Name: flow-assisted dielectrophoresis: a low cost method for the fabrication of high performance solution-processable nanowire devices
Uploaded: 2017-12-07T14:00:00.000+00:00
Duration: 9 min 14 s
Description: Watch this Scientific Journal Video about Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices at JoVE.com

著者は、金融支援、教授ブライアン a. Korgel ESPRC および BAE システムと SFLS この作業で使用するシリコン ・ ナノワイヤを成長の供給のための彼のグループに感謝したいと思います。

注意: すべてのプロシージャ ナノワイヤーおよび化学薬品処理中に安全を確保するためクリーン ルーム環境とリスク評価で示された開催が行われているそれ以外の場合しない限り、します。ナノ材料が健康への影響のようである、まだ、未知の数を持っているし、適切に処理する必要がありますので気に21。
注: プロセスを DEP 連絡先を定義する最初の写真平版および金属蒸着の手順に続いて、基板の準備を開始します。ナノワイヤーは、DEP によって組み立てられて、さらに省略可能なフォトリソグラフィーと金属の蒸着手順を実行すると、ナノワイヤーにトップ連絡先を預金することができます。ナノワイヤ トランジスタのデバイスの電流-電圧特性は、半導体特性評価キットを使用して測定されます。
1. 基板の準備
<ol><li>適切なサイズ、例えば、2.5 cm2にドープした n 型シリコン/シリコン二酸化ウェハを切断します。</li>
	<li>切削では、ウェハの上面の触れたまたは傷されていないを確認します。</li>
	<li>1 つの連続的な動きにカットすることで表面にダイヤモンド スクライバーを実行します。</li>
	<li>カットに沿ってウェーハを分割します。</li>
	<li>基板ホルダーのサンプルを配置し、脱イオン水、アセトン、そしてイソプロパノール (IPA) で、最初 100% 出力 (450 W) 超音波風呂で 5 分の超音波。 注: は、CAS 番号とサプライヤーのための材料表を参照してください。</li>
	<li>表面から残っている IPA やほこりを除去する窒素銃を持つ基板を乾燥させます。</li>
	<li>プラズマ灰 100 任意の残りの有機残基を削除する 5 分 W 酸素プラズマのサンプル。</li>
</ol>2. フォトリソグラフィー バイレイヤー プロセスの連絡先
注意: バイレイヤー フォトリソグラフィ プロセスは、電極を作成する使用は。フォトリソグラフィ工程は、フォトレジスト材料の腐食を防ぐために黄色の部屋で行われています。
<ol><li>熱 150 ° c 15 分、ホット プレートを使用して表面から、残っている水を削除するサンプルです。 注: これは、フォトレジストの密着性を確保するのにはしかし HMD など化学プライマーも使用します。</li>
	<li>サンプルをホット プレートから外し、スピン コーターの上に置きます。</li>
	<li>表面にフォトレジスト A の約 1 mL をドロップ ピペットを使用して、サンプル全体が均一に覆われるまで。 注: 使われる正確なレジスト材料の表を参照してください。</li>
	<li>45 4,000 rpm でサンプルをスピン s、およそ 250 のフィルム厚さを生成する nm。電極と 150 よりも厚く、nm は、預入れは、このレシピを変更します。</li>
	<li>スピンコーターからサンプルを外し、5 分間 150 ° C でホット プレートの上に置きます。</li>
	<li>ホット プレートからサンプルを削除し、50% の湿度ボックスで 5 分の残りの部分にサンプルを残します。これは、フォトレジスト22の水分補給を確保するためです。 注: 研究室の湿度が 50% を超えるは、空気の残りの部分にサンプルを残ることがあります。</li>
	<li>スピンコーターに戻るサンプルを配置し、基板の表面にフォトレジスト B 約 1 mL をピペットします。</li>
	<li>45 3,500 rpm でサンプルをスピン s、約 500 の膜厚を与えて nm。</li>
	<li>2 分の 120 ° C でホット プレートにサンプルを配置します。</li>
	<li>ホット プレート、5 分 50% 湿度ボックスの残りの部分に残してからサンプルを削除します。</li>
	<li>6.7 のマスク露光装置、紫外線にフォトマスクを使用してサンプルを公開露出の 180 mJ の合計のための s。 注: 正確な被曝線量は、マスクア ライナーの特定のモデルによって調整する必要があります。</li>
	<li>マスク ・ アライナからサンプルを削除し、レジスト現像液 30 でそれを浸すことによって開発 s。 注: 正確な開発者の材料表を参照してください。</li>
	<li>開発者からサンプルを削除、サンプルを脱イオン水に浸すし、開発プロセスを停止するそれをすすいでください。</li>
	<li>光学顕微鏡を用いたフォトリソグラフィをチェックします。偏光板は、チャネルの周りかすかな線として現れるべき層アンダー カットを確認する使用できます。あまりにも多くの場合、時間を調整可能性がありますまたは 2 つを少し弱める達成です。</li>
</ol>3. 蒸着金属接点の
注: 準備されたフォトレジスト上に電極を入金する電子ビーム (eb) 法が使用されます。このプロセスは、熱蒸発器または金属薄膜蒸着技術の他のタイプも使用できます。
<ol><li>電子ビーム室にサンプルを置く高真空に到達するまでは、ダウン ポンプします。この場合は、約 1 × 10-6 mTorr の真空に達する。</li>
