12.2 : Konfigurationen von BJT

Bipolar Junction Transistors (BJTs) werden basierend auf ihrer Konfiguration in verschiedene Typen eingeteilt, die jeweils unterschiedliche Eigenschaften und Anwendungen aufweisen. Die Konfigurationen unterscheiden sich hauptsächlich dadurch, welcher Anschluss – Basis, Emitter oder Kollektor – sowohl für die Eingangs- als auch für die Ausgangsschaltungen gemeinsam ist.

Die gemeinsame Basiskonfiguration ist für ihre hohe Spannungsverstärkung bekannt, was sie zur idealen Wahl für einstufige Verstärkerschaltungen wie Mikrofonvorverstärker macht. Ein bemerkenswertes Merkmal dieser Konfiguration ist ihre Tendenz, das Eingangsstromsignal zu reduzieren, da der Ausgangskollektorstrom typischerweise niedriger ist als der Eingangsemitterstrom.

Umgekehrt ist die gemeinsame Emitterkonfiguration der am häufigsten verwendete Typ in transistorbasierten Verstärkern, aufgrund ihrer überlegenen Eingangsimpedanz, Stromstärke und Leistungsverstärkung im Vergleich zur gemeinsamen Basiskonfiguration. Sie fungiert als invertierender Verstärker und erzeugt ein Ausgangssignal, das 180 Grad phasenverschoben zum Eingangssignal ist, was sie für verschiedene Verstärkungsanforderungen unverzichtbar macht.

Schließlich ist die Kollektorschaltung, auch als Emitterfolger- oder Spannungsfolgerschaltung bekannt, für ihre außergewöhnlich hohe Eingangsimpedanz und relativ niedrige Ausgangsimpedanz bekannt. Obwohl ihre Spannungsverstärkung etwas kleiner als eins ist, bietet sie eine erhebliche Stromverstärkung. Diese Konfiguration, die das Eingangssignal nicht invertiert, ist besonders nützlich für die Impedanzanpassung und dient in zahlreichen Anwendungen als Spannungspuffer. Jede Konfiguration bietet einzigartige Vorteile, was BJTs zu vielseitigen Komponenten im elektronischen Schaltungsdesign macht.