紫外发光二极管纳米图案蓝宝石基板的AlN薄膜的石墨烯辅助准范德瓦尔斯皮Taxy

这种用于纳米图案蓝宝石基板和石墨烯层快速生长的亚硝酸盐新协议可用于快速、廉价地生成高性能深紫外 LED。以二鳗石墨烯为氮化铝模板，显示了铝、亚硝酸氧化铝应用的增长潜力。首先，用丙酮、乙醇和去压水冲洗NPSS三次。

用氮枪擦干核动力源。将 NPSS 加载到三区高温炉中，具有长平的温度区。将炉子加热到1050摄氏度。

将温度稳定在每分钟500标准立方厘米和每分钟300标准立方厘米的氢气分之一下下10分钟。然后将每分钟30个标准立方厘米的甲烷引入反应室，使NPSS上的石墨烯生长3小时。在生长反应结束时，关闭甲烷，让NPSS自然冷却。

用去电化水冲洗冷却的基材。用氮枪擦干核动力源。然后，用氮等离子体蚀刻石墨烯NPSS，氮流速为每分钟300标准立方厘米，30秒。

和50瓦的功率在无功离子蚀刻室。对于石墨烯 NPSS 上的 MOCVD 铝氮生长，编辑 MOCVD 铝氮生长配方。将石墨烯 NPSS 及其 NPSS 对应物装入自制的 MOCVD 腔室。

加热12分钟后，温度将稳定在1200摄氏度。然后引入每分钟7000个标准立方厘米的氢气作为环境。每分钟 70 标准立方厘米三甲基铝。

每分钟500标准立方厘米氨气两小时。根据手稿指示，继续进行铝氦氮量子井的MOCVD生长。完成后，将腔室温度降至800摄氏度，用氮气将P型层跪下20分钟。

对于基于深紫外 LED 的铝氦氮制造，将光抗 4620 旋转到晶圆上，并执行光刻，具有 8 秒的紫外线照射、30 秒的开发时间和 2 分钟的冲洗时间。对于P-加仑氮的电感耦合等离子蚀刻，将蚀刻功率设置为450瓦，将蚀刻压力设置为4毫角，将蚀刻速率设置为5.6纳米/秒。将蚀刻样品放入80摄氏度的丙酮中5分钟。

其次是用乙醇和去水清洗。旋转负光抗 NR9 和光刻，紫外线照射时间 12 秒，开发时间 20 秒，冲洗时间 2 分钟。用丙酮、乙醇和去维水清洗样品三次。

并沉积钛铝钛金通过电子束蒸发。在相同设置下旋转负光电阻 NR9 和光刻。用丙酮、乙醇和去维化水洗三次，无需超声波。

通过电子束蒸发沉积镍金。用乙醇和去水洗样品三次。在300摄氏度的沉积温度和每分钟100纳米的沉积速率下，通过等离子体增强的化学气相沉积沉积300纳米的二氧化硅。

在紫外线照射时间8秒时旋转光抗304和光刻，开发时间为1分钟，冲洗时间为2分钟，然后将晶圆浸入23%的氢氟酸中15秒。用乙醇和去维水清洗样品三次。用氮枪擦干晶圆。

以NR9为证明的光刻后，通过电子束蒸发沉积铝钛金。用乙醇和去维水洗样品三次。经过最后一次洗磨，通过机械抛光将蓝宝石抛光至130微米。

用脱蜡溶液和去维化水清洗样品。然后使用激光将整个晶圆切成0.5由0.5毫米的器件片。并使用机械骰子将晶圆切成芯片。

扫描和传输电子显微镜成像可用于确定石墨烯和NPSS铝氮的形态。拉面可用于计算错位密度和残余应力。电致发光用于说明制造的深度紫外线 LED 的照明。

请记住，每次新修改之前，晶圆必须清洁。因此，在每一步之前彻底冲洗晶圆至关重要。