Bu çalışma hibe sayısı EP/G065640/1 altında ve ABD Ulusal Bilim Vakfı tarafından İngiltere Mühendislik ve Fizik Bilimleri Araştırma Konseyi tarafından desteklenen hibe sayısı DMR-0908767 altında [ML ve LHL] ve hibe sayısı DMR-0907007 [DH].

Bu protokolde, sıralı ferh alaşımının ince filmler MgO (001) alt-tabakalar üzerinde DC-magnetron püskürtme sistemi ile yapılır. Numuneler bir düzlem manyetik anizotropiye ayarlamak için kullanılan bir sürekli mıknatıs dizisi, tarafından sağlanır yaklaşık 200 Oe bir manyetik alan içinde büyütülür. Hedef, çapı 50 mm olan ve hedef ve alt tabakalar arasındaki mesafe yaklaşık 10 cm dir. Ferh büyümek için, manyetik malzemeler için uygun bir DC-manyetik Torus manyetik silah kullanılır. Isıtıcılar 2 cm alt-tabakalar üzerinde ve küçük ısıtılmış hacmini tutmak için bir metal silindir ile çevrili bir yer ampul vardır. Zaman kısıtlamaları nedeniyle epitaksiyal örnekleri yaparken, ancak biz genellikle az 10 büyüyecek, bu sistemdeki olası maksimum sıcaklık 1050 K. Bu sistem 24 farklı yüzeylerde tutma kapasitesine sahiptir ~ olduğunu. Bu numune hazırlama protokolü için burada sunulan bilgilerini vakum sistemi iyi çalıştığı biliniyor. Onların ayrıntılı olarak farklı birçok eşdeğer vakum sistemleri olduğu gibis, vb sıcaklık, zaman, kantitatif olarak parametreler için gereksinimler. de diğer sistemlerde farklı optimal değerlerini alabilir. Bununla birlikte, aşağıdaki açıklama okuyucuya yararlı bir rehber ispat edecektir. Aşağıda ayrıntılı bir protokol, bu okuyucu gibi vakum odasını [Örneğin, bakınız 26 başvuru] girecek tüm bileşenleri ele eldiven kullanımı gibi iyi vakum uygulama temelleri, aşina olduğu varsayılmaktadır. 1.. Yüzey ve Hedef Hazırlığı Bu bölümde, püskürtmeli çökeltme odasının hazırlanması ve tek kristal MgO tabakaları açıklamaktadır. <ol><li> Izopropanoldeki (001) MgO substratları durulayın ve alt tabaka sahipleri onları monte. Vakum odasının içine bu yerleştirin. </li><li> Magnetron gun ferh hedef takın ve silahı tekrar takın. Equiatomic bir bileşim ile bir örnek için, bulduk Fe 47 olan bir hedefRh 53 net magnetostructural faz geçişi verimli, en uygun olanıdır. Magnetron ve çevresindeki kalkan arasında kısa devre olduğunu test edin. Benzer şekilde, kapatma tabakaları için kullanılmak üzere herhangi bir hedef (ler) hazırlar. </li><li> Vakum odasına yakın ve aşağı pompa. </li><li> Vakum 1 x 10 -6 Torr daha sonra, basınç bu seviyenin üzerine çıkmıyorsa sağlamak için 870 K. izleyicisi vakum seviyesi ve ısıtma hızı için yüzeylerde ısı. Gece boyunca bu sıcaklıkta tutun. </li><li> Bir saat büyüme başlamadan önce, Meissner tuzak boyunca sıvı azot akmaya başlar. Vakum daha iyi 4 x 10 -7 Torr geliştirmek gerekir. </li><li> Çalışma gaz akışının 65 sccm&#39;lik için kütle akış kontrol ayarlayın. Püskürtmeli gaz büyüme sırasında örnek oksidasyonu önlemek için% 4 hidrojen ile Ar. Gaz akış valfini açın. Odacık içindeki basınç düşük mTorr&#39;dur aralığına çıkmalıdır. </li><li> Büyüme önce için ferh hedef ön sputter30 W. 1.200 sn </li></ol> 2. Epilayer Biriktirme Bu bölüm, dc-magnetron püskürtme sistemi ile ferh tabakanın birikmesini açıklar. <ol><li> 4 x 10 -3 Torr bir odacık basıncını vermek için kütle akış kontrolörünün set noktasını ayarlayın. Istikrarlı bir değere yerleşmek için baskı izin. </li><li> Yüzey sıcaklığı 870 K kalır ve kararlı olduğunu kontrol edin. </li><li> 0.4 Å / sn genel bir birikme oranını elde etmek magnetrona güç uygulayın. Bir kuvars kristal ekrana sahip odaları olarak, bu uygun şekilde kalibre edilmiş ise, bu monitör kullanılarak yapılabilir. Odası bir kuvars kristal monitör yoksa, post-büyüme kalınlık ölçümleri yararlı, hem de çalışan arasında tekrarlanabilirlik yüksek düzeyde olabilir. </li><li> Deklanşörü açın ve istenen kalınlığı vermek için uygun olan bir süre için ısıtılmış alt-tabaka üzerinde biriktirilmesi ferh. Örneğin, bir 500 sn biriktirme kalın bir örnek 20 nm verecektir. &lt;/ Li&gt; <li> Deklanşörü kapatın. </li><li> Magnetron gücünü kapatın. </li><li> Gaz vanasını kapatın. </li><li> Bir saat boyunca bu sıcaklıkta tutun örnekleri 970 K. için örnek sıcaklığını arttırır. Basınç boyunca 1 x 10 -6 Torr&#39;dan daha kalmalıdır. Bu tavlama sıcaklığı değiştirilerek etkileri de Vries ve diğ. 20 bulunabilir </li><li> Isıtıcı gücü kapatın ve oda sıcaklığına örnekleri serin. Bu sistemde, bu en az üç saat sürer. </li><li> Adımlar 2.1-2.7 benzer adımları kullanarak, gerekli her kapama katman yatırınız. ~ 370 K altında bir sıcaklıkta kapatma tabakası bırakılması ferh tabakası 27 içine interdifüzyonunu önlemek için gereklidir. </li><li> Kuru azot ile odasını Vent, açın, ve örnekleri kaldırmak. Bunlar parlak ve parlak görünmelidir. </li></ol> 3. Rutin post-büyüme Karakterizasyonu Bu bölümde, temel characterizati bir bakış sağlarBizim ferh örneklerinin çoğunluğu yürütülen adımlar. Bu ölçümleri yapmak için birçok olası eşdeğer yöntemler olduğu gibi, burada açıklamaları doğası daha az detaylı ve kuralcı olan ve oldukça bu tür ölçümlerin temel özellikleri üzerinde konsantre. <ol><li> Numune kalınlığını belirlemek için düşük açılı Χ-ışını yansıtma tarama gerçekleştirin. Difraktometresinde örnek montaj ve dedektör açısı 2 θ ≈ 1 ° ile ω hizalayın. Varsa, χ da aynı hizada olmalıdır. Run standart θ-2θ taraması ile θ enstrümanın gürültü zemin tipik bir kez kaliteli bir örnek için ≥ 6 ° θ ulaşana kadar 0 ° çalışan. Temizle Kiessig (ince film girişim) saçaklar epilayer kalınlığı tespit edilebileceği, görünür olmalıdır. </li><li> Kimyasal düzenin derecesini belirlemek için bir yüksek açılı Χ-ışını difraksiyon taraması yapın. Bu araba olabilirHala adım 3.1 &#39;den difraktometrenin monte örnek ile Kaleseramik. (Cu K α radyasyon kullanıldığı takdirde 2 θ = 42.9 ° de) MgO alt-tabaka tepe bulunabilir ve örnek ω yeniden hizalanır. Yine, en azından bir dizi 12.5 ° &lt;θ &lt;kapsayan, θ -2 θ çalıştırmak 62.5 ° (daha Cu Ka radyasyonu α varsayılarak) için her iki ferh (001) ve (002) tepe, hem de alt-tabaka tepe, yakalanır. </li><li> Geçiş sıcaklığını belirlemek için örnek direnç sıcaklık bağımlılığı bir ölçüm yapın. Bir standart 4-noktalı ölçüm temas direnci sorunları önlemek için yapılabilir böyle örnek elektrik temas olun. Bir DC yöntemi kullanılıyor ise, ileri için ölçümler yapmak ve mevcut yön ve yüksek sıcaklıklarda üretilen herhangi bir termal emf kapalı sıfırlanması amacıyla ortalama dirençleri ters. Daha sonra bir ısı cont üzerinde numuneyisıcak haddelenmiş aşaması ve ısıtma hem de sıcaklığın bir fonksiyonu olarak, direncinin ölçülmesi ve soğutma temizleyicileri (bu kurulum aşamasında herhangi bir oksidasyon kaçınmak emin olmak için küçük bir turbo yüksek bir vakum odasına pompalanır olan), böylece herhangi bir histerezis Birinci dereceden magnetostructural faz geçişi tespit edilebilir. </li></ol>

<ol>
	<li>Cho, A. Y., Arthur, J. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Molecular+beam+epitaxy.">Molecular beam epitaxy.</a> Progress in Solid State Chemistry. 10 (Part 3), 157 (1975).</li><li>Stringfellow, G. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice. , (1998).</li><li>Harp, G. R., Parkin, S. S. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+growth+of+metals+by+sputter+deposition.">Epitaxial growth of metals by sputter deposition.</a> Thin Solid Films. (1-2), 288-281 (1996).</li><li>Conover, M. J., Fullerton, E. E., Mattson, J. E., Sowers, C. H., Bader, S. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Giant+magetoresistance+in+epitaxial+sputtered+Fe/Cr(211)+superlattices+(abstract).">Giant magetoresistance in epitaxial sputtered Fe/Cr(211) superlattices (abstract).</a> Journal of Appied Physics. 75 (211), 7080-7080 (1994).</li><li>Kuch, W., Marley, A. C., Parkin, S. S. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Seeded+epitaxy+of+Co90Fe10/Cu+multilayers+on+MgO(001):+Influence+of+Fe+seed+layer+thickness.">Seeded epitaxy of Co90Fe10/Cu multilayers on MgO(001): Influence of Fe seed layer thickness.</a> Journal of Applied Physics. 83 (001), 4709-4713 (1998).</li><li>Hindmarch, A. T., Arena, D. A., Dempsey, K. J., Henini, M., Marrows, C. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Influence+of+deposition+field+on+the+magnetic+anisotropy+in+epitaxial+Co70Fe30+films+on+GaAs(001).">Influence of deposition field on the magnetic anisotropy in epitaxial Co70Fe30 films on GaAs(001).</a> Physical Review B. 81, 100407 (2010).</li><li>Weller, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High+Ku+materials+approach+to+100+Gbits/in2.">High Ku materials approach to 100 Gbits/in2.</a> IEEE Transactions on Magnetics. 36 (1), 1015 (2000).</li><li>Seemann, K. M., Baltz, V., MacKenzie, M., Chapman, J. N., Hickey, B. J., Marrows, C. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Diffusive+and+ballistic+current+spin+polarization+in+magnetron-sputtered+L10-ordered+epitaxial+FePt.">Diffusive and ballistic current spin polarization in magnetron-sputtered L10-ordered epitaxial FePt.</a> Physical Review B. 76, 174435 (2007).</li><li>Seemann, K. M., Hickey, M. C., Baltz, V., Hickey, B. J., Marrows, C. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Spin-dependent+scattering+and+the+spin+polarization+of+a+diffusive+current+in+partly+disordered+L10+epitaxial+FePd.">Spin-dependent scattering and the spin polarization of a diffusive current in partly disordered L10 epitaxial FePd.</a> New Journal of Physics. 12 (3), 033033 (2010).</li><li>Seemann, K. M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Spin-orbit+strength+driven+crossover+between+intrinsic+and+extrinsic+mechanisms+of+the+anomalous+hall+effect+in+the+epitaxial+L10-ordered+ferromagnets+FePd+and+FePt.">Spin-orbit strength driven crossover between intrinsic and extrinsic mechanisms of the anomalous hall effect in the epitaxial L10-ordered ferromagnets FePd and FePt.</a> Physical Review Letters. , 104-076402 (2010).</li><li>Marrows, C. H., Dalton, B. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Spin+mixing+and+spin-current+asymmetry+measured+by+domain+wall+magnetoresistance.">Spin mixing and spin-current asymmetry measured by domain wall magnetoresistance.</a> Physical Review Letters. 92, 097206 (2004).</li><li>Swartzendruber, L. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Fe-Rh+(iron-rhodium)+system.">The Fe-Rh (iron-rhodium) system.</a> Bulletin of Alloy Phase Diagrams. 5, 456-462 (1984).</li><li>Fallot, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Les+alliages+du+fer+avec+les+m&#233;taux+de+la+famille+du+platine.">Les alliages du fer avec les m&#233;taux de la famille du platine.</a> Annals of Physics. 10, 291 (1938).</li><li>Kouvel, J. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Unusual+nature+of+the+abrupt+magnetic+transition+in+FeRh+and+its+pseudobinary+variants.">Unusual nature of the abrupt magnetic transition in FeRh and its pseudobinary variants.</a> Journal of Applied Physics. 37, 1257 (1966).</li><li>Maat, S., Thiele, J. -. U., Fullerton, E. E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Temperature+and+field+hysteresis+of+the+antiferromagnetic-to-ferromagnetic+phase+transition+in+epitaxial+FeRh+films.">Temperature and field hysteresis of the antiferromagnetic-to-ferromagnetic phase transition in epitaxial FeRh films.</a> Physical Review B. 72, 214432 (2005).</li><li>Shirane, G., Nathans, R., Chen, C. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Magnetic+moments+and+unpaired+spin+densities+in+the+Fe-Rh+alloys.">Magnetic moments and unpaired spin densities in the Fe-Rh alloys.</a> Physical Review. 134, A1547 (1964).</li><li>Muldawer, L., de Bergevin, F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Antiferromagnetic-ferromagnetic+transitio+in+FeRh.">Antiferromagnetic-ferromagnetic transitio in FeRh.</a> Journal of Chemical Physics. 35, 1904 (1904).</li><li>Zakharov, A. I., Kadomtseva, A. M., Levitin, R. Z., Ponyatovskii, e. g. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Magnetic+and+magnetoelastic+properties+of+a+metamagnetic+Fe-Rh+alloy.">Magnetic and magnetoelastic properties of a metamagnetic Fe-Rh alloy.</a> Journal of Experimental and Theoretical Physics (USSR). 46, 1348 (1964).</li><li>Annaorazov, M. P., Nikitin, S. A., Tyurin, A. L., Asatryan, K. A., Dovletov Kh, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anomalously+high+entropy+change+in+FeRh+alloy.">Anomalously high entropy change in FeRh alloy.</a> Journal of Applied Physics. 79 (3), 1689 (1996).</li><li>de Vries, M. A., Loving, M., Mihai, A. P., Lewis, L. H., Heiman, D., Marrows, C. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hall+effect+characterisation+of+electronic+transition+behind+the+metamagnetic+transition+in+FeRh.">Hall effect characterisation of electronic transition behind the metamagnetic transition in FeRh.</a> New Journal of Physics. 15, 013008 (2013).</li><li>Bertaut, E. F., Delapalme, A., Forrat, F., Roult, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Magnetic+structure+work+at+the+nuclear+centre+in+Grenoble.">Magnetic structure work at the nuclear centre in Grenoble.</a> Journal of Applied Physics. 33 (3), 1123 (1962).</li><li>Stamm, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Antiferromagnetic-ferromagnetic+phase+transition+in+FeRh+probed+by+X-ray+magnetic+circular+dichroism.">Antiferromagnetic-ferromagnetic phase transition in FeRh probed by X-ray magnetic circular dichroism.</a> Physical Review B. 77, 184401 (2008).</li><li>Shirane, G., Chen, C. W., Flinn, P. A., Nathans, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=M&#246;ssbauer+study+of+hyperfine+fields+and+isomer+shifts+in+the+Fe-Rh+alloys.">M&#246;ssbauer study of hyperfine fields and isomer shifts in the Fe-Rh alloys.</a> Physical Review. 131, 183 (1963).</li><li>van Driel, J., Coehoorn, R., Strijkers, G. J., Bruck, E., de Boer, F. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Compositional+dependence+of+the+giant+magnetoresistance+in+FexRh1-x+thin+films.">Compositional dependence of the giant magnetoresistance in FexRh1-x thin films.</a> Journal of Applied Physics. 85, 1026 (1999).</li><li>Baranov, N. V., Barabanova, E. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electrical+resistivity+and+magnetic+phase+transitions+in+modified+FeRh+compounds.">Electrical resistivity and magnetic phase transitions in modified FeRh compounds.</a> Journal of Alloys and Compounds. 219, (1995).</li><li>Varian Associates. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Basic Vacuum Practice. , (1992).</li><li>Loving, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Tailoring+the+FeRh+magnetostructural+response+with+Au+diffusion.">Tailoring the FeRh magnetostructural response with Au diffusion.</a> Journal of Applied Physics. 112, 043512 (2012).</li><li>Ding, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Bulk+and+near-surface+magnetic+properties+of+FeRh+thin+films.">Bulk and near-surface magnetic properties of FeRh thin films.</a> Journal of Applied Physics. 103, 07B515 (2008).</li><li>Kim, J. W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+influenced+magnetostructural+transition+in+FeRh+films.">Surface influenced magnetostructural transition in FeRh films.</a> Applied Physics Letters. 95, 222515 (2009).</li><li>Fan, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ferromagnetism+at+the+interfaces+of+antiferromagnetic+FeRh+epilayers.">Ferromagnetism at the interfaces of antiferromagnetic FeRh epilayers.</a> Physical Review B. 82, 184418 (2010).</li><li>Williams, D. B., Carter, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials Science. , (2009).</li><li>Bj&#246;rck, M., Andersson, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=GenX:+an+extensible+X-ray+reflectivity+refinement+program+utilizing+differential+evolution.">GenX: an extensible X-ray reflectivity refinement program utilizing differential evolution.</a> Journal of Applied Crystallography. 40 (6), 1174-1178 (2007).</li><li>Warren, B. E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> X-Ray Diffraction. , (1969).</li><li>Miyanaga, T., Itoga, T., Okazaki, T., Nitta, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Local+structural+change+under+antiferro-+and+ferromagnetic+transition+in+FeRh+alloy.">Local structural change under antiferro- and ferromagnetic transition in FeRh alloy.</a> Journal of Physics: Conference. 190, 012097 (2009).</li><li>Kouvel, J. S., Hartelius, C. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anomalous+magnetic+moments+and+transformations+in+the+ordered+alloy+FeRh.">Anomalous magnetic moments and transformations in the ordered alloy FeRh.</a> Journal of Applied Physics. 33, 1343 (1962).</li><li>Sharma, M., Aarbogh, H. M., Thiele, J. -. U., Maat, S., Fullerton, E. E., Leighton, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Magnetotransport+properties+of+epitaxial+MgO(001)/FeRh+films+across+the+antiferromagnet+to+ferromagnet+transition.">Magnetotransport properties of epitaxial MgO(001)/FeRh films across the antiferromagnet to ferromagnet transition.</a> Journal of Applied Physics. 109, 083913 (2011).</li><li>Thiele, J. -. U., Maat, S., Fullerton, E. E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=FeRh/FePt+exchange+spring+films+for+thermally+assisted+magnetic+recording+media.">FeRh/FePt exchange spring films for thermally assisted magnetic recording media.</a> Applied Physics Letters. 82, 2859 (2003).</li><li>Wang, C. P., Do, K. B., Beasley, M. R., Geballe, T. H., Hammond, R. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Deposition+of+in-plane+textured+MgO+on+amorphous+Si3N4substrates+by+ion-beam-assisted+deposition+and+comparisons+with+ion-beam-assisted+deposited+yttria-stabilized-zirconia.">Deposition of in-plane textured MgO on amorphous Si3N4substrates by ion-beam-assisted deposition and comparisons with ion-beam-assisted deposited yttria-stabilized-zirconia.</a> Applied Physics Letters. 71, 2955 (1997).</li><li>Kande, D., Pisana, S., Weller, D., Laughlin, D. E., Zhu, J. -. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Enhanced+B2+ordering+of+FeRh+thin+films+using+B2+NiAl+underlayers.">Enhanced B2 ordering of FeRh thin films using B2 NiAl underlayers.</a> IEEE Transactions on Magnetics. 47 (10), 3296 (2011).</li><li>Walter, P. H. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Exchange+inversion+in+ternary+modifications+of+iron+rhodium.">Exchange inversion in ternary modifications of iron rhodium.</a> Journal of Applied Physics. 35 (3), 938 (1964).</li><li>Yuasa, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=First-order+magnetic+phase+transition+in+bcc+FeRh-Ir+alloy+under+high+pressures+up+to+6.2+GPa.">First-order magnetic phase transition in bcc FeRh-Ir alloy under high pressures up to 6.2 GPa.</a> Journal of the Physical Society of Japan. 63 (3), 855 (1994).</li><li>Lu, W., Nam, N. T., Suzuki, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Effect+of+Pt+doping+on+the+structure,+magnetic,+and+magneto-optical+properties+of+ordered+FeRh-Pt+thin+films.">Effect of Pt doping on the structure, magnetic, and magneto-optical properties of ordered FeRh-Pt thin films.</a> IEEE Transactions on Magnetics. 45 (6), 2716 (2009).</li><li>Kushwaha, P., Lakhani, A., Rawat, R., Chaddah, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low-temperature+study+of+field-induced+antiferromagnetic-ferromagnetic+transition+in+Pd-doped+FeRh.">Low-temperature study of field-induced antiferromagnetic-ferromagnetic transition in Pd-doped FeRh.</a> Phys Rev. B. 80, 174413 (2009).</li><li>Saerbeck, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Artificially+modulated+chemical+order+in+thin+films:+A+different+approach+to+create+ferro/antiferromagnetic+interfaces.">Artificially modulated chemical order in thin films: A different approach to create ferro/antiferromagnetic interfaces.</a> Phys. Rev. B. 82, 134409 (2010).</li></ol>

