This work was supported by the Department of Energy under the FPACE program (DE-EE0005398), the Ohio State University Institute for Materials Research, and the Ohio Office of Technology Investments&#8217; Third Frontier Program.

פרוטוקול זה נכתב עם הנחה שהקורא יהיה הבנת עבודה של ניתוח SEM הסטנדרטי. בהתאם ליצרן, דגם, ואפילו גרסת תוכנה, כל SEM יכול להיות ממשקי חומרה ו / או תוכנה שונה באופן משמעותי. ניתן לומר את אותו הדבר עם כבוד לתצורה הפנימית של המכשיר; המפעיל חייב להיות זהיר ומצוות כאשר בעקבות פרוטוקול זה, כמו גם שינויים קטנים יחסית בגודל מדגם / גיאומטריה, נטייה מדגם (הטיה, סיבוב), ועובד מרחוק, יכול להוות סיכון ליצירת קשר עם המוט-החתיכה, במיוחד אם לא בגובה eucentric. ההוראות הניתנות כאן הן עבור המכשיר המשמש לביצוע עבודה זו, סיריון SEM פיי מצויד באקדח פליטת שדה וסטנדרטי, מוט-חתיכה רכובה, טבעתי גלאי Si backscatter. לכן, זוהי החובה של הקורא להבין כיצד לבצע את הפעולות המקבילות בציוד הספציפי שלהם. </p&gt; הכנת 1. לדוגמא <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> מדגם קליב, פער / סי למחקר זה, לגודל מתאים בהתאם לגודל של מדגם SEM הר שהוא לשמש. הערה: המדגם יכול להיות קטן כמו 5 מ&quot;מ x 5 מ&quot;מ או גדול כמו רקיק מלא (ארוך 4 אינץ &#39;), בהתאם לגיאומטריה הפנימית של SEM משמש ומשטח מדגם space.The קאמרי הזמינים צריך להיות מאוד נקי ו ללא זיהום שעלול להפריע לתקשור (למשל., גבישים או אמורפי תחמוצות ילידים). </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> מניחים את המדגם על מדגם SEM ההר. הערה: שיטת ההרכבה עשויה להשתנות בהתאם לסוג של בדל SEM משמש, בדרך כלל גם בסגנון קליפ או באמצעות כמה דבק (למשל, קלטת פחמן, צבע כסף.). השיטה של ​​מיקום חייבת להבטיח שהמדגם לא יזוז ושהוא מבוסס חשמלי כדי למנוע טעינת מדגם. </li></ol> לדוגמא 2. טען <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> Vent SEM על ידי לחיצה על הכפתור &quot;פתח האוורור&quot; בממשק תוכנה והכנס את המדגם לאחר שהגיע בלחץ אטמוספרי. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> לפני סגירת דלת SEM, להבטיח כי המדגם הוא בגובה מתאים, כדי לא לפגוע בגלאי BSE על המעבר לSEM. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> לשאוב את SEM על ידי לחיצה על הכפתור &quot;המשאבה&quot; בממשק התוכנה. חכה עד שהמערכת עולה כי הלחץ הוא נמוך מספיק כדי להתחיל את המדידות. </li></ol> תנאי עבודה הולמים 3. סט <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> הפעל את אלומת אלקטרונים באמצעות כפתור השליטה באזור השליטה &quot;Beam&quot; ולהגדיר את המתח המאיץ באמצעות התפריט הנפתח &#39;הקרן&#39; בממשק התוכנה. לעבודה שהוצגה כאן, היה בשימוש 25 ק. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> הגדר את הקרן הנוכחית לערך מתאים באמצעות התפריט הנפתח &#39;הקרן&#39;. זה נקבע במערכת משמשת כאן בדרך של הגדרת גודל נקודה, שהוקמה עד 5 (כ 2.4 NA). הערה: קרן הנוכחית גבוהה היא בדרך כלל ב דרושecause אות ECCI היא בדרך כלל חלשה וגדולה נוכחי מאפשר לתמונה להבחין יותר. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> שימוש בגלאי האלקטרונים משניים, להתאים את מיקוד התמונה וstigmation דרך ממשק התוכנה. הערה: זו מבוצעת כאן על ידי לחיצה ימנית וגרירת העכבר על ממשק התוכנה; אנכי למוקד, אופקי לstigmation. כמו כן, זה בדרך כלל מועיל למצוא חלקיק קטן או תכונת משטח על המדגם לספק נושא ברור להתאמת המוקד / stigmation. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> הזז את המדגם למרחק העבודה האנכי על ידי באופן הדרגתי לשנות את מיקום Z של הבמה והתאמת המיקוד וstigmation לפי צורך. עמדת Z משתנה דרך התפריט הנפתח &#39;Z&#39; באזור השליטה של ​​השלב &#39;של ממשק התוכנה. לעבודה תיארה כאן, מרחק עבודה של 5 מ&quot;מ להציב את אותו בגובה eucentric וסיפק לאות ECCI חזקה. </li></ol> 4. ECP לדוגמא דמיין &lt;ol&gt; <li style=";text-align:right;direction:rtl"> לעבור למצב BSE דרך התפריט הנפתח &#39;גלאי&#39; בממשק התוכנה. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ירידת הגדלה להגדרתה הנמוכה ביותר (27x), שנעשה כאן באמצעות מינוס מקלדת מחשב (-) מפתח, כדי להמחיש את ECP. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> התאם את קצב הסריקה, נעשה כאן באמצעות תפריט הנפתח &quot;הסרוקים&quot;, כדי לספק תמונה עם (סריקה לדוגמא., איטית ולא מצב טלוויזיה) מספיק אות לרעש. הערה: מיצוע או שילוב התמונה עשויה להיות נחוץ כדי להשיג תמונה ברורה יותר, ניתן להבחין יותר. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> כוון את הניגודיות התמונה והבהירות, השיגה כאן באמצעות &#39;ניגודיות&#39; והמחוונים &#39;בהירות&#39;, כדי לעזור לשפר את הנראות של ECP, נזהר שלא oversaturate. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> התאם את סיבוב המדגם ולהטות, באמצעות &#39;ר&#39; והערכים &quot;T&quot; באזור השליטה &quot;השלב&quot; בממשק התוכנה, כדי לסייע להפוך את התכונות של דפוס התקשור ברור יותר. rotat מדגםהיון יגרום סיבוב של ECP (כפי שמוצג באיור 2) והטיה תגרום תרגום של ECP (כפי שמוצגת באיור 3). </li></ol> 5. פגמים תמונה / תכונות <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> התאם הטיה וסיבוב מדגם, כפי שמתואר בשלב 4.5, כדי להגדיר את המצב הרצוי העקיפה. להשיג זאת על ידי תרגום ו / או החלפה של ECP כדי ליישר את קצה להקת יעד קיקוצ&#39;י (כלומר, נקודת פיתול בין להקת Kikuchi הבהיר והפס הכהה הקשורים אליו קיקוצ&#39;י) עם הציר האופטי SEM. בעוד תקשור מרבי למעשה מתרחש בקו קיקוצ&#39;י, יישור בשיטה המתוארת כאן מספק ניגוד להדמיה לפגמים בשתי רמות ניגוד כהות ובהירות (ראה איורים 4 ו -5). </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ברגע שהמצב העקיפה הרצוי מושגת, להגדיל הגדלה, נעשתה כאן באמצעות המקלדת בתוספת מפתח (+). </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ולמקד את התמונה ולהתאים לstigmation, כפי שמתואר בשלב 3.2. שים לב: כאן, FOcus וstigmation מותאם הטוב ביותר ביחס שלצלמה את הפגם / תכונה מסוימת. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> בגלל סטיות קטנות מהקצה של הלהקה יכולות לעשות הבדלים גדולים במראה של פגם היעד או תכונה, לייעל את המצב העקיפה על ידי הפיכת קטנה (לא יותר מהתאמות להטית מדגם orthogonally ללהקה / קו Kikuchi של עניין, תוך צופה תכונה ספציפית לניגוד מרבי. שים לב שנע לכיוון חלק הפנימי של להקת Kikuchi יהיה בדרך כלל להפחית את הניגוד היחסי של תכונות &quot;בהירות&quot;, תוך כדי תנועה לכיוון החיצוני של הלהקה (לכיוון קו קיקוצ&#39;י) בדרך כלל יהיה להפחית את הניגוד היחסי תכונות &quot;אפלות&quot;. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ברגע הניגוד הרצוי מתקבל, להקטין את ההגדלה כדי לוודא שאותה הלהקה היא עדיין באו קרוב מאוד לציר האופטי; יותר מדי הטיה יכולה לשנות את המצב העקיפה לגמרי. </li></ol>

