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二次元ナノエレクトロニクスを作製する標準および信頼性の高いメソッド

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August 28th, 2018

DOI :

10.3791/57885-v

August 28th, 2018


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Title

0:49

Fabrication of 2D Back-Gated Transistors

4:41

Results: Characterization of the MoS2 Monolayer Device

5:49

Conclusion

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