Yazarlar, hiçbir rakip mali çıkarlarını olmadığını beyan ederim.

İşte bu yöntem iyi kristalografik kaliteli ve B2 kimyasal sipariş yüksek derecede ferh of epilayer örnekleri hazırlamak için kullanılabileceğini göstermiştir. Yöntem, sipariş alaşımlar dahil epitaksiyel metalik katmanlar, geniş bir yelpazede hazırlanması için uygundur. Stoikiometri doğru ve kimyasal sipariş mevcut olduğunda dramatik bir faz geçişi gösteren biz, burada bir örnek olarak B2 sipariş ferh alaşımı kullanmış iken, bu yöntem, aynı zamanda, diğer malzemeler için de kullanılabilir. Örneğin, FePd ve FePt de çok güçlü bir tek eksenli magnetocrystalline anizotropi yol açar, L1 0 aşamaları vardır. Biz başarıyla FePt 8 alanı duvar direnç gösteren, geçmişte bu malzemeyi büyüdü ve FePd ve FePt 10 hem de büyük anormal Hall etkileri. Büyüme sıcaklığı ve oranları ve alt-tabaka, uygun bir tercih edilen bir uygun bir şekilde ayarlanması ile, bu yöntem dif geniş bir yelpazede hazırlamak için yararlı olması gerektiğiniKimyasal görüntüleme düzeni, manyetik ve manyetik olmayan metal epilayers ferent. Bununla birlikte, bu yaklaşımın bir sınırlama epitaksi elde etmek için, tek bir kristal alt-tabaka için ihtiyaç vardır. Bu zorluklar gibi yakın yerde Si gibi başka bir alt gofret üzerine inşa edilmiş bir teknoloji haline böyle bir plan manzaralı transmisyon elektron veya X-ışını mikroskobu ya da entegrasyon gibi deneyler karşılaşılan olacak demektir. Bu sorunu aşmanın olası bir vasıta ferh sonra tevdi edilebileceği üzerinde ince bir tabaka MgO büyümek. Bu, her MgO tahıl 37 üstüne yerel epitaksiyal büyüme çekirdekleşirken out-of-düzlem doku verebilmesidir. Dikkate değer, normal tabaka 38 için 45 ° &#39;de yönlendirilmiştir silah yardımcı bir iyon ışını ile bir yöntem kullanılarak, (001) bir doku ve şekilsiz yüzeye düzlem-içi hizalamasını kristalografik hem de ince tabaka MgO büyümesi mümkündür. Bu, örneğin bir elektron veya X-ışını t B2-sipariş ferh büyüme izin verebilirprotokolde gerekli olan yüksek sıcaklıklara kalan büyüme kapasitesine sahip, ya da bir silisyum oksit tabakası doğal Hangi ransparent Si 3 N 4 membranlar. Yöntemin başka iyileştirmeler bu ultra ince zaman ferh epilayer in B2-sırası geliştirmek için bu NiAl 39 gibi B2 sıralı underlayers kullanımını, veya birden fazla kimyasal sıralı tabakalar 37 içeren heteroyapılarda inşa etmek için kullanılmasını içerir. Ferh oluşturulmasını (Au 40, 27 ya da 40 Pd, 43 kullanan, örneğin) aşağı (ir 40, 41 ya da Pt 40, 42 kullanılarak), ya da geçiş sıcaklığı, T T kadar ayarlamak için Rh sahada katkılı edilebildiğinden Numune ısıtılmış ve soğutulmuş olarak ferh tabakalarda profilleri doping tasarlanan-manyetik profillere yol açabilir. Bu kontrol edilebilir bir şekilde 44 bir epilayer katıksız manyetik katmanlaşmasını üreten bir yol açılır.

Ardışık kaplama ve alt-tabaka malzemesinin bir çok ince bisküvi yüzeyi üzerine ince filmlerin yapı model: mikro sanayi merkezi paradigması düzlemsel işleme yöntemidir. Çoğu zaman, alt-tabaka, tek bir kristal olduğunu ve filmlerin epitaksiyel olması gerekir, bu alt-tabaka temel kristal yazmacındaki söylenebilir. Yarı iletken malzemeler ile, bu genellikle 2 imalat 1 veya Metalorganic buhar fazı epitaksi (MOVPE) laboratuar ortamında moleküler ışın epitaksi (MBE) kullanılarak ya da elde edilir. MBE metallerin epitaksiyel geliştirme mümkün olmakla birlikte, bunlar kolaylıkla püskürtme ile bırakıldı ve bu araştırma ve endüstriyel hem de manyetik ince filmlerin çökelmesi için en yaygın yöntem vardır. Bu yöntem, genel olarak, tek bir kristal tabaka üzerinde kristalli filmler, epitaksiyel büyüme büyümesi ile ilişkili olsa da, belirli koşullar altında mümkün olduğu <skadar&gt; 3. Bunlar genel olarak (en azından ilk tabakalar için) yükseltilmiş bir alt-tabaka sıcaklığı, yavaş bir birikme oranı, ve düşük bir vakum odası taban basıncı içerir. Bu yaklaşım, örneğin, dev manyetik çok tabakalı malzeme 4, 5 hazırlamak için kullanılmıştır. Bizim kendi laboratuarımızda, biz tek kristal yüzeylerde manyetik malzemelerin çeşitli hazırlamak için epitaksiyal püskürtmeydi kullandık. Bu kafes eşlemeli Co 70 Fe 30 bileşimin 6 seçilerek, örneğin, GaAs (001) üzerine, alaşım cofe epilayers büyümesini mümkün olmuştur. Bu malzeme Co ve Fe atomları rastgele bcc örgü siteleri doldurmak sağlam bir çözümdür. Biz de kimyasal farklı atom türlerinin belirli bir kafes siteleri almak için gerekli olan manyetik alaşımlar, sipariş büyümüş olması. Burada tarif eder büyüme protokol başlangıçta ilgi s olan L1 0 sıralı FePd ve FePt alaşımları, büyümesi için geliştirilmiştirince onlar çok yüksek bir magnetocrystalline anizotropiye 7 sahiptirler. Biz balistik ve uzadıya spin-polarize taşıma 8, 9 ve 11 MBE tarafından yetiştirilen katmanlara karşılaştırılabilir kalitede anormal Hall etkisi bu malzemelerin 10 arasındaki ilişkiyi inceledik. Burada B2-sipariş ferh epilayers örneğini kullanarak bizim epitaksiyal büyüme yöntemi gösterecektir. Fe ve Rh, ancak bir B2-sipariş bileşiği yakın equiatomic aralık% 49-53 atom Fe 12 stoichiometries için denge durum, herhangi bir bileşimde de alaşımlar oluşturacaktır. Bu sözde α &quot;- faz → 400K 13, 14, 15 = 350 T T etrafında α &#39;faz ferromagnet (FM) olma, ısıtma birinci dereceden faz geçişi sergileyen bir antiferromagnet (AF). İki farklı ama ikisi de tam olarak sipariş manyetik devletlerin (tip II AF 16 ve FM) arasındaki bu metamagnetic geçişB2 kafes 17, 18 bir izotropik% 1 hacim genişlemesi ile birlikte, genellikle geniş entropi, direnç 14 büyük bir düşüş ve taşıyıcı konsantrasyonu 20 büyük bir artış 19, bırakın. Nötron kırınım 21, 16 ve son zamanlarda XMCD ölçümler 22 μ Fe, FM faz içindeki Rh aktarılır AF aşamasında Fe merkezli 3.3 μ B manyetik momentinin kısmını göstermektedir ~ 2.2 μ B ve μ Rh ~ 0,6 μ B. FM için Curie sıcaklığı α &#39;faz x&gt; 0,53 23 ile alaşımların Curie sıcaklığı 670 K 14, karşılaştırılabilir ~ olduğunu. Metamagnetic geçiş sıcaklığı T, T × kompozisyonu son derece duyarlı Fe × Rh 1 - × 23, 24, ve uygulanan manyetik fi ~ 8 K / T tarafından bastırıldıeld 25, 15. Fiziksel davranışın bu zengin dizisi uygun B2-düzenli bir yapıya ulaşmada kritik bağlıdır ve böylece büyüyen bir yöntem göstermek için onu uygun bir örnek yaparak, bir numunede uygun kimyasal sipariş algılamak dağıtılmak üzere ölçüm tekniklerinin geniş bir yelpazede izin veren yüksek Kaliteli alaşım epilayers emretti.

<table border="1">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Name of Reagent/Material</td>
			<td>Company</td>
			<td>Catalog Number</td>
			<td>Comments</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sputter Deposition System</td>
			<td>Kurt J. Lesker Company</td>
			<td>Bespoke</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MgO Single Crystal Substrate</td>
			<td>Pi-Kem</td>
			<td>Single-sided epi-polished</td>
			<td>(001) orientation</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>FeRh sputtering target</td>
			<td>Pi-Kem</td>
			<td>Bespoke</td>
			<td>50 mm diameter</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Transmission Electron Microscope</td>
			<td>FEI</td>
			<td>Tecnai TF20</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>X-ray Diffractometer</td>
			<td>Br&#252;ker</td>
			<td>D8 Discover</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>SQUID Magnetometer</td>
			<td>Quantum Design</td>
			<td>MPMS-XL 5</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

sputter growth and characterization of metamagnetic b2-ordered ferh epilayers

Kimyasal olarak sıralı alaşımları manyetik nano çeşitli yararlıdır. Bunlar, en uygun olarak, püskürtme teknikleri kullanılarak endüstriyel bir ölçekte hazırlanır. Burada tek kristal MgO substratlar üzerine püskürtülerek bırakılması ile B2 sıralı ferh epitaksiyel ince filmler hazırlamak için bir yöntem tarif eder. Isıtılmış bir alt-tabaka üzerine yavaş bir hızda Biriktirme hem adatoms zamanı B2 yapının Fe ve Rh alt a ˘ ga bunların uygun yerleri bulmak için, aynı zamanda alt-tabaka ile iyi tanımlanmış bir epitaksiyel ilişkisi olan bir kafes içine yerleşmek ve sağlar. Yapısı uygun X-ışını reflektometreyi ve sapması ile karakterizedir ve transmisyon elektron mikroskobu kesitlerini kullanarak doğrudan görülebilir. B2-sipariş ferh alışılmadık metamagnetic faz geçişi sergiler: zemin devlet antiferromanyetiktir ama alaşım Bu% 1 eşliğinde yaklaşık 380 K. tipik bir geçiş sıcaklığı ile ısıtmada bir ferromagnet dönüşürbirim hücrenin hacmi genişlemesi: toplu olarak izotropik, fakat yanal bir epilayer sıkıştırılır. Antiferromanyetik zemin devlet ve ilgili birinci dereceden faz geçişi varlığı doğru equiatomic stokiometri ve uygun B2 sipariş için çok hassas olduğunu ve bu yaklaşımın tevdi edilebilir tabakaların kalitesini göstermek için uygun bir araçtır. Biz de faz değişim tespit edilebileceği, çeşitli teknikler bazı örnekler vermek.

