Preparación de gran superficie 2D cristal Hetero-estructuras verticales por el Sulfurization de películas de Metal de la transición para la fabricación de dispositivos

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•

08:50 min

•

November 28th, 2017

DOI :

10.3791/56494-v

November 28th, 2017

•

Chong-Rong Wu¹^,², Tung-Wei Chu²^,³, Kuan-Chao Chen¹^,², Shih-Yen Lin¹^,²

¹Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, ²Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, ³Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

Resumen

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Ingenier a

n mero 129

Vertical 2D hetero las estructuras cristalinas

transici n metal dichalcogenides sulfurization

frecuencia de radio de la farfulla

pel cula de transferencia

transistores

Capítulos en este video

0:05

Title

0:47

WS₂/MoS₂Vertical Heterostructure Growth

3:49

Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer

6:21

Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance

8:11

Conclusion

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