<ol>
	<li>Zaefferer, S., Elhami, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Theory+and+application+of+electron+channelling+contrast+imaging+under+controlled+diffraction+conditions.">Theory and application of electron channelling contrast imaging under controlled diffraction conditions.</a> Acta Mater. 75, 20-50 (2014).</li><li>Crimp, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A.+Scanning+electron+microscopy+imaging+of+dislocations+in+bulk+materials,+using+electron+channeling+contrast.">A. Scanning electron microscopy imaging of dislocations in bulk materials, using electron channeling contrast.</a> Microsc. Res. Tech. 69 (5), 374-381 (2006).</li><li>Joy, D. C., Newbury, D. E., Davidson, D. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electron+channeling+patterns+in+the+scanning+electron+microscope.">Electron channeling patterns in the scanning electron microscope.</a> J. Appl. Phys. 53 (8), R81-R122 (1982).</li><li>Williams, D. B., Carter, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials Science. , (2009).</li><li>Picard, Y. N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Future+Prospects+for+Defect+and+Strain+Analysis+in+the+SEM+via+Electron+Channeling.">Future Prospects for Defect and Strain Analysis in the SEM via Electron Channeling.</a> Micros. Today. 20 (2), 12-16 (2012).</li><li>Naresh-Kumar, G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+Nondestructive+Analysis+of+Threading+Dislocations+in+Wurtzite+Materials+Using+the+Scanning+Electron+Microscope.">Rapid Nondestructive Analysis of Threading Dislocations in Wurtzite Materials Using the Scanning Electron Microscope.</a> Phys. Rev. Lett. 108 (13), 135503 (2012).</li><li>Naresh-Kumar, G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electron+channeling+contrast+imaging+studies+of+nonpolar+nitrides+using+a+scanning+electron+microscope.">Electron channeling contrast imaging studies of nonpolar nitrides using a scanning electron microscope.</a> Appl. Phys. Lett. 102 (14), 142103 (2013).</li><li>Kamaladasa, R. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Identifying+threading+dislocations+in+GaN+films+and+substrates+by+electron+channelling.">Identifying threading dislocations in GaN films and substrates by electron channelling.</a> J. Microsc. 244 (3), 311-319 (2011).</li><li>Picard, Y. N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nondestructive+analysis+of+threading+dislocations+in+GaN+by+electron+channeling+contrast+imaging.">Nondestructive analysis of threading dislocations in GaN by electron channeling contrast imaging.</a> Appl. Phys. Lett. 91 (9), 094106 (2007).</li><li>Picard, Y. N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electron+channeling+contrast+imaging+of+atomic+steps+and+threading+dislocations+in+4H-SiC.">Electron channeling contrast imaging of atomic steps and threading dislocations in 4H-SiC.</a> Appl. Phys. Lett. 90 (23), 234101 (2007).</li><li>Picard, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+SiC+Growth+Morphology+and+Extended+Defects+Investigated+by+Electron+Backscatter+Diffraction+and+Electron+Channeling+Contrast+Imaging.">Epitaxial SiC Growth Morphology and Extended Defects Investigated by Electron Backscatter Diffraction and Electron Channeling Contrast Imaging.</a> J. Electron. Mater. 37 (5), 691-698 (2008).</li><li>Wilkinson, A. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Observation+of+strain+distributions+in+partially+relaxed+In0.2Ga0.8As+on+GaAs+using+electron+channelling+contrast+imaging.">Observation of strain distributions in partially relaxed In0.2Ga0.8As on GaAs using electron channelling contrast imaging.</a> Philos. Mag. Lett. 73 (6), 337-344 (1996).</li><li>Wilkinson, A. J., Anstis, G. R., Czernuszka, J. T., Long, N. J., Hirsch, P. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electron+Channeling+Contrast+Imaging+of+Interfacial+Defects+in+Strained+Silicon-Germanium+Layers+on+Silicon.">Electron Channeling Contrast Imaging of Interfacial Defects in Strained Silicon-Germanium Layers on Silicon.</a> Philos. Mag. A. 68 (1), 59-80 (1993).</li><li>Carnevale, S. D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+misfit+dislocation+characterization+in+heteroepitaxial+III-V/Si+thin+films+by+electron+channeling+contrast+imaging.">Rapid misfit dislocation characterization in heteroepitaxial III-V/Si thin films by electron channeling contrast imaging.</a> Appl. Phys. Lett. 104 (23), 232111 (2014).</li><li>Kvam, E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Interactions+of+dislocations+and+antiphase+(inversion)+domain+boundaries+in+III&#8211;V/IV+heteroepitaxy.">Interactions of dislocations and antiphase (inversion) domain boundaries in III&#8211;V/IV heteroepitaxy.</a> J. Electron. Mater. 23 (10), 1021-1026 (1994).</li><li>Grassman, T. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Control+and+elimination+of+nucleation-related+defects+in+GaP/Si(001)+heteroepitaxy.">Control and elimination of nucleation-related defects in GaP/Si(001) heteroepitaxy.</a> Appl. Phys. Lett. 94 (23), 232106 (2009).</li><li>Grassman, T. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nucleation-related+defect-free+GaP/Si(100)+heteroepitaxy+via+metal-organic+chemical+vapor+deposition.">Nucleation-related defect-free GaP/Si(100) heteroepitaxy via metal-organic chemical vapor deposition.</a> Appl. Phys. Lett. 102 (14), 142102 (2013).</li><li>Volz, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=GaP-nucleation+on+exact+Si(001)+substrates+for+III/V+device+integration.">GaP-nucleation on exact Si(001) substrates for III/V device integration.</a> J. Cryst. Growth. 315 (1), 37-47 (2011).</li><li>Beyer, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=GaP+heteroepitaxy+on+Si(001):+Correlation+of+Si-surface+structure,+GaP+growth+conditions,+and+Si-III/V+interface+structure.">GaP heteroepitaxy on Si(001): Correlation of Si-surface structure, GaP growth conditions, and Si-III/V interface structure.</a> J. Appl. Phys. 111 (8), 083534 (2012).</li><li>Touloukian, Y. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Thermal Expansion: Nonmetallic Solids. , (1977).</li><li>Yamaguchi, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dislocation+density+reduction+in+heteroepitaxial+III-V+compound+films+on+Si+substrates+for+optical+devices.">Dislocation density reduction in heteroepitaxial III-V compound films on Si substrates for optical devices.</a> J. Mater. Res. 6 (2), 376-384 (1991).</li><li>Nemanich Ware, R. J., Gray, J. L., Hull, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Analysis+of+a+nonorthogonal+pattern+of+misfit+dislocation+arrays+in+SiGe+epitaxy+on+high-index+Si+substrates.">Analysis of a nonorthogonal pattern of misfit dislocation arrays in SiGe epitaxy on high-index Si substrates.</a> J. Appl. Phys. 95 (1), 115-122 (2004).</li><li>Ghandhi Ayers, S. K., Schowalter, L. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Crystallographic+tilting+of+heteroepitaxial+layers.">Crystallographic tilting of heteroepitaxial layers.</a> J. Cryst. Growth. 113 (3-4), 430-440 (1991).</li><li>Yamane, T., Kawai, Y., Furukawa, H., Okada, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+low+defect+density+GaP+layers+on+Si+substrates+within+the+critical+thickness+by+optimized+shutter+sequence+and+post-growth+annealing.">Growth of low defect density GaP layers on Si substrates within the critical thickness by optimized shutter sequence and post-growth annealing.</a> J. Cryst. Growth. 312 (15), 2179-2184 (2010).</li><li>Jimbo Soga, T., Umeno, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dislocation+Generation+Mechanisms+For+GaP+On+Si+Grown+By+Metalorganic+Chemical-Vapor-Deposition.">Dislocation Generation Mechanisms For GaP On Si Grown By Metalorganic Chemical-Vapor-Deposition.</a> Appl. Phys. Lett. 63 (18), 2543-2545 (1993).</li><li>Weidner, A., Martin, S., Klemm, V., Martin, U., Biermann, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Stacking+faults+in+high-alloyed+metastable+austenitic+cast+steel+observed+by+electron+channelling+contrast+imaging.">Stacking faults in high-alloyed metastable austenitic cast steel observed by electron channelling contrast imaging.</a> Scripta Mater. 64 (6), 513-516 (2011).</li></ol>