Bu protokole göre birçok ferh örnekleri hazırladık. Bu bölümde, temsili örneklerin bir seçim için en yaygın yöntemler kullanılarak karakterizasyon kullanılarak elde edilen sonuçları göstermektedir. Bu gibi sonuçlar, kalınlık aralığı 20-50 nm numune için beklenir. Biz daha derinlemesine bizim malzemeyi karakterize etmek için kullanılan diğer yöntemler X-ray manyetik sirküler dikroizma 28, 29 saçılma otlatma sıklığı X-ray ve polarize nötron Reflectometry 30 içerir. Biz de Au 27 alaşım doping etkisini inceledik. Bu malzemeden beklenebilir özellikleri ile ilgili daha fazla bilgi, bu raporlarda bulunabilir ve buradaki referanslar ihtiva etmiştir. Bizim epilayers birinin yapısı Şekil 1 &#39;de gösterilen transmisyon elektron mikroskobuyla ayrıntılı olarak gösterilmiştir. Numune kesiti geleneksel dimpling ve iyon parlatma teknoloji ile hazırlandınique-standart bir numune hazırlama yöntemi (örneğin Williams ve Carter 31 için, bakınız) - ve bir 200 kV elektron ışını kullanılarak gözlenmiştir. Genel tabaka yapısı Şekil 1 &#39;de görülebilir: (a). Bu durumda, bir 30 nm ferh filmi epitaxially a-4 nm Cr tabaka ve bir ~ 1 nm kalınlığında bir Al tabakası, ardından bir MgO alt-tabaka üzerine büyütüldü. (Cr tabakası belirli bir deney için burada dahil edildi ve genel olarak gerekli değildir). Görüntüden ölçülen ferh / MgO ve ferh / Cr arabirimlerin pürüzlülük, sırası ile, 0.6 nm ve 2,8 nm. Şekil 1 (b) MgO / ferh arayüzü yüksek çözünürlüklü bir mikro fotosu gösterilmiştir. Seçilen alan sapmasından gelen teyit olarak epitaksiyal ilişki ferh olduğunu [100] (001) | | MgO [110] (001). Ara yüzey boyunca kafes uygun epitaksiyel büyüme yüksek kalitesini gösterir. Biz burada veri görünmüyor ancak örnek bir seçimi kompozisyonunu kontrol etmek TEM enerji dağılımlı X-ışını spektroskopisi kullanmış:bu her zaman ölçüm belirsizlik içinde için equiatomic olmuştur. Χ-ray reflektometri veri epilayer Al ince kristalli bir tabaka ile kaplı bir nominal olarak 25 nm kalınlığında bir ferh için Şekil 2 &#39;de gösterilmiştir. Ölçüm K α radyasyonu azaltmak için bir filtresi olan Ni, Cu K α radyasyon (λ = 0,1541 nm) kullanılarak, Bragg-Brentano&#39;nun geometride bir standart iki daire sapma ölçer uygulandı. Katman yığınının çeşitli arayüzlerinden yansıtan röntgen ışınları müdahalelerden kaynaklanan belirgin Kiessig saçaklar, bu arayüzler, pürüzsüz ve iyi bir korelasyon olduğunu göstermektedir. Düz kırmızı çizgi GenX yazılımı 32 kullanılarak yapılmıştır verilere bir uyum gösterir. Çok tabakalı yapı için en uygun parametreleri Tablo 1 &#39;de gösterilmektedir. Al tabakanın bir kısmı oksitlenmiş ve numune t maruz sonra kendi kendine pasifleştirilmiş olacağı gerçeğio hava modelinde hesaplanmaktadır. Aynı örnek için Χ-ışını difraksiyon verileri, aynı alet üzerinde toplanmış, Şekil 3&#39;te gösterilmiştir. MgO substrat (002) yansıma sadece 1 ve K α 2 satır α Cu K çözmek için güçlü ve yeterince keskin. Ferh katmanları hem (001) gösterir ve (002) yansımaları. Nedeniyle epilayer ve şekil gradyanlar sonlu kalınlığına bir genişleme vardır. (002) ferh B2 zirve 2 θ merkezlendirildiğinden = ortalama getirisi 61.3 ° ± 0.02, out-of-düzlem 3.02 ± 0.05 Å kafes sabiti. Bu iki tepe noktalarının göreli yoğunluklarının ikinci entegre ferh B2 yapının kimyasal düzen parametresi S belirlemek mümkündür. Bu miktar, S olarak tanımlanır = r Fe + Fe (Rh) tarafından işgal Fe (Rh) kesrini 33 atomları olduğu Rh -1, r. Formül kısa bir inceleme t gösterirhat zaman Fe r = r = 1 Rh ve yapısı, S = 1 mükemmel olarak, tüm kafes alanları, rastgele işgal ki r = Fe Rh = 0.5, r zaman ise, S = 0. Nedeni, yapı faktörü (001) yansıma yasaklar, S = 1 yapısı (001) yansıma izin verildiği için, kübik ilkel zaman ise. Hangi zaman = 0 S site ortalama yapı bcc olduğunu Bu demektir ki, pratik açıdan, <img alt="Denklem 1" fo:content-width="2.5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603eq1.jpg" width="230px" /> Nerede <img alt="Denklem 2" fo:content-width=".2in" src="/files/ftp_upload/50603/50603eq2.jpg" width="20px" /> ve <img alt="Denklem 3" fo:content-width=".2in" src="/files/ftp_upload/50603/50603eq3.jpg" width="20px" /> sırasıyla (00) Bragg yansıması, 33 deneysel ve teorik yoğunlukları vardır. Anla içinferh üzerinde EXAFS ölçümlerinden teorik yoğunluklarının Debye-Waller faktörler lation 34 kullanılmıştır. Bu durumda, S =, bu malzemenin bir püskürtülmüş ince bir film için tipik 0.855 ± 0.001,. Metamagnetic faz geçiş çeşitli şekillerde tespit edilebilir. Onun varlığı doğru equiatomic stoikiometriyi ve kafes B2-sipariş gösterir. Metamagnetic geçiş Bragg konumunda değişim ile saptanabilir birlikte kafes genişlemesi 27, tepe, ancak, bu ısıtıcı, bir difraktometre ile aşama gerektirir. Belki de en belirgin yöntem örnek T T ile ısıtılır gibi ferromanyetik an görünümünü tespit etmektir. Bu, manyeto-optik Kerr etkisi ya da titreşimli bir örnek manyetometresi kullanılarak, örneğin, yeterli bir hassasiyetle herhangi bir sıcaklık bağımlı manyetometresi kullanılarak yapılabilir. Şekil 4 biz göstermekmıknatıslanma M sıcaklık bağımlılığı, bir süper iletken kuvantum girişim cihazlı (SQUID) manyetometre kullanılarak ölçülmüştür. Ölçümler 2 K / dakika &#39;lık bir tarama hızı ile sıcaklık 275-400 K arasında bir sıcaklık aralığında yapılmıştır. Eğri görüntüler 15 K termal histerisi ile beklenen AF → FM geçişi (ısıtma) ve FM → AF geçişi (soğutma) gösterilmiştir. Bu ölçüm, yüksek alan (50 Koe) yapılan ve daha yüksek bir manyetik alan AF aşaması ile ilgili olarak FM fazın serbest enerjiyi azaltır gibi T T ≈ 365 K. geçiş sıcaklığı, alan bağımlı olan bir geçiş sıcaklığı elde edildi. Tipik dT T / DH ≈ 0.8 / mK Oe 14,15, 27. AF faz içindeki manyetik momenti oldukça sıfır değildir, ama tüm numunenin hacmi üzerinden ortalama zaman emu / cm 3 bir kaç on olduğuna dikkat edin. Bu an ferroma kalır ferh epilayer Yakın-i bölgelerinde bulunurgnetic numunenin kütle AF aşaması 28, 30 dönüşür zaman (daha düşük bir manyetizasyon olsa da). Basit bir donanım kullanır ve sık sık kullanılan laboratuar geçişin tespit edilmesi için bir yöntem, bir elektron taşıma ölçüm yapmaktır. FM aşamasında ρ AF aşaması 35, 36, 20 &#39;den daha az olduğu için en basit ölçümü, filmin direnç ρ taşımaktadır. X-ışını verileri gösterilmiştir ki aynı 25 nm ferh epilayer için ρ sıcaklık bağımlılığı, Şekil 5&#39;te çizildiği, standart dört nokta yöntemine göre ölçülen prob: yaylı, altın kaplama pimler örnek üzerine preslendi Sıcak herhangi bir örnek oksidasyonu önlemek için küçük bir özel bir vakum odası içinde bir ısıtıcı bir safhada monte edilmiş olan örnek, temas sağlamak için yüzey. Doğrusal bir metalik ρ (T) bağımlılığı AF ve FM aşamalarında hem de görüldüğü gibi, ancak resistivi belirgin bir düşüş olduğunuikisi arasında ty. Şekil 5&#39;te görülen histeriz magnetostructural faz geçiş alma yeri açık bir parmak izi olup (Şekil 5 ust ilavesinde gösterilen) dρ / dT asgari alanına verilir geçiş sıcaklığı ölçmek için uygun bir yöntemdir. Iki faz 20 arasındaki Hall katsayısının büyük bir fark var gibi başka kolaylıkla ölçülebilir taşıma özelliği, Hall etkisi, ayrıca, geçiş varlığını doğrulamak için kullanılabilir. <img alt="Şekil 1" fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig1highres.jpg" width="600" /> Şekil 1. Bir alt-tabaka üzerinde bir MgO ferh epilayer transmisyon elektron mikrograflan. (A) tabakanın yapısını gösteren görüntü. Ferh üzerine çöktürülmüş bir başka ~ 4 nm Cr tabakası ve yaklaşık 1 nm Al kapaklı kalın 30 nm&#39;dir. I en az bir amorf bölüm<html> Mage kesiti örnek hazırlama sırasında kullanılan bir epoksi reçinesidir. MgO ferh arabirimi (b) bir yüksek çözünürlüklü görüntü. Arabirimi üzerinden epitaksiyal eşleşen burada görülen ve ilişkili ilişki, seçili alan kırınımı doğruladı olarak, ferh olduğunu [100] (001) | |. MgO [110] (001) <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig1highres.jpg" target="_blank">görmek için buraya tıklayın büyük rakam</a> <img alt="Şekil 2," fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig2.jpg" width="600" /> Şekil 2. , 25 nm kalınlığında bir ferh X-ışını spektrumu reflektometri epilayer kristalli Al ile kapatıldı. Düz bir çizgi, Tablo 1 &#39;de verilen parametreler kullanılarak, metinde tarif edilen bir uyum sağlar. Içerlek uydurma parametreleri o kümesi ile ilişkili saçılma uzunluğu yoğunluk profilini göstermektedir.g2highres.jpg &quot;target =&quot; _blank &quot;&gt; büyük rakam görmek için buraya tıklayın <img alt="Şekil 3," fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig3.jpg" width="500" /> Şekil 3,. , 25 nm kalınlığında bir ferh X-ışını kırınım spektrumu epilayer kristalli Al ile kapatıldı. (001) ferh geldiği tepe noktasının varlığı B2 sipariş gerçekleşmiş olduğunu gösterir. Kimyasal düzen parametresi S = 0.855 ± 0.001, metinde anlatılan yöntemi kullanılarak belirlendiği gibi. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig3highres.jpg" target="_blank">büyük rakam görmek için buraya tıklayın</a> <img alt="Şekil 4," fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig4.jpg" width="500" /> Şekil 4. Polikristal ile kapatılmış bir 50 nm kalınlığında ferh epilayer mıknatıslanma M sıcaklık bağımlılığıçizgi Al. Bu veriler, film düzlemi içinde uygulanan bir 50 Koe alanı ile alınmıştır. Geçiş sıcaklığı T, T yaklaşık 15 K. histerezis genişliği ile ~ 365 K olarak görüldüğü <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig4highres.jpg" target="_blank">büyük rakam görmek için buraya tıklayın</a> <img alt="Şekil 5," fo:content-width="5in" src="/files/ftp_upload/50603/50603fig5.jpg" width="500" /> Şekil 5,. Al ile kapatılmış bir 25 nm kalınlığında bir ferh tabakasının direnci ρ sıcaklık bağımlılığı. Ankastre sıcaklık T ile ilgili ρ bir türevidir. Geçiş sıcaklığı T, T AF fazına soğutma FM faz ve 375 K içine ısınma üzerine 447 K olduğu görülmektedir. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50603/50603fig5highres.jpg" target="_blank">büyük rakam görmek için buraya tıklayın</a> <table border="1"><tbody><tr><td> Tabaka </td><td> Yoğunluk (atom / nm 3) </td><td> Kalınlığı (nm) </td><td> Pürüzlülük (nm) </td></tr><tr><td> Al 2 O 3 pasivasyon tabakası </td><td> 25.5 ± 0.9 </td><td> 2.18 ± 0.08 </td><td> 1.0 ± 0.1 </td></tr><tr><td> Al cap </td><td> 60.6 ± 0.6 </td><td> 0.91 ± 0.02 </td><td> 0.6 ± 0.2 </td></tr><tr><td> Ferh epilayer </td><td> 38.7 ± 0.3 </td><td> 25.09 ± 0.06 </td><td> 0.400 ± 0.002 </td></tr><tr><td> MgO substrat </td><td> 53.4 ± 1.3 </td><td> ∞ </td><td> 0,1761 ± 0.0003 </td></tr></tbody></table> Tablo 1. Bu Şekil içinde ust ilavesinde gösterilen saçılma uzunluğu yoğunluk profiline yol açan, Şekil 2&#39;de gösterilen X-ışını yansıtma spektrumu için montaj parametreleri.

