Les auteurs remercient le Dr Matteo Galli, le Dr Simone L. Portalupi et le professeur Lucio C. Andreani de l&#39;Université de Pavie pour des discussions utiles liées à la technique de RS et de l&#39;exécution des mesures.

Avertissement: Le protocole suivant donne un flux de processus général couvrant les techniques de fabrication et de caractérisation des guides d&#39;ondes à cristaux photoniques et des cavités. Le flux de processus est optimisé pour le matériel spécifique disponible dans notre laboratoire, et les paramètres peuvent être différents si les autres réactifs ou de l&#39;équipement est utilisé. 1. Préparation des échantillons <ol><li> Fendeuse de l&#39;échantillon - prendre le silicium sur isolant (SOI) plaquette et utiliser un scribe de diamant pour rayer une ligne d&#39;environ 1-2 mm de long à partir du bord de la surface de silicium, veiller à ce que la rayure s&#39;étend sur le bord de la plaquette. Aligner le zéro à un bord droit (par exemple celle d&#39;une lame de microscope) et appliquer une pression positive à deux côtés de la rayure: la plaquette clive le long du plan du cristal à l&#39;emplacement de zéro. Répétez cette procédure pour définir la puce entière. </li><li> Nettoyage de l&#39;échantillon - Lieu de l&#39;échantillon dans l&#39;acétone ATTENTION aide d&#39;une pincette unee nettoyer dans un bain à ultrasons pendant 1-2 min. Retirer l&#39;échantillon de l&#39;acétone, rincez toute l&#39;acétone restante de l&#39;échantillon en utilisant ATTENTION isopropanol (30 sec) (à la fois de l&#39;acétone et l&#39;isopropanol sont inflammables: utiliser une bonne ventilation et éviter toute source d&#39;inflammation). Sécher l&#39;échantillon à l&#39;aide d&#39;un pistolet d&#39;azote propre et sec. </li><li> Spin résister - placer l&#39;échantillon sur le spin-coater. Pipette électronique sensible résister ATTENTION ZEP520A (ZEP520A est inflammable, nocif par inhalation et par contact avec la peau et les yeux doit être évité) sur l&#39;échantillon - utilisé suffisamment de résister à recouvrir complètement l&#39;échantillon sans résister circulant sur le bord. Faire tourner l&#39;échantillon de manière à donner une env. 350 nm d&#39;épaisseur de film et cuire au four sur une plaque chauffante à 180 ° C pendant 10 min. Nous avons trouvé cette épaisseur à l&#39;épaisseur optimale qui concilie résolution et résistance à la gravure (voir plus loin). </li></ol> 2. Définition de modèle <ol><li> Design - utilisant un logiciel approprié, simuler le mode de cristal photonique requis. Un engourdissementer des logiciels utiles sont disponibles, y compris, mais sans s&#39;y limiter: MIT bandes photoniques (DPP), double alternance (Rsoft), Propagation MIT équation électromagnétique (MEEP). </li><li> Génération de modèle - créer les fichiers d&#39;exposition (format gds en général) et les erreurs de proximité réalisé avec un logiciel approprié 30. </li><li> L&#39;exposition Pattern - charger l&#39;échantillon dans la chambre du système de lithographie par faisceau d&#39;électrons (LEO 1530 / Raith Elphy) et tirage au vide. Une fois vide a été réalisé, allumez l&#39;alimentation et l&#39;ISE fixé à 30 kV. Laisser le système dans cet état pendant 1 heure pour permettre à l&#39;échantillon, le stade et la chambre pour atteindre une température d&#39;équilibre. Mise en place de l&#39;exposition, comme indiqué dans le manuel utilisateur de votre système d&#39;électrons lithographie spécifique faisceau. Exposer l&#39;échantillon en utilisant une taille de pas de base appropriée (par exemple, 2 nm) (ce qui est la taille de pixel minimale que le système peut exposer), un temps d&#39;établissement d&#39;au moins 1 ms (ce qui est le temps d&#39;attente du système entre le déplacement du faisceau d&#39;exposition etla partie particulière de la structure), et une dose de 55 μAcm zone -2. </li><li> Développement de l&#39;échantillon - en utilisant Xylène ATTENTION (Xylène est à la fois le travail inflammable et très toxique dans un endroit bien ventilé à l&#39;écart des sources d&#39;ignition et éviter tout contact avec la peau et les yeux) à une température de 23 ° C développer l&#39;échantillon pendant 45 sec. Rincer dans de l&#39;isopropanol. </li></ol> 3. Patten transfert <ol><li> RIE Chambre Nettoyage - Régler les débits d&#39;argon et d&#39;hydrogène à 200 sccm. Diminuer la bande passante de la pompe, par l&#39;intermédiaire d&#39;une vanne papillon, pour obtenir la pression de chambre de 1 × 10 -1 mbar. Réglez la puissance RF de 100 W, allumer le plasma et fonctionner pendant au moins 10 minutes - une polarisation continue d&#39;environ 700 V doivent être respectées. Après l&#39;arrêt de l&#39;Ar / H 2 plasma, permettre à la chambre de la pompe pendant environ 1 min. Régler le débit de l&#39;oxygène dans la chambre à 200 sccm et à nouveau étrangler la pression de la chambre vers le bas à 1 × 10 -1 mbar. Ignite un second plasmade l&#39;oxygène avec une puissance de 100 W et une durée de 5 min. Après ces procédures, la chambre va être exempt de contaminants, tels que les résidus de polymère, de toute gravure précédente sèche. Nous effectuons cette procédure avant chaque changement de formule d&#39;attaque pour assurer une répétabilité maximale. Cette procédure est optimisé pour le système qui est constitué d&#39;une plaque parallèle, cathode chargée, RIE, avec une chambre principale de 12 pouces de diamètre par 14 cm de hauteur, dont un orifice 12 cm avec vanne d&#39;étranglement et les deux turbo-moléculaire pompe fixée. </li><li> Gravure de cristal photonique - charger l&#39;échantillon dans la chambre principale et RIE pomper le système jusqu&#39;à une pression de fond &lt;3 × 10 -6 mbar pour assurer la chambre est exempte de vapeur d&#39;eau. Commencer la gravure par pré-conditionnement, la chambre avec les gaz de gravure (à savoir CHF 3 et SF 6): régler le débit de gaz à la fois 100 sccm (c.-à régler un rapport de gaz de 1:1) et en utilisant le gaz de la chambre de ramener pression de 5 × 10 <sjusqu&#39;à&gt; -2 mbar; permettre aux gaz de s&#39;écouler pendant au moins 10 min. Après le pré-conditionnement, régler la puissance RF à environ 20 W et allumer un plasma; gravure de l&#39;échantillon pendant environ 2 min (la vitesse de gravure du silicium pour ces paramètres de gravure est d&#39;environ 150 nm / min), tout en veillant à ce que la pression dans la chambre de 5 × 10 -2 mbar est maintenue. Une polarisation continue entre 200-220 V doit être réalisée tout au long de la période de gravure. </li><li> Exemple de nettoyage pour enlever les électrons de laque sensible - après gravure sèche, nettoyer l&#39;échantillon par un rinçage à l&#39;ATTENTION Remover 1165 (1165 est inflammable et peut causer une irritation des yeux, du nez et des voies respiratoires des voies) avec agitation ultrasonique pendant 1-2 min, suivi par de l&#39;acétone et l&#39;isopropanol comme il est indiqué ci-dessus (étape 1.2). </li><li> Isolation Membrane - spin-coat de l&#39;échantillon avec photo sensible aux UV résister ATTENTION Microposit S1818 G2 (S1818 G2 est à la fois inflammables et provoque une irritation des yeux, du nez et des voies respiratoires des voies) (voir l&#39;étape 1.3). L&#39;utilisation d&#39;un CRÉDITSe photomasque, définir des fenêtres à l&#39;intérieur de la réserve au-dessus des modèles de cristaux photoniques en utilisant le dispositif d&#39;alignement de masque UV. Exposer l&#39;échantillon pendant environ 30-45 secondes. Développer la résistance à Microposit ATTENTION développeur MF-319 (MF-319 est un liquide alcalin et peut causer une irritation des yeux, du nez et des voies respiratoires des voies) pendant 30-45 secondes, rincer ensuite dans de l&#39;eau déminéralisée. Préparer un récipient en plastique avec un mélange d&#39;acide fluorhydrique ATTENTION 01:05 (1,1499 g / ml 48-51% HF) (HF est extrêmement corrosif et facilement détruit les tissus, lors de la manipulation d&#39;utiliser un équipement complet de protection individuelle prévus pour HF) pour dé-ionisée de l&#39;eau. Notez que pour des raisons de sécurité seulement gobelets en plastique et pinces doivent être utilisées avec de l&#39;acide fluorhydrique. Immerger l&#39;échantillon dans le mélange d&#39;acide fluorhydrique pendant 15 min. Après le décapage, rincer soigneusement l&#39;échantillon dans de l&#39;eau déminéralisée. Retirez le restant de résine photosensible avec de l&#39;acétone et l&#39;isopropanol (voir l&#39;étape 1.2) - à partir de ce stade et suivantes agitation ultrasonique peut pas être utilisé. Pour s&#39;assurer que l&#39;échantillonest aussi propre que possible, suivre l&#39;acétone et l&#39;isopropanol lavage avec une solution de rinçage dans une solution Piranha ATTENTION (solution Piranha est très énergique, est potentiellement explosive et attaque les matériaux organiques, lors de la manipulation d&#39;utiliser un équipement complet de protection individuelle) (3:1 ATTENTION acide sulfurique (acide sulfurique l&#39;acide est corrosif et très toxique, lors de la manipulation des équipements de protection et éviter d&#39;inhaler les vapeurs ou les brouillards) ATTENTION à l&#39;eau oxygénée (peroxyde d&#39;hydrogène est très dangereux en cas de contact avec la peau et les yeux, lors de la manipulation des équipements de protection)) pendant 5 min , puis rincer l&#39;échantillon dans de l&#39;eau désionisée, de l&#39;acétone et l&#39;isopropanol. Notez que pour des raisons de sécurité béchers en verre et des pinces métalliques seulement doit être utilisé avec la solution Piranha. Comme solution Piranha peut exploser au contact avec de l&#39;acétone ou de l&#39;isopropanol, il doit être manipulé loin de ces réactifs. </li><li> Fendeuse Facet - si la préparation d&#39;un cristal photonique lente lumière guide d&#39;ondes, l&#39;échantillon nécessite clivage facette. Cliver la sample en suivant la même procédure que celle décrite dans l&#39;étape 1.1, sauf qu&#39;une aussi petite que possible de zéro doit être utilisé. Une puce SOI avec le substrat ~ um d&#39;épaisseur 700 peut être clivée de manière fiable à 4-5 mm de long échantillons. </li></ol> 4. Caractérisation photonique Cristal guide d&#39;ondes lentes lumière <ol><li> Préparation préliminaire de la configuration - branchez la sortie d&#39;une large bande ATTENTION émission spontanée amplifiée (ASE) source de lumière (rayonnement infrarouge invisible: éviter d&#39;inutiles puissances élevées, couvrir trajectoire du faisceau si possible) pour un séparateur fibre 3 dB et l&#39;utilisation de chacune des sorties de coupler la lumière dans les deux bras d&#39;un espace libre de Mach-Zehnder interferometeter (MZI), comme représenté sur la figure 9. Utiliser des lentilles asphériques pour collimater la lumière émise par les fibres. Dans l&#39;un des bras de l&#39;interféromètre, d&#39;utiliser deux autres lentilles asphériques pour coupler le faisceau de lumière et de sortie de la puce de l&#39;échantillon. Placez un faisceau de polarisation (PBS) dans le bras échantillon à TE-polarisent le light saisie de l&#39;échantillon. Utilisez lentilles asphériques pour coupler les faisceaux de sortie collimatés des deux bras en arrière dans une seconde 3 dB séparateur de fibres, où ils se recombinent. Connecter l&#39;une des sorties à un détecteur à infrarouge et en utilisant la lecture du détecteur de maximiser le couplage de la lumière dans l&#39;échantillon; raccorder l&#39;autre sortie à un analyseur de spectre optique (OSA). Les deux branches de l&#39;MZI doivent avoir à peu près la même longueur optique lorsqu&#39;il est en présence de l&#39;échantillon: faire en sorte que les fibres dans les deux branches de l&#39;MZI ont la même longueur nominale et comprennent un étage à retard variable dans le bras de référence pour permettre pour le réglage fin de la longueur. Dans le bras de l&#39;échantillon, monter les lentilles asphériques sur les scènes de précision xyz pour obtenir le meilleur couplage dans l&#39;échantillon. </li><li> Ajuster la longueur du bras de référence - coupler le faisceau de lumière à un guide d&#39;ondes nervuré (c&#39;est à dire sans cristal photonique) blanc (de même type que l&#39;accès guides d&#39;ondes de lumière qui avance à l&#39;intérieur des cristaux photoniques) wiamincir la même puce dans le bras échantillon. Effectuez un balayage continu sur le SAOS et d&#39;observer les spectres de longueur d&#39;onde mesurée. Si les deux bras de la MZI ont à peu près la même longueur optique, les franges présentent des spectres dus aux interférences constructives et destructives; ces franges n&#39;apparaîtra pas si les bras du MZI sont très différentes longueurs optiques (&gt; ~ cm). L&#39;espacement des franges est inversement proportionnelle à la différence de longueur de chemin optique entre les deux bras. Déplacez l&#39;étage de retard pour faire le bras de référence plus courte et d&#39;observer les franges de l&#39;OSA: si elles deviennent plus denses (moins dense), le bras de référence est plus courte (plus) que dans le bras échantillon. Réglez l&#39;étage de retard afin de s&#39;assurer que le bras de référence est plus court que le bras de l&#39;échantillon et les résultats dans un écartement des franges d&#39;environ 5 à 10 franges dans une gamme de longueur d&#39;onde de 10 nm (voir figure 10a). Enfin, effectuer cette optimisation sur le périphérique qui fournit le retard maximum, puis maintenir le délai fixé dans toute la mesurede l&#39;ensemble de l&#39;échantillon. </li><li> Exécuter l&#39;étalonnage - tout aligné sur le guide d&#39;ondes vide, exécuter trois balayages sur l&#39;OSA: une analyse du spectre d&#39;interférence et une analyse de chacun des deux bras séparément (obtenu en bloquant l&#39;autre bras). Utilisez une résolution de 0,05-0,1 nm. Enregistrer chaque spectre mesuré. </li><li> Lente acquisition lumière des données - de fonctionner et d&#39;enregistrer trois spectres comme à l&#39;étape 4.3 pour chaque guide d&#39;onde à cristaux photoniques sur la puce. </li><li> Fourier analyse des données - le spectre d&#39;interférence (interférogramme) I (ω) s&#39;exprime mathématiquement par: I (ω) = S (ω) + R (ω) + sqrt [S (ω) R (ω)] {exp [iΦ (ω) - iωτ] +} cc, où S (ω) et R (ω) sont les densités spectrales mesurées séparément à partir de l&#39;échantillon de référence et les bras, respectivement. Le retard τ est définie par la position de l&#39;étage de retard dans le bras de référence. L&#39;information sur la dispersion du guide d&#39;ondes à cristal photonique est contenu dans la phaseterme, que nous devons extraire les données mesurées. Soustraire le fond non interférant S (ω) + R (ω) à partir de l&#39;interférogramme d&#39;isoler uniquement le terme d&#39;interférence. Calculer la transformée de Fourier de la durée interférer: le terme sqrt (SR) exp [i (Φ-ωτ)] et de son conjugué complexe correspondent à des pics centrés à t = τ et t =-τ, respectivement. Filtrer numériquement l&#39;un des deux termes et transformer de nouveau dans le domaine fréquentiel. Différencier la phase Φ (ω) - ωτ des données résultantes par rapport aux ω pour obtenir Δτ g, la différence de retard de groupe entre les deux bras. Le groupe d&#39;index n g = c / v g, avec g v la vitesse de groupe, est donnée par: n = g (Δτ g PhC - Δτ cal g) c / L + n cal, où Δτ cal g est obtenue à partir des données d&#39;étalonnage prises enom le guide d&#39;ondes vide, L est la longueur de guide d&#39;ondes à cristal photonique et n = 2,7 cal est l&#39;indice effectif du guide d&#39;ondes nervuré référence. La contribution à la temporisation des divers éléments optiques de l&#39;installation est prise en compte dans la course de calibrage, et est donc soustrait à cette étape. </li></ol><ol start="6"><li> Courbe de transmission - calculer la courbe de transmission en normalisant le spectre de l&#39;échantillon d&#39;un guide d&#39;ondes à cristal photonique à celle de l&#39;ébauche de guide d&#39;ondes. </li></ol> 5. Caractérisation cavité à cristal photonique <ol><li> Installation - la préparation de l&#39;installation (figure 14) pour RS comprend: la commutation de l&#39;élément échangeable vers le diviseur de faisceau polarisant; insérer un polariseur dans la branche d&#39;entrée et un analyseur dans le bras de sortie; retourner un miroir dans le bras de sonde afin de permettre l&#39;utilisation d&#39;une source proche de l&#39;infrarouge; permettre l&#39;illumination de l&#39;échantillon. Monter l&#39;échantillon verticalement avec une orientation de 45 ° à l&#39;axedu polariseur (Figure 18) sur un différentiel entraîné xyz micro-bloquer et régler le bloc micro-afin que l&#39;échantillon est mis au point et une cavité peut être vu avec la caméra, comme dans la Figure 15 (à gauche). En utilisant une émission spontanée amplifiée (ASE) de source, d&#39;aligner le faisceau avec le centre de la figure 15 cavité (droite). Retournez loin le miroir éclairage et permettre au bras de sortie pour entrer dans le spectromètre (monochromateur avec détecteur à barrette ci-joint). Lancer un scan large avec une résolution faible à modéré afin d&#39;identifier les pics cavité. Obtenir la longueur d&#39;onde approximative de la résonance dans le balayage ASE (figure 16a) avec une précision de 1 nm. Il est également possible d&#39;acquérir le scan large avec une source laser accordable ATTENTION (TLS) (figure 16b) (rayonnement infrarouge invisible: éviter d&#39;inutiles puissances élevées, couvrir trajectoire du faisceau si possible). Il faut veiller à ce que la résolution est réglée sur la valeur la plus élevée pouréchantillonner les lignes d&#39;une largeur de chaque pic. </li><li> Effectuer des balayages haute définition sur les pics identifiés - relier les TLS à la branche d&#39;entrée et atténuer le faisceau à un niveau mW. Préparez-vous pour le balayage à haute résolution en permettant au bras de sortie à percevoir par le photodétecteur et la mise en place d&#39;un balayage balayage continu avec une résolution de 1 h pour une plage de 2 nm centré à la longueur d&#39;onde de résonance trouvée précédemment. L&#39;importance de cette étape est d&#39;améliorer le rapport signal-sur-bruit (SNR) dans le but d&#39;obtenir une lorentzienne ligne en forme de résonance: changer la position xyz du bloc de micro-et relancez le scan jusqu&#39;à ce que le SNR est maximisé et la ligne en forme est proche de celle d&#39;une lorentzienne, comme indiqué dans l&#39;article résultat représentatif. </li></ol>

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	<li>Baba, T., Kawasaki, T., Sasaki, H., Adachi, J., Mori, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Large+delay-bandwidth+product+and+tuning+of+slow+light+pulse+in+photonic+crystal+coupled+waveguide.">Large delay-bandwidth product and tuning of slow light pulse in photonic crystal coupled waveguide.</a> Opt. Express. 16 (12), 9245-9253 (2008).</li><li>Melloni, A., Canciamilla, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Tunable+delay+lines+in+silicon+photonics:+coupled+resonators+and+photonic+crystals,+a+comparison.">Tunable delay lines in silicon photonics: coupled resonators and photonic crystals, a comparison.</a> IEEE Photon. J. 2 (2), 181-194 (2010).</li><li>Ishikura, N., Baba, T., Kuramochi, E., Notomi, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Large+tunable+fractional+delay+of+slow+light+pulse+and+its+application+to+fast+optical+correlator.">Large tunable fractional delay of slow light pulse and its application to fast optical correlator.</a> Opt. Express. 19 (24), 24102-24108 (2011).</li><li>Beggs, D. M., Rey, I. H., Kampfrath, T., Rotenberg, N., Kuipers, L., Krauss, T. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultrafast+tunable+optical+delay+line+based+on+indirect+photonic+transitions.">Ultrafast tunable optical delay line based on indirect photonic transitions.</a> Phys. Rev. Lett. 108 (21), 213901 (2012).</li><li>Beggs, D. M., White, T. P., O'Faolain, L., Krauss, T. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultracompact+and+low-power+optical+switch+based+on+silicon+photonic+crystals.">Ultracompact and low-power optical switch based on silicon photonic crystals.</a> Opt. Lett. 33 (2), 147-149 (2008).</li><li>Nguyen, H. C., Sakai, Y., Shinkawa, M., Ishikura, N., Baba, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=10+Gb/s+operation+of+photonic+crystal+silicon+optical+modulators.">10 Gb/s operation of photonic crystal silicon optical modulators.</a> Opt. Express. 19 (14), 13000-13007 (1364).</li><li>Kampfrath, T., Beggs, D. M., White, T. P., Melloni, A., Krauss, T. F., Kuipers, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultrafast+adiabatic+manipulation+of+slow+light+in+a+photonic+crystal.">Ultrafast adiabatic manipulation of slow light in a photonic crystal.</a> Phys. Rev. A. 81 (4), 043837 (2010).</li><li>Monat, C., Corcoran, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Slow+light+enhancement+of+nonlinear+effects+in+silicon+engineered+photonic+crystal+waveguides.">Slow light enhancement of nonlinear effects in silicon engineered photonic crystal waveguides.</a> Opt. Express. 17 (4), 2944-2953 (2009).</li><li>Corcoran, B., Monat, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=light+emission+in+silicon+through+slow-light+enhanced+third-harmonic+generation+in+photonic-crystal+waveguides.">light emission in silicon through slow-light enhanced third-harmonic generation in photonic-crystal waveguides.</a> Nature Photon. 3, 206-210 (2009).</li><li>Li, J., O'Faolain, L., Rey, I. H., Krauss, T. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Four-wave+mixing+in+photonic+crystal+waveguides:+slow+light+enhancement+and+limitations.">Four-wave mixing in photonic crystal waveguides: slow light enhancement and limitations.</a> Opt. Express. 19 (5), 4458-4463 (2010).</li><li>Checoury, X., Han, Z., Boucaud, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Stimulated+Raman+scattering+in+silicon+photonic+crystal+waveguides+under+continuous+excitation.">Stimulated Raman scattering in silicon photonic crystal waveguides under continuous excitation.</a> Phys. Rev. B. 82 (4), 041308 (2010).</li><li>Y, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Photonic+crystal+nanocavity+laser+with+a+single+quantum+dot+gain.">Photonic crystal nanocavity laser with a single quantum dot gain.</a> Opt. Express. 17 (18), 15975-15982 (2009).</li><li>Ellis, B., Mayer, M. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultralow-threshold+electrically+pumped+quantum-dot+photonic-crystal+nanocavity+laser.">Ultralow-threshold electrically pumped quantum-dot photonic-crystal nanocavity laser.</a> Nature Photon. 24, 297-300 (2011).</li><li>Galli, M., Gerace, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low-power+continuous-wave+generation+of+visible+harmonics+in+silicon+photonic+crystal+nanocavities.">Low-power continuous-wave generation of visible harmonics in silicon photonic crystal nanocavities.</a> Opt. Express. 18 (25), 26613-26624 (2010).</li><li>Notomi, M., Shinya, A., Mitsugi, S., Kira, G., Kuramochi, E., Tanabe, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optical+bistable+switching+action+of+Si+high-Q+photonic-crystal+nanocavities.">Optical bistable switching action of Si high-Q photonic-crystal nanocavities.</a> Opt. Express. 13 (7), 2678-2687 (2005).</li><li>Shambat, G., Rivoire, K., Lu, J., Hatami, F., Vu&#269;kovi&#269;, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Tunable-wavelength+second+harmonic+generation+from+GaP+photonic+crystal+cavities+coupled+to+fiber+tapers.">Tunable-wavelength second harmonic generation from GaP photonic crystal cavities coupled to fiber tapers.</a> Opt. Express. 18 (12), 12176-12184 (2010).</li><li>Fan, S., Villeneuve, P. R., Joannopoulos, J. D., Haus, H. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Channel+drop+filters+in+photonic+crystals.">Channel drop filters in photonic crystals.</a> Opt. Express. 3 (1), 4-11 (1998).</li><li>Tanabe, T., Nishiguchi, K., Kuramochi, E., Notomi, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+power+and+fast+electro-optic+silicon+modulator+with+lateral+p-i-n+embedded+photonic+crystal+nanocavity.">Low power and fast electro-optic silicon modulator with lateral p-i-n embedded photonic crystal nanocavity.</a> Opt. Express. 17 (25), 22505-22513 (2009).