Desarrollo de OLEDs eficientes a partir de la deposición de soluciones

Resumen

Aquí se presenta un protocolo para la fabricación de diodos orgánicos emisores de luz eficientes, simples y depositados en solución con bajo roll-off.

Resumen

El uso de emisores orgánicos altamente eficientes basados en el concepto de fluorescencia retardada activada térmicamente (TADF) es interesante debido a su eficiencia cuántica interna del 100%. Aquí se presenta un método de deposición de soluciones para la fabricación de diodos orgánicos emisores de luz (OLED) eficientes basados en un emisor TADF en una estructura de dispositivo simple. Este proceso rápido, de bajo costo y eficiente se puede utilizar para todas las capas emisivas OLED que siguen el concepto host-guest. Los pasos fundamentales se describen junto con la información necesaria para una mayor reproducción. El objetivo es establecer un protocolo general que pueda adaptarse fácilmente a los principales emisores orgánicos actualmente en estudio y desarrollo.

Introducción

El aumento de la electrónica orgánica utilizada en la vida diaria se ha convertido en una realidad insuperable. Entre varias aplicaciones electrónicas orgánicas, los OLED son quizás los más atractivos. Su calidad de imagen, resolución y pureza de color han hecho de los OLED una opción principal para las pantallas. Además, la posibilidad de lograr una gran emisión de área en OLED extremadamente delgados, flexibles, livianos y fáciles de ajustar el color tiene aplicaciones en iluminación. Sin embargo, algunos problemas tecnológicos asociados con el proceso de fabricación en emisores de gran área han pospuesto su aplicación.

Con el primer OLED trabajando a bajos voltajes aplicados¹, se han diseñado nuevos paradigmas para la iluminación de estado sólido, aunque con baja eficiencia cuántica externa (EQE). El EQE OLED se obtiene por la relación entre los fotones emitidos (luz) y los portadores eléctricos inyectados (corriente eléctrica). Una estimación teórica simple para el EQE máximo esperado es igual a η_salida x η_int ²_. La eficiencia interna (η_int) se puede aproximar por η_int = γ x x Φ PL, donde γ corresponde al factor de equilibrio de carga_, Φ_PL es el rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY), y es la eficiencia de la generación de excitones emisivos (par de agujeros de electrones). Finalmente, η_es la eficiencia de desacoplamiento². Si no se considera el desacoplamiento, la atención se centra en tres temas: (1) qué tan eficiente es el material para crear excitones que se recombinan radiativamente, (2) qué tan eficientes son las capas emisivas y (3) qué tan eficiente es la estructura del dispositivo para promover un sistema eléctrico bien equilibrado³.

Un emisor orgánico puramente fluorescente tiene solo un 25% de eficiencia cuántica interna (IQE). De acuerdo con las reglas de espín, la transición radiativa de un triplete a un singlete (T→S) está prohibida⁴. Por lo tanto, el 75% de los portadores eléctricos excitados no contribuyen a la emisión de fotones⁵. Este problema se superó por primera vez utilizando metales de transición en OLED de fosforescencia de emisores orgánicos 6,7,8,9,10, donde el IQE estaba cerca del 100%11,12,13,14,15,16 . Esto se debe al acoplamiento espín-órbita entre el compuesto orgánico y el metal de transición pesado. La desventaja en tales emisores es su alto costo y poca estabilidad. Recientemente, los informes sobre la síntesis química de un compuesto orgánico puro con separación de baja energía entre los estados triplete excitado y singlete (∆E_ST) por Adachi^17,18 han dado lugar a un nuevo marco. Aunque no es nuevo¹⁹, el empleo exitoso del proceso TADF en OLED ha permitido obtener altas eficiencias sin utilizar complejos de metales de transición.

En tales emisores orgánicos libres de metal, existe una alta probabilidad de que los portadores excitados en un estado triplete se llenen al estado singlete; por lo tanto, el IQE puede alcanzar un límite teórico del 100%5,20,21,22. Estos materiales TADF proporcionan excitones que pueden recombinarse radiativamente. Sin embargo, estos emisores requieren dispersión en un host matriz para evitar la extinción de emisiones 3,20,21,23,24 en un concepto host-invitado. Además, su eficiencia depende de cómo el huésped (matriz orgánica) es apropiado para el huésped (TADF) material²⁵. Además, es necesario idealizar la estructura del dispositivo (es decir, capas delgadas, materiales y espesor) para lograr un dispositivo eléctricamente equilibrado (equilibrio entre huecos y electrones para evitar pérdidas)²⁶. Lograr el mejor sistema host-huésped para un dispositivo eléctricamente equilibrado es fundamental para aumentar la EQE. En los sistemas basados en TADF, esto no es simple, debido a los cambios en las movilidades de la portadora eléctrica en EML que no se ajustan fácilmente.

