة كامل (4 بوصات طويلة)، اعتمادا على هندسة الداخلية للSEM المستخدمة والمتوفرة سطح حجرة العينة space.The يجب أن تكون نظيفة جدا و خالية من التلوث التي يمكن أن تعكر صفو توجيه (على سبيل المثال، بلورية أو أكاسيد الأم غير متبلور). </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ضع العينة على عينة SEM جبل. ملاحظة: طريقة التركيب قد تتغير تبعا لنوع من SEM كعب استخدامها، وعادة إما نمط مقطع أو عن طريق بعض المواد اللاصقة (على سبيل المثال، شريط الكربون، والطلاء الفضة). طريقة وضع يجب أن تكفل فإن العينة لا تتحرك وأن يرتكز عليه كهربائيا لمنع عينة الشحن. </li></ol> 2. تحميل نموذج <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تنفيس SEM بالضغط على زر &quot;تنفيس&quot; فيواجهة البرنامج وادخال العينة بعد التوصل الضغط الجوي. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> قبل أن يغلق الباب SEM، وضمان أن تكون العينة على ارتفاع مناسب حتى لا تضرب كشف عن مرض جنون البقر على الانتقال إلى SEM. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ضخ أسفل SEM بالضغط على زر &quot;مضخة&quot; في واجهة البرنامج. انتظر حتى يشير نظام ضغط منخفض بما فيه الكفاية لبدء القياسات. </li></ol> 3. تعيين ظروف العمل المناسبة <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> بدوره على شعاع الالكترون عبر زر التحكم في منطقة السيطرة &quot;شعاع&quot; وتعيين الجهد تسريع عن طريق القائمة المنسدلة &quot;شعاع&quot; في واجهة البرنامج. للعمل المعروضة هنا، تم استخدام 25 كيلو فولت. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تعيين شعاع التيار إلى قيمة مناسبة عن طريق القائمة المنسدلة &quot;شعاع&quot;. ويتحدد ذلك في إطار منظومة المستخدمة هنا عن طريق إعداد حجم البقعة، والتي كان من المقرر أن 5 (حوالي 2.4 غ). ملاحظة: ارتفاع شعاع الحالي هو عادة ضرورية بecause إشارة ECCI ضعيفة عموما وأكبر الحالي يسمح للحصول على صورة أكثر تمييزها. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> باستخدام كاشف الإلكترون الثانوية، وضبط تركيز الصورة وstigmation عبر واجهة البرنامج. ملاحظة: يتم تنفيذ هذا هنا بالنقر بزر الماوس الأيمن وسحب الماوس على واجهة البرنامج. الرأسي للتركيز الأفقية لstigmation. أيضا، فإنه من المفيد عادة لإيجاد الجسيمات الصغيرة أو ميزة على سطح العينة لتقديم موضوع واضح لتعديل التركيز / stigmation. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> نقل العينة إلى العمل لمسافات رأسية عن طريق تغيير تدريجي في موقف Z المرحلة وضبط التركيز وstigmation حسب الحاجة. تم تغيير موقف Z من خلال &#39;Z&#39; القائمة المنسدلة في منطقة سيطرة &quot;المرحلة&quot; من واجهة البرنامج. للعمل الموصوفة هنا، على مسافة العمل من 5 ملم وضعت نفسها في ذروة eucentric وقدمت إشارة ECCI قوية. </li></ol> 4. تصور نموذج ECP &lt;رأ&gt; <li style=";text-align:right;direction:rtl"> التبديل إلى وضع مرض جنون البقر من خلال القائمة المنسدلة &quot;كشف&quot; في واجهة البرنامج. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تقليل التكبير إلى وضع أدنى مستوياته (27X)، والتي تتم هنا عن طريق ناقص لوحة مفاتيح الكمبيوتر (-) مفتاح، لتصور ECP. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ضبط معدل المسح، القيام به هنا عن طريق القائمة المنسدلة &quot;المسح الضوئي&quot;، لتقديم صورة مع يكفي الإشارة إلى الضوضاء (على سبيل المثال، مسح بطيئة بدلا من وضع TV). ملاحظة: متوسط ​​أو دمج الصورة قد يكون من الضروري الحصول على أكثر وضوحا، صورة أكثر ملحوظ. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ضبط تباين الصورة والسطوع، أنجز هنا عبر &quot;التباين&quot; والمتزلجون &quot;السطوع&quot;، للمساعدة في تعزيز وضوح ECP، والحرص على عدم oversaturate. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ضبط عينة دوران والميل، وذلك باستخدام &#39;R&#39; وإدخالات &#39;T&#39; في منطقة &#39;مرحلة&#39; التحكم في واجهة البرنامج، للمساعدة في جعل ملامح نمط توجيه أكثر وضوحا. عينة rotatسوف أيون يؤدي إلى دوران ECP (كما هو موضح في الشكل رقم 2) وسوف تميل يؤدي إلى ترجمة ECP (كما هو موضح في الشكل 3). </li></ol> 5. صورة العيوب / الميزات <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ضبط الميل عينة والتناوب، كما هو موضح في الخطوة 4.5، لتعيين حالة الحيود المطلوب. إنجاز ذلك من خلال ترجمة و / أو الدورية للECP لتحقيق المواءمة بين الهدف كيكوتشي حافة الفرقة (أي نقطة انعطاف بين مشرق كيكوتشي الفرقة وما يرتبط بها من خط كيكوتشي غامق) مع المحور البصري SEM. بينما الحد الأقصى لتوجيه يحدث في الواقع عند خط كيكوتشي، محاذاة في الطريقة الموصوفة هنا يوفر المقابل التصور للعيوب مع كل مستويات التباين مظلمة ومشرقة (انظر الشكلين 4 و 5). </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> مرة واحدة ويتحقق الشرط حيود المطلوب، وزيادة التكبير، وفعلت هنا عن طريق لوحة المفاتيح بالإضافة إلى مفتاح (+). </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إعادة تركيز الصورة وضبط stigmation، كما هو موضح في الخطوة 3.2. ملاحظة: هنا، وFOيتم ضبط سلطات الجمارك وstigmation أفضل فيما يتعلق عيب / ميزة معينة يجري تصويره. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> بسبب الانحرافات الصغيرة من على حافة الفرقة يمكن أن تجعل اختلافات كبيرة في ظهور الخلل الهدف أو ميزة، وتحسين حالة الحيود بجعل صغيرة (أي أكثر من التعديلات على الميل عينة متعامد إلى كيكوتشي الفرقة / خط الفائدة، في حين سوف يراقب ميزة معينة لأقصى قدر من التباين. لاحظ أن تتحرك باتجاه الداخل من الفرقة كيكوتشي سوف يقلل عادة التباين النسبي للملامح &quot;مشرق&quot;، في الوقت الذي يتجه نحو الخارج من الفرقة (نحو خط كيكوتشي) الحد من عادة التباين النسبي من ميزات &quot;المظلمة&quot;. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> حالما يتم الحصول على النقيض من المطلوب، تقليل التكبير للتحقق من أن نفس الفرقة لا تزال في أو قريبة جدا من المحور البصري. أيضا الميل الكثير يمكن تغيير حالة الحيود تماما. </li></ol>