The authors have nothing to disclose.

מתח מאיץ של 25 קילו וולט שימש למחקר זה. המתח המאיץ יקבע את עומק חדירת קרן אלקטרונים; עם מתח מאיץ גבוה יותר, תהיה אות BSE מגיעה ממעמקים גדולים יותר במדגם. המתח המאיץ הגבוה נבחר למערכת זו משום שהיא מאפשרת לנראות של נקעים כי הם רחוקים מפני שטח של המדגם, נקברו בממשק. סוגים אחרי...

אפיון מפורט של פגמי גבישים ומייקרו הוא היבט חשוב ביותר של חומרים מוליכים למחצה ומחקר מכשיר מאז פגמים כאלה יכולים להשפיע באופן משמעותי, מזיק על ביצועי מכשיר. נכון לעכשיו, במיקרוסקופ אלקטרונים הילוכים (TEM) הוא הטכניקה המקובלת והנפוצה ביותר לאפיון מפורט של ליקויים מורחבים - נקעים, תקלות לערום, תאומים, תחומים antiphase, וכו &#39;- משום שהוא מאפשר הדמיה הישירה של מגוון רחב של פגמים בשפע רזולוציה מרחבית. למרבה הצער, TEM הוא גישה ביסוד נמוכה תפוקה בשל זמני הכנת מדגם ארוכים, מה שעלול להוביל לעיכובים משמעותיים וצווארי בקבוק במחזורי מחקר ופיתוח. בנוסף, השלמות של המדגם, כגון במונחים של מדינת המתח כמבוגרת, ניתן לשנות במהלך הכנת מדגם, שעזבה את ההזדמנות לתוצאות מהולה. שיתוף תקשור אלקטרוניםההדמיה ntrast (ECCI) היא משלימה, ובמקרים מסוימים עלולים להיות מעולה, טכניקה לTEM כפי שהוא מספק אלטרנטיבה, גישת תפוקה גבוהה להדמיה אותו פגמים מורחבים. במקרה של חומרי epitaxial, דגימות צריכה לא מעט הכנה, מה שהופך את הזמן יעיל הרבה יותר ECCI. בנוסף יתרון היא העובדה שECCI דורש רק מיקרוסקופ פליטת שדה אלקטרונים סורקים (SEM) מצוידים במוט חלקים טבעתיים סטנדרטיים רכוב אלקטרונים backscatter גלאי (BSE); יכולה לשמש גם גיאומטריה forescatter, אבל דורשת ציוד מעט יותר מיוחד ולא נדונה כאן. אות ECCI מורכבת מאלקטרונים שהיו פזורים מחוץ לאלומה מתוקשרת (אלקטרון גל-קדמי), ובאמצעות אירועי פיזור מרובים נוספים קשיחים הולך-ב, הם יוכלו לברוח המדגם בחזרה דרך פני השטח. 1 דומה inelastically לבני שניים קרן TEM, ניתן לבצע ECCI בתנאים ספציפיים בעקיפת SEM ידי orienting המדגם כך שמספק אלומת האלקטרונים תקרית מצב ראג קריסטלוגרפיים (כלומר, תקשור), כפי שנקבע באמצעות אלקטרונים נמוך הגדלת תקשור תבניות (ECPs); 1,2 ראה איור 1 לדוגמא. כל שעליך לעשות, ECPs לספק ייצוג נטייה-שטח של עקיפה / תקשור אלומת אלקטרונים אירוע. 3 קווים כהים שנוצר באות backscatter נמוכה מצביעים על כיווני קרן-מדגם שבו תנאים בראג הם נפגשו (כלומר., קווי קיקוצ&#39;י), אשר מניב תקשור חזק, ואילו אזורים בהירים מצביעים הגבוה backscatter, תנאים שאינן תנאי דיפרקטיבית. בניגוד לדפוסי Kikuchi הופקו באמצעות backscatter אלקטרון השתברות (EBSD) או TEM, אשר נוצרים באמצעות התאבכות אלקטרונים יוצאת, ECPs היא תוצאה של התאבכות / תקשור אלקטרון אירוע. בפועל, תנאי עקיפה מבוקרות לECCI מושגות על ידי התאמת כיוון המדגם, נ &#39;הטיה IA ו / או סיבוב בהגדלה נמוכה, כך שתכונת ECP המייצגת את המצב המוגדר היטב בראג של עניין - לדוגמא, [400] או [220] להקת Kikuchi / קו - היא ביחד עם הציר האופטי של SEM . מעבר להגדלה גבוהה אז, בגלל ההגבלה כתוצאה מהמגוון זוויתי של קרן האלקטרונים אירוע, ביעילות בוחר לאות BSE שבאופן אידיאלי מתאים רק לפיזור מהמצב העקיפה בחר. באופן זה ניתן לצפות בפגמים המספקים ניגוד עקיפה, כגון נקעים. בדיוק כמו בTEM, לעומת זאת ההדמיה שהוצגה על ידי פגמים כאלה נקבעים על ידי קריטריוני היעלמות סטנדרטיים, ז · (ב x u) = 0 וז · ב = 0, שבו גרם מייצג את הווקטור העקיפה, ב הווקטור בורגרס, וu קו כיוון. 4 זהתופעה מתרחשת משום שאלקטרונים מתפזרים רק ממטוסים מעוותים על ידי הפגם יכיל מידע על אמר פגם. עד כה, ECCI יש בעיקר שימש לתכונות תמונה ופגמים שנמצאו בקרבת פני השטח המדגם לחומרים תפקודיים כגון GaSb, 5 SrTiO 3, 5 גן, 6-9 וSiC. 10,11 מגבלה זו היא התוצאה של המשטח טבע -sensitive של אות ECCI עצמו, שבו BSE שמרכיבים את האות מגיע ממגוון עומק של כ 10 - 100 ננומטר. התרומה המשמעותית ביותר לגבול רזולוציה עומק זה היא זו של הרחבת ודעיכה של חזית גל אלקטרון (אלקטרונים מתועלים), כפונקציה של עומק לגביש, עקב האובדן של אלקטרונים לאירועי פיזור, אשר מפחית את הולך-ב אות מקסימלי פוטנציאלית BSE. 1 עם זאת, מידה מסוימת של רזולוציה עומק דווחה בעבודה קודמת על Si 1-x גה x / סי ובx Ga 1-X כheterostructures / GaAs, 12,13, כמו גם לאחרונה (ולהלן) על ידי המחברים בheterostructures הפער / סי, 14 שבו ECCI שימש לנקעי יוצלח התמונה נקברו בממשק heteroepitaxial סריג-תואם ב עומק של עד 100 ננומטר (עם עומקים גבוהים יותר סביר אפשריים). לעבודה המפורטת כאן, ECCI משמש ללמוד פער גדל epitaxially על Si (001), מערכת אינטגרציה חומרים מורכבת עם יישום לתחומים כגון photovoltaics ואופטו. פער / Si הוא עניין מיוחד כמסלול פוטנציאל לשילוב של מותמרים (סריג-תואם) מוליכים למחצה III-V על גבי מצעי Si חסכוניים. במשך שנים רבות את המאמצים בכיוון זה כבר סובלים מדור בלתי מבוקר של מספר הגדול של פגמים הקשורים התגרענות heterovalent, כוללים תחומים antiphase, תקלות לערום, וmicrotwins. פגמים כאלה מזיקים לביצועי מכשיר, ESPEphotovoltaics cially, בשל העובדה שהם יכולים להיות חשמליים פעילים, הפועלים כמרכזי רקומבינציה ספק, וגם יכולים לעכב גלישת נקע interfacial, שהוביל לצפיפות גבוהה יותר נקע. 15 עם זאת, המאמצים אחרונים על ידי הסופרים ואחרים הובילו לפיתוח המוצלח תהליכי epitaxial שיכול לייצר סרטי פער-על-סי ללא פגמי התגרענות קשורה אלה, 16-19 ובכך סלל את הדרך להתקדמות המשיכה. עם זאת, בשל חוסר ההתאמה בין הפער וסי (0.37% ב RT) הקטן, אך אינה זניח, הסריג, הדור של נקעי יוצלח הוא בלתי נמנע, ואכן יש צורך לייצר epilayers רגוע לחלוטין. פער, עם מבנה blende האבץ מבוסס FCC, נוטה להניב 60 ° נקעי סוג (מעורב קצה ובורג) במערכת פליטת, אשר glissile ויכול להקל על כמויות גדולות של מתח באמצעות אורכי גלישת נטו ארוכים. מורכבות נוספות היא גם הוצגו על ידי חוסר ההתאמה בפער ומקדמי התפשטות תרמית סי, וכתוצאה מכך חוסר התאמת סריג גדל עם הגדלת טמפרטורה (כלומר., יוצלח ≥ 0.5% בטמפרטורות צמיחה אופייניות). 20 בגלל נקע במגזרי השחלה המרכיבים את שארית נקע יוצלח הלולאה (יחד עם יוצלח interfacial ומשטח הקריסטל) ידוע למאפיינים הקשורים בם רקומבינציה ספק לא מקרינים, ואת ביצועי מכשיר ובכך מושפלים, 21 חשוב להבין את טבעם וההתפתחות כזו שניתן למזער את מספרם באופן מלא. אפיון מפורט של נקעי יוצלח interfacial יכול כך לספק כמות משמעותית של מידע על דינמיקת פריקה של המערכת. כאן, אנו מתארים את הפרוטוקול לשימוש SEM לבצע ECCI ולספק דוגמאות של היכולות ונקודתי החוזק שלה. הבחנה חשובה כאן היא השימוש בECCI לבצע characteri microstructuralאופנה של ראיית מין מבוצעת בדרך כלל באמצעות TEM, ואילו ECCI מספק את הנתונים המקבילים אבל במסגרת זמן קצרה יותר באופן משמעותי בשל צרכי הכנת מדגם המופחת באופן משמעותי; במקרה של דגימות epitaxial עם משטחים חלקים יחסית, יש ביעילות ללא הכנת מדגם הנדרשת בכל. השימוש בECCI לאפיון כללי של פגמים ונקעי יוצלח מתואר, עם כמה דוגמאות של פגמי גבישים נצפו סיפקו. ההשפעה של קריטריוני היעלמות בניגוד ההדמיה הנצפה של מערך של נקעי יוצלח interfacial לאחר מכן תיארה. זה ואחריו הפגנה של כמה ECCI ניתן להשתמש כדי לבצע מצבים חשובים של אפיון - במקרה זה מחקר כדי לקבוע את העובי הקריטי פער-על-סי להתגרענות נקע - מתן נתונים כמו TEM-, אבל מהנוחות של SEM ובמסגרת זמן מופחת באופן משמעותי.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Sirion Field Emission SEM</td>
			<td>FEI/Phillips</td>
			<td>516113</td>
			<td>Field emission SEM with beam voltage range of 200 V - 30 kV, equipped with a backscattered electron detector</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sample of Interest</td>
			<td>Internally produced</td>
			<td>N/A</td>
			<td>Synthesized/grown in-house via MOCVD</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PELCO SEMClip</td>
			<td>Ted Pella, Inc.</td>
			<td>16119-10</td>
			<td>Reusable, non-adhesive SEM sample stub (adhesive attachment will also work)</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

electron channeling contrast imaging for rapid iii-v heteroepitaxial characterization

Misfit dislocations in heteroepitaxial layers of GaP grown on Si(001) substrates are characterized through use of electron channeling contrast imaging (ECCI) in a scanning electron microscope (SEM). ECCI allows for imaging of defects and crystallographic features under specific diffraction conditions, similar to that possible via plan-view transmission electron microscopy (PV-TEM). A particular advantage of the ECCI technique is that it requires little to no sample preparation, and indeed can use large area, as-produced samples, making it a considerably higher throughput characterization method than TEM. Similar to TEM, different diffraction conditions can be obtained with ECCI by tilting and rotating the sample in the SEM. This capability enables the selective imaging of specific defects, such as misfit dislocations at the GaP/Si interface, with high contrast levels, which are determined by the standard invisibility criteria. An example application of this technique is described wherein ECCI imaging is used to determine the critical thickness for dislocation nucleation for GaP-on-Si by imaging a range of samples with various GaP epilayer thicknesses. Examples of ECCI micrographs of additional defect types, including threading dislocations and a stacking fault, are provided as demonstration of its broad, TEM-like applicability. Ultimately, the combination of TEM-like capabilities &#8211; high spatial resolution and richness of microstructural data &#8211; with the convenience and speed of SEM, position ECCI as a powerful tool for the rapid characterization of crystalline materials.

הפער / דגימות סי למחקר זה גדלו בתצהיר מתכת אורגנית אדים כימיים (MOCVD) בAixtron 3 × 2 כור מקלחת קרובה מצמידים הבאים תהליך heteroepitaxial &#39;שדווח בעבר המחברים. 17 כל הגידולים בוצעו על 4 אינץ&#39; סי ( 001) מצעים עם misorientation המכוון (מוסרת) של 6 מעלות לכיוון [110]. כל ההדמיה ECCI בוצעה על דגימו...

Watch this Scientific Journal Video about Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization at JoVE.com

Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization

The use of electron channeling contrast imaging in a scanning electron microscope to characterize defects in III-V/Si heteroexpitaxial thin films is described. This method yields similar results to plan-view transmission electron microscopy, but in significantly less time due to lack of required sample preparation.

הדמיה ניגודיות אלקטרונים תקשור לראפיד III-V Heteroepitaxial אפיון

Misfit dislocations in heteroepitaxial layers of GaP grown on Si(001) substrates are characterized through use of electron channeling contrast imaging ...

electron-channeling-contrast-imaging-for-rapid-iii-v-heteroepitaxial

Research

JoVE Journal

Engineering

10.9K Views.  The Ohio State University. The use of electron channeling contrast imaging in a scanning electron microscope to characterize defects in III-V/Si heteroexpitaxial thin films is described. This method yields similar results to plan-view transmission electron microscopy, but in significantly less time due to lack of required sample preparation.

Video: Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization

Spatial Separation of Molecular Conformers and Clusters

Gas-phase molecular physics and physical chemistry experiments commonly use supersonic expansions through pulsed valves for the production of cold molecular beams. However, these beams often contain multiple conformers and clusters, even at low rotational temperatures. We present an experimental methodology that allows the spatial separation of these constituent parts of a molecular beam expansion. Using an electric deflector the beam is separated by its mass-to-dipole moment ratio, analogous to a bender or an electric sector mass spectrometer spatially dispersing charged molecules on the basis of their mass-to-charge ratio. This deflector exploits the Stark effect in an inhomogeneous electric field and allows the separation of individual species of polar neutral molecules and clusters. It furthermore allows the selection of the coldest part of a molecular beam, as low-energy rotational quantum states generally experience the largest deflection. Different structural isomers (conformers) of a species can be separated due to the different arrangement of functional groups, which leads to distinct dipole moments. These are exploited by the electrostatic deflector for the production of a conformationally pure sample from a molecular beam. Similarly, specific cluster stoichiometries can be selected, as the mass and dipole moment of a given cluster depends on the degree of solvation around the parent molecule. This allows experiments on specific cluster sizes and structures, enabling the systematic study of solvation of neutral molecules.

We present a technique that allows the spatial separation of different conformers or clusters present in a molecular beam. An electrostatic deflector is used to separate species by their mass-to-dipole moment ratio, leading to the production of gas-phase ensembles of a single conformer or cluster stoichiometry.

הפרדה מרחבית של קונפורמרים מולקולריים ואשכולות

Gas-phase molecular physics and physical chemistry experiments commonly use supersonic expansions through pulsed valves for the production of cold ...

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by quantum mechanical effects such as tunneling through single dopants, scattering via interface defects, and discrete trap charge states. However, progress in silicon technology has shown that these phenomena can be harnessed and exploited for a new class of quantum-based electronics. Among others, multi-layer-gated silicon metal-oxide-semiconductor (MOS) technology can be used to control single charge or spin confined in electrostatically-defined quantum dots (QD). These QD-based devices are an excellent platform for quantum computing applications and, recently, it has been demonstrated that they can also be used as single-electron pumps, which are accurate sources of quantized current for metrological purposes. Here, we discuss in detail the fabrication protocol for silicon MOS QDs which is relevant to both quantum computing and quantum metrology applications. Moreover, we describe characterization methods to test the integrity of the devices after fabrication. Finally, we give a brief description of the measurement set-up used for charge pumping experiments and show representative results of electric current quantization.