Watch this Scientific Journal Video about Sputter Growth and Characterization of Metamagnetic B2-ordered FeRh Epilayers at JoVE.com

Sputter Growth and Characterization of Metamagnetic B2-ordered FeRh Epilayers

Püskürtme ile sıralı alaşımları epitaksiyel tabakaları hazırlamak için bir yöntem tarif edilmektedir. Kimyasal düzen ve alaşımın tam bileşimin derecesine hassas olarak bir geçiş metamagnetic görüntüler gibi B2 sipariş ferh bileşiği, bir örnek olarak kullanılmıştır.

Metamagnetic B2 sıralı ferh Epilayers püskürtülerek Büyüme ve karakterizasyonu

Chemically ordered alloys are useful in a variety of magnetic nanotechnologies. They are most conveniently prepared at an industrial scale using ...

sputter-growth-characterization-metamagnetic-b2-ordered-ferh

Research

JoVE Journal

Engineering

14.5K Görüntüleme.  University of Leeds.  Püskürtme ile sıralı alaşımları epitaksiyel tabakaları hazırlamak için bir yöntem tarif edilmektedir. Kimyasal düzen ve alaşımın tam bileşimin derecesine hassas olarak bir geçiş metamagnetic görüntüler gibi B2 sipariş ferh bileşiği, bir örnek olarak kullanılmıştır. 

