Herstellung von großflächigen vertikale 2D Crystal Hetero-Strukturen durch Sulfurization Übergangsmetall Filme für Gerät Herstellung

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08:50 min

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November 28th, 2017

DOI :

10.3791/56494-v

November 28th, 2017

•

Chong-Rong Wu¹^,², Tung-Wei Chu²^,³, Kuan-Chao Chen¹^,², Shih-Yen Lin¹^,²

¹Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, ²Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, ³Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

Zusammenfassung

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Technik

Ausgabe 129

vertikale 2D Hetero Kristallstrukturen

bergang Metall Dichalcogenides

Sulfurization

Hochfrequenz Sputtern

Film

die bertragung von Transistoren

Kapitel in diesem Video

0:05

Title

0:47

WS₂/MoS₂Vertical Heterostructure Growth

3:49

Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer

6:21

Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance

8:11

Conclusion

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