	<li>2-6 nm チタンの接着層として機能するの 30 に続いて DEP 連絡先のための金の nm。</li>
	<li>E チャンバーからサンプルを削除します。</li>
	<li>リフトオフ手順を実行するには、フォトレジストや余分な金属のほとんどを削除します。これは、15 分のフォトレジスト除去のビーカーにサンプルを置くことによって行われます。</li>
	<li>フォトレジスト除去 A のビーカーからサンプルを取り出し、さらに 15 分のフォトレジスト除去のもう一つのきれいなビーカーに置きます。これは、サンプルに沈降から任意の大きな金属の粒子を防ぐためです。</li>
	<li>50% の電力で 5 分間ビーカーを sonicating によって完全なリフトオフ。</li>
	<li>任意の材料、電極間をセトリングから不要な金属粒子を防ぐために IPA を洗い流すようにお風呂 1 つずつからサンプルを削除します。 注: 電極、ナノワイヤの DEP の配置の準備整いました。</li>
</ol>4. ナノワイヤーの DEP
<ol><li>シリコンまたはアニソール約 1 μ G/ml の濃度で他のナノワイヤーの溶液を準備します。この実験では、ソリューションが簡単に超音波 15 s 最低消費電力設定任意の凝集を削除することが可能。その他の溶剤はトルエン ・ N, n-ジメチルホルムアミド (DMF)1など使用できます。</li>
	<li>ドロップいけにえ基板上にナノワイヤ製剤の 10 μ L を鋳造して解決策をチェックします。</li>
	<li>基板を検査すると、堆積したナノワイヤーで偏光光学顕微鏡 (POM) を使用。シリコンナノ ワイヤは複屈折であり、それ故に見ることができる簡単にポンポンで。表示される、ナノワイヤの塊がないとナノワイヤーのほとんどは基板で解散もそれから次の段階を開始することができます、そうでなければ解決策は再熱量、ナノワイヤの濃度を調整する必要があります。正しいナノワイヤー分散を達成するためにいくつかの試みがかかることがあります。</li>
	<li>揃えデバイス チャネルで傾斜 30 ° (地平線) 対に電極を作製した試料のプラットフォームを配置します。分散流れ方向より効率的なナノワイヤ配置できるように電極のエッジに垂直である必要があります。</li>
	<li>周波数ジェネレーター1に接続されているマイクロ プローブを用いた電極と接触します。</li>
	<li>必要な周波数、電圧、周波数発生器のセット。この実験では 10 V ピーク-ピークの DEP 信号電圧と 1 MHz の正弦波を使用します。 注: 最大頻度を増やす 20 MHz は、高い導電性と低トラップ密度1,2ナノワイヤーを収集するために助けることができます。詳細については参考1を参照してください。DEP の信号周波数範囲ここに示されるは、参照1で説明するよう SFLS Si ナノワイヤー インピー ダンス分光コレクション時間、および分析を行うことにより得られました。その他の種類の上位または下位の電荷キャリア移動度とナノワイヤー、ナノワイヤー、添加または他の成長法により得られたナノワイヤーが異なる DEP 信号周波数高品質ナノワイヤーのコレクションの結果を持つことができます。</li>
	<li>スイッチ周波数発生器で、ナノワイヤのソリューション デバイス領域にマイクロ ピペットを使用しての約 10 μ L をドロップします。 注: サンプルを (30 °) の角度で配置する液体の重力アシストの遅い流れを作成するのに役立ちます。また、ガラス スライドを使用した毛管作用は使用される6をすることができます。</li>
	<li>DEP を適用 30 s とし、スイッチオフ周波数発生器の信号。</li>
	<li>サンプルを削除して IPA で非常に軽くすすいでください。</li>
	<li>非常に優しく窒素銃を使用してサンプルのドライを切ります。サンプルを検査し、パラメーターを調整する偏光光学顕微鏡を使用することがあります。 注: DEP 信号電圧、周波数、およびナノワイヤー分散密度ナノワイヤ デバイス1,2あたり数百に少数のナノワイヤーからの再現性のある必要な密度を達成するために調整できます。</li>
</ol>5. 二次金属層の堆積
<ol><li>NW Fet で電流注入法改善を達成するため、ナノワイヤの上に 2 番目の金属接触を適用します。 注: この連絡先成膜プロセスは、のみ金の層が堆積したことを除いてにセクション 2 および 3、フォトリソグラフィで金属蒸着として正確な同じ手順に従います。</li>
</ol>6. I-V 特性評価ナノワイヤ デバイスの
注: サンプルが完了されるとその後の実験で使用することができます。 またはナノワイヤ FET の電気的特性を確立する彼らの I-V 特性を測定できます。試作した素子は背部ゲート Fet、ドープ シリコンのウエハは一般的なゲートとして機能、SiO2層をゲート絶縁膜として提供しています。
<ol><li>ゲートで電気接触を確立するには、ダイヤモンド スクライバーを使用してサンプルの端にシリコン酸化膜の小さな領域を削除します。</li>
	<li>窒素銃を使用すると、任意の望ましくない二酸化ケイ素の粒子を除去します。</li>
	<li>削除された SiO2との区域上のゲート プローブでゴールド ソース-ドレイン電極接点 3 マイクロ (ソース、ドレインおよびゲート) を配置します。</li>
	<li>半導体特性評価システムを使用すると、-V 測定します。</li>
	<li>デバイスのパフォーマンスとナノワイヤー1,17,23の電気的特性の情報を与えるこれら NW Fet の伝達と出力のスキャンを測定します。ステップのソース ・ ドレイン間電圧とゲート電圧が抜本的な移動測定が含まれることに注意してください。出力特性は、ソース ・ ドレイン間電圧をスイープし、ゲート電圧のステップによって測定されます。</li>
</ol>