Video: Sputter Growth and Characterization of Metamagnetic B2-ordered FeRh Epilayers

Simulation, Fabrication and Characterization of THz Metamaterial Absorbers

Metamaterials (MM), artificial materials engineered to have properties that may not be found in nature, have been widely explored since the first theoretical1 and experimental demonstration2 of their unique properties. MMs can provide a highly controllable electromagnetic response, and to date have been demonstrated in every technologically relevant spectral range including the optical3, near IR4, mid IR5 , THz6 , mm-wave7 , microwave8 and radio9 bands. Applications include perfect lenses10, sensors11, telecommunications12, invisibility cloaks13 and filters14,15. We have recently developed single band16, dual band17 and broadband18 THz metamaterial absorber devices capable of greater than 80% absorption at the resonance peak. The concept of a MM absorber is especially important at THz frequencies where it is difficult to find strong frequency selective THz absorbers19. In our MM absorber the THz radiation is absorbed in a thickness of ~ &lambda;/20, overcoming the thickness limitation of traditional quarter wavelength absorbers. MM absorbers naturally lend themselves to THz detection applications, such as thermal sensors, and if integrated with suitable THz sources (e.g. QCLs), could lead to compact, highly sensitive, low cost, real time THz imaging systems.

This protocol outlines the simulation, fabrication and characterization of THz metamaterial absorbers. Such absorbers, when coupled with an appropriate sensor, have applications in THz imaging and spectroscopy.

THz metamalzeme Emiciler Simülasyon, Üretimi ve Karakterizasyonu

Metamaterials (MM),  artificial materials engineered to have properties that may not be found in  nature, have been widely explored since the first ...

Mühendislik

Fabrication And Characterization Of Photonic Crystal Slow Light Waveguides And Cavities

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view and for its considerable potential for practical applications. Slow light photonic crystal waveguides, in particular, have played a major part and have been successfully employed for delaying optical signals1-4 and the enhancement of both linear5-7 and nonlinear devices.8-11
Photonic crystal cavities achieve similar effects to that of slow light waveguides, but over a reduced band-width. These cavities offer high Q-factor/volume ratio, for the realization of optically12 and electrically13 pumped ultra-low threshold lasers and the enhancement of nonlinear effects.14-16 Furthermore, passive filters17 and modulators18-19 have been demonstrated, exhibiting ultra-narrow line-width, high free-spectral range and record values of low energy consumption.
To attain these exciting results, a robust repeatable fabrication protocol must be developed. In this paper we take an in-depth look at our fabrication protocol which employs electron-beam lithography for the definition of photonic crystal patterns and uses wet and dry etching techniques. Our optimised fabrication recipe results in photonic crystals that do not suffer from vertical asymmetry and exhibit very good edge-wall roughness. We discuss the results of varying the etching parameters and the detrimental effects that they can have on a device, leading to a diagnostic route that can be taken to identify and eliminate similar issues.
The key to evaluating slow light waveguides is the passive characterization of transmission and group index spectra. Various methods have been reported, most notably resolving the Fabry-Perot fringes of the transmission spectrum20-21 and interferometric techniques.22-25 Here, we describe a direct, broadband measurement technique combining spectral interferometry with Fourier transform analysis.26 Our method stands out for its simplicity and power, as we can characterise a bare photonic crystal with access waveguides, without need for on-chip interference components, and the setup only consists of a Mach-Zehnder interferometer, with no need for moving parts and delay scans.
When characterising photonic crystal cavities, techniques involving internal sources21 or external waveguides directly coupled to the cavity27 impact on the performance of the cavity itself, thereby distorting the measurement. Here, we describe a novel and non-intrusive technique that makes use of a cross-polarised probe beam and is known as resonant scattering (RS), where the probe is coupled out-of plane into the cavity through an objective. The technique was first demonstrated by McCutcheon et al.28 and further developed by Galli et al.29

Use of photonic crystal slow light waveguides and cavities has been widely adopted by the photonics community in many differing applications. Therefore fabrication and characterization of these devices are of great interest. This paper outlines our fabrication technique and two optical characterization methods, namely: interferometric (waveguides) and resonant scattering (cavities).

Fotonik Kristal Yavaş Işık Dalga Kılavuzları Ve Çürükler Üretimi ve Karakterizasyonu

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view ...

Design, Fabrication, and Experimental Characterization of Plasmonic Photoconductive Terahertz Emitters

In this video article we present a detailed demonstration of a highly efficient method for generating terahertz waves. Our technique is based on photoconduction, which has been one of the most commonly used techniques for terahertz generation 1-8. Terahertz generation in a photoconductive emitter is achieved by pumping an ultrafast photoconductor with a pulsed or heterodyned laser illumination. The induced photocurrent, which follows the envelope of the pump laser, is routed to a terahertz radiating antenna connected to the photoconductor contact electrodes to generate terahertz radiation. Although the quantum efficiency of a photoconductive emitter can theoretically reach 100%, the relatively long transport path lengths of photo-generated carriers to the contact electrodes of conventional photoconductors have severely limited their quantum efficiency. Additionally, the carrier screening effect and thermal breakdown strictly limit the maximum output power of conventional photoconductive terahertz sources. To address the quantum efficiency limitations of conventional photoconductive terahertz emitters, we have developed a new photoconductive emitter concept which incorporates a plasmonic contact electrode configuration to offer high quantum-efficiency and ultrafast operation simultaneously. By using nano-scale plasmonic contact electrodes, we significantly reduce the average photo-generated carrier transport path to photoconductor contact electrodes compared to conventional photoconductors 9. Our method also allows increasing photoconductor active area without a considerable increase in the capacitive loading to the antenna, boosting the maximum terahertz radiation power by preventing the carrier screening effect and thermal breakdown at high optical pump powers. By incorporating plasmonic contact electrodes, we demonstrate enhancing the optical-to-terahertz power conversion efficiency of a conventional photoconductive terahertz emitter by a factor of 50 10.

We describe methods for the design, fabrication, and experimental characterization of plasmonic photoconductive emitters, which offer two orders of magnitude higher terahertz power levels compared to conventional photoconductive emitters.

Plasmonik Foto iletken Terahertz Vericiler Tasarımı, İmalatı ve Deneysel Karakterizasyonu

In this video article we present a detailed demonstration of a highly efficient method for generating terahertz waves. Our technique is based on ...

Writing and Low-Temperature Characterization of Oxide Nanostructures

Oxide nanoelectronics is a rapidly growing field which seeks to develop novel materials with multifunctional behavior at nanoscale dimensions. Oxide interfaces exhibit a wide range of properties that can be controlled include conduction, piezoelectric behavior, ferromagnetism, superconductivity and nonlinear optical properties. Recently, methods for controlling these properties at extreme nanoscale dimensions have been discovered and developed. Here are described explicit step-by-step procedures for creating LaAlO3/SrTiO3 nanostructures using a reversible conductive atomic force microscopy technique. The processing steps for creating electrical contacts to the LaAlO3/SrTiO3 interface are first described. Conductive nanostructures are created by applying voltages to a conductive atomic force microscope tip and locally switching the LaAlO3/SrTiO3 interface to a conductive state. A versatile nanolithography toolkit has been developed expressly for the purpose of controlling the atomic force microscope (AFM) tip path and voltage. Then, these nanostructures are placed in a cryostat and transport measurements are performed. The procedures described here should be useful to others wishing to conduct research in oxide nanoelectronics.

Oxide nanostructures provide new opportunities for science and technology. The interfacial conductivity between LaAlO3 and SrTiO3 can be controlled with near-atomic precision using a conductive atomic force microscopy technique. The protocol for creating and measuring conductive nanostructures at LaAlO3/SrTiO3 interfaces is demonstrated.

Yazma ve Oksit Nanoyapıların Düşük Sıcaklık Karakterizasyonu

Oxide nanoelectronics is a rapidly growing field which seeks to develop novel materials with multifunctional behavior at nanoscale dimensions.  Oxide ...

