Name: synthesis of non-uniformly pr-doped srtio3 ceramics and their thermoelectric properties
Uploaded: 2015-08-15T14:00:00.000+00:00
Duration: 11 min 7 s
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The authors wish to acknowledge the competitive faculty-initiated collaboration (FIC) grant from KAUST.

Prをドープしたチタン酸ストロンチウム3粉末の調製<ol><li>のTiO 3粉末のSr 0.95のPr 0.05 10gを調製するために、反応後のSrCO 3粉末（7.53407グラム）、TiO 2のナノ粉末（4.28983グラム）、及びPr 2 O 3焼結塊（0.44299グラム）の化学量論量を量りますX = 0.05のための： </li></ol><img alt="式（1）" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/52869/52869eq1.JPG" width="550" /><ol start="2"><li>めのう乳鉢と乳棒を用いて微細な粒子に秤量のPr 2 O 3焼結塊を粉砕。 </li><li>のPr 2 O 3を秤量のSrCO 3粉末とTiO 2ナノ粉末を追加して、視覚的に均質な粉末が得られるまで瑪瑙乳鉢と乳棒を用いて粉砕し、混合を続けます。 </li><li>ガラスジャーに粉砕粉をロードし、目を均一化するために30分間攪拌器を用いて混合しますE混合物。 </li><li>細心の注意を払って清掃し、研磨されたステンレス鋼製の型（直径1インチ）に、得られた混合粉末をロードし、2つのステンレス鋼プランジャの間に挟みます。 </li><li>冷間プレス、約1トンの荷重でプレスを用いた粉末。 </li><li>中空ステンレス製の筒にダイを配置し、プッシュロッドを使用して、上部からプランジャ、ペレットを押すことにより、コールドプレスペレットを取り出します。ダイから冷たいプレスペレット（素地）の吐出時に、静かにスコッチテープの小片でペレットをカバーし、テープをリッピングすることにより薄層を除去することにより、ペレットの周面に汚れをきれいに。 </li><li>アルミナボートやコールドプレスペレットとの間の障壁として市販品を購入したSrTiO 3粉末を充填したアルミナボートに垂直にペレットを配置します。 </li><li> 、チューブ炉内にボートを置いて3時間で1300℃まで加熱し、15のために、この温度で​​それを保ちます時間。焼成が終わったとき、ペレットは炉内を室温に冷却します。この工程は、その後、「焼成工程」と呼びます。 </li><li>めのう乳鉢と乳棒を用いてペレットを粉砕し、さらにタービュレータを使用して混合するためのガラスジャーに得られた粉末をロードします。 </li><li>負荷の約3トンでプレスステンレス製の金型と寒さの中に粉末をロードします。 </li><li> 3時間で1400℃でステップ1.9 1つをより多くの時間を繰り返し、20時間この温度に保ちます。 </li><li>めのう乳鉢と乳棒を用いてペレットを粉砕。 </li><li>繰り返して完成に到達するための固相反応のための1.11、1.12、および1.13 1より多くの時間を繰り返します。 </li></ol>バルク多結晶のPrをドープしたSrTiO 3セラミックスの作製<ol><li> （厚さ2mm、直径12.7ミリメートルディスク用）として調製された粉末1.6グラムを計量。 </li><li>上部と下部のINTEをカバーするために、円形graphoil片を作成グラファイトダイスに挟まれた粉末と黒鉛プランジャのrface。また、グラファイト金型の内壁を覆うように、別の長方形graphoil片を作製。 </li><li>グラファイトダイス（内径12.7ミリメートル）に調製されたままの粉末をロードし、同じサイズの2つの黒鉛プランジャとの間の粉末を挟みます。温度読み取りのためのグラファイトダイの長さの途中で、ダイの外側表面から内側表面の約2mm〜2 mmの穴をドリル。 注：金型外に残っている黒鉛プランジャの長さを調整し、穴が正確な温度測定値を取得するために配置されて挟まれた粉末円筒の中心を合わせます。グラファイトプランジャの顔は細心の注意を払っ個の加工中に平準化する必要があります。任意のずれが放電プラズマ焼結時の焼結ペレットの分解をもたらすことができます。 </li><li>コー​​ルドプレススパークに取り付ける前にプレスを用いて粉末優しく（負荷&lt;200キロ）チャンバ内のプラズマ焼結板。グラファイトプランジャの損傷を防ぐために、上部と下部のプランジャーを押してステージ間の平坦研磨されたステンレス鋼製の支持板を使用してください。 </li><li>グラファイトの一枚をラップ絶縁のために、ダイの周りに感じ、グラファイト糸で固定します。温度読み取りホールがダイ上に配置されているフェルトの長方形部分を切断することにより、グラファイトフェルト上にウィンドウを考案。 </li><li>放電プラズマ焼結室に装填されたグラファイトダイおよびプランジャを配置します。最終的な位置にステージを移動します。 </li><li>フォーカスとダイの温度読み取りホールの温度計の目標円を合わせます。高温計の放射率設定は、黒鉛に設定されていることを確認します。 </li><li>室を閉じて、試料上に7.7 kNの荷重（約60メガパスカル）を置きます。真空およびArで3回チャンバーをパージし、6 Paでの動的真空下室を残します。 </li><li>手動（電流を増加させるか、使用して温度を上昇させますプログラム）。 250分-1使用（に対応する約300〜400℃の分-1）に最適化サンプルのため。これは、放電プラズマ焼結法の最も重要なステップです。 </li><li>手動で電流を調整するか、プログラムを使用して5分​​間1,500℃の温度を保ちます。 5分間の保持期間の終了時に、電流を遮断し、迅速に冷却中にサンプルを割れ避けるために、7.7 kNの荷重を解放します。室内のRTにサンプルが冷まします。 </li><li>グラファイトからバルクペレットを離し冷間プレスを使用して静かに死にます。