<ol>
	<li>Constantinou, M., Rigas, G. P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Simultaneous+Tunable+Selection+and+Self-Assembly+of+Si+Nanowires+from+Heterogeneous+Feedstock.">Simultaneous Tunable Selection and Self-Assembly of Si Nanowires from Heterogeneous Feedstock.</a> ACS Nano. , (2016).</li><li>Constantinou, M., Hoettges, K. F., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+determination+of+nanowires+electrical+properties+using+a+dielectrophoresis-well+based+system.">Rapid determination of nanowires electrical properties using a dielectrophoresis-well based system.</a> App. Phy. Lett. 110 (13), 1-6 (2017).</li><li>Huang, H., Lee, Y. C., Tan, O. K., Zhou, W., Peng, N., Zhang, Q. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High+sensitivity+SnO2+single-nanorod+sensors+for+the+detection+of+H2+gas+at+low+temperature.">High sensitivity SnO2 single-nanorod sensors for the detection of H2 gas at low temperature.</a> Nanotech. 20 (11), 115501 (2009).</li><li>Rutherglen, C., Jain, D., Burke, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nanotube+electronics+for+radiofrequency+applications.">Nanotube electronics for radiofrequency applications.</a> Nat. nanotech. 4 (12), 811-819 (2009).</li><li>Kang, M. G., Hwang, D. H., Kim, B. S., Whang, D., Hwang, S. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=RF+characterization+of+germanium+nanowire+field+effect+transistors.">RF characterization of germanium nanowire field effect transistors.</a> AIP Conf. Proc. 1399 (2011), 319-320 (2011).</li><li>Collet, M., Salomon, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Large-scale+assembly+of+single+nanowires+through+capillary-assisted+dielectrophoresis.">Large-scale assembly of single nanowires through capillary-assisted dielectrophoresis.</a> Adv. Mat. 27 (7), 1268-1273 (2015).</li><li>Pethig, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dielectrophoresis:+Status+of+the+theory,+technology,+and+applications.">Dielectrophoresis: Status of the theory, technology, and applications.</a> Biomicrofluidics. 4 (2), (2010).</li><li>Jones, T. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Electromechanics of particles. (2), (1995).</li><li>El-Ali, J., Sorger, P. K., Jensen, K. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cells+on+chips.">Cells on chips.</a> Nat. 442 (7101), 403-411 (2006).</li><li>Doh, I., Cho, Y. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+continuous+cell+separation+chip+using+hydrodynamic+dielectrophoresis+(DEP)+process.">A continuous cell separation chip using hydrodynamic dielectrophoresis (DEP) process.</a> Sensrs. and Actrs, A: Phys. 121 (1), 59-65 (2005).</li><li>Freer, E. M., Grachev, O., Duan, X., Martin, S., Stumbo, D. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-yield+self-limiting+single-nanowire+assembly+with+dielectrophoresis.">High-yield self-limiting single-nanowire assembly with dielectrophoresis.</a> Nat. nanotech. 5 (7), 525-530 (2010).</li><li>Monica, A. H., Papadakis, S. J., Osiander, R., Paranjape, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Wafer-level+assembly+of+carbon+nanotube+networks+using+dielectrophoresis.">Wafer-level assembly of carbon nanotube networks using dielectrophoresis.</a> Nanotech. 19, 85303 (2008).</li><li>Raychaudhuri, S., Dayeh, S. A., Wang, D., Yu, E. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Precise+semiconductor+nanowire+placement+through+dielectrophoresis.">Precise semiconductor nanowire placement through dielectrophoresis.</a> Nano Lett. 9 (6), 2260-2266 (2009).</li><li>Schmidt, V., Riel, H., Senz, S., Karg, S., Riess, W., G&#246;sele, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Realization+of+a+silicon+nanowire+vertical+surround-gate+field-effect+transistor.">Realization of a silicon nanowire vertical surround-gate field-effect transistor.</a> Small. 2 (1), 85-88 (2006).</li><li>Hanrath, T., Korgel, B. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Supercritical+fluid-liquid-solid+(SFLS)+synthesis+of+Si+and+Ge+nanowires+seeded+by+colloidal+metal+nanocrystals.">Supercritical fluid-liquid-solid (SFLS) synthesis of Si and Ge nanowires seeded by colloidal metal nanocrystals.</a> Adv. Mat. 15 (5), 437-440 (2003).</li><li>Heitsch, A. T., Akhavan, V. A., Korgel, B. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+SFLS+synthesis+of+Si+nanowires+using+trisilane+with+in+situ+alkyl-amine+passivation.">Rapid SFLS synthesis of Si nanowires using trisilane with in situ alkyl-amine passivation.</a> Chem. of Mat. 23 (11), 2697-2699 (2011).</li><li>Constantinou, M., Stolojan, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Interface+Passivation+and+Trap+Reduction+via+a+Solution-Based+Method+for+Near-Zero+Hysteresis+Nanowire+Field-Effect+Transistors.">Interface Passivation and Trap Reduction via a Solution-Based Method for Near-Zero Hysteresis Nanowire Field-Effect Transistors.</a> ACS App. Mat. and Intf. 7 (40), 22115-22120 (2015).</li><li>Kim, T. H., Lee, S. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dielectrophoretic+alignment+of+gallium+nitride+nanowires+(GaN+NWs)+for+use+in+device+applications.">Dielectrophoretic alignment of gallium nitride nanowires (GaN NWs) for use in device applications.</a> Nanotech. 17 (14), 3394-3399 (2006).</li><li>Boote, J., Evans, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dielectrophoretic+manipulation+and+electrical+characterization+of+gold+nanowires.">Dielectrophoretic manipulation and electrical characterization of gold nanowires.</a> Nanotech. 16 (9), 1500-1505 (2005).</li><li>Gierhart, B. C., Howitt, D. G., Chen, S. J., Smith, R. L., Collins, S. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Frequency+Dependence+of+Gold+Nanoparticle+Superassembly+by+Dielectrophoresis.">Frequency Dependence of Gold Nanoparticle Superassembly by Dielectrophoresis.</a> Langmuir. 23 (19), 12450-12456 (2007).</li><li>Klaine, S. J., Alvarez, P. J. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nanomaterials+in+the+environment:+behavior,+fate,+bioavailability,+and+effects.">Nanomaterials in the environment: behavior, fate, bioavailability, and effects.</a> Environ. tox. and chem. / SETAC. 27 (9), 1825-1851 (2008).</li><li>van Tilburg, J. W. W., Algra, R. E., Immink, W. G. G., Verheijen, M., Bakkers, E. P. A. M., Kouwenhoven, L. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+passivated+InAs/InP+core/shell+nanowires.">Surface passivated InAs/InP core/shell nanowires.</a> Semicond. Sci. and Tech. 25 (2), 24011 (2010).</li><li>Krupke, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Separation+of+Metallic+from+Semiconducting+Single-Walled+Carbon+Nanotubes.">Separation of Metallic from Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes.</a> Sci. 301 (5631), 344-347 (2003).</li></ol>

著者は、利害の対立がないことを確認します。

成功の作製とデバイスのパフォーマンスは、いくつかの要因に依存します。これらは定式化、無溶剤、DEP、回数、デバイス電極1のナノワイヤ存在数のコントロールの選択にナノワイヤ密度と分布を含めます。
再現性のある作業装置を達成する上で重要な手順の 1 つは、クラスターまたは群生せずナノワイヤの定式化の準備です。定式化は、DEP の塊の数...

定義済み基板位置におけるナノ粒子の制御で再現可能なアセンブリは、半導体または導電性ナノ粒子を用いた溶液プロセスによる電子・光デバイスにおける主要な課題のひとつです。高性能デバイスの優先サイズとなど、特定の電子物性、高導電性表面準位密度が低いとナノ粒子を選択できるようにする非常に有益なもです。ナノワイヤ ・ ナノチューブ材料のナノ成長で重要な進歩にもかかわらずナノ粒子特性のいくつかの変化が常に存在して選択のステップがナノ粒子ベースのデバイス パフォーマンス1 を大幅に向上することができます。 ,2。
この作品で紹介する流れ支援 DEP 方法の目的は、高性能ナノワイヤ電界効果トランジスタの金属の接触に制御可能な半導体ナノワイヤ アセンブリを示すことによって上記の課題に対処するためです。DEP は、ナノワイヤー、ナノの配置/方向と DEP 信号周波数選択1を介して所望の性質を持つナノワイヤーの選択の位置を含む単一の手順でナノワイヤ デバイス作製のいくつかの問題を解決します。DEP は、ガス センサー3トランジスタ1から及ぶ多数の他のデバイスに使用されているし、RF スイッチ4、5の分析7細菌の位置へ。
DEP は、不均一電界電極8間で自己組織化ナノワイヤにおける結果のアプリケーションを介して分極性粒子の操作です。メソッドは、細菌9,10の操作のために開発が以来、ナノワイヤー、ナノ材料の操作に拡張されています。
ナノ粒子の DEP ソリューション処理により、複数の photomasking、イオン注入、高温14、アニーリングおよびエッチングに基づく従来のトップダウン手法で大きく異なって半導体デバイス作製手順を実行します。DEP は、すでに合成されているナノ粒子を操作、低温、ボトムアップの作製手法11です。この方法は、温度に敏感な柔軟なプラスチック基板6,12,13を含むほぼすべての基板上に組み立てられる大規模なナノワイヤ デバイスをできます。
この作業の流れ支援 DEP を使用して高性能 p 型シリコン ナノワイヤ電界効果トランジスタを作製し、FET の電流-電圧特性を実施します。この作業で使用するシリコンナノ ワイヤは、スーパー液液体固体 (SFLS) 法15,16経由で栽培しています。ナノワイヤーは、意図的にドープ、長さ約 10-50 μ m、直径 30-40 nm です。SFLS 成長法は、スケーラブルなナノワイヤー材料15量業界をそれ提供していますので非常に魅力的です。提案ナノワイヤ アセンブリ方法論は InAs13SnO23, GaN18など半導体ナノワイヤー材料に直接適用されます。導電性ナノワイヤ19を整列し、ナノ粒子を電極のギャップ20にまたがって配置手法の拡張も可能します。

<table><tbody><tr><td>Silicon/silicon dioxide wafer, CZ method growth, 100mm diameter,&amp;nbsp; 300 nm oxide thermal growth,&amp;nbsp; n-doped phosphorus</td><td>Si-Mat (Silicon materials)</td><td>-</td><td>http://si-mat.com/</td></tr><tr><td>Acetone (200ml)</td><td>Sigma Aldrich</td><td>W332615</td><td>-</td></tr><tr><td>Isopropanol (200ml)</td><td>Sigma Aldrich</td><td>W292907</td><td>-</td></tr><tr><td>Deionised water (150ml)</td><td>On site supply</td><td>-</td><td>-</td></tr><tr><td>Photoresist (A) SF6 PMGI under etch photoresit (approx 1 ml per sample)</td><td>Microchem&amp;nbsp;</td><td>-</td><td>http://microchem.com/pdf/PMGI-Resists-data-sheetV-rhcedit-102206.pdf</td></tr><tr><td>Photoresist (B) S1805 photoresit) (approx 1 ml per sample)</td><td>Microchem&amp;nbsp;</td><td>-</td><td>http://www.microchem.com/PDFs_Dow/S1800.pdf</td></tr><tr><td>Photoresist developer Microposit&amp;nbsp; MF319&amp;nbsp; (100ml)</td><td>Microchem&amp;nbsp;</td><td>-</td><td>http://microchem.com/products/images/uploads/MF_319_Data_Sheet.pdf</td></tr><tr><td>Photoresist remover Microposit remover 1165 (300ml (2 baths 150 each))</td><td>Microchem&amp;nbsp;</td><td>-</td><td>http://micromaterialstech.com/wp-content/dow_electronic_materials/datasheets/1165_Remover.pdf</td></tr></tbody></table>

flow-assisted dielectrophoresis: a low cost method for the fabrication of high performance solution-processable nanowire devices

流れによる誘電泳動 (DEP) は、効率的な制御の自己組織化法と再現性のある位置、配置、およびナノワイヤの選択。ナノワイヤ解析、特性評価、および半導体デバイスの作製をソリューション ベースの DEP を使用します。メソッドは、金属電極間交互になる電界を加えることによって動作します。ナノワイヤ形成は重力を使用して定式化のフローを作成する傾斜面にある電極に落ちた。ナノワイヤーは、勾配電界と液体の流れの方向に沿って配置します。優れた導電性と低いトラップ密度ナノワイヤを選択するフィールドの周波数を調整できます。
この作品で、DEP の流れによるナノワイヤ電界効果トランジスタの作成されます。DEP の流れによるいくつかの利点があります: それ選べるナノワイヤの電気的特性;ナノワイヤの長さの制御特定のエリアでナノワイヤの配置ナノワイヤー; の配向性制御ナノワイヤ デバイス密度の制御。
テクニックは、ガスセンサーやマイクロ波スイッチなど他の多くのアプリケーションに拡張できます。手法は効率的、迅速、再現できると新規ナノ材料のテストに最適希薄溶液の最小限の量を使用します。ナノワイヤ デバイスのウエハ スケール アセンブリすることもできますこのテクニックを使用して多数のサンプルのテストを可能にして大面積電子アプリケーション。

きれいな二重膜フォトリソ結果鮮明電極であります。(図 1 a) の例で、digitated 間の指の構造は 10 μ m のチャネル長で使用されました。これらの構造は、DEP 力が適用される、ナノワイヤの最大数を組み立てるための大面積を許可します。図 1 bは、底部ゲート ナノワイヤ FET デバイスの概略を示しています。
<p class="jove_cont...

Watch this Scientific Journal Video about Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices at JoVE.com

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

本稿のアシストの誘電泳動を示したフローで、自己組織化ナノワイヤ デバイス。シリコン ナノワイヤ電界効果トランジスタの作製は、例として表示されます。

誘電泳動の流れ支援: 高性能低温硬化型ナノワイヤ デバイス作製のための低コストの方法

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...

flow-assisted-dielectrophoresis-low-cost-method-for-fabrication-high

Research

JoVE Journal

Engineering

7.6K ビュー.  University of Surrey. 本稿のアシストの誘電泳動を示したフローで、自己組織化ナノワイヤ デバイス。シリコン ナノワイヤ電界効果トランジスタの作製は、例として表示されます。

ビデオ: Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

Fabricating Nanogaps by Nanoskiving

There are several methods of fabricating nanogaps with controlled spacings, but the precise control over the sub-nanometer spacing between two electrodes-and generating them in practical quantities-is still challenging. The preparation of nanogap electrodes using nanoskiving, which is a form of edge lithography, is a fast, simple and powerful technique. This method is an entirely mechanical process which does not include any photo- or electron-beam lithographic steps and does not require any special equipment or infrastructure such as clean rooms. Nanoskiving is used to fabricate electrically addressable nanogaps with control over all three dimensions; the smallest dimension of these structures is defined by the thickness of the sacrificial layer (Al or Ag) or self-assembled monolayers. These wires can be manually positioned by transporting them on drops of water and are directly electrically-addressable; no further lithography is required to connect them to an electrometer.

The fabrication of electrically addressable, high-aspect-ratio (> 1000:1) metal nanowires separated by gaps of single nanometers using either sacrificial layers of aluminum and silver or self-assembled monolayers as templates is described. These nanogap structures are fabricated without a clean room or any photo- or electron-beam lithographic processes by a form of edge lithography known as nanoskiving.

Nanoskivingによるナノギャップを作製

There are several methods of fabricating nanogaps with controlled spacings, but the precise control over the sub-nanometer spacing between two ...

化学

Ultrahigh Density Array of Vertically Aligned Small-molecular Organic Nanowires on Arbitrary Substrates

In recent years &pi;-conjugated organic semiconductors have emerged as the active material in a number of diverse applications including large-area, low-cost displays, photovoltaics, printable and flexible electronics and organic spin valves. Organics allow (a) low-cost, low-temperature processing and (b) molecular-level design of electronic, optical and spin transport characteristics. Such features are not readily available for mainstream inorganic semiconductors, which have enabled organics to carve a niche in the silicon-dominated electronics market. The first generation of organic-based devices has focused on thin film geometries, grown by physical vapor deposition or solution processing. However, it has been realized that organic nanostructures can be used to enhance performance of above-mentioned applications and significant effort has been invested in exploring methods for organic nanostructure fabrication.	
A particularly interesting class of organic nanostructures is the one in which vertically oriented organic nanowires, nanorods or nanotubes are organized in a well-regimented, high-density array. Such structures are highly versatile and are ideal morphological architectures for various applications such as chemical sensors, split-dipole nanoantennas, photovoltaic devices with radially heterostructured "core-shell" nanowires, and memory devices with a cross-point geometry. Such architecture is generally realized by a template-directed approach. In the past this method has been used to grow metal and inorganic semiconductor nanowire arrays. More recently &pi;-conjugated polymer nanowires have been grown within nanoporous templates. However, these approaches have had limited success in growing nanowires of technologically important &pi;-conjugated small molecular weight organics, such as tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3), rubrene and methanofullerenes, which are commonly used in diverse areas including organic displays, photovoltaics, thin film transistors and spintronics.	
Recently we have been able to address the above-mentioned issue by employing a novel "centrifugation-assisted" approach. This method therefore broadens the spectrum of organic materials that can be patterned in a vertically ordered nanowire array. Due to the technological importance of Alq3, rubrene and methanofullerenes, our method can be used to explore how the nanostructuring of these materials affects the performance of aforementioned organic devices. The purpose of this article is to describe the technical details of the above-mentioned protocol, demonstrate how this process can be extended to grow small-molecular organic nanowires on arbitrary substrates and finally, to discuss the critical steps, limitations, possible modifications, trouble-shooting and future applications.