</li><li>Nozaki, K., Tanabe, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Sub-femtojoule+all-optical+switching+using+a+photonic-crystal+nanocavity.">Sub-femtojoule all-optical switching using a photonic-crystal nanocavity.</a> Nature Photon. 4, 477-483 (2010).</li><li>Notomi, M., Yamada, K., Shinya, A., Takahashi, J., Takahashi, C., Yokohama, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Extremely+large+group-velocity+dispersion+of+line-defect+waveguides+in+photonic+crystal+slabs.">Extremely large group-velocity dispersion of line-defect waveguides in photonic crystal slabs.</a> Phys. Rev. Lett. 87 (25), 253902 (2001).</li><li>Labilloy, D., Benisty, H., Weisbuch, C., Smith, C. J. M., Krauss, T. F., Houdr&#233;, R., Oesterle, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Finely+resolved+transmission+spectra+and+band+structure+of+two-dimensional+photonic+crystals+using+emission+from+InAs+quantum+dots.">Finely resolved transmission spectra and band structure of two-dimensional photonic crystals using emission from InAs quantum dots.</a> Phys. Rev. B. 59 (3), 1649-1652 (1999).</li><li>Inan&#231; Tarhan, I., Zinkin, M. P., Watson, G. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Interferometric+technique+for+the+measurement+of+photonic+band+structure+in+colloidal+crystals.">Interferometric technique for the measurement of photonic band structure in colloidal crystals.</a> Opt. Lett. 20 (14), 1571-1573 (1995).</li><li>Galli, M., Marabelli, F., Guizzetti, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Direct+measurement+of+refractive-index+dispersion+of+transparent+media+by+white-light+interferometry.">Direct measurement of refractive-index dispersion of transparent media by white-light interferometry.</a> Appl. Opt. 42 (19), 3910-3914 (1364).</li><li>Galli, M., Bajoni, D., Marabelli, F., Andreani, L. C., Pavesi, L., Pucker, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Photonic+bands+and+group-velocity+dispersion+in+Si/SiO2+photonic+crystals+from+white-light+interferometry.">Photonic bands and group-velocity dispersion in Si/SiO2 photonic crystals from white-light interferometry.</a> Phys. Rev. B. 69 (11), 115107 (2004).</li><li>Vlasov, Y. A., O'Boyle, M., Hamann, H. F., McNab, S. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Active+control+of+slow+light+on+a+chip+with+photonic+crystal+waveguides.">Active control of slow light on a chip with photonic crystal waveguides.</a> Nature. 438, 65-69 (2005).</li><li>Gomez-Iglesias, A., O'Brien, D., O'Faolain, L., Miller, A., Krauss, T. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Direct+measurement+of+the+group+index+of+photonic+crystal+waveguide+via+Fourier+transform+spectral+interferometry.">Direct measurement of the group index of photonic crystal waveguide via Fourier transform spectral interferometry.</a> Appl. Phys. Lett. 90 (26), 261107 (2007).</li><li>Akahane, Y., Asano, T., Song, B. -. S., Noda, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Q+photonic+nanocavity+in+a+two-dimensional+photonic+crystal.">High-Q photonic nanocavity in a two-dimensional photonic crystal.</a> Nature. 425, 944-947 (2003).</li><li>McCutcheon, M. W., Rieger, G. W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Resonant+scattering+and+second-harmonic+spectroscopy+of+planar+photonic+crystal+microcavities.">Resonant scattering and second-harmonic spectroscopy of planar photonic crystal microcavities.</a> Appl. Phys. Lett. 87 (22), 221110 (2005).</li><li>Galli, M., Portalupi, S. L., Belotti, M., Andreani, L. C., O'Faolain, L., Krauss, T. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Light+scattering+and+Fano+resonances+in+high-Q+photonic+crystal+nanocavities.">Light scattering and Fano resonances in high-Q photonic crystal nanocavities.</a> Appl. Phys. Lett. 94 (7), 71101 (2009).</li><li>W&#195;est, R., Strasser, P., Jungo, M., Robin, F., Erni, D., J&#252;ckel, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=An+efficient+proximity-effect+correction+method+for+electron-beam+patterning+of+photonic-crystal+devices.">An efficient proximity-effect correction method for electron-beam patterning of photonic-crystal devices.</a> Microelectron Eng. 67-68, 182-188 (2003).</li><li>Tanaka, Y., Asano, T., Akahane, Y., Song, B. -. S., Noda, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Theoretical+investigation+of+a+two-dimensional+photonic+crystal+slab+with+truncated+cone+air+holes.">Theoretical investigation of a two-dimensional photonic crystal slab with truncated cone air holes.</a> Appl. Phys. Lett. 82 (11), 1661 (2003).</li><li>Asano, T., Song, B. -. S., Noda, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Analysis+of+the+experimental+Q+factors+(~+1+million)+of+photonic+crystal+nanocavities.">Analysis of the experimental Q factors (~ 1 million) of photonic crystal nanocavities.</a> Opt. Express. 14 (5), 1996-2002 (2006).</li><li>O'Faolain, L., Schulz, S. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Loss+engineered+slow+light+waveguides.">Loss engineered slow light waveguides.</a> Opt. Express. 18 (26), 27627-27638 (2010).</li><li>Joannopoulos, J. D., Johnson, S. G., Winn, J. N., Meade, R. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Photonic crystals, molding the flow of light. , (2008).</li><li>Li, J., White, T. P., O'Faolain, L., Gomez-Iglesias, A., Krauss, T. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Systematic+design+of+flat+band+slow+light+in+photonic+crystal+waveguides.">Systematic design of flat band slow light in photonic crystal waveguides.</a> Opt. Express. 16 (9), 6227-6232 (2008).</li><li>Takeda, M., Ina, H., Kobayashi, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Fourier-transform+method+of+fringe-pattern+analysis+for+computer-based+topography+and+interferometry.">Fourier-transform method of fringe-pattern analysis for computer-based topography and interferometry.</a> J. Opt. Soc. Am. 72 (1), 156-160 (1982).</li></ol>

Aucun conflit d&#39;intérêt déclaré.

Exemple de fabrication Notre choix de résister à faisceau d&#39;électrons (c.-à-ZEP 520A) est due à sa résolution élevée et simultanément résistance à la gravure. Nous croyons que 520A ZEP peut être affectée par la lumière ultraviolette émise par des feux de laboratoire généraux, à ce titre, nous vous recommandons de placer spin-enduites échantillons dans des récipients opaques aux UV tout en les déplaçant d&#39;un laboratoire à un autre. <p class="jove_conte...

<table border="1">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Name </td>
			<td>Company </td>
			<td>Catalogue number </td>
			<td>Comments (optional) </td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetone</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>A/0520/17</td>
			<td>CAUTION: flammable, use good ventilation and avoid all ignition sources.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Isopropanol</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>P/7500/15</td>
			<td>CAUTION: flammable, use good ventilation and avoid all ignition sources.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Electron Beam resist</td>
			<td>Marubeni Europe plc.</td>
			<td>ZEP520A</td>
			<td>CAUTION: flammable, harmful by inhalation, avoid contact with skin and eyes.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Xylene</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>X/0100/17</td>
			<td>CAUTION: flammable and highly toxic, use good ventilation, avoid all ignition sources, avoid contact with skin and eyes.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Microposit S1818 G2</td>
			<td>Chestech Ltd.</td>
			<td>10277866</td>
			<td>CAUTION: flammable and causes irritation to eyes, nose and respiratory tract.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Microposit Developer MF-319</td>
			<td>Chestech Ltd.</td>
			<td>10058721</td>
			<td>CAUTION: alkaline liquid and can cause irritation to eyes, nose and respiratory tract.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric Acid</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>22333-5000</td>
			<td>CAUTION: extremely corrosive, readily destroys tissue; handle with full personal protective equipment rated for HF.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Microposit 1165 Remover</td>
			<td>Chestech Ltd.</td>
			<td>10058734</td>
			<td>CAUTION: flammable and causes irritation to eyes, nose and respiratory tract.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulphuric Acid</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>S/9120/PB17</td>
			<td>CAUTION: corrosive and very toxic; handle with personal protective equipment and avoid inhalation of vapours or mists.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrogen Peroxide</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>BPE2633-500</td>
			<td>CAUTION: very hazardous in case of skin and eye contact; handle with personal protective equipment.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>&nbsp;</td>
			<td>&nbsp;</td>
			<td>&nbsp;</td>
			<td>Equipment</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Silicon-on-Insulator wafer</td>
			<td>Soitec</td>
			<td>G8P-110-01</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Diamond Scribe</td>
			<td>J &amp; M Diamond Tool Inc.</td>
			<td>HS-415</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Microscope slides</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>FB58622</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Beakers</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>FB33109</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Tweezers</td>
			<td>SPI Supplies</td>
			<td>PT006-AB</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ultrasonic Bath</td>
			<td>Camlab</td>
			<td>1161436</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Spin-Coater</td>
			<td>Electronic Micro Systems Ltd.</td>
			<td>EMS 4000</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Pipette</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>FB55343</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>E-beam Lithography System</td>
			<td>Raith Gmbh</td>
			<td>Raith 150</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Reactive Ion Etching System</td>
			<td>Proprietary In-house Designed</td>
			<td>--</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>UV Mask Aligner</td>
			<td>Karl Suss</td>
			<td>MJB-3</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ASE source</td>
			<td>Amonics</td>
			<td>ALS-CL-15-B-FA</td>
			<td>CAUTION: invisible IR radiation.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Single mode fibers</td>
			<td>Thorlabs</td>
			<td>P1-SMF28E-FC-2</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>3 dB fiber splitters</td>
			<td>Thorlabs</td>
			<td>C-WD-AL-50-H-2210-35-FC/FC</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Aspheric lenses</td>
			<td>New Focus</td>
			<td>5720-C</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>XYZ stages</td>
			<td>Melles Griot</td>
			<td>17AMB003/MD</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Polarizing beamsplitter cube</td>
			<td>Thorlabs</td>
			<td>PBS104</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>IR detector</td>
			<td>New Focus</td>
			<td>2033</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>100&times; Objective</td>
			<td>Nikon</td>
			<td>BD Plan 100x</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Oscilloscope</td>
			<td>Tektronix</td>
			<td>TDS1001B</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Optical Spectrum Analyzer</td>
			<td>Advantest</td>
			<td>Q8384</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>IR sensor card</td>
			<td>Newport</td>
			<td>F-IRC2</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>TLS source</td>
			<td>Agilent</td>
			<td>81940A</td>
			<td>CAUTION: invisible IR radiation.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>IR Camera</td>
			<td>Electrophysics</td>
			<td>7290A</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>IR Detector</td>
			<td>New Focus</td>
			<td>2153</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Digital Multimeter</td>
			<td>Agilent</td>
			<td>34401A</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Illumination</td>
			<td>Stocker Yale</td>
			<td>Lite Mite</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Monochromator</td>
			<td>Spectral Products</td>
			<td>DK480</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Array Detector</td>
			<td>Andor</td>
			<td>DU490A-1.7</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>GIF Fiber</td>
			<td>Thorlabs</td>
			<td>31L02</td>
			<td>&nbsp;</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication and characterization of photonic crystal slow light waveguides and cavities

Lumière lente a été l&#39;un des sujets chauds de la communauté de la photonique dans la dernière décennie, suscitent beaucoup d&#39;intérêt tant d&#39;un point de vue fondamental et pour son potentiel considérable pour des applications pratiques. Lents lumière guides d&#39;ondes à cristaux photoniques, en particulier, ont joué un rôle majeur et ont été utilisés avec succès pour retarder les signaux optiques 1-4 et la mise en valeur de ces deux dispositifs linéaires et non linéaires 5-7 8-11. Cavités à cristaux photoniques obtenir des effets similaires à ceux de guides d&#39;ondes lumineuses lents, mais sur une réduction de la bande passante. Ces cavités offrent ratio élevé Q-factor/volume, pour la réalisation de 12 et optiquement pompé électriquement 13 lasers seuils très faibles et l&#39;amélioration des effets non linéaires. 14-16 De plus, les filtres passifs 17 et 18-19 modulateurs ont été démontrés, présentant ultra-étroite largeur de raie, grande spectrale libre rvaleurs ange et l&#39;enregistrement de faible consommation d&#39;énergie. Pour atteindre ces résultats passionnants, un protocole de fabrication robuste reproductible doit être développée. Dans cet article, nous jeter un regard en profondeur sur notre protocole de fabrication qui emploie lithographie électronique pour la définition des modèles de cristaux photoniques et utilise des techniques de gravure sèche et humide. Nos résultats optimisés recette de fabrication de cristaux photoniques qui ne souffrent pas d&#39;asymétrie verticale et présentent une très bonne rugosité des bords mur. Nous discutons les résultats de la variation des paramètres de gravure et les effets néfastes qu&#39;ils peuvent avoir sur un dispositif, conduisant à une route de diagnostic qui peuvent être prises pour identifier et éliminer les problèmes similaires. La clé de l&#39;évaluation de guides de lumière lente est la caractérisation passive de transmission et les spectres d&#39;index du groupe. Diverses méthodes ont été signalés, en particulier la résolution des franges de Fabry-Perot du spectre de transmission d&#39;un 20-21techniques d interférométriques. 22-25 Nous décrivons ici un lien direct, technique de mesure à large bande combinant interférométrie spectrale à transformée de Fourier analyse. 26 Notre méthode se distingue par sa simplicité et sa puissance, que nous pouvons caractériser un cristal photonique nue avec des guides d&#39;ondes d&#39;accès, sans besoin de pour des composantes d&#39;interférence sur la puce, et l&#39;installation ne se compose que d&#39;un interféromètre de Mach-Zehnder, sans avoir besoin de pièces mobiles et les balayages de retard. Lors de la caractérisation des cavités à cristaux photoniques, des techniques impliquant des sources internes 21 ou guides d&#39;ondes externes directement couplé à la cavité 27 impact sur ​​la performance de la cavité elle-même, ce qui fausse la mesure. Ici, on décrit une technique nouvelle et non intrusif qui rend l&#39;utilisation d&#39;un faisceau sonde à polarisation croisée et que l&#39;on appelle diffusion résonante (RS), où la sonde est couplée hors du plan dans la cavité à travers un objectif. La technique a été la première démonstrationted par McCutcheon et coll. 28 et développé par Galli et al 29.