これは、中空鋼製シリンダーにグラファイトダイスを置き、上からロッドを押す鋼を使用してペレットとグラファイトプランジャを吐出することで行われます。 </li><li>鋭利なカミソリの刃を使用してペレットの上下面だけでなく、周面にgraphoilを削除します。 </li><li>保証するために、それぞれの側から粗いサンドペーパーをダウン0.3〜0.5ミリメートルのための（400グリッド）を使用してサンプルを磨きますgraphoilを完全に除去します。アセトンでサンプルを清掃してください。 </li></ol>電子·バルクセラミックスの熱輸送特性の3キャラクタリゼーション<ol><li>アルキメデス法を用いて、セラミックディスク、ρの密度を決定します。 </li><li>試料の重量を測定し、W の乾燥 、次いで、水に沈めた試料の重量W安定化濃度の測定システムに、 ウェットからアルキメデスの密度を計算します</li></ol><img alt="式（2）" fo:content-width="2.1in" src="/files/ftp_upload/52869/52869eq2.JPG" width="260" /> ρ 水は測定温度での水の密度である。14（ 例えば、1グラムcm -3の300 Kで等しいです） <ol start="2"><li>アルゴンを75ml分-1流下過渡レーザーフラッシュ法を用いて、サンプルDの熱拡散率を測定します。厚さを測定サンプル、Lの、正確に最初のデジタルマイクロメーターを使用して。 異なるサイズおよび形状のサンプル（直径または正方形で例えば円形ディスク12.7ミリメートル10×10ミリメートル2ディスク）パラレル直面し、0.5と5ミリメートルの間の厚さを容易に測定することができます注意してください。 <ol><li>レーザーフラッシュ熱拡散法では、短い（約1秒）のレーザーパルスによって試料の一方の面に照射し、赤外線検出器の反対面の温度上昇を記録します。次に、試料の厚さ及びパーカー式15を用いて、昇温時間プロファイルからレーザーフラッシュインタフェースソフトウェアにより熱拡散率を算出します</li></ol></li></ol><img alt="式3" fo:content-width="1.9in" src="/files/ftp_upload/52869/52869eq3.JPG" width="220" /> Lは、ディスクの厚さであり、t 1/2は、他の複数の最大温度上昇の半分の時間でありますサンプルのIDE。 注：パーカーモデル15は、断熱サンプルと瞬時パルス加熱の理想的な条件を想定し、他のモデルには、熱損失、有限パルス持続時間、不均一なパルス加熱及び不均一などの測定における様々な損失を占めている、長年にわたって提案されています構造。我々は、最も先進的な方法の一つであるパルス補正とコーワンモデル16を使用しています。これは、正面から送信された熱エネルギーの量を最大にし、IR検出器によって観測される信号を最大にするために、試料の表面は高度に放射性でなければならないことに留意すべきです。通常、これは、試料表面にグラファイトの薄いコーティングの適用を必要とします。熱拡散率の測定において2％-5％の不確実性は、ディメンションの決意から生じる、存在している。17 <ol start="3"><li>ダイヤモンドを使用してディスクペレットをカット長方形の棒に見て、2×2×10mm 3で、ホール測定のための高温比熱と薄い長方形のピース、8×5×1mm 3のための導電率とゼーベック係数の測定と同様に正方形ディスク、×4 4×1.5ミリメートル3。 </li><li>平坦かつ鏡面研磨正方形片に試料の比熱C pを 、測定し（4×4×1.5 mm 3で）をアルゴン気流下で示差走査熱量測定（DSC）を用いて、 図18 <ol><li>正確な冷却速度で、試料を500℃に20 K分-1の加熱速度アップに続いて熱平衡に到達させるために10分間等温保持を40℃で5分間K -1までの加熱速度を使用してこれは続きます。 （50ミリリットル分-1示唆されている）をアルゴンの流れの下で測定を行います。 </li></ol></li></ol>注：原因分析のために使用される方法の感度に、熱容量を決定するために、3回の測定を行います<html>既知C Pに（例えば、サファイアのような）標準物質の比熱の（2）の測定、及び試料の比熱の（3）の測定、（1）ベースライン測定は、バックグラウンドを減算することを含みます。サンプルは、測定るつぼ（この作業で使用したAl 2 O 3るつぼでのPt / Rhのパン）の底部との理想的な接触をするために平坦かつ鏡面研磨されていることを確認してください。サンプルを測定するためのDSCステージの正確な構造、他の人にDSC技術の比較、および正確な指示についての詳細は、様々なソースで見つけることができます。19 <ol start="5"><li> 20を 使用してρ、熱拡散率、D、比熱、C P、および密度の測定値からのサンプルの高温の熱伝導率κを計算します</li></ol>/52869/52869eq4.JPG &quot;幅=&quot; 200 &quot;/&gt; <ol start="6"><li>ゴールドプレートサンプルから切断し、2×2×10 mm 3でピース上のプローブの接触点（4接点）は、接触抵抗の問題を緩和します。 <ol><li>唯一の所望の接触領域に金をスパッタするためには、ステンシルとして使用するには、2×2×10ミリメートル3サンプルの周りにスコッチテープを包みます。 2面の非覆われた2×2ミリメートルのままにしておきます。カミソリの刃を使用して、プローブの距離によって分離された線に沿って2×10ミリメートル2面の中央に2非常に小さな穴（直径約1mm）を切り出します。 </li><li>ベンチトップ金スパッタ装置を用い〜200nmの厚さの金膜をスパッタ。21 </li></ol></li><li>温度22,23の関数として試料の電気輸送特性、すなわち電気伝導度とゼーベック係数）を測定します。 <ol><li>四端子法を用いて電気伝導度を測定します。 SAMのゼーベック係数を測定します中央の2つの熱電対、「プローブ」を介して、温度および電圧の測定値を使用して電子のセットアップ。デジタルマイクロスコープを使用して、これら2つのプローブ間の距離を測定します。電気輸送測定の詳細については、他の場所で見つけることができます。22,23 </li></ol></li><li>物性測定システムを使用して、8×5×1mm 3の試料の温度の関数としてのホールキャリア濃度を測定します。24 </li></ol>