<ol>
	<li>Zaefferer, S., Elhami, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Theory+and+application+of+electron+channelling+contrast+imaging+under+controlled+diffraction+conditions.">Theory and application of electron channelling contrast imaging under controlled diffraction conditions.</a> Acta Mater. 75, 20-50 (2014).</li><li>Crimp, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A.+Scanning+electron+microscopy+imaging+of+dislocations+in+bulk+materials,+using+electron+channeling+contrast.">A. Scanning electron microscopy imaging of dislocations in bulk materials, using electron channeling contrast.</a> Microsc. Res. Tech. 69 (5), 374-381 (2006).</li><li>Joy, D. C., Newbury, D. E., Davidson, D. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electron+channeling+patterns+in+the+scanning+electron+microscope.">Electron channeling patterns in the scanning electron microscope.</a> J. Appl. Phys. 53 (8), R81-R122 (1982).</li><li>Williams, D. B., Carter, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials Science. , (2009).</li><li>Picard, Y. N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Future+Prospects+for+Defect+and+Strain+Analysis+in+the+SEM+via+Electron+Channeling.">Future Prospects for Defect and Strain Analysis in the SEM via Electron Channeling.</a> Micros. Today. 20 (2), 12-16 (2012).</li><li>Naresh-Kumar, G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+Nondestructive+Analysis+of+Threading+Dislocations+in+Wurtzite+Materials+Using+the+Scanning+Electron+Microscope.">Rapid Nondestructive Analysis of Threading Dislocations in Wurtzite Materials Using the Scanning Electron Microscope.</a> Phys. Rev. Lett. 108 (13), 135503 (2012).</li><li>Naresh-Kumar, G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electron+channeling+contrast+imaging+studies+of+nonpolar+nitrides+using+a+scanning+electron+microscope.">Electron channeling contrast imaging studies of nonpolar nitrides using a scanning electron microscope.</a> Appl. Phys. Lett. 102 (14), 142103 (2013).</li><li>Kamaladasa, R. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Identifying+threading+dislocations+in+GaN+films+and+substrates+by+electron+channelling.">Identifying threading dislocations in GaN films and substrates by electron channelling.</a> J. Microsc. 244 (3), 311-319 (2011).</li><li>Picard, Y. N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nondestructive+analysis+of+threading+dislocations+in+GaN+by+electron+channeling+contrast+imaging.">Nondestructive analysis of threading dislocations in GaN by electron channeling contrast imaging.</a> Appl. Phys. Lett. 91 (9), 094106 (2007).</li><li>Picard, Y. N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electron+channeling+contrast+imaging+of+atomic+steps+and+threading+dislocations+in+4H-SiC.">Electron channeling contrast imaging of atomic steps and threading dislocations in 4H-SiC.</a> Appl. Phys. Lett. 90 (23), 234101 (2007).</li><li>Picard, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+SiC+Growth+Morphology+and+Extended+Defects+Investigated+by+Electron+Backscatter+Diffraction+and+Electron+Channeling+Contrast+Imaging.">Epitaxial SiC Growth Morphology and Extended Defects Investigated by Electron Backscatter Diffraction and Electron Channeling Contrast Imaging.</a> J. Electron. Mater. 37 (5), 691-698 (2008).</li><li>Wilkinson, A. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Observation+of+strain+distributions+in+partially+relaxed+In0.2Ga0.8As+on+GaAs+using+electron+channelling+contrast+imaging.">Observation of strain distributions in partially relaxed In0.2Ga0.8As on GaAs using electron channelling contrast imaging.</a> Philos. Mag. Lett. 73 (6), 337-344 (1996).</li><li>Wilkinson, A. J., Anstis, G. R., Czernuszka, J. T., Long, N. J., Hirsch, P. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electron+Channeling+Contrast+Imaging+of+Interfacial+Defects+in+Strained+Silicon-Germanium+Layers+on+Silicon.">Electron Channeling Contrast Imaging of Interfacial Defects in Strained Silicon-Germanium Layers on Silicon.</a> Philos. Mag. A. 68 (1), 59-80 (1993).</li><li>Carnevale, S. D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+misfit+dislocation+characterization+in+heteroepitaxial+III-V/Si+thin+films+by+electron+channeling+contrast+imaging.">Rapid misfit dislocation characterization in heteroepitaxial III-V/Si thin films by electron channeling contrast imaging.</a> Appl. Phys. Lett. 104 (23), 232111 (2014).</li><li>Kvam, E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Interactions+of+dislocations+and+antiphase+(inversion)+domain+boundaries+in+III&#8211;V/IV+heteroepitaxy.">Interactions of dislocations and antiphase (inversion) domain boundaries in III&#8211;V/IV heteroepitaxy.</a> J. Electron. Mater. 23 (10), 1021-1026 (1994).</li><li>Grassman, T. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Control+and+elimination+of+nucleation-related+defects+in+GaP/Si(001)+heteroepitaxy.">Control and elimination of nucleation-related defects in GaP/Si(001) heteroepitaxy.</a> Appl. Phys. Lett. 94 (23), 232106 (2009).</li><li>Grassman, T. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nucleation-related+defect-free+GaP/Si(100)+heteroepitaxy+via+metal-organic+chemical+vapor+deposition.">Nucleation-related defect-free GaP/Si(100) heteroepitaxy via metal-organic chemical vapor deposition.</a> Appl. Phys. Lett. 102 (14), 142102 (2013).</li><li>Volz, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=GaP-nucleation+on+exact+Si(001)+substrates+for+III/V+device+integration.">GaP-nucleation on exact Si(001) substrates for III/V device integration.</a> J. Cryst. Growth. 315 (1), 37-47 (2011).</li><li>Beyer, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=GaP+heteroepitaxy+on+Si(001):+Correlation+of+Si-surface+structure,+GaP+growth+conditions,+and+Si-III/V+interface+structure.">GaP heteroepitaxy on Si(001): Correlation of Si-surface structure, GaP growth conditions, and Si-III/V interface structure.</a> J. Appl. Phys. 111 (8), 083534 (2012).</li><li>Touloukian, Y. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Thermal Expansion: Nonmetallic Solids. , (1977).</li><li>Yamaguchi, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dislocation+density+reduction+in+heteroepitaxial+III-V+compound+films+on+Si+substrates+for+optical+devices.">Dislocation density reduction in heteroepitaxial III-V compound films on Si substrates for optical devices.</a> J. Mater. Res. 6 (2), 376-384 (1991).</li><li>Nemanich Ware, R. J., Gray, J. L., Hull, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Analysis+of+a+nonorthogonal+pattern+of+misfit+dislocation+arrays+in+SiGe+epitaxy+on+high-index+Si+substrates.">Analysis of a nonorthogonal pattern of misfit dislocation arrays in SiGe epitaxy on high-index Si substrates.</a> J. Appl. Phys. 95 (1), 115-122 (2004).</li><li>Ghandhi Ayers, S. K., Schowalter, L. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Crystallographic+tilting+of+heteroepitaxial+layers.">Crystallographic tilting of heteroepitaxial layers.</a> J. Cryst. Growth. 113 (3-4), 430-440 (1991).</li><li>Yamane, T., Kawai, Y., Furukawa, H., Okada, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+low+defect+density+GaP+layers+on+Si+substrates+within+the+critical+thickness+by+optimized+shutter+sequence+and+post-growth+annealing.">Growth of low defect density GaP layers on Si substrates within the critical thickness by optimized shutter sequence and post-growth annealing.</a> J. Cryst. Growth. 312 (15), 2179-2184 (2010).</li><li>Jimbo Soga, T., Umeno, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dislocation+Generation+Mechanisms+For+GaP+On+Si+Grown+By+Metalorganic+Chemical-Vapor-Deposition.">Dislocation Generation Mechanisms For GaP On Si Grown By Metalorganic Chemical-Vapor-Deposition.</a> Appl. Phys. Lett. 63 (18), 2543-2545 (1993).</li><li>Weidner, A., Martin, S., Klemm, V., Martin, U., Biermann, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Stacking+faults+in+high-alloyed+metastable+austenitic+cast+steel+observed+by+electron+channelling+contrast+imaging.">Stacking faults in high-alloyed metastable austenitic cast steel observed by electron channelling contrast imaging.</a> Scripta Mater. 64 (6), 513-516 (2011).</li></ol>

The authors have nothing to disclose.

تم استخدام الجهد المتسارع لل25 كيلو فولت لهذه الدراسة. فإن الجهد تسريع تحديد عمق الاختراق شعاع الالكترون. مع الجهد العالي المتسارع، سيكون هناك إشارة مرض جنون البقر القادمة من أعماق أكبر في العينة. وقد تم اختيار الجهد المتسارع عالية لهذا النظام لأنه يسمح لتسليط الضوء ?...

توصيف مفصل من العيوب البلورية والمجهرية هو جانب هام حيوية من مواد أشباه الموصلات والأبحاث الجهاز لأن هذه العيوب يمكن أن يكون لها تأثير ضار كبير على أداء الجهاز. حاليا، انتقال المجهر الإلكتروني (TEM) هو الأسلوب الأكثر قبولا على نطاق واسع وتستخدم لتوصيف مفصل من العيوب بمد - الخلع، أخطاء التراص، التوائم، antiphase المجالات، وما إلى ذلك - لأنه تمكن من التصوير المباشر لمجموعة واسعة من العيوب مع وافرة التحليل المكاني. للأسف، TEM هو نهج منخفضة الإنتاجية بشكل أساسي بسبب مرات إعداد العينات طويلة، والتي يمكن أن تؤدي إلى التأخير والاختناقات كبيرة في دورات البحث والتطوير. بالإضافة إلى ذلك، على سلامة العينة، مثل من حيث حالة الإجهاد كما نمت، يمكن تغييرها أثناء إعداد العينات، وترك الفرصة للحصول على نتائج المغشوشة. الإلكترون توجيه التعاونالتصوير ntrast (ECCI) هو مكمل، وفي بعض الحالات يمكن أن تكون متفوقة، التقنية لتيم، حيث أنه يوفر بديلا، نهج الإنتاجية العالية لتصوير نفس العيوب طويلة. في حالة المواد الفوقي، وعينات حاجة كبيرة إلى أي إعداد، مما يجعل ECCI وقتا أطول بكثير كفاءة. بالإضافة إلى ذلك من المفيد هو حقيقة أن ECCI يتطلب سوى حقل الانبعاثات مجهر المسح الإلكتروني (SEM) مجهزة القياسية الحلقي القطب قطعة شنت تشتت ارتدادي الإلكترون (جنون البقر) كاشف. ويمكن أيضا أن تستخدم الهندسة forescatter، ولكنها تتطلب معدات قليلا أكثر تخصصا ولم يتم مناقشتها هنا. وتتألف إشارة ECCI الإلكترونات التي تشتتت inelastically من شعاع توجيه (الإلكترون موجة الجبهة)، ومن خلال عدة أحداث نثر غير مرن إضافية لفي الذهاب، وقادرة هربا من عينة مرة أخرى من خلال السطح. 1 على غرار غرفتين شعاع TEM، فمن الممكن أن تؤدي ECCI في ظروف حيود محددة في SEM التي كتبها أوريnting العينة بحيث الحادث الإلكترون شعاع يلبي شرطا براج البلورات (أي، وتوجيه)، كما هو محدد باستخدام منخفضة التكبير الإلكترون توجيه أنماط (اللجنة التنفيذية)؛ 1،2 انظر الشكل 1 على سبيل المثال. ببساطة، اللجنة التنفيذية تقديم تمثيل التوجه في الفضاء من الحادث شعاع الالكترون الحيود / توجيه 3 خطوط الظلام الناتجة من انخفاض إشارة تشتت ارتدادي تشير التوجهات شعاع عينة حيث تم استيفاء الشروط براج (أي.، خطوط كيكوتشي) والتي ينتج عنها توجيه قوي، في حين أن المناطق المشرقة تشير تشتت ارتدادي عالية، والظروف غير إنحرافي. بدلا من أنماط كيكوتشي تنتج عن طريق حيود تشتت ارتدادي الإلكترون (EBSD) أو TEM، التي تتشكل عبر المنتهية ولايته حيود الإلكترون، واللجنة التنفيذية هي نتيجة لحادث حيود الإلكترونات / توجيه. في الممارسة العملية، وتتحقق الشروط حيود الخاضعة للرقابة لECCI عن طريق ضبط اتجاه عينة، والخامسالميل ألف و / أو دوران تحت التكبير المنخفض، مثل أن ميزة ECP تمثل حالة براج محددة جيدا من الفائدة - على سبيل المثال، [400] أو [220] كيكوتشي الفرقة / خط - هو تتزامن مع المحور البصري للSEM . الانتقال إلى تضخم عالية ثم، ونظرا للقيود الناتجة من مجموعة الزاوي للشعاع الإلكترون الحادث، ويختار بشكل فعال للإشارة مرض جنون البقر الذي يتوافق بشكل مثالي فقط لنثر من حالة الحيود الذي تم اختياره. بهذه الطريقة فمن الممكن أن نلاحظ العيوب التي تقدم الحيود النقيض من ذلك، مثل الاضطرابات. كما هو الحال في TEM، يتم تحديد المقابل التصوير التي قدمها مثل هذه العيوب بالمعايير القياسية الخفي، ز · (ب س ش) = 0 و ز · ب = 0، حيث ز يمثل ناقلات الحيود، ب ناقلات البرغر، وش خط الاتجاه. 4 هذاتحدث هذه الظاهرة بسبب الإلكترونات diffracted فقط من الطائرات تشوهها الخلل سوف تحتوي على معلومات حول وقالت عيب. حتى الآن، وقد استخدمت في الغالب ECCI لملامح الصورة وعيوب بالقرب أو على سطح العينة لهذه المواد وظيفية GaSb، 5 SrTiO 3، 5 الجاليوم و 6-9 و كربيد. 10،11 هذا القيد هو نتيجة للسطح طبيعة -sensitive للإشارة ECCI نفسها، حيث أن مرض جنون البقر التي تشكل إشارة تأتي من مجموعة عمق حوالي 10-100 نانومتر. أهم مساهمة لهذا القرار عمق الحد هو أن توسيع والتخميد من موجة الإلكترون الجبهة (الإلكترونات توجيهها)، بوصفها وظيفة من العمق في وضوح الشمس، وذلك بسبب فقدان الإلكترونات إلى تناثر الأحداث، مما يقلل من مستمرة في أقصى إشارة BSE المحتملة. 1 ومع ذلك، فقد تم الإبلاغ عن بعض درجة من الدقة في عمق العمل السابق في سي 1-X قه س / سي وفي العاشر جا 1-x باسم / heterostructures الغاليوم، 12،13 وكذلك في الآونة الأخيرة (وهنا) من قبل المؤلفين على heterostructures جاب / سي، 14 حيث كانت تستخدم ECCI إلى الاضطرابات صورة كفؤ دفن في واجهة شعرية متطابقة heteroepitaxial في أعماق تصل إلى 100 نانومتر (مع أعماق أعلى المحتملة الأرجح). لعمل مفصلة هنا، ويستخدم ECCI لدراسة جاب نمت epitaxially على سي (001)، وهي مواد نظام التكامل المعقدة مع تطبيق نحو مجالات مثل الطاقة الكهروضوئية والإلكترونيات الضوئية. جاب / سي غير ذات أهمية خاصة كمسار محتمل لدمج المتحولة أشباه الموصلات III-V (شعرية متطابقة) على ركائز سي فعالة من حيث التكلفة. لسنوات عديدة وقد ابتليت الجهود المبذولة في هذا الاتجاه من خلال الجيل غير المنضبط أعداد كبيرة من العيوب المتعلقة heterovalent التنوي، بما في ذلك المجالات antiphase، أخطاء التراص، وmicrotwins. مثل هذه العيوب تضر أداء الجهاز، ESPEوقد أدت الضوئية السيما، يرجع ذلك إلى حقيقة أنها يمكن أن تكون نشاطا كهربائيا، بوصفها مراكز الناقل إعادة التركيب، ويمكن أيضا أن تعيق بينية خلع أنسل، مما يؤدي إلى كثافة خلع أعلى. 15 ولكن الجهود التي بذلت مؤخرا من قبل المؤلفين وغيرهم في التنمية الناجحة عمليات الفوقي التي يمكن أن تنتج الأفلام جاب على اساس سي خالية من هذه العيوب التنوي ذات الصلة، 16-19 مما يمهد الطريق لمواصلة التقدم. ومع ذلك، ونظرا للصغير، ولكن لا يستهان به، فمنها شعرية بين الفجوة وسي (0.37٪ عند RT)، وجيل من الاضطرابات كفؤ أمر لا مفر منه، بل ومن الضروري لإنتاج epilayers استرخاء تماما. الفجوة، مع الزنك أساس FCC-هيكلها blende، يميل إلى تسفر عن 60 درجة الاضطرابات نوع (حافة مختلطة والمسمار) على النظام زلة، والتي هي glissile ويمكن تخفيف كميات كبيرة من سلالة من خلال صافي أطوال أنسل طويلة. هو عرض تعقيد إضافي أيضا عدم تطابق فيالفجوة وسي معاملات التمدد الحراري، مما يؤدي إلى زيادة عدم تطابق شعرية مع زيادة درجة الحرارة (أي.، ≥ 0.5٪ كفؤ في درجات حرارة النمو نموذجي). 20 لأن شرائح خلع الترابط التي تشكل ما تبقى من حلقة كفؤ خلع (جنبا إلى جنب مع وكفؤ بينية وسطح الكريستال) معروفة جيدا ليرتبط بها من غير الإشعاعي خصائص الناقل إعادة التركيب، وأداء الجهاز وبالتالي المتدهورة، 21 من المهم أن نفهم تماما طبيعة وتطور مثل أن أعدادهم يمكن التقليل. وبالتالي يمكن توصيف مفصل للاختلالات كفؤ بينية توفر قدرا كبيرا من المعلومات حول ديناميات خلع النظام. هنا، نحن تصف بروتوكول لاستخدام SEM لأداء ECCI وتقديم أمثلة من قدراتها وقوتها. ثمة فارق مهم هنا هو استخدام ECCI لأداء characteri المجهريةzation من النوع يؤديها عادة عن طريق TEM، في حين ECCI توفر بيانات تعادل ولكن في فترة زمنية أقصر بكثير نظرا لاحتياجات إعداد العينات انخفاضا كبيرا. في حالة لعينات الفوقي مع الأسطح الملساء نسبيا، هي في الواقع هناك إعداد العينات المطلوبة على الإطلاق. يوصف استخدام ECCI لتوصيف العام للعيوب واختلالات كفؤ، مع بعض الأمثلة على العيوب البلورية لوحظ المقدمة. ثم يوصف تأثير معايير الخفي على النقيض من التصوير الملحوظ من مجموعة من الاضطرابات كفؤ بينية. ويعقب ذلك دليلا على كيفية ECCI يمكن استخدامها لأداء وسائل هامة لتوصيف - في هذه الحالة دراسة لتحديد سماكة حاسما لخلع التنوي فجوة في سي - توفير البيانات مثل TEM، ولكن من الراحة ل SEM وانخفاض كبير في الإطار الزمني.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Sirion Field Emission SEM</td>
			<td>FEI/Phillips</td>
			<td>516113</td>
			<td>Field emission SEM with beam voltage range of 200 V - 30 kV, equipped with a backscattered electron detector</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sample of Interest</td>
			<td>Internally produced</td>
			<td>N/A</td>
			<td>Synthesized/grown in-house via MOCVD</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PELCO SEMClip</td>
			<td>Ted Pella, Inc.</td>
			<td>16119-10</td>
			<td>Reusable, non-adhesive SEM sample stub (adhesive attachment will also work)</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

electron channeling contrast imaging for rapid iii-v heteroepitaxial characterization

Misfit dislocations in heteroepitaxial layers of GaP grown on Si(001) substrates are characterized through use of electron channeling contrast imaging (ECCI) in a scanning electron microscope (SEM). ECCI allows for imaging of defects and crystallographic features under specific diffraction conditions, similar to that possible via plan-view transmission electron microscopy (PV-TEM). A particular advantage of the ECCI technique is that it requires little to no sample preparation, and indeed can use large area, as-produced samples, making it a considerably higher throughput characterization method than TEM. Similar to TEM, different diffraction conditions can be obtained with ECCI by tilting and rotating the sample in the SEM. This capability enables the selective imaging of specific defects, such as misfit dislocations at the GaP/Si interface, with high contrast levels, which are determined by the standard invisibility criteria. An example application of this technique is described wherein ECCI imaging is used to determine the critical thickness for dislocation nucleation for GaP-on-Si by imaging a range of samples with various GaP epilayer thicknesses. Examples of ECCI micrographs of additional defect types, including threading dislocations and a stacking fault, are provided as demonstration of its broad, TEM-like applicability. Ultimately, the combination of TEM-like capabilities &#8211; high spatial resolution and richness of microstructural data &#8211; with the convenience and speed of SEM, position ECCI as a powerful tool for the rapid characterization of crystalline materials.

وقد اتسعت الفجوة / عينات سي لهذه الدراسة من خلال ترسيب الأبخرة الكيميائية المعدنية العضوية (MOCVD) في AIXTRON 3 × 2 مفاعل دش قريبة جانب التالية عملية heteroepitaxial المؤلفين عنها سابقا. وأجريت 17 جميع زوائد على 4 بوصة سي ( 001) ركائز مع misorientation مقصود (offcut) من 6 ° نحو [110]. تم إجراء كاف?...

Watch this Scientific Journal Video about Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization at JoVE.com

Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization

The use of electron channeling contrast imaging in a scanning electron microscope to characterize defects in III-V/Si heteroexpitaxial thin films is described. This method yields similar results to plan-view transmission electron microscopy, but in significantly less time due to lack of required sample preparation.

الإلكترون توجيه التباين التصوير لرابيد III-V Heteroepitaxial توصيف

Misfit dislocations in heteroepitaxial layers of GaP grown on Si(001) substrates are characterized through use of electron channeling contrast imaging ...

electron-channeling-contrast-imaging-for-rapid-iii-v-heteroepitaxial

Research

JoVE Journal

Engineering

10.9K Views.  The Ohio State University. The use of electron channeling contrast imaging in a scanning electron microscope to characterize defects in III-V/Si heteroexpitaxial thin films is described. This method yields similar results to plan-view transmission electron microscopy, but in significantly less time due to lack of required sample preparation.

Video: Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization

Spatial Separation of Molecular Conformers and Clusters

Gas-phase molecular physics and physical chemistry experiments commonly use supersonic expansions through pulsed valves for the production of cold molecular beams. However, these beams often contain multiple conformers and clusters, even at low rotational temperatures. We present an experimental methodology that allows the spatial separation of these constituent parts of a molecular beam expansion. Using an electric deflector the beam is separated by its mass-to-dipole moment ratio, analogous to a bender or an electric sector mass spectrometer spatially dispersing charged molecules on the basis of their mass-to-charge ratio. This deflector exploits the Stark effect in an inhomogeneous electric field and allows the separation of individual species of polar neutral molecules and clusters. It furthermore allows the selection of the coldest part of a molecular beam, as low-energy rotational quantum states generally experience the largest deflection. Different structural isomers (conformers) of a species can be separated due to the different arrangement of functional groups, which leads to distinct dipole moments. These are exploited by the electrostatic deflector for the production of a conformationally pure sample from a molecular beam. Similarly, specific cluster stoichiometries can be selected, as the mass and dipole moment of a given cluster depends on the degree of solvation around the parent molecule. This allows experiments on specific cluster sizes and structures, enabling the systematic study of solvation of neutral molecules.

We present a technique that allows the spatial separation of different conformers or clusters present in a molecular beam. An electrostatic deflector is used to separate species by their mass-to-dipole moment ratio, leading to the production of gas-phase ensembles of a single conformer or cluster stoichiometry.

الفصل المكاني للمتشكلات الجزيئية والتجمعات

Gas-phase molecular physics and physical chemistry experiments commonly use supersonic expansions through pulsed valves for the production of cold ...

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by quantum mechanical effects such as tunneling through single dopants, scattering via interface defects, and discrete trap charge states. However, progress in silicon technology has shown that these phenomena can be harnessed and exploited for a new class of quantum-based electronics. Among others, multi-layer-gated silicon metal-oxide-semiconductor (MOS) technology can be used to control single charge or spin confined in electrostatically-defined quantum dots (QD). These QD-based devices are an excellent platform for quantum computing applications and, recently, it has been demonstrated that they can also be used as single-electron pumps, which are accurate sources of quantized current for metrological purposes. Here, we discuss in detail the fabrication protocol for silicon MOS QDs which is relevant to both quantum computing and quantum metrology applications. Moreover, we describe characterization methods to test the integrity of the devices after fabrication. Finally, we give a brief description of the measurement set-up used for charge pumping experiments and show representative results of electric current quantization.

The fabrication process and experimental characterization techniques relevant to single-electron pumps based on silicon metal-oxide-semiconductor quantum dots are discussed.

السيليكون المعدنية أكسيد أشباه الموصلات الكم النقاط لالضخ وحيد الإلكترون

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by ...

Fabrication of High Contrast Gratings for the Spectrum Splitting Dispersive Element in a Concentrated Photovoltaic System

High contrast gratings are designed and fabricated and its application is proposed in a parallel spectrum splitting dispersive element that can improve the solar conversion efficiency of a concentrated photovoltaic system. The proposed system will also lower the solar cell cost in the concentrated photovoltaic system by replacing the expensive tandem solar cells with the cost-effective single junction solar cells. The structures and the parameters of high contrast gratings for the dispersive elements were numerically optimized. The large-area fabrication of high contrast gratings was experimentally demonstrated using nanoimprint lithography and dry etching. The quality of grating material and the performance of the fabricated device were both experimentally characterized. By analyzing the measurement results, the possible side effects from the fabrication processes are discussed and several methods that have the potential to improve the fabrication processes are proposed, which can help to increase the optical efficiency of the fabricated devices.

The fabrication of high contrast gratings as the parallel spectrum splitting dispersive element in a concentrated photovoltaic system is demonstrated. Fabrication processes including nanoimprint lithography, TiO2 sputtering and reactive ion etching are described. Reflectance measurement results are used to characterize the optical performance.

تصنيع حواجز شبكية عالية التباين لتقسيم الطيف المتشتتة عنصر في نظام الضوئية المركزة

High contrast gratings are designed and fabricated and its application is proposed in a parallel spectrum splitting dispersive element that can improve ...

Use of a Multi-compartment Dynamic Single Enzyme Phantom for Studies of Hyperpolarized Magnetic Resonance Agents

Imaging of hyperpolarized substrates by magnetic resonance shows great clinical promise for assessment of critical biochemical processes in real time. Due to fundamental constraints imposed by the hyperpolarized state, exotic imaging and reconstruction techniques are commonly used. A practical system for characterization of dynamic, multi-spectral imaging methods is critically needed. Such a system must reproducibly recapitulate the relevant chemical dynamics of normal and pathological tissues. The most widely utilized substrate to date is hyperpolarized [1-13C]-pyruvate for assessment of cancer metabolism. We describe an enzyme-based phantom system that mediates the conversion of pyruvate to lactate. The reaction is initiated by injection of the hyperpolarized agent into multiple chambers within the phantom, each of which contains varying concentrations of reagents that control the reaction rate. Multiple compartments are necessary to ensure that imaging sequences faithfully capture the spatial and metabolic heterogeneity of tissue. This system will aid the development and validation of advanced imaging strategies by providing chemical dynamics that are not available from conventional phantoms, as well as control and reproducibility that is not possible in vivo.

A multi-compartment dynamic phantom is used to simulate some biology of interest for metabolic studies using hyperpolarized magnet resonance agents.

استخدام متعدد مقصورة الحيوي واحدة أنزيم فانتوم للدراسات وكلاء الرنين المغناطيسي Hyperpolarized

Imaging of hyperpolarized substrates by magnetic resonance shows great clinical promise for assessment of critical biochemical processes in real time. Due ...

Comprehensive Characterization of Extended Defects in Semiconductor Materials by a Scanning Electron Microscope

Extended defects such as dislocations and grain boundaries have a strong influence on the performance of microelectronic devices and on other applications of semiconductor materials. However, it is still under debate how the defect structure determines the band structure, and therefore, the recombination behavior of electron-hole pairs responsible for the optical and electrical properties of the extended defects. The present paper is a survey of procedures for the spatially resolved investigation of structural and of physical properties of extended defects in semiconductor materials with a scanning electron microscope (SEM). Representative examples are given for crystalline silicon. The luminescence behavior of extended defects can be investigated by cathodoluminescence (CL) measurements. They are particularly valuable because spectrally and spatially resolved information can be obtained simultaneously. For silicon, with an indirect electronic band structure, CL measurements should be carried out at low temperatures down to 5 K due to the low fraction of radiative recombination processes in comparison to non-radiative transitions at room temperature. For the study of the electrical properties of extended defects, the electron beam induced current (EBIC) technique can be applied. The EBIC image reflects the local distribution of defects due to the increased charge-carrier recombination in their vicinity. The procedure for EBIC investigations is described for measurements at room temperature and at low temperatures. Internal strain fields arising from extended defects can be determined quantitatively by cross-correlation electron backscatter diffraction (ccEBSD). This method is challenging because of the necessary preparation of the sample surface and because of the quality of the diffraction patterns which are recorded during the mapping of the sample. The spatial resolution of the three experimental techniques is compared.

The optical, electrical, and structural properties of dislocations and of grain boundaries in semiconductor materials can be determined by experiments performed in a scanning electron microscope. Electron microscopy has been used to investigate cathodoluminescence, electron beam induced current, and diffraction of backscattered electrons.

توصيف شامل العيوب الممتدة في المواد أشباه الموصلات من خلال مجهر المسح الإلكتروني

Extended defects such as dislocations and grain boundaries have a strong influence on the performance of microelectronic devices and on other applications ...

Characterization of Anisotropic Leaky Mode Modulators for Holovideo

Holovideo displays are based on light-bending spatial light modulators. One such spatial light modulator is the anisotropic leaky mode modulator. This modulator is particularly well suited for holographic video experimentation as it is relatively simple and inexpensive to fabricate1-3. Some additional advantages of leaky mode devices include: large aggregate bandwidth, polarization separation of signal light from noise, large angular deflection and frequency control of color1. In order to realize these advantages, it is necessary to be able to adequately characterize these devices as their operation is strongly dependent on waveguide and transducer parameters4. To characterize the modulators, the authors use a commercial prism coupler as well as a custom characterization apparatus to identify guided modes, calculate waveguide thickness and finally to map the device's frequency input and angular output of leaky mode modulators. This work gives a detailed description of the measurement and characterization of leaky mode modulators suitable for full-color holographic video.

This work describes fabrication and characterization of anisotropic leaky mode modulators for holographic video.

توصيف متباين الخواص راشح الوضع المغيرون في الموجة الكهرومغناطيسية للHolovideo

Holovideo displays are based on light-bending spatial light modulators.  One such spatial light modulator is the anisotropic leaky mode modulator.  This ...

Electrochemical Etching and Characterization of Sharp Field Emission Points for Electron Impact Ionization

A new variation of the drop-off method for fabricating field emission points by electrochemically etching tungsten rods in a NaOH solution is described. The results of studies in which the etching current and the molarity of the NaOH solution used in the etching process were varied are presented. The investigation of the geometry of the tips, by imaging them with a scanning electron microscope, and by operating them in field emission mode is also described. The field emission tips produced are intended to be used as an electron beam source for ion production via electron impact ionization of background gas or vapor in Penning trap mass spectrometry applications.

A method for electrochemically etching field emission tips is presented. Etching parameters are characterized and the operation of the tips in field emission mode is investigated.

الكهروكيميائية النقش وتوصيف نقاط شارب الميدان الانبعاثات الكترون تأثير التأين

A new variation of the drop-off method for fabricating field emission points by electrochemically etching tungsten rods in a NaOH solution is described. ...

Single-Digit Nanometer Electron-Beam Lithography with an Aberration-Corrected Scanning Transmission Electron Microscope

We demonstrate extension of electron-beam lithography using conventional resists and pattern transfer processes to single-digit nanometer dimensions by employing an aberration-corrected scanning transmission electron microscope as the exposure tool. Here, we present results of single-digit nanometer patterning of two widely used electron-beam resists: poly (methyl methacrylate) and hydrogen silsesquioxane. The method achieves sub-5 nanometer features in poly (methyl methacrylate) and sub-10 nanometer resolution in hydrogen silsesquioxane. High-fidelity transfer of these patterns into target materials of choice can be performed using metal lift-off, plasma etch, and resist infiltration with organometallics.

We use an aberration-corrected scanning transmission electron microscope to define single-digit nanometer patterns in two widely-used electron-beam resists: poly (methyl methacrylate) and hydrogen silsesquioxane. Resist patterns can be replicated in target materials of choice with single-digit nanometer fidelity using liftoff, plasma etching, and resist infiltration by organometallics.

الطباعة الحجرية شعاع الإلكترون نانومتر ذات الأرقام المفردة مع مجهر إلكتروني انتقال المسح ضوئي لتصحيح الانحراف

We demonstrate extension of electron-beam lithography using conventional resists and pattern transfer processes to single-digit nanometer dimensions by ...

A Rapid Method for Modeling a Variable Cycle Engine

The variable cycle engines (VCE) that combine the advantages of turbofan and turbojet engines, are widely considered to be the next generation aircraft engines. However, developing VCE requires high costs. Thus, it is essential to build a mathematical model when developing an aircraft engine, which may avoid a large number of real tests and reduce the cost dramatically. Modeling is also crucial in control law development. In this article, based on a graphical simulation environment, a rapid method for modeling a double bypass variable cycle engine using object-oriented modeling technology and modular hierarchical architecture is described. Firstly, the mathematical model of each component is built based on the thermodynamic calculation. Then, a hierarchical engine model is built via the combination of each component mathematical model and the N-R solver module. Finally, the static and dynamic simulations are carried out in the model and the simulation results prove the effectiveness of the modeling method. The VCE model built through this method has the advantages of clear structure and real-time observation.

Here, we present a protocol to build a component-level mathematical model for a variable cycle engine.

طريقة سريعة لنمذجة محرك دورة متغير

The variable cycle engines (VCE) that combine the advantages of turbofan and turbojet engines, are widely considered to be the next generation aircraft ...

Method Development for Contactless Resonant Cavity Dielectric Spectroscopic Studies of Cellulosic Paper

The current analytical techniques for characterizing printing and graphic arts substrates are largely ex situ and destructive. This limits the amount of data that can be obtained from an individual sample and renders it difficult to produce statistically relevant data for unique and rare materials. Resonant cavity dielectric spectroscopy is a non-destructive, contactless technique which can simultaneously interrogate both sides of a sheeted material and provide measurements which are suitable for statistical interpretations. This offers analysts the ability to quickly discriminate between sheeted materials based on composition and storage history. In this methodology article, we demonstrate how contactless resonant cavity dielectric spectroscopy may be used to differentiate between paper analytes of varying fiber species compositions, to determine the relative age of the paper, and to detect and quantify the amount of post-consumer waste (PCW) recycled fiber content in manufactured office paper.

A protocol for the non-destructive analysis of the fiber content and relative age of paper.

تطوير الأسلوب للحصول علي تماس الرنانة تجويف الرنين عازله الدراسات الطيفية للورق السليوليك

The current analytical techniques for characterizing printing and graphic arts substrates are largely ex situ and destructive. This limits the amount of ...