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12.2 : Configuraciones de BJT

Los transistores de unión bipolar (BJT) se clasifican en varios tipos según sus configuraciones, cada uno con características y aplicaciones distintas. Las configuraciones se diferencian principalmente por qué terminal (base, emisor o colector) es común a los circuitos de entrada y salida.

La configuración de base común destaca por su ganancia de alto voltaje, lo que la posiciona como una opción ideal para circuitos amplificadores de una sola etapa, como preamplificadores de micrófono. Una característica notable de esta configuración es su tendencia a reducir la señal de corriente de entrada, ya que la corriente del colector de salida suele ser menor que la corriente del emisor de entrada.

Por el contrario, la configuración de emisor común es el tipo más utilizado en amplificadores basados ​​en transistores, debido a su impedancia de entrada, corriente y ganancia de potencia superiores en comparación con la configuración de base común. Funciona como un amplificador inversor, produciendo una señal de salida desfasada 180 grados con la señal de entrada, lo que lo hace esencial para diversas necesidades de amplificación.

Por último, la configuración del colector común, también conocida como circuito seguidor de emisor o seguidor de voltaje, es reconocida por su impedancia de entrada excepcionalmente alta y su impedancia de salida relativamente baja. Aunque su ganancia de voltaje es ligeramente menor que uno, proporciona una amplificación de corriente sustancial. Esta configuración, que no invierte la señal de entrada, es particularmente útil para igualar impedancias y sirve como amortiguador de voltaje en numerosas aplicaciones. Cada configuración ofrece ventajas únicas, lo que hace que los BJT sean componentes versátiles en el diseño de circuitos electrónicos.

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Bipolar Junction TransistorsBJTsConfigurationsCommon BaseCommon EmitterCommon CollectorVoltage GainAmplifier CircuitsInput ImpedanceCurrent AmplificationVoltage FollowerImpedance MatchingElectronic Circuit Design

Del capítulo 12:

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12.2 : Configuraciones de BJT

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12.1 : Transistor de unión bipolar

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12.3 : Principio de funcionamiento de BJT

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12.4 : Características del BJT

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12.5 : Modos de operación de BJT

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12.6 : Respuesta de frecuencia de BJT

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12.7 : Frecuencia de corte de BJT

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12.8 : Cambio de BJT

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12.9 : Amplificadores BJT

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12.10 : Análisis de pequeñas señales de amplificadores BJT

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12.11 : Transistor de efecto de campo

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12.12 : Características de JFET

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12.13 : Sesgo de los FET

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12.14 : Condensador MOS

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12.15 : MOSFET

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