Con los emisores TADF, los valores de EQE superiores al 20% son fáciles de obtener^26,27,28,29. Sin embargo, la estructura del dispositivo se compone típicamente de tres a cinco capas orgánicas (transporte de agujeros / bloqueo y transporte de electrones / capas de bloqueo, HTL / HBL y ETL / EBL, respectivamente). Además, se fabrica utilizando un proceso de evaporación térmica que es de alto costo, tecnológicamente complejo y casi solo para aplicaciones de visualización. Dependiendo de los niveles de HOMO (orbital molecular ocupado más alto) y LUMO (orbital molecular desocupado más bajo), movilidad eléctrica de los portadores y espesor, cada capa puede inyectar, transportar y bloquear portadores eléctricos y garantizar la recombinación en la capa emisiva (EML).

La reducción de la complejidad del dispositivo (por ejemplo, una estructura simple de dos capas) generalmente resulta en una disminución notable de EQE, a veces a menos del 5%. Esto sucede debido a la diferente movilidad de electrones y agujeros en el EML, y el dispositivo se desequilibra eléctricamente. Por lo tanto, en lugar de la alta eficiencia de la creación de excitones, la eficiencia de emisión en el EML se vuelve baja. Además, se produce un roll-off notable con una fuerte disminución del EQE a medida que aumenta el brillo, debido a la alta concentración de excitones a un alto voltaje aplicado y largas vidas excitadas 24,30,31. Superar estos problemas requiere una gran capacidad para manipular las propiedades eléctricas de la capa emisiva. Para una arquitectura OLED simple que utiliza métodos depositados en solución, las propiedades eléctricas del EML pueden ajustarse mediante los parámetros de preparación y deposición de la solución³².

Los métodos de deposición de soluciones para dispositivos de base orgánica se han utilizado previamente³¹. La fabricación OLED, en comparación con el proceso de evaporación térmica, es de gran interés debido a su estructura simplificada, bajo costo y producción de gran área. Con un alto éxito en los OLED de complejos de metales de transición, el objetivo principal es aumentar el área de emisión pero mantener la estructura del dispositivo lo más simple posible³³. Métodos como rollo a rollo (R2R)34,35,36, impresión de inyección de tinta^37,38,39 y slot-die⁴⁰ se han aplicado con éxito en la fabricación multicapa de OLED, que es un posible enfoque industrial.

A pesar de que los métodos de deposición de soluciones para capas orgánicas sirven como una buena opción para la simplificación de la arquitectura del dispositivo, no todos los materiales deseados se pueden depositar fácilmente. Se utilizan dos tipos de materiales: moléculas pequeñas y polímeros. En los métodos de deposición de solución, las moléculas pequeñas tienen algunos inconvenientes, como la mala uniformidad de la película delgada, la cristalización y la estabilidad. Por lo tanto, los polímeros se utilizan principalmente debido a la capacidad de formar películas delgadas uniformes con baja rugosidad superficial y en sustratos grandes y flexibles. Además, los materiales deben tener buena solubilidad en el disolvente apropiado (principalmente orgánicos como cloroformo, clorobenceno, diclorobenceno, etc.), agua o derivados del alcohol.

Además del problema de la solubilidad, es necesario garantizar que un disolvente utilizado en una capa no actúe como uno para la capa anterior. Esto permite una estructura multicapa depositada por el proceso húmedo; Sin embargo, hay limitaciones⁴¹. La estructura más típica del dispositivo utiliza algunas capas depositadas en solución (es decir, la emisiva) y una capa evaporada térmicamente (ETL). Además, la homogeneidad y morfología de la película delgada dependen en gran medida de los métodos y parámetros de deposición. El transporte de carga eléctrica a través de estas capas está completamente gobernado por dicha morfología. Sin embargo, se debe establecer juiciosamente una compensación entre el dispositivo final deseado y las compatibilidades del proceso de fabricación. Ajustar los parámetros de deposición es clave para el éxito, a pesar de ser un trabajo que consume mucho tiempo. Por ejemplo, el recubrimiento por centrifugado no es una técnica sencilla. Aunque parezca simple, hay varios aspectos de la formación de película delgada a partir de una solución sobre un sustrato giratorio que requieren atención.