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	<li>Ohta, S., Nomura, T., Ohta, H., Koumoto, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-temperature+Carrier+Transport+and+Thermoelectric+Properties+of+Heavily+La-or+Nb-doped+SrTiO3+Single+Crystals.">High-temperature Carrier Transport and Thermoelectric Properties of Heavily La-or Nb-doped SrTiO3 Single Crystals.</a> J. Appl. Phys. 97, (2005).</li><li>Wang, H. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Enhancement+of+Thermoelectric+Figure+of+Merit+by+Doping+Dy+in+La0.1Sr0.9TiO3+Ceramic.">Enhancement of Thermoelectric Figure of Merit by Doping Dy in La0.1Sr0.9TiO3 Ceramic.</a> Mater. Res. Bull. 45, 809-812 (2010).</li><li>Bhattacharya, S., Mehdizadeh Dehkordi, A., Alshareef, H. N., Tritt, T. 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The authors have nothing to disclose.

このプロトコルでは、改善された成功した電子と熱電特性を示すバルク多結晶のPrドープのSrTiO 3セラミックスを作製するために、合成戦略のステップを提示しています。プロトコルの主なステップは、（i）大気圧下での空気中のドープされたSrTiO 3粉末の固体合成及び（ii）高へのように調製した粉末を緻密化するために、放電プラズマ焼結技術の能力を活用することが含ま?...

酸化物熱電は、電子輸送特性に対する安定性、コストの観点から、高温の熱電アプリケーション向けの有望な候補であることが示されました。 n型酸化物熱電の中で、高度にドープされたチタン酸ストロンチウム（STO）は、その興味深い電子的性質に多くの注目を集めています。しかし、大規模な総熱伝導率（κ〜12 W M -1 K -1 300単結晶のKで）1と低キャリア移動度（μ〜6センチメートル2 V -1秒-1単結晶の300 Kで） 1有害T、電気伝導度σ、ケルビンでの絶対温度を無次元性能指数によって評価される熱電性能、αはゼーベック係数でZT =α2σT/κを、影響し、総熱伝導率をκ。我々は、本明細書の力率などの分子を定義し、PF =α263; T。 （例えば、のSiGe合金など）、他の高温熱電と競合するこの酸化物熱電材料のためには、力率、および/または、格子熱伝導度の低下がより顕著な増加が必要です。 STOの熱電特性を向上させるために実験的研究の大部分は、主に歪み場とフォノンの質量変動散乱を介して熱伝導率の低減に焦点を当てています。これらの試みは、（i）単一またはSrののダブルドーピング2+及び/又はTi 4+サイトを、この方向に対する主な取り組みとして、自然超格子Ruddlesden·ポッパー構造の2,3（ii）の合成さらに、ナノサイズの第二相を添加することによって、絶縁層を介して4のSrO、および（iii）複合エンジニアリング熱伝導率を低減するために5しかし、最近まで、全く強化戦略がsubstantすることが報告されていませんiallyこれらの酸化物熱電力率を増加させます。バルク単及び多結晶STOで報告された最大の力率（PF）の値は、PF &lt;1.0 WのM -1 K -1の上限に限定されています。 合成手法及び処理技術の様々な試みは、上記のアイデアを実現するために使用されてきました。粉末の合成経路は、従来の固相反応を含み、6ゾル-ゲル、7従来の焼結に対し水、8燃焼合成、9、6ホットプレス10と最近放電プラズマ焼結12内に粉末を緻密化するために使用される一般的な技術の一つでありますバルクセラミックス。しかし、同様のドーパント（ 例えば、ラ）とドーピング濃度を、得られたバルクセラミックスは、電子および熱輸送特性の範囲を示します。これは、チタン酸ストロンチウム&lt;強くプロセス依存欠陥化学に大でありますサブ&gt;合成依存特性をもたらす3。熱電輸送を利益のために合成及び処理パラメータを最適化レポートのほんの一握りがあります。それが原因で、非常に小さなフォノンにはSrTiO 3でのフリーパス（300 KにおけるリットルpH約 2 nm）を意味していることを言及する価値がある、11ナノ構造は、主に低減によるバルクSTOセラミックスのTE性能の向上のための実行可能な選択肢ではありません格子熱伝導率の。 最近、我々は、非均一のPrをドープしたSrTiOメリットの熱電図では30％以上の改善を同時に強化熱電力率と減少し、熱伝導率に由来する3セラミックを報告した。この詳細なビデオプロトコルでは12,13、我々が提示し、改良された電子的および熱電特性を示すこれらのPrをドープしたSTOセラミックスの製造のための私たちの合成戦略の手順を説明します。

<table><tbody><tr><td>SrCO&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; Powder, 99.9%</td><td>Sigma Aldrich</td><td>472018</td><td></td></tr><tr><td>TiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; Nanopowder, 99.5%</td><td>Sigma Aldrich</td><td>718467</td><td></td></tr><tr><td>Pr&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; Sintered Lumps, 99.9%</td><td>Alfa Aesar</td><td>35663&amp;nbsp;</td><td></td></tr><tr><td>Spark Plasma Sintering&amp;nbsp;</td><td>Dr. Sinter Lab</td><td>SPS-515S</td><td></td></tr><tr><td>Resistivity/Seebeck Coefficient Measurement System</td><td>Ulvac-Riko</td><td>ZEM-2</td><td></td></tr><tr><td>Laser Flash Thermal Diffusivity Measurement System</td><td>Netzsch</td><td>LFA-457 Microflash</td><td></td></tr><tr><td>Differential Scanning Calorimetry (DSC) System</td><td>Netzsch</td><td>404C Pegasus</td><td></td></tr><tr><td>Physical Property Measurement system (PPMS)</td><td>Quantum Design</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Field Emission Scanning Electron Microscope (FE-SEM)</td><td>Hitachi</td><td>SU-6600</td><td></td></tr><tr><td>Energyy-dispersive X-ray Spectroscopy (EDS)</td><td>Oxford Instruments</td><td></td><td></td></tr><tr><td>X-ray Diffractometer</td><td>Rigaku</td><td>Ultima IV</td><td></td></tr><tr><td>Bench-top Sputter Coater</td><td>Denton Vacuum</td><td>Desk II</td><td></td></tr><tr><td>Diamond&amp;nbsp; Wheel Saw</td><td>South Bay Technology</td><td></td><td></td></tr></tbody></table>

synthesis of non-uniformly pr-doped srtio3 ceramics and their thermoelectric properties

We demonstrate a novel synthesis strategy for the preparation of Pr-doped SrTiO3 ceramics via a combination of solid state reaction and spark plasma sintering techniques. Polycrystalline ceramics possessing a unique morphology can be achieved by optimizing the process parameters, particularly spark plasma sintering heating rate. The phase and morphology of the synthesized ceramics were investigated in detail using X-ray diffraction, scanning electron microcopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy. It was observed that the grains of these bulk Pr-doped SrTiO3 ceramics were enhanced with Pr-rich grain boundaries. Electronic and thermal transport properties were also investigated as a function of temperature and doping concentration. Such a microstructure was found to give rise to improved thermoelectric properties. Specifically, it resulted in a significant improvement in carrier mobility and the thermoelectric power factor. Simultaneously, it also led to a marked reduction in the thermal conductivity. As a result, a significant improvement (> 30%) in the thermoelectric figure of merit was achieved for the whole temperature range over all previously reported maximum values for SrTiO3-based ceramics. This synthesis demonstrates the steps for the preparation of bulk polycrystalline ceramics of non-uniformly Pr-doped SrTiO3.