We report a simple method for fabricating an ultrahigh density array of vertically ordered small-molecular organic nanowires. This method allows for synthesis of complex heterostructured hybrid nanowire geometries, which can be inexpensively grown on arbitrary substrates. These structures have potential applications in organic electronics, optoelectronics, chemical sensing, photovoltaics and spintronics.

任意の基板上の垂直配向小分子有機ナノワイヤーの超高密度アレイ

In  recent years &pi;-conjugated  organic semiconductors have emerged as the active material in a number of  diverse applications including large-area, ...

工学

Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra shallow and sharp doping profiles at the nanometer scale. In MLCD process the dopant source is a monolayer containing dopant atoms.
In this article a detailed procedure for surface doping of silicon substrate as well as silicon nanowires is demonstrated. Phosphorus dopant source was formed using tetraethyl methylenediphosphonate monolayer on a silicon substrate. This monolayer containing substrate was brought to contact with a pristine intrinsic silicon target substrate and annealed while in contact. Sheet resistance of the target substrate was measured using 4 point probe. Intrinsic silicon nanowires were synthesized by chemical vapor deposition (CVD) process using a vapor-liquid-solid (VLS) mechanism; gold nanoparticles were used as catalyst for nanowire growth. The nanowires were suspended in ethanol by mild sonication. This suspension was used to dropcast the nanowires on silicon substrate with a silicon nitride dielectric top layer. These nanowires were doped with phosphorus in similar manner as used for the intrinsic silicon wafer. Standard photolithography process was used to fabricate metal electrodes for the formation of nanowire based field effect transistor (NW-FET). The electrical properties of a representative nanowire device were measured by a semiconductor device analyzer and a probe station.

A detailed procedure for surface doping of Silicon interfaces is provided. The ultra-shallow surface doping is demonstrated by using phosphorus containing monolayers and rapid annealing process. The method can be used for doping of macroscopic area surfaces as well as nanostructures.

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra ...

Evaluating Plasmonic Transport in Current-carrying Silver Nanowires

Plasmonics is an emerging technology capable of simultaneously transporting a plasmonic signal and an electronic signal on the same information support1,2,3. In this context, metal nanowires are especially desirable for realizing dense routing networks4. A prerequisite to operate such shared nanowire-based platform relies on our ability to electrically contact individual metal nanowires and efficiently excite surface plasmon polaritons5 in this information support. In this article, we describe a protocol to bring electrical terminals to chemically-synthesized silver nanowires6 randomly distributed on a glass substrate7. The positions of the nanowire ends with respect to predefined landmarks are precisely located using standard optical transmission microscopy before encapsulation in an electron-sensitive resist. Trenches representing the electrode layout are subsequently designed by electron-beam lithography. Metal electrodes are then fabricated by thermally evaporating a Cr/Au layer followed by a chemical lift-off. The contacted silver nanowires are finally transferred to a leakage radiation microscope for surface plasmon excitation and characterization8,9. Surface plasmons are launched in the nanowires by focusing a near infrared laser beam on a diffraction-limited spot overlapping one nanowire extremity5,9. For sufficiently large nanowires, the surface plasmon mode leaks into the glass substrate9,10. This leakage radiation is readily detected, imaged, and analyzed in the different conjugate planes in leakage radiation microscopy9,11. The electrical terminals do not affect the plasmon propagation. However, a current-induced morphological deterioration of the nanowire drastically degrades the flow of surface plasmons. The combination of surface plasmon leakage radiation microscopy with a simultaneous analysis of the nanowire electrical transport characteristics reveals the intrinsic limitations of such plasmonic circuitry.

Silver nanowires can simultaneously transport electrons and optical information in the form of surface plasmons. A procedure is described here to realize such a shared circuitry and the limitations at propagating both information carriers are evaluated.

Plasmonics is an emerging technology capable of simultaneously transporting a plasmonic signal and an electronic signal on the same information ...

Fabrication of Carbon Nanotube High-Frequency Nanoelectronic Biosensor for Sensing in High Ionic Strength Solutions

The unique electronic properties and high surface-to-volume ratios of single-walled carbon nanotubes (SWNT) and semiconductor nanowires (NW) 1-4 make them good candidates for high sensitivity biosensors. When a charged molecule binds to such a sensor surface, it alters the carrier density5 in the sensor, resulting in changes in its DC conductance. However, in an ionic solution a charged surface also attracts counter-ions from the solution, forming an electrical double layer (EDL). This EDL effectively screens off the charge, and in physiologically relevant conditions ~100 millimolar (mM), the characteristic charge screening length (Debye length) is less than a nanometer (nm). Thus, in high ionic strength solutions, charge based (DC) detection is fundamentally impeded6-8.
We overcome charge screening effects by detecting molecular dipoles rather than charges at high frequency, by operating carbon nanotube field effect transistors as high frequency mixers9-11. At high frequencies, the AC drive force can no longer overcome the solution drag and the ions in solution do not have sufficient time to form the EDL. Further, frequency mixing technique allows us to operate at frequencies high enough to overcome ionic screening, and yet detect the sensing signals at lower frequencies11-12. Also, the high transconductance of SWNT transistors provides an internal gain for the sensing signal, which obviates the need for external signal amplifier.
Here, we describe the protocol to (a) fabricate SWNT transistors, (b) functionalize biomolecules to the nanotube13, (c) design and stamp a poly-dimethylsiloxane (PDMS) micro-fluidic chamber14 onto the device, and (d) carry out high frequency sensing in different ionic strength solutions11.