Además de la optimización del espesor de la película, la manipulación de la velocidad de giro y el tiempo (el espesor es una disminución exponencial de ambos parámetros), las acciones del experimentador también deben ajustarse para obtener buenos resultados. Los parámetros correctos también dependen de la viscosidad de la solución, el área de deposición y la humectabilidad/ángulo de contacto de la solución sobre el sustrato. No hay conjuntos únicos de parámetros. Solo los supuestos básicos con ajustes específicos a la solución/sustrato producen los resultados deseados. Además, las propiedades eléctricas que dependen de la conformación molecular y la morfología de la capa se pueden optimizar para obtener los resultados deseados, siguiendo el protocolo descrito aquí. Una vez completado, el proceso es simple y factible.

Sin embargo, la disminución de la complejidad de la estructura del dispositivo conduce a una disminución máxima de EQE; Aunque, se puede lograr un compromiso en términos de eficiencia vs. brillo. Como tal compromiso permite aplicaciones prácticas, el excedente de un proceso simple, compatible con áreas grandes y de bajo costo puede convertirse en una realidad. En este artículo se describen estos requisitos y cómo desarrollar una receta para controlar los problemas necesarios.

El protocolo se centra en un emisor verde TADF 2PXZ-OXD [2,5-bis(4-(10H-fenoxazin-10-il)fenil)-1,3,4-oxadiazol]⁴² como invitado en una matriz huésped compuesta por PVK [poli(N-vinilcarbazol)] y OXD-7 [1,3-Bis[2-(4-terc-butilfenil)-1,3,4-oxadiazo-5-il]benceno], que corresponde al LME. Se utiliza una capa de transporte de electrones (ETL) de TmPyPb [1,3,5-Tri(m-piridina-3-ilfenil)benceno]. Tanto las funciones de trabajo del ánodo como las del cátodo están optimizadas. El ánodo está compuesto de ITO (óxido de indio y estaño) con un polímero altamente conductor PEDOT: PSS [poli (3,4-etilendioxitiofeno) -poli (estirenosulfonato)], y el cátodo está compuesto por una doble capa de aluminio y LiF (fluoruro de litio).

Finalmente, tanto el PEDOT:PSS como el EML (PVK: OXD-7: 2PXZ-OXD) se depositan mediante recubrimiento de centrifugado, mientras que TmPyPb, LiF y Al se evaporan térmicamente. Teniendo en cuenta la naturaleza metálica conductora de PEDOT: PSS, el dispositivo es una típica "capa de dos orgánicos" en la estructura más simple posible. En el EML, el invitado TADF (10% peso) se dispersa en el huésped (90% peso) compuesto por PVK_0.6 + OXD-7_0.4.

Protocolo

PRECAUCIÓN: Los siguientes pasos implican el uso de diferentes solventes y materiales orgánicos, por lo que se debe tener el cuidado adecuado al manipular. Use la campana extractora y el equipo de protección, como anteojos de laboratorio, máscaras faciales, guantes y batas de laboratorio. El pesaje de los materiales debe realizarse con precisión utilizando una báscula de alta precisión. Para garantizar la limpieza de los sustratos, la deposición de la solución de películas delgadas y la evaporación, se recomienda que todos los procedimientos se realicen en un ambiente controlado o guantera. Antes de utilizar un centrifugador, micropipetas, evaporadores térmicos, materiales orgánicos y disolventes, deben consultarse todas las fichas de datos de seguridad.

1. Preparación de la solución host-guest

1. En dos viales pequeños (volumen entre 4-6 ml, limpiados con isopropanol y secados con nitrógeno), pesar la matriz del huésped compuesta de 12 mg de PVK y 8 mg de OXD-7. Comience con el pesaje del OXD-7. Compense cualquier desviación en el peso utilizando PVK para lograr una relación final de 6:4 (PVK:OXD-7). En el segundo vial, pesar 10 mg de emisor 2PXZ-OXD TADF.
2. Añadir 2 ml de clorobenceno al vial con matriz huésped y 1 ml al vial con material TADF. Si los pesos de cualquier vial no son exactamente los valores descritos anteriormente, ajuste el volumen de clorobenceno en ambos viales para lograr una solución con una concentración final de 10 mg / ml.
3. Deje las soluciones agitando con pequeñas barras magnéticas limpias durante al menos 3 h para garantizar la disolución completa de los materiales. Asegúrese de que los viales estén cubiertos de forma segura con las tapas respectivas y sellados herméticamente con una película orgánica segura para productos químicos para evitar la evaporación de los disolventes.

2. Limpieza del sustrato

NOTA: Para manipular los sustratos, use un par de pinzas, tocando solo en una esquina (nunca toque el centro de los sustratos). Los sustratos utilizados aquí tienen seis píxeles ITO prediseñados (Figura 1A).

1. Obtenga sustratos ITO prediseñados. Limpie los sustratos en un baño ultrasónico que contenga una solución de Hellmanex al 1% v/v en agua, acetona y 2-propanol (IPA), secuencialmente, durante 15 minutos en cada baño. Realizar el primer baño a aproximadamente 95 °C y el restante a temperatura ambiente (RT). Finalmente, seque los sustratos utilizando flujo de nitrógeno para eliminar cualquier residuo de disolvente de limpieza.
2. Antes de la fabricación, exponga los sustratos (película ITO hacia arriba) al tratamiento con ozono UV durante 5 minutos. Extraiga cuidadosamente los gases y asegúrese de que la cara con patrón ITO esté expuesta a los rayos UV. Aquí, use un limpiador de ozono (100 W, 40 kHz). Ajuste la longitud de onda de emisión de las lámparas UV a 185 nm y 254 nm con una lámpara de descarga de vapor de mercurio de alta intensidad y baja presión.

3. Recubrimiento por centrifugado

Este es el paso más importante de este protocolo. Para garantizar la uniformidad, homogeneidad y ausencia de agujeros en las películas delgadas, todos los disolventes deben filtrarse con sus respectivos papeles de filtro. Se debe garantizar la eliminación completa del exceso de disolventes de los sustratos para evitar cualquier cortocircuito en el dispositivo final. Para los sustratos utilizados aquí, la eliminación del exceso de materiales del ITO y el cátodo estampados también es importante para fijar el píxel final, y debe realizarse con alta precisión, sin alterar el área activa del píxel. Se deben seguir los pasos descritos a continuación para el recubrimiento por centrifugado de las películas delgadas. El grosor final de la película delgada variará si se utiliza un recubridor de centrifugado diferente al utilizado aquí.

1. Prepare el equipo de centrifugado.
   NOTA: Antes de utilizar el recubridor de centrifugado, es necesario realizar una calibración de curva con los parámetros de deposición y espesor final obtenidos para las películas. Esto debe hacerse para cada solución empleada. El procedimiento consiste en realizar varias deposiciones para la misma solución pero con diferentes parámetros, y el espesor final se mide con un perfilómetro. La figura 2 muestra una curva de calibración típica para una capa activa.
2. Deposite PEDOT:PSS como la primera capa encima de ITO. Filtre el PEDOT:PSS con un filtro de fluoruro de polivinilideno (PVDF) de 0,45 μm. Llenar una micropipeta con 100 μL de PEDOT:PSS.
3. Coloque cuidadosamente el sustrato en el mandril de centrifugado y active el sistema de vacío para fijar el sustrato (Figura 1B, C). Gire el ITO boca arriba y ajuste para centrar el área del sustrato tanto como sea posible. Ajuste los parámetros para el recubrimiento de centrifugado a 5.000 rpm durante 30 s. Establezca un paso inicial utilizando el recubridor de centrifugado de ~2–3 s a baja rotación (200–500 rpm). Se espera un espesor de 30 nm.
4. Manteniendo la micropipeta perpendicular al sustrato (Figura 1D), deje caer la solución (100 μL) en el centro del sustrato (Figura 1D) y comience el recubridor de centrifugado (Figura 1E).
   NOTA: No deje caer la solución demasiado rápido o lentamente para evitar el riesgo de propagación no homogénea de la solución (dependiendo de la viscosidad, el ángulo de contacto puede no ser ideal). Por lo general, dejar caer la solución en ~ 1 s es ideal. No toque el sustrato con la micropipeta e intente sincronizar entre el inicio de la recubridora de centrifugado y la caída de la solución. Si no se dispone de un ajuste de deposición en dos pasos (como se explica en el paso 3.3), considere una deposición estática: deje caer la solución primero y, a continuación, inicie la recubridora de centrifugado inmediatamente después. La caída de la solución debe hacerse con cuidado. Todas las soluciones deben dejarse caer en el centro del eje de rotación y formar un punto uniforme para evitar no uniformidades durante el proceso. Tenga en cuenta que, aunque estas reglas son ideales para una buena deposición de película, la técnica de recubrimiento por centrifugado es difícil de optimizar (es decir, requiere varios pasos de preoptimización). Además, depende de la viscosidad de la solución, el área deseada de deposición, cómo se deja caer la solución sobre el sustrato y el inicio del hilado. Un ejemplo de buena formación de película a escala microscópica se puede ver en la Figura 3 como una imagen AFM.
5. Complete el paso de recubridor de centrifugado (Figura 1F). Apague la aspiradora y, con una pinza, retire el sustrato. Con la ayuda de un pequeño bastoncillo de algodón empapado en agua (es decir, el disolvente PEDOT:PSS; Figura 1G), retire el exceso de película depositada alrededor del cátodo y las áreas de esquina del sustrato, manteniendo intacta el área central pixelada.
6. Mantener el sustrato en un horno o en una placa caliente a 120 °C durante 15 min para eliminar el disolvente PEDOT:PSS (agua). Retire del horno o placa caliente, muévala a una guantera y deje enfriar a RT (Figura 1H).
7. Prepare la solución para el EML. En un vial limpio nuevo (ver paso 1.1), con una micropipeta, preparar una nueva solución compuesta por 1,8 ml de solución huésped y 0,2 ml de solución TADF. Antes de usar la solución, filtre con un filtro de PTFE de 0,1 μm.
8. Deje la nueva solución agitando durante 15 minutos en RT.
9. Siguiendo los pasos 3.3–3.5, haga la deposición de esta segunda solución en una recubridora de centrifugado en la guantera. Girar a 2.000 rpm durante 60 s. El grosor esperado de la película debe ser de 50 nm. Para eliminar cualquier exceso de la segunda película, use bastoncillos de algodón empapados en clorobenceno.
10. Deje los sustratos en una placa caliente dentro de la guantera a 70 °C durante 30 minutos para eliminar completamente el exceso de clorobenceno.
11. Retire los sustratos de la placa caliente y deje enfriar a RT.
12. Para precauciones adicionales, considere algunas pruebas de temperatura / tiempo (indirectamente, tasa de evaporación) para diferentes solventes. La morfología de la película final depende en gran medida de estos parámetros. Una simple prueba de AFM puede ser útil para confirmar que la tasa de evaporación del disolvente es adecuada. La estructura final de las películas delgadas depositadas debe ser más o menos similar al esquema de la Figura 1I.

4. Evaporación de materiales

NOTA: Para una mejor evaporación, el vacío mínimo requerido suele ser una presión inferior a 5 x ^10-5 mbar. Para todos los materiales orgánicos, la velocidad de evaporación debe mantenerse por debajo de 2 Å / s para reducir la rugosidad y uniformidad de las capas. Para LiF, la tasa de evaporación debe ser inferior a 0,2 Å/s. El incumplimiento de esto puede resultar en emisiones no uniformes. Si aún no lo ha hecho, programe el sistema de sensor piezoeléctrico (que mide el espesor de deposición y la velocidad de evaporación) con los parámetros requeridos, como 1) densidad del material, 2) factor Z: un acoplamiento acústico del material al sensor, y 3) factor de herramientas: calibración geométrica del crisol de evaporación frente al portamuestras. Antes de utilizar el evaporador, consulte las especificaciones del equipo sobre cómo realizar dichas calibraciones y consulte la hoja de datos de materiales para conocer los valores de densidad y factor Z para un material específico. Una vez programados, y sin ningún cambio de geometría de la cámara de evaporación (factor de herramientas), los datos se pueden almacenar para su uso futuro con los mismos materiales.

1. Inserte los sustratos (películas boca abajo y después de completar el paso 3.11) en el portamuestras con la máscara de evaporación deseada (Figura 4A).
2. Incluya los crisoles necesarios (la geometría depende del sistema evaporador específico) y llene cada uno con los materiales necesarios (LiF, TmPyPb y Al). Una explicación detallada del proceso de evaporación térmica en el desarrollo de OLED se puede encontrar en la literatura⁴³ y se discute más adelante en este informe.
3. Coloque el soporte del sustrato con muestras en el portamuestras del evaporador (Figura 4B). Cierre la cámara y bombee hacia abajo la cámara del evaporador. Siga las instrucciones respectivas para el sistema evaporador.
4. Evaporar una película de TmPyPb con un espesor de 40 nm. Evaporar 2 nm de LiF y 100 nm de Al, secuencialmente. Para la evaporación, siga el procedimiento publicado⁴³.
   NOTA: La estructura final se representa en la Figura 4C. En el trabajo actual, los dispositivos no están encapsulados. Para experimentos a largo plazo, se debe realizar la encapsulación, que no es el enfoque aquí.

5. Caracterización del dispositivo

NOTA: Para caracterizar el dispositivo final, utilice un medidor de voltaje altamente sensible, un medidor de luminancia y un espectrómetro. Si hay una esfera integradora, úsala. De lo contrario, coloque el medidor de luminancia perpendicularmente a la emisión de superficie OLED a una distancia indicada por el fabricante y dependiendo de la lente de enfoque. Si no se utiliza una esfera integradora, se puede suponer que la emisión del dispositivo OLED sigue un perfil lambertiano para el cálculo de la eficiencia. Aquí, el brillo trazado no corresponde al medido bajo una esfera integradora (por lo tanto, será al menos π veces menor).

1. Inserte el dispositivo OLED fabricado en el soporte de prueba y haga los contactos eléctricos para el píxel deseado. Mida la corriente (I), el voltaje aplicado (V) y el brillo (L). Los detalles completos sobre la configuración experimental se han explicado anteriormente⁴³.
2. Con un espectrómetro, medir los espectros de electroluminiscencia (EL) a diferentes voltajes aplicados en un rango correspondiente al rango dinámico de la operación OLED⁴⁴. Tome al menos tres o cuatro espectros. Aquí se utilizan voltajes aplicados de 5 V, 10 V y 15 V.
3. Usando el software necesario, calcule la densidad de corriente (J), la eficiencia de corriente (μ_c candela / amperio), la eficiencia energética (η_p, lúmenes / vatios) y la eficiencia externa (EQE). Con los espectros de electroluminiscencia, determine las coordenadas de color CIE. La información adecuada sobre cómo calcular todas estas cifras de mérito ha sido descrita anteriormente⁴⁴.
4. Trazar los datos indicados. Realizar un análisis crítico de los resultados en términos de eficiencia y brillo. Vea los espectros de electroluminiscencia e intente establecer un modelo para comprender los resultados.

Resultados

La figura 5 muestra los principales resultados para el dispositivo fabricado. El voltaje de encendido fue extremadamente bajo (~ 3 V), lo cual es un resultado interesante para un dispositivo de dos capas orgánicas. El brillo máximo era de alrededor de 8.000 cd/^m2 sin utilizar una esfera integradora. Los valores máximos para η_c, η_p y EQE fueron de alrededor de 16 cd/A, 10 lm/W y 8%, respectivamente. Aunque los resultados no son las mejores cifras de méri...

Discusión

El protocolo utilizado aquí para fabricar un OLED eficiente en una estructura de dispositivo simple es relativamente simple. La movilidad eléctrica no solo está modulada por la composición del material de una capa de dispositivo, sino que también depende críticamente de la morfología de la película. La preparación de las soluciones y una elección adecuada del disolvente y la concentración son importantes. No puede ocurrir agregación de material, lo que implica una solubilidad completa a escala nanométrica. T...

Materiales

Name	Company	Catalog Number	Comments
2PXZ-OXD (2,5-bis(4-(10H-phenoxazin-10-yl)phenyl)-1,3,4-oxadiazole)	Lumtec ltd	1447998-13-1
Aluminum (99.999%)	Alfa Aesar	7429-90-5
Acetone (99.9%)	Sigma Aldrich	67-64-1
Hellmanex	Ossila	7778-53-2
Isopropyl alcohol	Sigma Aldrich	67-63-0
ITO patterned substrates	Ossila	65997-17-3
Lithium Fluoride (99.99%)	Sigma Aldrich	7789-24-4
OXD-7 (1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene)	Ossila	138372-67-5
PEDOT: PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)	Ossila	155090-83-8
PVK (Polyvinlycarbazole) (average Mn 25,000-50,000)	Sigma Aldrich	25067-59-8
TmPyPb (1,3,5-Tri(m-pyridin-3-ylphenyl)benzene)	Ossila	138372-67-5