パターンがたSrTiO 3格子上のPrドープの効果を研究するために調製されたままの粉末及びPr-コンテンツ（ 図1）の関数として対応するバルクセラミックスのために収集したX線回折、チタン酸ストロンチウム中のPrの溶解度3と二次相（複数可）の形成。パターンは反射が空間群（ 図1A）と立方格子にインデックスを付けることができ、すべてのように調?...

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Synthesis of Non-uniformly Pr-doped SrTiO3 Ceramics and Their Thermoelectric Properties

A protocol for the synthesis and processing of polycrystalline SrTiO3 ceramics doped non-uniformly with Pr is presented along with the investigation of their thermoelectric properties.

非均一のPrをドープしたチタン酸ストロンチウムの合成<sub&gt; 3</sub&gt;セラミックスとその熱電特性

We demonstrate a novel synthesis strategy for the preparation of Pr-doped SrTiO3 ceramics via a combination of solid state reaction and spark plasma ...

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Research

JoVE Journal

Chemistry

Synthesis of Non-uniformly Pr-doped SrTiO3 Ceramics and Their Thermoelectric Properties

9.8K ビュー.  Clemson University. A protocol for the synthesis and processing of polycrystalline SrTiO3 ceramics doped non-uniformly with Pr is presented along with the investigation of their thermoelectric properties.

ビデオ: Synthesis of Non-uniformly Pr-doped SrTiO3 Ceramics and Their Thermoelectric Properties

Fabrication of Spatially Confined Complex Oxides

Complex materials such as high Tc superconductors, multiferroics, and colossal magnetoresistors have electronic and magnetic properties that arise from the inherent strong electron correlations that reside within them. These materials can also possess electronic phase separation in which regions of vastly different resistive and magnetic behavior can coexist within a single crystal alloy material. By reducing the scale of these materials to length scales at and below the inherent size of the electronic domains, novel behaviors can be exposed. Because of this and the fact that spin-charge-lattice-orbital order parameters each involve correlation lengths, spatially reducing these materials for transport measurements is a critical step in understanding the fundamental physics that drives complex behaviors. These materials also offer great potential to become the next generation of electronic devices 1-3. Thus, the fabrication of low dimensional nano- or micro-structures is extremely important to achieve new functionality. This involves multiple controllable processes from high quality thin film growth to accurate electronic property characterization. Here, we present fabrication protocols of high quality microstructures for complex oxide manganite devices. Detailed descriptions and required equipment of thin film growth, photo-lithography, and wire-bonding are presented.

We describe the use of pulsed laser deposition (PLD), photolithography and wire-bonding techniques to create micrometer scale complex oxides devices. The PLD is utilized to grow epitaxial thin films. Photolithography and wire-bonding techniques are introduced to create practical devices for measurement purposes.

空間的に閉じ込められた複合酸化物の作製

Complex materials such as high Tc superconductors, multiferroics, and colossal magnetoresistors have electronic and magnetic properties that arise from ...

工学

Atomically Defined Templates for Epitaxial Growth of Complex Oxide Thin Films

Atomically defined substrate surfaces are prerequisite for the epitaxial growth of complex oxide thin films. In this protocol, two approaches to obtain such surfaces are described. The first approach is the preparation of single terminated perovskite SrTiO3 (001) and DyScO3 (110) substrates. Wet etching was used to selectively remove one of the two possible surface terminations, while an annealing step was used to increase the smoothness of the surface. The resulting single terminated surfaces allow for the heteroepitaxial growth of perovskite oxide thin films with high crystalline quality and well-defined interfaces between substrate and film. In the second approach, seed layers for epitaxial film growth on arbitrary substrates were created by Langmuir-Blodgett (LB) deposition of nanosheets. As model system Ca2Nb3O10- nanosheets were used, prepared by delamination of their layered parent compound HCa2Nb3O10. A key advantage of creating seed layers with nanosheets is that relatively expensive and size-limited single crystalline substrates can be replaced by virtually any substrate material.

Various procedures are outlined to prepare atomically defined templates for epitaxial growth of complex oxide thin films. Chemical treatments of single crystalline SrTiO3 (001) and DyScO3 (110) substrates were performed to obtain atomically smooth, single terminated surfaces. Ca2 Nb3 O10- nanosheets were used to create atomically defined templates on arbitrary substrates.

複合酸化物薄膜のエピタキシャル成長のために原子的に定義されたテンプレート

Atomically defined substrate surfaces are prerequisite for the epitaxial growth of complex oxide thin films. In this protocol, two approaches to obtain ...

化学

Synthesis and Reaction Chemistry of Nanosize Monosodium Titanate

This paper describes the synthesis and peroxide-modification of nanosize monosodium titanate (nMST), along with an ion-exchange reaction to load the material with Au(III) ions. The synthesis method was derived from a sol-gel process used to produce micron-sized monosodium titanate (MST), with several key modifications, including altering reagent concentrations, omitting a particle seed step, and introducing a non-ionic surfactant to facilitate control of particle formation and growth. The resultant nMST material exhibits spherical-shaped particle morphology with a monodisperse distribution of particle diameters in the range from 100 to 150&#160;nm. The nMST material was found to have a Brunauer-Emmett-Teller (BET) surface area of 285 m2g-1, which is more than an order of magnitude higher than the micron-sized MST. The isoelectric point of the nMST measured 3.34 pH units, which is a pH unit lower than that measured for the micron-size MST. The nMST material was found to serve as an effective ion exchanger under weakly acidic conditions for the preparation of an Au(III)-exchange nanotitanate. In addition, the formation of the corresponding peroxotitanate was demonstrated by reaction of the nMST with hydrogen peroxide.

The surfactant mediated sol-gel synthesis of nanosized monosodium titanate is described, along with preparation of the corresponding peroxide modified material. An ion-exchange reaction with Au(III) is also presented.

ナノサイズ一ナトリウムチタン酸の合成と反応化学

This paper describes the synthesis and peroxide-modification of nanosize monosodium titanate (nMST), along with an ion-exchange reaction to load the ...

Epitaxial Growth of Perovskite Strontium Titanate on Germanium via Atomic Layer Deposition

Atomic layer deposition (ALD) is a commercially utilized deposition method for electronic materials. ALD growth of thin films offers thickness control and conformality by taking advantage of self-limiting reactions between vapor-phase precursors and the growing film. Perovskite oxides present potential for next-generation electronic materials, but to-date have mostly been deposited by physical methods. This work outlines a method for depositing SrTiO3 (STO) on germanium using ALD. Germanium has higher carrier mobilities than silicon and therefore offers an alternative semiconductor material with faster device operation. This method takes advantage of the instability of germanium's native oxide by using thermal deoxidation to clean and reconstruct the Ge (001) surface to the 2&#215;1 structure. 2-nm thick, amorphous STO is then deposited by ALD. The STO film is annealed under ultra-high vacuum and crystallizes on the reconstructed Ge surface. Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) is used during this annealing step to monitor the STO crystallization. The thin, crystalline layer of STO acts as a template for subsequent growth of STO that is crystalline as-grown, as confirmed by RHEED. In situ X-ray photoelectron spectroscopy is used to verify film stoichiometry before and after the annealing step, as well as after subsequent STO growth. This procedure provides framework for additional perovskite oxides to be deposited on semiconductors via chemical methods in addition to the integration of more sophisticated heterostructures already achievable by physical methods.

This work details the procedures for the growth and characterization of crystalline SrTiO3 directly on germanium substrates by atomic layer deposition. The procedure illustrates the ability of an all-chemical growth method to integrate oxides monolithically onto semiconductors for metal-oxide semiconductor devices.

原子層堆積法を介してゲルマニウム上のペロブスカイト型チタン酸ストロンチウムのエピタキシャル成長

Atomic layer deposition (ALD) is a commercially utilized deposition method for electronic materials. ALD growth of thin films offers thickness control and ...

Spark Plasma Sintering Apparatus Used for the Formation of Strontium Titanate Bicrystals

A spark plasma sintering apparatus was used as a novel method for diffusion bonding of two single crystals of strontium titanate to form bicrystals with one twist grain boundary. This apparatus utilizes high uniaxial pressure and a pulsed direct current for rapid consolidation of material. Diffusion bonding of strontium titanate bicrystals without fracture, in a spark plasma sintering apparatus, is possible at high pressures due to the unusual temperature dependent plasticity behavior of strontium titanate. We demonstrate a method for the successful formation of bicrystals at accelerated time scales and lower temperatures in a spark plasma sintering apparatus compared to bicrystals formed by conventional diffusion bonding parameters. Bond quality was verified by scanning electron microscopy. A clean and atomically abrupt interface containing no secondary phases was observed using transmission electron microscopy techniques. Local changes in bonding across the boundary was characterized by simultaneous scanning transmission electron microscopy and spatially resolved electron energy-loss spectroscopy.

A viable technique for the formation of strontium titanate bicrystals at high pressure and fast heating rate via the spark plasma sintering apparatus is developed.

チタン酸ストロンチウム双結晶の形成に用いられるプラズマ焼結装置をスパーク

A spark plasma sintering apparatus was used as a novel method for diffusion bonding of two single crystals of strontium titanate to form bicrystals with ...

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

The quasi 2D electron system (q2DES) that forms at the interface between LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) has attracted much attention from the oxide electronics community. One of its hallmark features is the existence of a critical LAO thickness of 4 unit-cells (uc) for interfacial conductivity to emerge. Although electrostatic mechanisms have been proposed in the past to describe the existence of this critical thickness, the importance of chemical defects has been recently accentuated. Here, we describe the growth of metal/LAO/STO heterostructures in an ultra-high vacuum (UHV) cluster system combining pulsed laser deposition (to grow the LAO), magnetron sputtering (to grow the metal) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). We study step by step the formation and evolution of the q2DES and the chemical interactions that occur between the metal and the LAO/STO. Additionally, magnetotransport experiments elucidate on the transport and electronic properties of the q2DES. This systematic work not only demonstrates a way to study the electrostatic and chemical interplay between the q2DES and its environment, but also unlocks the possibility to couple multifunctional capping layers with the rich physics observed in two-dimensional electron systems, allowing the fabrication of new types of devices.