Patterning via Optical Saturable Transitions - Fabrication and Characterization

This protocol describes the fabrication and characterization of nanostructures using a novel nanolithographic technique called Patterning via Optical Saturable Transitions (POST). In this technique the chemical properties of organic photochromic molecules that undergo single-photon reactions are exploited, enabling rapid top-down nanopatterning over large areas at low light intensities, thereby, allowing for the circumvention of the far-field diffraction barrier.4 Simple, cost-effective, high throughput and resolution alternatives to nanopatterning are being explored, such as, two-photon polymerization5,6, beam pen lithography (BPL)7, scanning electron beam lithography (SEBL), and focused ion beam (FIB) patterning. However, multi-photon approaches require high light intensities, which limit their potential for high throughput and offer low image contrast. Although, electron and ion beam lithographic processes offer increased resolution, the serial nature of the process is limited to slow writing speeds, which also prevents patterning of features over large areas. Beam-pen lithography is an approach towards parallel near-field optical lithography. However, the gap between the source of the beam and the surface of the photoresist needs to be controlled extremely precisely for good pattern uniformity and this is very challenging to accomplish for large arrays of beams. Patterning via Optical Saturable Transitions (POST) is an alternative optical nanopatterning technique for patterning sub-wavelength features1-3. Since this technique uses single photons instead of electrons, it is extremely fast and does not require high light intensities1-3, opening the door to massive parallelization.

We report that the diffraction limit of conventional optical lithography can be overcome by exploiting the transitions of organic photochromic derivatives induced by their photoisomerization at low light intensities.1-3 This paper outlines our fabrication technique and two locking mechanisms, namely: dissolution of one photoisomer and electrochemical oxidation.

Optik Doyurulabilen Geçişler aracılığıyla Desenlendirme - İmalat ve Karakterizasyonu

This protocol describes the fabrication and characterization of nanostructures using a novel nanolithographic technique called Patterning via Optical ...

Protocol of Electrochemical Test and Characterization of Aprotic Li-O2 Battery

We demonstrate a method for electrochemical testing of an aprotic Li-O2 battery. An aprotic Li-O2 battery is made of a Li-metal anode, an aprotic electrolyte, and an O2-breathing cathode. The aprotic electrolyte is a solution of lithium salt with aprotic solvent; and porous carbon is commonly used as the cathode substrate. To improve the performance, an electrocatalyst is deposited onto the porous carbon substrate by certain deposition methods, such as atomic layer deposition (ALD) and wet-chemistry reaction. The as-prepared cathode materials are characterized by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and X-ray absorption near edge structure (XANES). A Swagelok-type cell, sealed in a glass chamber filled with pure O2, is used for the electrochemical test on a battery test system. The cells are tested under either capacity-controlled mode or voltage controlled mode. The reaction products are investigated by electron microscopy, X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), attenuated total reflection Fourier transform infrared (ATR-FTIR) spectroscopy, and Raman spectroscopy to study the possible pathway of oxygen reduction reaction (ORR) and oxygen evolution reaction (OER). This protocol demonstrates a systematic and efficient arrangement of routine tests of the aprotic Li-O2 battery, including the electrochemical test and characterization of battery materials.

Protocol of Electrochemical Test and Characterization of Aprotic Li-O2 Battery

A protocol for the electrochemical testing of an aprotic Li-O2 battery with the preparation of electrodes and electrolytes and an introduction of the frequently used methods of characterization is presented here.

Protonsuz Li-O Elektrokimyasal Testi Protokol ve Karakterizasyonu<sub&gt; 2</sub&gt; Pil

We demonstrate a method for electrochemical testing of an aprotic Li-O2 battery. An aprotic Li-O2 battery is made of a Li-metal anode, an aprotic ...

Fabrication and Characterization of Superconducting Resonators

Superconducting microwave resonators are of interest for a wide range of applications, including for their use as microwave kinetic inductance detectors (MKIDs) for the detection of faint astrophysical signatures, as well as for quantum computing applications and materials characterization. In this paper, procedures are presented for the fabrication and characterization of thin-film superconducting microwave resonators. The fabrication methodology allows for the realization of superconducting transmission-line resonators with features on both sides of an atomically smooth single-crystal silicon dielectric. This work describes the procedure for the installation of resonator devices into a cryogenic microwave testbed and for cool-down below the superconducting transition temperature. The set-up of the cryogenic microwave testbed allows one to do careful measurements of the complex microwave transmission of these resonator devices, enabling the extraction of the properties of the superconducting lines and dielectric substrate (e.g., internal quality factors, loss and kinetic inductance fractions), which are important for device design and performance.

Superconducting microwave resonators are of interest for detection of light, quantum computing applications and materials characterization. This work presents a detailed procedure for fabrication and characterization of superconducting microwave resonator scattering parameters.

Süperiletken Rezonatörler Fabrikasyon ve Karakterizasyonu

Superconducting microwave resonators are of interest for a wide range of applications, including for their use as microwave kinetic inductance detectors ...

Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex donor-acceptor emitters is presented. With a step-by-step procedure, readers will be able to repeat and produce OLED devices based on simple organic emitters. A patterning procedure allowing the creation of personalized indium tin oxide (ITO) shape is shown. This is followed by the evaporation of all layers, encapsulation and characterization of each individual device. The end goal is to present a procedure that will give the opportunity to repeat the information presented in cited publication but also using different compounds and structures in order to prepare efficient OLEDs.

A protocol for the production of simple structured organic light-emitting diodes (OLEDs) is presented.

Vakum malzemelerin üretim ve organik ışık yayan diyotlar yatırılır

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex ...

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

The quasi 2D electron system (q2DES) that forms at the interface between LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) has attracted much attention from the oxide electronics community. One of its hallmark features is the existence of a critical LAO thickness of 4 unit-cells (uc) for interfacial conductivity to emerge. Although electrostatic mechanisms have been proposed in the past to describe the existence of this critical thickness, the importance of chemical defects has been recently accentuated. Here, we describe the growth of metal/LAO/STO heterostructures in an ultra-high vacuum (UHV) cluster system combining pulsed laser deposition (to grow the LAO), magnetron sputtering (to grow the metal) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). We study step by step the formation and evolution of the q2DES and the chemical interactions that occur between the metal and the LAO/STO. Additionally, magnetotransport experiments elucidate on the transport and electronic properties of the q2DES. This systematic work not only demonstrates a way to study the electrostatic and chemical interplay between the q2DES and its environment, but also unlocks the possibility to couple multifunctional capping layers with the rich physics observed in two-dimensional electron systems, allowing the fabrication of new types of devices.

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

We fabricate metal/LaAlO3/SrTiO3 heterostructures using a combination of pulsed laser deposition and in situ magnetron sputtering. Through magnetotransport and in situ X-ray photoelectron spectroscopy experiments, we investigate the interplay between electrostatic and chemical phenomena of the quasi two-dimensional electron gas formed in this system.

Büyüme ve Elektrostatik/kimyasal özellikleri Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

The quasi 2D electron system (q2DES) that forms at the interface between LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) has attracted much attention from the oxide ...

Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

This article describes a procedure for growing Mg3N2 and Zn3N2 films by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). The films are grown on 100 oriented MgO substrates with N2 gas as the nitrogen source. The method for preparing the substrates and the MBE growth process are described. The orientation and crystalline order of the substrate and film surface are monitored by the reflection high energy electron diffraction (RHEED) before and during growth. The specular reflectivity of the sample surface is measured during growth with an Ar-ion laser with a wavelength of 488 nm. By fitting the time dependence of the reflectivity to a mathematical model, the refractive index, optical extinction coefficient, and growth rate of the film are determined. The metal fluxes are measured independently as a function of the effusion cell temperatures using a quartz crystal monitor. Typical growth rates are 0.028 nm/s at growth temperatures of 150 &#176;C and 330 &#176;C for Mg3N2 and Zn3N2 films, respectively.

Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

This article describes the growth of epitaxial films of Mg3N2 and Zn3N2 on MgO substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy with N2 gas as the nitrogen source and optical growth monitoring.

Mg3n2 ve Zn3n2 Ince filmlerin plazma destekli moleküler ışın epitaxy büyümesi

This article describes a procedure for growing Mg3N2 and Zn3N2 films by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). The films are grown on 100 oriented ...