We describe the device fabrication and measurement protocol for carbon nanotube based high frequency biosensors. The high frequency sensing technique mitigates the fundamental ionic (Debye) screening effect and allows nanotube biosensor to be operated in high ionic strength solutions where conventional electronic biosensors fail. Our technology provides a unique platform for point-of-care (POC) electronic biosensors operating in physiologically relevant conditions.

高イオン強度ソリューションで感知するためのカーボンナノチューブ高周波ナノエレクトロニクスバイオセンサーの作製

The unique electronic properties and high surface-to-volume ratios of single-walled carbon nanotubes (SWNT) and semiconductor nanowires (NW) 1-4 make them ...

生物工学

Creating Sub-50 Nm Nanofluidic Junctions in PDMS Microfluidic Chip via Self-Assembly Process of Colloidal Particles

Polydimethylsiloxane (PDMS) is the prevailing building material to make microfluidic devices due to its ease of molding and bonding as well as its transparency. Due to the softness of the PDMS material, however, it is challenging to use PDMS for building nanochannels. The channels tend to collapse easily during plasma bonding. In this paper, we present an evaporation-driven self-assembly method of silica colloidal nanoparticles to create nanofluidic junctions with sub-50 nm pores between two microchannels. The pore size as well as the surface charge of the nanofluidic junction is tunable simply by changing the colloidal silica bead size and surface functionalization outside of the assembled microfluidic device in a vial before the self-assembly process. Using the self-assembly of nanoparticles with a bead size of 300 nm, 500 nm, and 900 nm, it was possible to fabricate a porous membrane with a pore size of ~45 nm, ~75 nm and ~135 nm, respectively. Under electrical potential, this nanoporous membrane initiated ion concentration polarization (ICP) acting as a cation-selective membrane to concentrate DNA by ~1,700 times within 15 min. This non-lithographic nanofabrication process opens up a new opportunity to build a tunable nanofluidic junction for the study of nanoscale transport processes of ions and molecules inside a PDMS microfluidic chip.

We propose a simple self-assembly technique of silica colloidal nanoparticles to create a nanofluidic junction between two microchannels in polydimethylsiloxane (PDMS). Using this technique, a nanoporous bead membrane with a pore size down to ~45 nm was built inside a microchannel and applied to electrokinetic preconcentration of DNA samples.

コロイド粒子の自己組織化プロセスを介して、PDMSマイクロ流体チップ内のサブ50 Nmのナノ流体ジャンクショ​​ンを作成します

Polydimethylsiloxane (PDMS) is the prevailing building material to make microfluidic devices due to its ease of molding and bonding as well as its ...

Fabrication of Fully Solution Processed Inorganic Nanocrystal Photovoltaic Devices

We demonstrate a method for the preparation of fully solution processed inorganic solar cells from a spin and spray coating deposition of nanocrystal inks. For the photoactive absorber layer, colloidal CdTe and CdSe nanocrystals (3-5 nm) are synthesized using an inert hot injection technique and cleaned with precipitations to remove excess starting reagents. Similarly, gold nanocrystals (3-5 nm) are synthesized under ambient conditions and dissolved in organic solvents. In addition, precursor solutions for transparent conductive indium tin oxide (ITO) films are prepared from solutions of indium and tin salts paired with a reactive oxidizer. Layer-by-layer, these solutions are deposited onto a glass substrate following annealing (200-400 &#176;C) to build the nanocrystal solar cell (glass/ITO/CdSe/CdTe/Au). Pre-annealing ligand exchange is required for CdSe and CdTe nanocrystals where films are dipped in NH4Cl:methanol to replace long-chain native ligands with small inorganic Cl- anions. NH4Cl(s) was found to act as a catalyst for the sintering reaction (as a non-toxic alternative to the conventional CdCl2(s) treatment) leading to grain growth (136&#177;39 nm) during heating. The thickness and roughness of the prepared films are characterized with SEM and optical profilometry. FTIR is used to determine the degree of ligand exchange prior to sintering, and XRD is used to verify the crystallinity and phase of each material. UV/Vis spectra show high visible light transmission through the ITO layer and a red shift in the absorbance of the cadmium chalcogenide nanocrystals after thermal annealing. Current-voltage curves of completed devices are measured under simulated one sun illumination. Small differences in deposition techniques and reagents employed during ligand exchange have been shown to have a profound influence on the device properties. Here, we examine the effects of chemical (sintering and ligand exchange agents) and physical treatments (solution concentration, spray-pressure, annealing time and annealing temperature) on photovoltaic device performance.

This protocol describes the synthesis and solution deposition of inorganic nanocrystals layer by layer to produce thin film electronics on non-conductive surfaces. Solvent-stabilized inks can produce complete photovoltaic devices on glass substrates via spin and spray coating following post-deposition ligand exchange and sintering.

完全に解決策が処理無機ナノ結晶太陽電池素子の作製

We demonstrate a method for the preparation of fully solution processed inorganic solar cells from a spin and spray coating deposition of nanocrystal ...

Electric-field Control of Electronic States in WS2 Nanodevices by Electrolyte Gating

A method of carrier number control by electrolyte gating is demonstrated. We have obtained WS2 thin flakes with atomically flat surface via scotch tape method or individual WS2 nanotubes by dispersing the suspension of WS2 nanotubes. The selected samples have been fabricated into devices by the use of the electron beam lithography and electrolyte is put on the devices. We have characterized the electronic properties of the devices under applying the gate voltage. In the small gate voltage region, ions in the electrolyte are accumulated on the surface of the samples which leads to the large electric potential drop and resultant electrostatic carrier doping at the interface. Ambipolar transfer curve has been observed in this electrostatic doping region. When the gate voltage is further increased, we met another drastic increase of source-drain current which implies that ions are intercalated into layers of WS2 and electrochemical carrier doping is realized. In such electrochemical doping region, superconductivity has been observed. The focused technique provides a powerful strategy for achieving the electric-filed-induced quantum phase transition.

Electric-field Control of Electronic States in WS2 Nanodevices by Electrolyte Gating

Here, we present a protocol to control the carrier number in solids by using the electrolyte.

電解質ゲートによって WS2ナノデバイスにおける電子状態の電界制御

A method of carrier number control by electrolyte gating is demonstrated. We have obtained WS2 thin flakes with atomically flat surface via scotch tape ...

A Standard and Reliable Method to Fabricate Two-Dimensional Nanoelectronics

Two-dimensional (2D) materials have attracted huge attention due to their unique properties and potential applications. Since wafer scale synthesis of 2D materials is still in nascent stages, scientists cannot fully rely on traditional semiconductor techniques for related research. Delicate processes from locating the materials to electrode definition need to be well controlled. In this article, a universal fabrication protocol required in manufacturing nanoscale electronics, such as 2D quasi-heterojunction bipolar transistors (Q-HBT), and 2D back-gated transistors are demonstrated. This protocol includes the determination of material position, electron beam lithography (EBL), metal electrode definition, et al. A step by step narrative of the fabrication procedures for these devices are also presented. Furthermore, results show that each of the fabricated devices has achieved high performance with high repeatability. This work reveals a comprehensive description of process flow for preparing 2D nano-electronics, enables the research groups to access this information, and pave the way toward future electronics.

The article aims to introduce a standard and reliable fabrication procedure for the development of future low dimensional nanoelectronics.

二次元ナノエレクトロニクスを作製する標準および信頼性の高いメソッド

Two-dimensional (2D) materials have attracted huge attention due to their unique properties and potential applications. Since wafer scale synthesis of 2D ...

Iron Nanowire Fabrication by Nano-Porous Anodized Aluminum and its Characterization

Magnetic nanowires possess unique properties that have attracted the interest of different fields of research, including basic physics, biomedicine, and data storage. We demonstrate a fabrication method for iron (Fe) nanowires&#160;via electrochemical deposition into anodic&#160;alumina oxide (AAO) templates. The templates are fabricated by anodization of aluminum (Al) discs, and the pore length and diameter are controlled by changing the anodizing conditions. Pores with an average diameter of around 120 nm are created using oxalic acid as the electrolyte. Using this method, cylindrical nanowires are synthesized, which are released by dissolving the alumina using a selective chemical etchant.

In this work, we describe a&#160;protocol to fabricate iron nanowires, including the formation of the porous alumina membrane that is used as the template, electrodeposition into templates using electrolyte solution, and the release of the nanowires into the solution.

ナノ多孔質陽極酸化アルミニウムによる鉄ナノワイヤー製造とその特性

Magnetic nanowires possess unique properties that have attracted the interest of different fields of research, including basic physics, biomedicine, and ...

誘電泳動の流れ支援: 高性能低温硬化型ナノワイヤデバイス作製のための低コストの方法

要約

さらに動画を探す

この動画の章

Nanoskivingによるナノギャップを作製

任意の基板上の垂直配向小分子有機ナノワイヤーの超高密度アレイ

Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds

Evaluating Plasmonic Transport in Current-carrying Silver Nanowires

高イオン強度ソリューションで感知するためのカーボンナノチューブ高周波ナノエレクトロニクスバイオセンサーの作製

コロイド粒子の自己組織化プロセスを介して、PDMSマイクロ流体チップ内のサブ50 Nmのナノ流体ジャンクションを作成します

完全に解決策が処理無機ナノ結晶太陽電池素子の作製

電解質ゲートによって WS₂ナノデバイスにおける電子状態の電界制御

二次元ナノエレクトロニクスを作製する標準および信頼性の高いメソッド

ナノ多孔質陽極酸化アルミニウムによる鉄ナノワイヤー製造とその特性

誘電泳動の流れ支援: 高性能低温硬化型ナノワイヤ デバイス作製のための低コストの方法

要約

さらに動画を探す

この動画の章

Nanoskivingによるナノギャップを作製

任意の基板上の垂直配向小分子有機ナノワイヤーの超高密度アレイ

Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds

Evaluating Plasmonic Transport in Current-carrying Silver Nanowires

高イオン強度ソリューションで感知するためのカーボンナノチューブ高周波ナノエレクトロニクスバイオセンサーの作製

コロイド粒子の自己組織化プロセスを介して、PDMSマイクロ流体チップ内のサブ50 Nmのナノ流体ジャンクショ​​ンを作成します

完全に解決策が処理無機ナノ結晶太陽電池素子の作製

電解質ゲートによって WS2ナノデバイスにおける電子状態の電界制御

二次元ナノエレクトロニクスを作製する標準および信頼性の高いメソッド

ナノ多孔質陽極酸化アルミニウムによる鉄ナノワイヤー製造とその特性

誘電泳動の流れ支援: 高性能低温硬化型ナノワイヤデバイス作製のための低コストの方法

コロイド粒子の自己組織化プロセスを介して、PDMSマイクロ流体チップ内のサブ50 Nmのナノ流体ジャンクションを作成します

電解質ゲートによって WS₂ナノデバイスにおける電子状態の電界制御