Теоретический расчет и экспериментальная проверка уменьшения дислокаций в эпитаксиальных слоях германия с полуцилиндрическими пустотами на кремнии
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.
2.2K Views
•
06:57 min
•
July 17th, 2020
DOI :
July 17th, 2020
•Главы в этом видео
0:04
Introduction
0:34
Experimental Verification Procedure
4:29
Results: Reduction of Threading Dislocation Density in Germanium Epitaxial Layers with Semicylindrical Voids on Silicon
6:12
Conclusion
Похожие видео
10:32
Изготовление однородных наномасштабных полостей с помощью кремниевой прямой вафельной связи
7.4K Views
07:50
Электрон Ченнелинг Контрастность изображений для быстрого III-V гетероэпитаксиального Характеристика
11.0K Views
08:12
Токопроводящее Изготовление, используя технику сфокусированного ионного пучка и характеристик для Электрические слоя полупроводниковых наноструктур
12.3K Views
09:15
Свет Enhanced плавиковой кислоты пассивация: чувствительного метода для обнаружения объемного кремния дефекты
9.2K Views
09:45
Эпитаксиального роста перовскита титаната стронция на германии с помощью атомного слоя осаждения
12.3K Views
11:14
Исчерпывающая характеристика протяженных дефектов в полупроводниковых материалах на растровом электронном микроскопе
13.8K Views
13:58
Зондирование C
11.7K Views
07:15
Новый метод для
9.2K Views
05:39
Масштабируемые квантовые интегрированные схемы на сверхпроводящей двухмерной газовой платформе
9.5K Views
10:31
Разработка высокопроизводительных разрыв/Si гетеропереход солнечных батарей
7.5K Views
Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены