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Method Article
陽極アーク放電は、種々の炭素ナノ構造体を合成するための最も実用的かつ効率的な方法のひとつです。アークの制御性と柔軟性を高めるために、不均一な磁場が大規模なグラフェンのフレークおよび高純度単層カーボンナノチューブの一段階合成を処理するために導入されました。
このような単層カーボンナノチューブ(SWCNT)とグラフェンなどの炭素ナノ構造体は、分子センサー、電界効果トランジスタと超薄型でフレキシブルな電子デバイス1-4の彼らの非常に有望なアプリケーションに、今日のための学者の関心の大洪水を引き付ける。陽極材料の浸食によってサポートされている陽極アーク放電は、比較的高い温度での開発の構造に特有の非平衡過程と炭素材料の高流入を提供することができる最も実用的かつ効率的な方法のいずれか、およびその結果であるとして、合成された製品は、いくつかの構造欠陥とより良い結晶性を持っている。
さらにアーク放電におけるカーボンナノ構造体の合成の制御性と柔軟性を向上させるために、磁場は、アークプラズマの強力な磁気応答に応じて合成プロセス中に適用することができます。それは、磁気強化アークディッシュことが実証されたARGEは、SWCNT 5の平均の長さを増加させる金属触媒粒子とカーボンナノチューブ6の直径分布を狭くし、金属と半導体カーボンナノチューブ7の比率を変更するだけでなく、グラフェン合成8につながることができます。
さらに、それは我々が弧で現在の法線成分と不均一な磁場を導入すると、J × Bの方向に沿ってローレンツ力は、プラズマジェットを生成し、炭素のイオン粒子の効果的な配信を行うことができるマーキングする価値があると試料への熱流束。その結果、大規模なグラフェンのフレークおよび高純度単層カーボンナノチューブは、同時にそのような新しい磁気強化された陽極アーク法によって生成されました。アークイメージングは、電子顕微鏡(SEM)走査型、透過型電子顕微鏡(TEM)およびラマン分光法は、カーボンナノ構造体の特性を分析するために用いられた。これらの知見は示しているアークの条件を制御することによりプラズマで生産ナノ構造の特性と操作する機会の広いスペクトル。
1。アノードの準備
2。基板のセットアップ
3。アークプラズマの着火
4。合成後の解析と特性評価
5。代表的な結果
"チャンバーの右側と正面ビューポートから同時に得られる>ビデオスナップショットを図1bに示されて、時間D = 75 mmである。これらの画像は、軸対称アーク柱と比較して、外部磁界の存在下でアークプラズマ柱の重要な摂動を示しています磁気フィールド10のない場合に観察された。図2aおよび2bは 、それぞれ、磁場のない陰極の襟にとTEMの下でB = 0.06テスラの磁場で収集したSWCNTや触媒粒子の典型的な形態が表示されます。それは、磁場を持つSWCNTは2〜20 nmのため、個々のSWCNTの間にファンデルワールス相互作用の範囲の直径を持つバンドルに密であることがわかる。比較では、磁場のないSWCNTはバンドルの直径が大きいとラマンスペクトルの解析と一致している大規模な個々の直径を、持っている。また、磁場CA図2a及び2bに示すように、より高い純度を持つSWCNT内のn個の結果。
磁場の中で最も興味深い影響がグラフェン薄片が同じプロセスでモリブデンシートに近い堆積フレークの表面から得られることである。 図2Cおよび2Dは グラフェンフレークのSEMおよびTEM像を示すだけでなく、いくつかの、場所で採取したサンプルから得られた層のグラフェンは、アークプラズマジェットに相当する。 図2dの挿入図は、グラフェンに関連付けられた電子回折パターンを示しています 。電子線回折の六角形のドットパターンは規則正しい結晶構造の証拠を提示。