The fabrication process and experimental characterization techniques relevant to single-electron pumps based on silicon metal-oxide-semiconductor quantum dots are discussed.

סיליקון מתכת-תחמוצת-מוליכים למחצה קוונטי נקודות לשאיבת חד אלקטרון

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by ...

Fabrication of High Contrast Gratings for the Spectrum Splitting Dispersive Element in a Concentrated Photovoltaic System

High contrast gratings are designed and fabricated and its application is proposed in a parallel spectrum splitting dispersive element that can improve the solar conversion efficiency of a concentrated photovoltaic system. The proposed system will also lower the solar cell cost in the concentrated photovoltaic system by replacing the expensive tandem solar cells with the cost-effective single junction solar cells. The structures and the parameters of high contrast gratings for the dispersive elements were numerically optimized. The large-area fabrication of high contrast gratings was experimentally demonstrated using nanoimprint lithography and dry etching. The quality of grating material and the performance of the fabricated device were both experimentally characterized. By analyzing the measurement results, the possible side effects from the fabrication processes are discussed and several methods that have the potential to improve the fabrication processes are proposed, which can help to increase the optical efficiency of the fabricated devices.

The fabrication of high contrast gratings as the parallel spectrum splitting dispersive element in a concentrated photovoltaic system is demonstrated. Fabrication processes including nanoimprint lithography, TiO2 sputtering and reactive ion etching are described. Reflectance measurement results are used to characterize the optical performance.

המצאה של Gratings ניגודיות הגבוה לפיצול הספקטרום Dispersive האלמנט במערכת פוטוולטאית מרוכזת

High contrast gratings are designed and fabricated and its application is proposed in a parallel spectrum splitting dispersive element that can improve ...

Use of a Multi-compartment Dynamic Single Enzyme Phantom for Studies of Hyperpolarized Magnetic Resonance Agents

Imaging of hyperpolarized substrates by magnetic resonance shows great clinical promise for assessment of critical biochemical processes in real time. Due to fundamental constraints imposed by the hyperpolarized state, exotic imaging and reconstruction techniques are commonly used. A practical system for characterization of dynamic, multi-spectral imaging methods is critically needed. Such a system must reproducibly recapitulate the relevant chemical dynamics of normal and pathological tissues. The most widely utilized substrate to date is hyperpolarized [1-13C]-pyruvate for assessment of cancer metabolism. We describe an enzyme-based phantom system that mediates the conversion of pyruvate to lactate. The reaction is initiated by injection of the hyperpolarized agent into multiple chambers within the phantom, each of which contains varying concentrations of reagents that control the reaction rate. Multiple compartments are necessary to ensure that imaging sequences faithfully capture the spatial and metabolic heterogeneity of tissue. This system will aid the development and validation of advanced imaging strategies by providing chemical dynamics that are not available from conventional phantoms, as well as control and reproducibility that is not possible in vivo.

A multi-compartment dynamic phantom is used to simulate some biology of interest for metabolic studies using hyperpolarized magnet resonance agents.

שימוש פנטום אנזים יחיד דינמי רב-תא ללימודים של סוכני תהודה מגנטית Hyperpolarized

Imaging of hyperpolarized substrates by magnetic resonance shows great clinical promise for assessment of critical biochemical processes in real time. Due ...

Comprehensive Characterization of Extended Defects in Semiconductor Materials by a Scanning Electron Microscope

Extended defects such as dislocations and grain boundaries have a strong influence on the performance of microelectronic devices and on other applications of semiconductor materials. However, it is still under debate how the defect structure determines the band structure, and therefore, the recombination behavior of electron-hole pairs responsible for the optical and electrical properties of the extended defects. The present paper is a survey of procedures for the spatially resolved investigation of structural and of physical properties of extended defects in semiconductor materials with a scanning electron microscope (SEM). Representative examples are given for crystalline silicon. The luminescence behavior of extended defects can be investigated by cathodoluminescence (CL) measurements. They are particularly valuable because spectrally and spatially resolved information can be obtained simultaneously. For silicon, with an indirect electronic band structure, CL measurements should be carried out at low temperatures down to 5 K due to the low fraction of radiative recombination processes in comparison to non-radiative transitions at room temperature. For the study of the electrical properties of extended defects, the electron beam induced current (EBIC) technique can be applied. The EBIC image reflects the local distribution of defects due to the increased charge-carrier recombination in their vicinity. The procedure for EBIC investigations is described for measurements at room temperature and at low temperatures. Internal strain fields arising from extended defects can be determined quantitatively by cross-correlation electron backscatter diffraction (ccEBSD). This method is challenging because of the necessary preparation of the sample surface and because of the quality of the diffraction patterns which are recorded during the mapping of the sample. The spatial resolution of the three experimental techniques is compared.

The optical, electrical, and structural properties of dislocations and of grain boundaries in semiconductor materials can be determined by experiments performed in a scanning electron microscope. Electron microscopy has been used to investigate cathodoluminescence, electron beam induced current, and diffraction of backscattered electrons.

אפיון מקיף של פגמים מורחבים סמיקונדקטור חומרים על ידי מיקרוסקופ סורק האלקטרוני

Extended defects such as dislocations and grain boundaries have a strong influence on the performance of microelectronic devices and on other applications ...

Characterization of Anisotropic Leaky Mode Modulators for Holovideo

Holovideo displays are based on light-bending spatial light modulators. One such spatial light modulator is the anisotropic leaky mode modulator. This modulator is particularly well suited for holographic video experimentation as it is relatively simple and inexpensive to fabricate1-3. Some additional advantages of leaky mode devices include: large aggregate bandwidth, polarization separation of signal light from noise, large angular deflection and frequency control of color1. In order to realize these advantages, it is necessary to be able to adequately characterize these devices as their operation is strongly dependent on waveguide and transducer parameters4. To characterize the modulators, the authors use a commercial prism coupler as well as a custom characterization apparatus to identify guided modes, calculate waveguide thickness and finally to map the device's frequency input and angular output of leaky mode modulators. This work gives a detailed description of the measurement and characterization of leaky mode modulators suitable for full-color holographic video.

This work describes fabrication and characterization of anisotropic leaky mode modulators for holographic video.

אפיון אניזוטרופי הרותחת מצב מאפננים עבור Holovideo

Holovideo displays are based on light-bending spatial light modulators.  One such spatial light modulator is the anisotropic leaky mode modulator.  This ...

Electrochemical Etching and Characterization of Sharp Field Emission Points for Electron Impact Ionization

A new variation of the drop-off method for fabricating field emission points by electrochemically etching tungsten rods in a NaOH solution is described. The results of studies in which the etching current and the molarity of the NaOH solution used in the etching process were varied are presented. The investigation of the geometry of the tips, by imaging them with a scanning electron microscope, and by operating them in field emission mode is also described. The field emission tips produced are intended to be used as an electron beam source for ion production via electron impact ionization of background gas or vapor in Penning trap mass spectrometry applications.

A method for electrochemically etching field emission tips is presented. Etching parameters are characterized and the operation of the tips in field emission mode is investigated.

אלקטרוכימי תחריט ואפיון של נקודות שדה פליטה שארפ עבור יינון אלקטרונים

A new variation of the drop-off method for fabricating field emission points by electrochemically etching tungsten rods in a NaOH solution is described. ...

Single-Digit Nanometer Electron-Beam Lithography with an Aberration-Corrected Scanning Transmission Electron Microscope

We demonstrate extension of electron-beam lithography using conventional resists and pattern transfer processes to single-digit nanometer dimensions by employing an aberration-corrected scanning transmission electron microscope as the exposure tool. Here, we present results of single-digit nanometer patterning of two widely used electron-beam resists: poly (methyl methacrylate) and hydrogen silsesquioxane. The method achieves sub-5 nanometer features in poly (methyl methacrylate) and sub-10 nanometer resolution in hydrogen silsesquioxane. High-fidelity transfer of these patterns into target materials of choice can be performed using metal lift-off, plasma etch, and resist infiltration with organometallics.

We use an aberration-corrected scanning transmission electron microscope to define single-digit nanometer patterns in two widely-used electron-beam resists: poly (methyl methacrylate) and hydrogen silsesquioxane. Resist patterns can be replicated in target materials of choice with single-digit nanometer fidelity using liftoff, plasma etching, and resist infiltration by organometallics.

חד-ספרתיות ננומטר ליתוגרפיה קרינה עם תיקון סטייה סריקה הילוכים מיקרוסקופ אלקטרוני

We demonstrate extension of electron-beam lithography using conventional resists and pattern transfer processes to single-digit nanometer dimensions by ...

A Rapid Method for Modeling a Variable Cycle Engine

The variable cycle engines (VCE) that combine the advantages of turbofan and turbojet engines, are widely considered to be the next generation aircraft engines. However, developing VCE requires high costs. Thus, it is essential to build a mathematical model when developing an aircraft engine, which may avoid a large number of real tests and reduce the cost dramatically. Modeling is also crucial in control law development. In this article, based on a graphical simulation environment, a rapid method for modeling a double bypass variable cycle engine using object-oriented modeling technology and modular hierarchical architecture is described. Firstly, the mathematical model of each component is built based on the thermodynamic calculation. Then, a hierarchical engine model is built via the combination of each component mathematical model and the N-R solver module. Finally, the static and dynamic simulations are carried out in the model and the simulation results prove the effectiveness of the modeling method. The VCE model built through this method has the advantages of clear structure and real-time observation.

Here, we present a protocol to build a component-level mathematical model for a variable cycle engine.

שיטה מהירה למידול מנוע מחזור משתנה

The variable cycle engines (VCE) that combine the advantages of turbofan and turbojet engines, are widely considered to be the next generation aircraft ...

Method Development for Contactless Resonant Cavity Dielectric Spectroscopic Studies of Cellulosic Paper

The current analytical techniques for characterizing printing and graphic arts substrates are largely ex situ and destructive. This limits the amount of data that can be obtained from an individual sample and renders it difficult to produce statistically relevant data for unique and rare materials. Resonant cavity dielectric spectroscopy is a non-destructive, contactless technique which can simultaneously interrogate both sides of a sheeted material and provide measurements which are suitable for statistical interpretations. This offers analysts the ability to quickly discriminate between sheeted materials based on composition and storage history. In this methodology article, we demonstrate how contactless resonant cavity dielectric spectroscopy may be used to differentiate between paper analytes of varying fiber species compositions, to determine the relative age of the paper, and to detect and quantify the amount of post-consumer waste (PCW) recycled fiber content in manufactured office paper.

A protocol for the non-destructive analysis of the fiber content and relative age of paper.

פיתוח שיטה עבור מדעי החלל ללא מגע מכשירים ספקטרוסקופיים הדיאלקטרי של הנייר תאית

The current analytical techniques for characterizing printing and graphic arts substrates are largely ex situ and destructive. This limits the amount of ...