JoVE Logo

Войдите в систему

12.2 : Конфигурации биполярных переходных транзисторов

Биполярные переходные транзисторы (BJT) подразделяются на различные типы в зависимости от их конфигурации, каждая из которых имеет свои собственные характеристики и области применения. Конфигурации в первую очередь различаются тем, какой вывод — база, эмиттер или коллектор — является общим как для входной, так и для выходной цепи.

Конфигурация с общей базой отличается высоким коэффициентом усиления по напряжению, что делает ее идеальным выбором для схем однокаскадных усилителей, таких как микрофонные предусилители. Примечательной характеристикой этой конфигурации является ее тенденция к уменьшению входного токового сигнала, поскольку ток выходного коллектора обычно ниже, чем входной ток эмиттера.

И наоборот, конфигурация с общим эмиттером является наиболее широко используемым типом в усилителях на основе транзисторов благодаря ее превосходному входному сопротивлению, току и коэффициенту усиления по мощности по сравнению с конфигурацией с общей базой. Он работает как инвертирующий усилитель, создавая выходной сигнал, который на 180 градусов сдвинут по фазе с входным сигналом, что делает его незаменимым для различных нужд усиления.

Наконец, схема с общим коллектором, также известная как эмиттерный повторитель или схема повторителя напряжения, известна своим исключительно высоким входным сопротивлением и относительно низким выходным сопротивлением. Хотя его коэффициент усиления по напряжению немного меньше единицы, он обеспечивает существенное усиление тока. Эта конфигурация, которая не инвертирует входной сигнал, особенно полезна для согласования импеданса и служит в качестве буфера напряжения во многих приложениях. Каждая конфигурация предлагает уникальные преимущества, что делает биполярные транзисторы универсальными компонентами при проектировании электронных схем.

Теги

Bipolar Junction TransistorsBJTsConfigurationsCommon BaseCommon EmitterCommon CollectorVoltage GainAmplifier CircuitsInput ImpedanceCurrent AmplificationVoltage FollowerImpedance MatchingElectronic Circuit Design

Из главы 12:

article

Now Playing

12.2 : Конфигурации биполярных переходных транзисторов

Transistors

377 Просмотры

article

12.1 : Биполярный транзистор.

Transistors

574 Просмотры

article

12.3 : Принцип работы BJT

Transistors

386 Просмотры

article

12.4 : Характеристики BJT

Transistors

629 Просмотры

article

12.5 : Режимы работы BJT

Transistors

954 Просмотры

article

12.6 : Частотная характеристика BJT

Transistors

741 Просмотры

article

12.7 : Предельная частота BJT

Transistors

634 Просмотры

article

12.8 : Переключение BJT

Transistors

364 Просмотры

article

12.9 : BJT-усилители

Transistors

392 Просмотры

article

12.10 : Анализ малых сигналов биполярных переходных транзисторных усилителей (BJT)

Transistors

965 Просмотры

article

12.11 : Полевой транзистор

Transistors

302 Просмотры

article

12.12 : Характеристики JFET

Transistors

416 Просмотры

article

12.13 : Смещение полевых транзисторов (FET)

Transistors

217 Просмотры

article

12.14 : МОП-конденсатор

Transistors

707 Просмотры

article

12.15 : Транзистор MOSFET

Transistors

422 Просмотры

See More

JoVE Logo

Исследования

Образование

О JoVE

Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены