1. 광물 샘플 그룹 설립

1. 석영, halite, 방해, 가넷, 비오테이트 및/또는 muscovite : 가능한 한 많은 다음을 포함한다. 일부는 크리스탈 성장 기능 및 크리스탈 분열 기능에 대 한 다른 선택.

2. 크리스탈 형태를 관찰하고 분석

1. 샘플을 관측 표면에 놓습니다.
2. 모든 면을 관찰하기 위해 회전합니다. 크리스탈 면, 크리스탈 엣지(얼굴이 만나는 선), 크리스탈 정점(가장자리가 만나는 지점)을 찾습니다.
3. 가능한 경우 고니오미터를 사용하여 얼굴 간 각도를 측정합니다. 이것은 단순히 특정 크리스탈 얼굴에 고니오미터의 한쪽을 놓고, 인접한 얼굴에 곤니오미터의 다른 면을 놓은 다음 각도를 읽는 것으로 수행됩니다.
4. 특징적인 결정성 폴리헤드라 세트와 비교하십시오.
5. 반복 단계 2.1 – 2.4 석영 (주 육각형 대피라미드 형태(그림 1)),방해 (노트 스케일노헤드론 형태(그림 2)),halite (노트 입방 결정 형태(도 3)),가넷 (노트 도데카헤드론 형태(그림 4)),및 비오티트 (참고 pseudo-hexagoal 형태)에 대한2.1)

그림 1. 육각형 대피라미드 형태를 표시하는 석영.

그림 2. 스케일노헤드론 형태를 표시하는 석미. 여러 결정면이 교차하여 결정 가장자리를 형성하고 가장자리의 조합은 "정점"이라고 하는 점을 형성합니다. 대칭 결정 성장 형태는 결정 격자 내의 기본 원자 구조 (단위 세포)의 반복에 의해 생성됩니다. 이 경우, 방해미 결정 성장은 스케일노헤드론으로 알려진 특정 폴리에드론을 생성한다.

그림 3. 할라이트는 입방 크리스탈 형태를 표시합니다.

그림 4. 도데카히드론 형태를 표시하는 가넷.

그림 5. 의사 육각형을 표시하는 비오티트.

3. 분열 관찰 및 분석

1. 눈 보호에 넣어.
2. 부서지는 표면에 석영 조각을 놓습니다.
3. 망치를 사용하여 석영 조각을 반으로 부수습니다.
4. 손 렌즈를 사용하여 절단 표면에 대한 석영의 깨진 조각을 관찰합니다. 석영에는 아무 것도 없습니다. 석영은 골절을 부출하지만 잘 정의된 골짜기표면(도 6)을나타낸다. 이것은 석영 결정 격자 (실리카 테트라 헤드랄이라고 불리는 SiO₄ 단)의 단위 세포가 모든 방향에서 비교적 동일한 결합 강도를 가지고 있다는 사실의 결과입니다. 이러한 결합 강도의 균일성은 바람직한 파손 평면이 없는 크리스탈을 생성합니다.
5. 반복 단계 3.2 – 3.4 방해기 (마름모꼴 분열(그림 7)을표시해야한다), halite (입방 분열(그림 8)을표시해야한다), 비오타이트, 및 / 또는 muscovite (각 디스플레이 평면 골짜기(도 9).
6. 손 렌즈를 사용하여 다양한 골짜기 특성을 평가합니다. 분열은 다양한 수준에서 발생할 수 있습니다. 특정 방향에서 결합 강도에 극적인 차이가 있을 때, 예를 들어, 예를 들어, SiO₄ 군의 시트 사이로, 이러한 시트 사이에 거의 완벽한 분열이 생성된다. 위에서 언급 했듯이 석영은 거의 총 분열부족을 나타낸다. 이러한 극단 (완벽한 분열과 분열의 부족) 사이에, 좋은 분열(예를 들어, feldspar) 및 가난한 분열 (수륙 활공 결정에 특정 얼굴)이 미네랄이 있습니다.

그림 6. 분열 표면없이, conchoidal 골절을 표시 석영.

그림 7. 조개 골짜기 분열을 표시하는 석미. 대칭 파괴 및 골절 표면은 결정 격자 내의 원자 결합에서 상대적 약점의 영역에 의해 생성됩니다. 조미석 분열은 마름모꼴로 알려진 특정 다각형으로 초래한다.

그림 8. 할라이트는 입방 분열을 표시합니다.

그림 9. 비염은 평면 골짜기를 표시합니다.