Ohmsche Kontakt Fabrication unter Verwendung eines fokussierten Ionenstrahl-Technik und Elektrische Charakterisierung für Layer-Halbleiter-Nanostrukturen

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08:12 min

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December 5th, 2015

DOI :

10.3791/53200-v

December 5th, 2015

•

Ruei-San Chen¹, Chih-Che Tang², Wei-Chu Shen², Ying-Sheng Huang²

¹Graduate Institute of Applied Science and Technology, National Taiwan University of Science and Technology, ²Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology

Zusammenfassung

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Engineering

Ausgabe 106

fokussierte Ionenstrahl FIB

ohmschen Kontakt

Halbleiterschicht

Molybd n Diselenid MoSe 2

Molybd ndisulfid MoS 2

Elektrische Leitf higkeit

Rasterkraftmikroskopie AFM

hochaufl sende Transmissionselektronenmikroskopie HRTEM

Feinbereichselektronenbeugung SAED

Energiedispersive R ntgenspektroskopie EDX

Kapitel in diesem Video

0:05

Title

0:57

Exfoliation of MoSe₂ Layer Nanocrystals

2:01

Dispersion of the Layer Nanocrystals onto the Device Template

2:42

Electrode Fabrication by Focused-ion Beam

6:14

Results: Characteristics of Ohmic Contacts

7:33

Conclusion

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