Fabricated samples
Figure 1 shows a scanning electron microscope (SEM) image of an exposed and developed pattern in electron beam resist - it is evident from the "clean" edge between the resist and the silicon substrate that complete exposure/development has been accomplished. Exposure of dose test patterns, consisting of simple repeated shapes (in our case 50 &times; 50 &mu;m squares), each with a differing base dose, are used to determine the correct dose factor and developmen...

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Fabrication And Characterization Of Photonic Crystal Slow Light Waveguides And Cavities

Utilisation des guides d&#39;ondes à cristal photonique de lumière lente et des cavités a été largement adopté par la communauté de la photonique dans de nombreuses applications différentes. Par conséquent fabrication et la caractérisation de ces dispositifs sont d&#39;un grand intérêt. Le présent document décrit notre technique de fabrication et deux méthodes de caractérisation optiques, à savoir: diffusion interférométrique (guides) et de résonance (cavités).

Fabrication et caractérisation de guides d&#39;ondes à cristal photonique lumière lente et les cavités

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view ...

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Research

JoVE Journal

Engineering

18.8K vues.  University of St Andrews. Utilisation des guides d'ondes à cristal photonique de lumière lente et des cavités a été largement adopté par la communauté de la photonique dans de nombreuses applications différentes. Par conséquent fabrication et la caractérisation de ces dispositifs sont d'un grand intérêt. Le présent document décrit notre technique de fabrication et deux méthodes de caractérisation optiques, à savoir: diffusion interférométrique (guides) et de résonance (...