我们的协议展示了在压电基材上制造典型表面声波器件的细节，对于寻求进入这一新兴领域的人尤其有价值。在清洁过程中，使任何碎屑远离表面至关重要。要预先分解晶圆，请将晶圆放在100摄氏度的加热板上3分钟。
然后将晶圆移动到铝箔。将晶圆放在旋转涂布器上。使用滴管，将负光光处理片放在覆盖约 75% 晶圆表面面积的晶圆上。
要产生约 1.3 微米的光光处理层厚度，请以 5 秒的加速速度在转速为 3，000 rpm/秒的自旋涂装机：500 rpm 上执行以下程序，然后执行 3，500 rpm 的加速度，加速 3，000 rpm/秒。"将晶圆放在100摄氏度的加热板上，将其烘烤。将加热板温度升高至 150 摄氏度，并保持该温度一分钟。
然后将晶圆从热板中移出，让晶圆在空气中冷却至室温。请勿在 150 摄氏度下将晶圆直接放在加热板上。加热后让水在空气中冷却。
要使光抗剂暴露在紫外能量下，请将晶圆转移到掩码对齐器上。将面罩对齐器设置为在 375 纳米下提供光，使光处理仪暴露在每平方厘米 400 毫焦耳的能量剂量下。要烘烤晶圆，请将晶圆放在100摄氏度的加热板上。
三分钟后，将晶圆转移到铝箔上，冷却至室温。将晶圆放入装满纯 RD6 开发人员的烧杯中。让晶圆浸入 15 秒钟，同时轻轻摇动烧杯。
从开发者那里取出晶圆，并将其浸入去化水中一分钟。然后在去化水流下冲洗晶圆。最后，使用干氮流从晶圆中去除剩余的水。
在100摄氏度下再次烘烤水。三分钟后，将晶圆转移到铝箔上，冷却至室温。将晶圆放入溅射沉积系统中，将晶室排入负6毫托雷的5倍至10毫tor的压力。
接下来，在2.5毫托雷方向流动。然后溅出具有200瓦功率的铬，用于五纳米的粘附层。为了形成导电电极，将铝沉积在400纳米和300瓦的功率水平。
将晶圆转移到烧杯中，将其浸入丙酮中。以中等强度对烧杯进行声波化五分钟。用去压水冲洗晶圆，然后用氮液干燥晶圆。
将晶圆在 100 摄氏度的加热板上放置三分钟。然后将其转移到一块铝箔上，等待其冷却到室温。将晶圆放入溅射沉积系统中，将晶室排入负6毫托雷的5倍至10毫tor的压力。
在2.5毫托雷时流气，然后用200瓦的功率溅出铬，用于5纳米的粘附层。接下来，在功率水平为 300 瓦时溅出 400 纳米的金子，形成导电电极。将晶圆放在旋转涂布器上。
使用滴管将正光光处理物沉积到晶圆表面面积约 75% 的晶圆上。要产生约 1.2 微米的光处理层厚度，请以 3，000 rpm/秒的加速速度在旋转涂布器：500 rpm 上执行以下程序，持续 10 秒，然后是 4，000 rpm，加速度为 3，000 rpm/秒。时间为 30 秒。然后在100摄氏度的加热板上放置晶圆。
一分钟后，将晶圆转移到铝箔上，冷却至室温。将晶圆转移到掩码对齐器。将面罩对齐器设置为在 375 纳米下提供光，使光处理仪暴露在每平方厘米 150 毫焦耳的能量剂量下。
将晶圆放入装满纯 AZ300MIF 的烧杯中。将晶圆留在烧杯中 300 秒，轻轻摇动烧杯。从开发者那里取出晶圆，并将其浸入水中一分钟。
然后在去化流下冲洗晶圆。最后，使用干氮流从晶圆中去除剩余的水。接下来，将晶圆浸入金蚀中90秒，轻轻摇动烧杯。
在去压水流下冲洗晶圆后，使用干氮流从晶圆中去除剩余的去化水。除了丙酮、光光剂和开发剂之外，最危险的试剂是需要更高保护的金属动作，如氯丁橡胶手套和围裙。最后，将晶圆浸入铬等中20秒，轻轻摇动烧杯。
在去压水流下冲洗晶圆。再次，使用干氮流去除剩余的水。IT 是使用所述方法制造的。
手指和手指本身之间的间距都是10微米的宽度，导致波长为40微米。将正弦信号应用于 IDT，并采用激光多普勒振动计测量产生的表面声波的振幅和频率。共振频率为96.5844兆赫，略低于100兆赫的设计频率。
基板表面的振动图显示了从 IT 传播的表面声波。根据最大振幅与最小振幅之间的比值，常波比计算为2.06。演示了 SAW 装置激活的塞西液滴运动。
0.2微升的水滴被移在离 IDT 约一毫米远的锂硝酸锂上。当锯传播并遇到液滴时，它会在雷利角度泄漏到液体中。喷射角度确认是否存在表面声波。
这些技术可用于制造兆赫或表面声波设备。如果需要更高的频率声波执行器，需要调整该过程。该协议提供了两种可靠的方法，用于制备用于微到纳米级荧光研究的高频表面声波器件。
