Электрон Ченнелинг Контрастность изображений для быстрого III-V гетероэпитаксиального Характеристика
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.
10.9K Views
•
07:50 min
•
July 17th, 2015
DOI :
July 17th, 2015
•Смотреть дополнительные видео
Главы в этом видео
0:05
Title
2:03
GaP/Si Sample Loading
2:51
Set up of Appropriate Working Conditions
3:46
Visualization of the Sample's Electron Channeling Patterns
4:35
Imaging of Defects and Features
6:13
Results: Imaging Clearly Shows the Misfit Networks in GaP/Si Samples
7:14
Conclusion
Похожие видео
08:12
Токопроводящее Изготовление, используя технику сфокусированного ионного пучка и характеристик для Электрические слоя полупроводниковых наноструктур
12.2K Views
11:14
Исчерпывающая характеристика протяженных дефектов в полупроводниковых материалах на растровом электронном микроскопе
13.6K Views
09:36
Характеристика анизотропными Дырявом режима модуляторы для Holovideo
7.9K Views
10:31
С помощью плазмы молекулярно-лучевой эпитаксии N-полярная InAlN-барьерные Транзисторы высокого электронно-мобильности
8.5K Views
11:59
На месте Характеристика бемит частиц в воде с использованием жидких SEM
9.2K Views
06:57
Теоретический расчет и экспериментальная проверка уменьшения дислокаций в эпитаксиальных слоях германия с полуцилиндрическими пустотами на кремнии
2.1K Views
13:05
Плазменный молекулярный луч Эпитаксисы Рост Mg3N2 и N3N2 Тонкие пленки
7.5K Views
09:49
В Situ передачи электронной микроскопии с смещения и изготовление асимметричных перекладин на основе смешанных фаз -VOх
4.0K Views
07:10
3D-реконструкция профиля глубины сегрегированных примесей с помощью масс-спектрометрии вторичных ионов
1.6K Views
11:03
Наноразмерная характеристика интерфейсов жидкость-твердое вещество путем сопряжения криофокусированного ионного пучка фрезерования со сканирующей электронной микроскопией и спектроскопией
3.4K Views
Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены