1. 샘플 준비

1. 장갑을 착용하고 샘플을 처리 할 때 오염을 방지하기 위해 예방 조치를 취하십시오.
2. 슬라이드의 샘플이 건조되고 시료에 오염이 없는지 확인하십시오. 이는 SEM이 표면 특성화를 측정하고 이러한 결함으로 인해 신호를 심각하게 방해할 수 있기 때문입니다.
3. 샘플이 표준 유리 슬라이드에 로드되는 경우, 다이아몬드 팁 유리 커터로 슬라이드를 직선으로 채점하여 샘플의 크기를 줄이고 유리가 파손될 때까지 점수가 높은 라인을 부드럽게 밀어냅니다.
4. 시료에 따라 동일한 원소 조성물을 갖지 않는 코팅을 선택하십시오(EDS가 수신한 신호를 방해합니다). 이 데모를 위해 금 팔라듐 코팅이 사용됩니다.
5. 스퍼터 코터를 지시대로 사용하십시오. 장비가 적절한 커버리지를 가진 얇은 코팅을 위해 약 40 s의 샘플을 스퍼터로 보도록하십시오.
6. 전도성 양면 탄소 테이프를 사용하여 샘플을 SEM 스텁에 장착합니다. 이 테이프는 또한 비 전도성 슬라이드에 장착된 경우 샘플을 접지하기 위해 스퍼터처리된 슬라이드의 맨 위로 스테이지에서 배치되어야 합니다. 전도성 실버 페인트의 얇은 층은 또한 단계로 샘플의 전도도를 증가시키는 데 사용할 수 있습니다.
7. 스텁을 무대에 설치하고 측면의 나사를 조입니다.

2. 이미징 절차

1. 스테이지를 챔버에 로드합니다. 문을 닫고 밀봉합니다. 그런 다음 "전송" 버튼을 눌러 로딩 챔버에서 진공으로 의 통로를 엽니다.
2. 전송 버튼이 깜박이는 것을 멈추고 내부 문이 열리면 금속 막대에 나사를 넣고 샘플을 챔버로 밀어 진공 챔버로 샘플을 이동할 수 있습니다.
3. 막대를 풀고 로드를 하중 챔버에 완전히 고정하고 "저장"을 눌러 진공 챔버에서 하중 챔버를 닫습니다. 이제 샘플이 로드되고 나머지 프로세스가 컴퓨터 워크스테이션에서 수행됩니다.
4. 컨트롤러를 사용하여 스테이지 탐색 패널을 열어 시야에 들어올릴 때까지 스테이지를 이동합니다.
5. 작업 거리가 5-10mm가 될 때까지 샘플을 수직으로 이동합니다. z 방향으로 스테이지를 이동할 때 챔버 카메라를 켜서 샘플이 전자 총에 가까이 가지 않도록 하십시오.
6. 여분의 높은 장력(EHT) 빔을 켭니다. 잠시 동안 해제된 경우 열을 열어야 할 수도 있습니다.
7. 검출기 옵션에서 SE2 신호를 선택합니다.
8. 초기 이미징에 대해 약 5kV의 kV 설정을 사용한 다음 20-30kV로 증가하여 백 스캐터 모드를 사용하여 더 많은 신호를 볼 수 있습니다. 샘플이 코팅되지 않은 경우 keV를 낮게 유지하여 이미지에 너무 많은 충전 아티팩트를 방지하고 샘플 손상을 방지하십시오.
9. 명확한 이미지가 없는 경우 구조가 표시될 때까지 초점, 밝기 및 대비 노브를 돌립니다. 이는 구체화를 위한 참조입니다.
10. 이미지가 표시될 때까지 거친 모드에서 포커스 노브를 돌립니다. 그런 다음 최고의 초점을 찾기 위해 미세로 전환합니다.
11. 단계 탐색(z 방향이 아님)과 배율을 사용하여 이미지를 저장할 영역을 찾습니다.
12. 스캔 속도를 줄이고 평균 줄을 켜면 더 나은 이미지를 확보하여 저장을 위해 더 나은 이미지를 얻습니다.
13. 오른쪽 단추를 클릭하고 파일 위치에 저장하여 이미지를 저장합니다.
14. BSD를 삽입하고 스테이지를 샘플이 초점을 맞춘 z 위치로 다시 이동합니다.
15. 더 높은 원자 수를 나타내는 대비 영역을 찾는 동안 8-11 단계를 반복합니다.
16. 완료되면 BSD를 제거합니다.
17. 샘플을 제거할 준비가 되면 "교환"버튼을 누를 수 있습니다.
18. 샘플을 다시 로드 챔버로 이동한 다음 "통풍구"를 "저장"합니다.