ラマンスペクトルは、グラフェンのフレークとSWCNTの特性評価のための強力なツールです。グラフェンで観測された典型的なピークは514 nmの励起波長を使用して、〜1600 cm -1にすると-1をそれぞれ〜2700センチメートルでGと2Dのピークです。 Gピークは、すべてのsp2炭素材料で観察することができる面内振動に起因しています。 2Dピークは、四次のフォノンの運動量の交換二重共鳴過程に起因するDピークの二階ですが、さらに非乱れた系で見られている。それは、グラフェンの特性評価において重要な役割を果たしている。私(2D)/ I(G)強度がこういった可能性グラフェン層の厚さを推定すること、それに続く層の追加により、約4単層グラフェンと減少するためである。11 図3は、私の値(2D)ことを示しています/ I(G)は、数層グラフェンの証拠とすることができる、1付近です。 120およびラマンスペクトルに-1 350センチメートルの間にラジアルブリージングモード(RBM)は半径方向のC原子のコヒーレント振動の周波数を通じて、ナノチューブの直径を識別するために使用することができます。周波数とSWCNTの直径の間に実験的な関係は、ωRBMです= A / D T + B、パラメータOバンドル内に形成された典型的なSWCNTのためのそれぞれf Aおよび234と10cm -1に等しいB、、。 図3から、なしと磁場によるSWCNTのRBM周波数は1.52と1.14 nmの平均個々のSWCNTの直径に相当する163.8と215.2センチメートル-1、それぞれです。
図1。FEMM 4.2ソフトウェアでシミュレート磁場の分布()、右のビューポート(B)、電極間ギャップが配置されている場合のギャップの電極の位置と方向磁界の模式図から、アークプラズマジェットの写真永久磁石の底部(c)は上記の約75mm、およびアークプラズマの写真正面ビューポート(D)からジェット。
図2のような合成の代表的なTEM像磁場なしのSWCNTバンドル()と磁場(B)、磁場(C)、および磁場を持つグラフェンのTEM像と合成されたグラフェン薄片の代表的なSEM像とSWCNTバンドル。挿入図は、グラフェンの結晶構造を示す、選択した領域の電子回折パターンです。
図3。100〜3100センチメートル-1の範囲の磁場で試料のラマンスペクトル。挿入図:RBM周波数の周りの磁場のない試料のラマンスペクトル。
図4電極の左側と右側に示すように、炭素とニッケルの密度は、同じ地域で共存している60 Aの注の弧のための炭素とニッケルのナノ構造の成長領域と数密度。
電極間ギャップは、永久磁石の底部から約H = 75 mmの距離に配置されている場合のために、 図1bおよび1Dに示すようにビデオのスナップショットでは、磁石の位置の変化が(我々は磁石のシフトをテストすることに留意すべきであるz軸に沿ってと磁石をめくっ) 図1cに示すJ × B力の方向に対応するx方向のアークジェット流れの偏差の結果。また、アークプ...
我々は、開示することは何もない。
この作品は、プラズマ理工学におけるNSF / DOEパートナーシップ(NSFグラント号CBET - 0853777およびDOEグラント番号DE - SC0001169)、STTRフェーズIプロジェクト(NSF STTR PHASE I No.1010133)によってサポートされていました。著者らは、アークの実験をサポートするための核融合エネルギー科学のオフィスによってサポートされているPPPLオフサイトの研究プログラムに感謝します。
特定の試薬と機器の表:
Name | Company | Catalog Number | Comments |
試薬の名前 | 会社 | カタログ番号 | コメント(省略可能) |
---|---|---|---|
メタノール | アクロスオーガニック | 423950010 | |
ニッケルの粉 | アルファAesar | 10581 | |
イットリウム粉末 | アクロスオーガニック | 318060050 | |
黒鉛粉末 | アルファAesar | 40799 | |
中空グラファイトロッド | 土星産業 | POCO EDM 3 | |
永久磁石 | マクマスター、カー | 57315K51 | |
モリブデン板 | Dingqi科学。とテック。 | 080504〜11 | |
超音波 dismembrator | フィッシャーサイエンティフィック | モデル150T | |
ホール効果ガウスメーター | AI | モデル100 | |
溶接電源 | ミラー電動 | ゴールドスター600SS | |
真空ポンプ | J / B | DV - 85N | |
SEM | ツァイス | LEO 1430VP | |
TEM | JEOL | 1200 EX | |
ラマン | 堀場 | HR800 |
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