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

We fabricate metal/LaAlO3/SrTiO3 heterostructures using a combination of pulsed laser deposition and in situ magnetron sputtering. Through magnetotransport and in situ X-ray photoelectron spectroscopy experiments, we investigate the interplay between electrostatic and chemical phenomena of the quasi two-dimensional electron gas formed in this system.

成長と静電/化学特性の金属/そこで3/SrTiO3ヘテロ構造

The quasi 2D electron system (q2DES) that forms at the interface between LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) has attracted much attention from the oxide ...

Chemical Synthesis of Porous Barium Titanate Thin Film and Thermal Stabilization of Ferroelectric Phase by Porosity-Induced Strain

Barium titanate (BaTiO3, hereafter BT) is an established ferroelectric material first discovered in the 1940s and still widely used because of its well-balanced ferroelectricity, piezoelectricity, and dielectric constant. In addition, BT does not contain any toxic elements. Therefore, it is considered to be an eco-friendly material, which has attracted considerable interest as a replacement for lead zirconate titanate (PZT). However, bulk BT loses its ferroelectricity at approximately 130 &#176;C, thus, it cannot be used at high temperatures. Because of the growing demand for high-temperature ferroelectric materials, it is important to enhance the thermal stability of ferroelectricity in BT. In previous studies, strain originating from the lattice mismatch at hetero-interfaces has been used. However, the sample preparation in this approach requires complicated and expensive physical processes, which are undesirable for practical applications.
In this study, we propose a chemical synthesis of a porous material as an alternative means of introducing strain. We synthesized a porous BT thin film using a surfactant-assisted sol-gel method, in which self-assembled amphipathic surfactant micelles were used as an organic template. Through a series of studies, we clarified that the introduction of pores had a similar effect on distorting the BT crystal lattice, to that of a hetero-interface, leading to the enhancement and stabilization of ferroelectricity. Owing to its simplicity and cost effectiveness, this fabrication process has considerable advantages over conventional methods.

Here, we present a protocol for the synthesis of porous barium titanate (BaTiO3) thin film by a surfactant-assisted sol-gel method, in which self-assembled amphipathic surfactant micelles are used as an organic template.

化学合成チタン酸バリウム多孔質セラミックス薄膜の気孔率誘起歪による強誘電相の熱安定化

Barium titanate (BaTiO3, hereafter BT) is an established ferroelectric material first discovered in the 1940s and still widely used because of its ...

Bulk and Thin Film Synthesis of Compositionally Variant Entropy-stabilized Oxides

Here, we present a procedure for the synthesis of bulk and thin film multicomponent (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x))O (Co variant) and (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x)CuxZn0.25(1-x))O (Cu variant) entropy-stabilized oxides. Phase pure and chemically homogeneous (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x))O (x = 0.20, 0.27, 0.33) and (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x)CuxZn0.25(1-x))O (x = 0.11, 0.27) ceramic pellets are synthesized and used in the deposition of ultra-high quality, phase pure, single crystalline thin films of the target stoichiometry. A detailed methodology for the deposition of smooth, chemically homogeneous, entropy-stabilized oxide thin films by pulsed laser deposition on (001)-oriented MgO substrates is described. The phase and crystallinity of bulk and thin film materials are confirmed using X-ray diffraction. Composition and chemical homogeneity are confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy. The surface topography of thin films is measured with scanning probe microscopy. The synthesis of high quality, single crystalline, entropy-stabilized oxide thin films enables the study of interface, size, strain, and disorder effects on the properties in this new class of highly disordered oxide materials.

The synthesis of high quality bulk and thin film (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x))O and (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x)CuxZn0.25(1-x))O entropy-stabilized oxides is presented.

バルクと組成バリエーション エントロピー安定化酸化物薄膜合成

Here, we present a procedure for the synthesis of bulk and thin film multicomponent (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x))O (Co variant) and ...

Tuning Oxide Properties by Oxygen Vacancy Control During Growth and Annealing

Electrical, optical, and magnetic properties of oxide materials can often be controlled by varying the oxygen content. Here we outline two approaches for varying the oxygen content and provide concrete examples for tuning the electrical properties of SrTiO3-based heterostructures. In the first approach, the oxygen content is controlled by varying the deposition parameters during a pulsed laser deposition. In the second approach, the oxygen content is tuned by subjecting the samples to annealing in oxygen at elevated temperatures after the film growth. The approaches can be used for a wide range of oxides and nonoxide materials where the properties are sensitive to a change in the oxidation state.
The approaches differ significantly from electrostatic gating, which is often used to change the electronic properties of confined electronic systems such as those observed in SrTiO3-based heterostructures. By controlling the oxygen vacancy concentration, we are able to control the carrier density over many orders of magnitude, even in nonconfined electronic systems. Moreover, properties can be controlled, which are not sensitive to the density of itinerant electrons.

Oxide materials show many exotic properties that can be controlled by tuning the oxygen content. Here, we demonstrate the tuning of oxygen content in oxides by varying the pulsed laser deposition parameters and by performing postannealing. As an example, electronic properties of SrTiO3-based heterostructures are tuned by growth modifications and annealing.

成長・アニール時の酸素空孔制御による酸化物物性の調整

Electrical, optical, and magnetic properties of oxide materials can often be controlled by varying the oxygen content. Here we outline two approaches for ...

RFスパッタ法によるガラス基板上へのBi2Te3 およびSb2Te3 薄膜の成膜

Fabrication of Bi2Te3 and Sb2Te3 Thermoelectric Thin Films using Radio Frequency Magnetron Sputtering Technique

Through various studies on thermoelectric (TE) materials, thin film configuration gives superior advantages over conventional bulk TEs, including adaptability to curved and flexible substrates. Several different thin film deposition methods have been explored, yet magnetron sputtering is still favorable due to its high deposition efficiency and scalability. Therefore, this study aims to fabricate a bismuth telluride (Bi2Te3) and antimony telluride (Sb2Te3) thin film via the radio frequency (RF) magnetron sputtering method. The thin films were deposited on soda lime glass substrates at ambient temperature. The substrates were first washed using water and soap, ultrasonically cleaned with methanol, acetone, ethanol, and deionized water for 10 min, dried with nitrogen gas and hot plate, and finally treated under UV ozone for 10 min to remove residues before the coating process. A sputter target of Bi2Te3 and Sb2Te3 with Argon gas was used, and pre-sputtering was done to clean the target&#39;s surface. Then, a few clean substrates were loaded into the sputtering chamber, and the chamber was vacuumed until the pressure reached 2 x 10-5 Torr. The thin films were deposited for 60 min with Argon flow of 4 sccm and RF power at 75 W and 30 W for Bi2Te3 and Sb2Te3, respectively. This method resulted in highly uniform n-type Bi2Te3 and p-type Sb2Te3 thin films.

著者スポットライト:無線周波数マグネトロンスパッタリングによる高性能熱電薄膜の進歩

The manuscript describes a protocol for radio frequency magnetron sputtering of Bi2Te3 and Sb2Te3 thermoelectric thin films on glass substrates, which represents a reliable deposition method that provides a wide range of applications with the potential for further development.

非均一のPrをドープしたチタン酸ストロンチウムの合成

要約

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この動画の章

空間的に閉じ込められた複合酸化物の作製

複合酸化物薄膜のエピタキシャル成長のために原子的に定義されたテンプレート

ナノサイズ一ナトリウムチタン酸の合成と反応化学

原子層堆積法を介してゲルマニウム上のペロブスカイト型チタン酸ストロンチウムのエピタキシャル成長

チタン酸ストロンチウム双結晶の形成に用いられるプラズマ焼結装置をスパーク

成長と静電/化学特性の金属/そこで₃/SrTiO₃ヘテロ構造

化学合成チタン酸バリウム多孔質セラミックス薄膜の気孔率誘起歪による強誘電相の熱安定化

バルクと組成バリエーションエントロピー安定化酸化物薄膜合成

成長・アニール時の酸素空孔制御による酸化物物性の調整

高周波マグネトロンスパッタリング法を用いたBi2Te3および_Sb2Te3熱電薄膜の作製

非均一のPrをドープしたチタン酸ストロンチウムの合成

要約

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空間的に閉じ込められた複合酸化物の作製

複合酸化物薄膜のエピタキシャル成長のために原子的に定義されたテンプレート

ナノサイズ一ナトリウムチタン酸の合成と反応化学

原子層堆積法を介してゲルマニウム上のペロブスカイト型チタン酸ストロンチウムのエピタキシャル成長

チタン酸ストロンチウム双結晶の形成に用いられるプラズマ焼結装置をスパーク

成長と静電/化学特性の金属/そこで3/SrTiO3ヘテロ構造

化学合成チタン酸バリウム多孔質セラミックス薄膜の気孔率誘起歪による強誘電相の熱安定化

バルクと組成バリエーション エントロピー安定化酸化物薄膜合成

成長・アニール時の酸素空孔制御による酸化物物性の調整

高周波マグネトロンスパッタリング法を用いたBi2Te3およびSb2Te3熱電薄膜の作製

成長と静電/化学特性の金属/そこで₃/SrTiO₃ヘテロ構造

バルクと組成バリエーションエントロピー安定化酸化物薄膜合成

高周波マグネトロンスパッタリング法を用いたBi2Te3および_Sb2Te3熱電薄膜の作製