Исчерпывающая характеристика протяженных дефектов в полупроводниковых материалах на растровом электронном микроскопе

13.4K Views

11:14 min

May 28th, 2016

DOI :

10.3791/53872-v

May 28th, 2016


Транскрипт

Смотреть дополнительные видео

111

Главы в этом видео

0:05

Title

1:16

Sample Preparation for Cryo-cathodoluminescence Experiment

6:28

Performing Cross-correlation Electron Backscatter Diffraction Experiments

8:50

Results: Cathodoluminenscence and Strain Fields of Extended Defects in Silicon

2:06

Cryo-cathodoluminescence Experiment

10:19

Conclusion

Похожие видео

article

07:37

Выявление динамических процессов в жидкостях материалов с использованием жидкого сотовых просвечивающей электронной микроскопии

12.6K Views

article

11:47

Характеристика модификации поверхности белым светом интерферометрии, применения в ионного распыления, лазерной абляции, и трибологии Эксперименты

15.5K Views

article

10:53

Сканирующего зонда Одноэлектронные емкостной спектроскопии

12.9K Views

article

05:20

Характеристика теплового транспорта в одномерных твердых материалов

17.0K Views

article

07:50

Электрон Ченнелинг Контрастность изображений для быстрого III-V гетероэпитаксиального Характеристика

10.9K Views

article

14:58

Кремний Металл-оксид-полупроводниковых квантовых точек для одного электрона Перекачивание

14.2K Views

article

11:00

Ручным управлением Манипуляции одиночных молекул с помощью сканирующего зондового микроскопа с 3D-интерфейсом виртуальной реальности

8.9K Views

article

10:29

Изучение динамических процессов наноразмерных объектов в жидкости с помощью сканирующего просвечивающего электронного микроскопа

12.6K Views

article

06:53

Сканирование СКВИД Исследование вихревых Манипуляции с местным представителем компании

6.7K Views

article

07:15

Новый метод для

9.0K Views

JoVE Logo

Исследования

Образование

О JoVE

Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены