ייצור ואפיון של ואקום שהופקדו דיודות פולטות אור אורגני

Summary

פרוטוקול לייצור פשוט מובנית אורגני דיודות פולטות אור (OLEDs) מוצג.

Abstract

שיטה להפקת פשוטה ויעילה מופעל תרמית מושהית פלורסצנטיות אורגני דיודות פולטות אור (OLEDs) המבוססים על האורחים מארח או פולטי התורם-מקבל exciplex מוצג. עם הליך שלב אחר שלב, הקוראים יוכלו לחזור ולהפיק OLED מכשירים המבוססים על הפולטים אורגנית פשוטה. הליך המתבנת המאפשר היצירה של אינדיום אישית תחמוצת בדיל (ITO) צורה מוצג. זה מלווה האידוי של כל שכבות, כימוס ואפיון של כל התקן בודדים. המטרה היא להציג הליך זה ייתן את ההזדמנות לחזור על המידע שהוצג ב ציטט את הפרסום, אבל גם באמצעות תרכובות שונות ומבנים על מנת להכין OLEDs יעיל.

Introduction

אלקטרוניקה אורגני מביא יחד כל השדות מפני כימיה פיזיקה, עובר הנדסת חומרים, הנדסה על מנת לשפר את הטכנולוגיות הנוכחית כלפי מבנים ומכשירים יעיל יותר ויציב יותר. מכאן, אורגני דיודות פולטות אור (OLEDs) היא טכנולוגיה הראה השיפורים לאורך השנים האחרונות, הן מבחינת יעילות, יציבות^1,2. דיווחים אומרים כי תעשיית OLED עבור צגים עשוי להגביר מ ה-16 מיליארד הדולר בשנת 2016 בסביבות 40 מיליארד דולר על ידי 2020, יותר מ- 50 מיליארד ב- 2026³. . זה גם למצוא את דרכו לתוך תאורה כללית, נישאת על הראש microdisplays מציאות רבודה⁴. יישומים כמו חיישנים אורגניים ביו יישומים הוא יותר של יישום עתידני כרגע, בהתחשב בדרישות בוהק גבוה וגם יציבות⁵. מגמה זו מאשרת את הצורך מבנים מכשיר משופר הכולל מולקולות יעיל יותר-פחות הוצאות של משאבי הטבע. הבנה טובה יותר של התהליכים הכרוכים של החומרים אשר השתמשו בהם OLEDs הוא גם חשיבות רבה בעת עיצוב אלה.

OLED הוא ערימה אורגני רב שכבתית דחוקה בין שתי אלקטרודות, לפחות אחת של האחרונים שקוף. כל שכבה, תוכנן בהתאם שלהם הגבוהה אורביטל מולקולרי כבוש (הומו), הנמוך ביותר מאוכלס אורביטל מולקולרי ((סוג)), ניידותו מהותי, יש תפקיד ספציפי (הזרקת חסימה, תחבורה) במכשיר הכוללת. המנגנון מבוסס על נושאי המטען השני (אלקטרונים וחורים) מטיילים ברחבי המכשיר הם נפגשים בשכבה מסוימת, חלל טופס excitons ואליה שחרור משרות של אלה excitons מגיע את פליטת פוטון⁶. פוטון זה יהיה מאפיין השכבה לאן שחרור משרות לוקח מקום^7,8,9. כך, ממתינים אסטרטגיות עיצוב מולקולרית, הפולטים אדום, ירוק וכחול שונים יכול להיות מסונתז, חלה על הערימה. לשים אותם ביחד, התקנים לבן יכול גם להיות מיוצר^10,11. השכבה פולטות של אוסף OLED מבוסס בדרך כלל על המערכת (G-H) האורחים מארח היכן האורח מפוזרת לתוך המחשב המארח כדי למנוע שכבתה של אור⁹ תגובות¹²בצד.

ישנן מספר דרכים כדי לדחוף מולקולות לפלוט אור, עם פלורסצנטיות מושהית מופעל תרמית (TADF) מיושם לאחרונה^13,14,15. TADF המותר להגדלת ליעילות חיצוני של התקנים מ- 5% של פולט קרינה פלואורסצנטית טיפוסי עד 30% על-ידי שלישיה קציר דרך קטן גופיה-שלישיה אנרגיה-פיצול בתהליך שנקרא המעבר הבין – מערכתי הפוכה (rISC). ישנן מספר דרכים ליצירת OLEDs מבוססי TADF יעיל: אחת הנפוצות ביותר בספרות היא מערכת G-H שבו המדינה emissive נוצר על ידי^17,16,מולקולה בודדת¹⁸. מערכת השני משתמש פולט exciplex בין תורם אלקטרון (D) ומולקולות של אלקטרון מקבל (א), אשר נקראים פשוט את התורם-מקבל מערכת (D-A)^{15,19,20, 21}; דווחו מגוון קטן TADF חומרים, מכשירים, מניב קוונטית חיצוני גבוה מאוד התשואות¹⁴, להגיע הערכים, לדוגמה, 19% EQE²², המציין בבירור הזה שלישיה יעילה מאוד קציר מתרחש וכי 100 נצילות קוונטית פנימי % הוא אפשרי. באלה OLEDs מבוססי TADF, חייבים להקפיד בעת בחירת החומר הנכונה המארחת כפי הקוטביות של הסביבה יכול לשנות את מצב ההעברה (CT) תשלום מן המקומי נרגש (LE) המדינה, לכן, הקטנת מנגנון TADF. ההליך כדי לקחת בחשבון דומה אחרים הפולטים פלורסנט²³. מכשירים כאלה יש מבנים מחסנית פשוט יחסית, בדרך כלל 3 עד 5 שכבות אורגני, ללא צורך p--i n ולמבנה²⁴, וכתוצאה מכך מתח נמוך במיוחד מדליק מסדר 2.7 V ועובי מרבי של בסביבות 130 של nm לכל שכבות אורגני כדי להבטיח איזון טוב תשלום.

מלבד התכונות של החומרים, הייצור של ערימות רב שכבתית יכול להיות גם להתבסס על אידוי ואקום תרמי (VTE) או ספין-ציפוי, לשעבר בתדירות גבוהה יותר עבור מולקולות קטנות. זה דורש שליטה מדויקת טמפרטורה, לחץ, סביבה, קצב, עובי של כל שכבה. פולטות שכבות G-H, שיעור של אידוי משותף צריך להיות מבוקר על היחס הרצוי להתקבל. גם חשיבות עליונה הוא ניקוי מצעים המשמשים OLEDs אשר עלולה לגרום שאינו עבודה התקנים או פליטת לא אחיד לאורך כל פיקסל פולטות²⁵.

לכן, מאמר זה מטרתו כל השלבים של ההכנה, ייצור, אפיון של התקנים אורגניים, בכוונת לעזור מומחים חדשים בפרוטוקול בזהירות הדרושה שויון של פליטת ויעילות גבוהה. זה כרוכה בשימוש DPTZ-DBTO₂ (2,8-Bis(10H-phenothiazin-10-yl)dibenzothiophene-S,S-dioxide) כמו פליטת אורח TADF G-H מערכת^16,26. שיטות דומות ניתן ליישם גם להיווצרות מערכות D-A exciplex מבוסס באמצעות DtBuCz-DBTO₂ (2,8-Bis(3,6-di-tert-butyl-9H-carbazol-9-yl)dibenzothiophene-S,S-dioxide), TAPC (4, 4 ′-Cyclohexylidenebis [N, N-bis(4- methylphenyl) benzenamine])¹⁵, איפה ההבדל העיקרי בהליך הוא היחס הריכוז של השכבה emissive אבל זה משמעותי משנה את אופי פליטה (מולקולה בודדת CT פליטה vs exciplex CT פליטה). מערכת G-H המתוארים כאן יש פולט מולקולה בודדת CT והוא כרוך האידוי של 5 שכבות עם 3 אורגניים וחומרים אורגניים 2. המכשיר מורכב תחמוצת בדיל אינדיום (ITO) כמו האנודה, 40 ננומטר של N,N′-di(1-naphthyl) -N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (NPB) לשכבת התעבורה חור (שהותכם), וכן 20 הכולל nm של 4, 4 ′-bis (N - carbazolyl)-1, בתו-biphenyl (CBP) עם 10% של DPTZ-DBTO₂ כמו השכבה פולטות המבוסס על מערכת G-H. 60 ננומטר של 2,2′,2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1H-benzimidazole) (TPBi) משמשת שכבת התעבורה אלקטרון (ETL) ו-1 nm של ליתיום Floride (LiF) כשכבת הזרקת אלקטרון (EIL). 100 ננומטר אלומיניום (Al) פארקה finalizes את המכשיר כמו הקתודה. דיאגרמה של כל התהליך ניתן למצוא באיור1. עוביים של אורגניקס נבחרו להיות דומה להתקנים אחרים נעשה שימוש בספרות. הניידות של כל שכבה יש לבדוק בקפידה על מנת להבטיח את האיזון מנשא טוב בתוך השכבה. המבצע של LiF מבוסס על אפקט tunnelling, קרי, נושאות לנסוע דרך המנהרות של LiF ארוזה, מבוקשים זריקת טוב יותר את השכבות תחבורה. משמעות הדבר היא שכבות דק (בין 0.8 ו 1.5 ננומטר) הם נדרשים²⁷. השכבה של Al חייב להיות עבה מספיק כדי למנוע חמצון כלשהו (70 nm היא דרישה מינימלית).

Protocol

התראה: ההליך הבא כרוכה בשימוש ממיסים שונים, אז טיפול נאות יש לנקוט בעת השימוש בהם. אנא השתמש fume ציוד מגן אישי (כפפות, חלוק המעבדה). כדי להבטיח את האיכות של המכשירים התאדו, מומלץ כי כל ההליך מתבצע בסביבה נקייה (כגון חדר נקי ו/או עם הכפפות). חייבים להתייעץ עם גליונות נתונים בטיחות לפני השימוש של כל ציוד/חומרים.

1. איטו המתבנת

1. לכסות בצורה אחידה את תחמוצת בדיל אינדיום (24 x 24mm², זכוכית מצופים איטו מצעים עם התנגדות גיליון של Ω/ס מ 20² ועובי איטו 100 ננומטר) המצע עם photoresist מסוג p בעזרת פיפטה של. ספין-מעיל זה בקצב 500 סל ד 5 s ואחריו 4000 סל ד עבור 45 s.
2. Anneal של סובסטרטים על גזייה לפחות 5 דקות ב 95 ° C. פעולה זו תבטיח כי כל הממס הנותרים מתאדה בהפקת סרט אחיד.
3. מניחים את המסכה עם רצועות 4 מ מ (או התבנית הרצויה) המצע איטו מצופים להתנגד. חושפים את מנורת nm UV 8 W 365 50 s.
4. למקם את המצע איטו הפתרון מפתח (מפתח ה 1: 2 חלקים מים (DI) יונים) 60 s.
5. בזהירות לשטוף את המצע של בערך 10 s עם בקבוק לשטיפת המכיל מים DI, מחזיק את המצע עם פינצטה. יבש את המים הנותרים עם רובה אוויר.
6. לחמם את המצע איטו על פלטת הבישול ב 95 מעלות צלזיוס במשך 15 דקות לפחות.
7. הסר את photoresist הקצוות של סובסטרט, בין הפסים באמצעות מקלון צמר גפן ספוג עם אצטון.
8. להסיר את איטו בעזרת תערובת של חומצת מלח, חומצה חנקתית (20:1 v/v), השאר אותה למשך 5 דקות בטמפרטורת החדר.
9. לשטוף עם מים DI עבור 10 s והסר שאר photoresist עם אצטון.

2. המצע ניקוי

1. קח שני מצעים איטו בדוגמת, לשטוף במשך כ 10 s עם אצטון ולנגב עם שאינו נקבובי גיליונות של נייר או יבש עם אקדח חנקן.
2. באופן מלא באמצעות פינצטה, להטביע את סובסטרטים לתוך מיכל עם אצטון. להכניס את זה באמבט אולטרא (320 W, 37 kHz) למשך 15 דקות.
3. עכשיו להטביע את סובסטרטים לתוך מיכל עם אלכוהול איזופרופיל (IPA, 2-פרופנול). לשים את המיכל באמבט אולטראסוני למשך עוד 15 דקות.
4. להסיר את המכולה האמבט אולטראסוניות, ולאחר מכן את סובסטרטים מהאמבטיה IPA ויבש עם אקדח חנקן. מבחינה ויזואלית לפקח על מצעים כדי לראות אם אין שאריות מוצק או כתמים. אם יש, חזור מנקודת 2.1.
5. פתח את זרימת במיכל החמצן לקצב של 50 יחידות. להשתמש של חמצן פלזמה מנקה (100 W, 40 קילו-הרץ) כדי לנקות את איטו סובסטרטים במשך 6 דקות זרם חמצן 2.5 L/h להיות בטוח קריטון פניהם כלפי מעלה.
6. הסר את סובסטרטים מן החדר פלזמה וחבר אותם בעל המצע. מסכות שני ישמש: (א) עבור האידוי של כל השכבות אורגני, (ב) האידוי של אלומיניום (איור 1). על פשטות, פרוטוקול זה, מסיכת A מחובר למחזיק המצע

3. הכנת תא התאיידות

1. הכנס את המצע מחזיק, מסכת א, מסכת B, אל החדר אידוי. בהתאם לסוג של מערכת אידוי, מקום בעל המצע עם מסיכת A על המדף התצהיר ומסיכת B על מדף 1.
2. הוסף אבקה אורגנית של כל החומרים שונים המשמשים עבור התקן זה של תחמוצת אלומיניום שונים כורי היתוך מוודא שהשטח מכוסה על-ידי אותו. במקרה זה, הוסף NPB, DPTZ-DBTO₂, CBP, TPBi ל 4 מ"ל שונים אלומיניום אוקסיד כורי היתוך. להוסיף LiF אחד מ ל כור, אלומיניום (Al) חתיכות ב כור היתוך בטמפרטורה גבוהה מ ל חצי מלא ניטריד בורון.
3. קח בחשבון את מיקום כור אורגני עם חיישן קריסטל קוורץ Microbalance (QCM) בהתאמה, אשר ייתן את הערך האמיתי של עובי. עבור מערכת D-A ו- G-H evaporations, תהליך אידוי שותף צריך להיעשות. לכן, כדי לשלוט בתהליך אידוי שיתוף, DPTZ-DBTO₂ ו- CBP (TADF OLED) או DtBuCz-DBTO₂ והן TAPC (Exciplex OLED) צריך להיות נשלט על ידי QCMs שונים. במקרה זה, העמדות של תרכובות המתאימים מוצגים באיור2.
4. סגור את התא, ליזום הליך ואקום (המכונה גם שאיבה למטה). לחכות הלחץ P < 1·10^-5 mbar להתחיל האידוי.

4. התאדות של השכבות אורגני

הערה: עבור כל אורגניקס, לא יעלה על שיעור האידוי Å 2/s כתוצאות זה חספוס מוגברת, ירידה אחידות השכבות. עד לנקודה מסויימת, זה עלול לגרום פליטות לא אחידה ומכנסיים קצרים אפילו.

1. להפוך על זרם המים לספק קירור מספקת של היסודות.
2. הפעל את הסיבוב המצע, ב 10 סיבובים לכל מין (סל ד), כדי להבטיח בתצהיר של שכבות אחיד.
3. מראש בחום המכשפות NPB על ידי מיתוג-בבקר החום של המערכת הפתוחה שלו ' תריס. ניתן לבצע זאת באמצעות התוכנה VTE העומדים לרשות המשתמש. להתחיל האידוי (תריס פתוח פיקדון) כאשר הקצב יתייצב ב Evaporate Å/ס בסביבות 1 שכבה עבה 40 ננומטר, לסגור את התריס, המתן עד המכשפות מתקררת כדי להתחיל בתהליך הבא.
4. באופן דומה כדי להצביע 4.3., מחממים את CBP, DPTZ-DBTO₂ ולפתוח את תריסי אידוי שיתוף. בהתאם הריכוז הסופי של השכבה, להשתמש תעריפים שונים של תרכובות.
   1. עבור 10% שכבת emissive מתחילים האידוי כאשר הקצב יבסס Å בסביבות 2.0/s עבור CBP, 0.22 Å s עבור DPTZ-DBTO₂. פתח הפקדת תריס כאשר הקצב מושגת.
   2. להתאדות 20 ננומטר בעובי שכבה המכילה 18 nm של CBP ו-2 nm של DPTZ-DBTO₂, לסגור את התריס, לחכות עד המכשפות מתקררת כדי להתחיל בתהליך הבא.
5. מחממים מראש את TPBi ופתח שלו צמצם. להתחיל האידוי (תריס פתוח פיקדון) כאשר הקצב יתייצב בסביבות 1 Evaporate Å/ס' 60 ננומטר עובי בשכבת, לסגור את התריס, לחכות עד המכשפות מתקררת כדי להתחיל בתהליך הבא.
6. מראש בחום את LiF, תתחיל האידוי (תריס פתוח אידוי) כאשר הקצב מייצבת בå בסביבות 0.2/s. לא יעלה על שיעור האידוי של 0.5 Å/ס להתאדות 1 ננומטר בעובי השכבה, לסגור את התריס, המתן עד המכשפות מתקררת כדי להתחיל תהליך הבא.
7. לבטל את הסיבוב המצע.
8. להחליף את המסכה A בעל המצע עם מסכה B. במידת הצורך, וונט תא התאיידות. אם פרקו, בטח שאוב התא למטה לפני המשך ההליך. ב פרוטוקול זה, מסיכת A מושם על גבי מסיכת B.
9. להפוך על הסיבוב המצע, קרי, סל ד 10.
10. מראש בחום מלאכותית, תתחיל האידוי (תריס פתוח פיקדון) כאשר הקצב מייצבת בå בסביבות 1/s. לא יעלה על שיעור האידוי של 2 Evaporate Å/ס' 100 ננומטר בעובי השכבה, לסגור את התריס, חכי עד המכשפות יירגע
11. וונט ופתח את התא. הסר את המחזיק המצע עם התקנים הופקדו.
    הערה: לאחר התאדו, 4 פיקסלים מתקבלת בעזרת בשני גדלים שונים כפי שמוצג באיור1: 2 x 4 ו- 4 x 4 ס מ². פעולה זו מבטיחה יש הפארמצבטית כאשר upscaling המכשירים. הרמה של פגמים יכולים גם להיות גלוי יותר פיקסלים גדול יותר¹¹.

5. OLED כימוס

הערה: סעיף זה אינה חובה לניתוח של OLEDs אף היא מומלצת מאוד. לאבטחת האיכות שלהם, זה גם חשוב כי סעיף זה מתבצע בסביבה מבוקרת.

1. הסר את סובסטרטים המחזיק המצע. למקם אותם על גבי שלב אנקפסולציה עם הסרטים המתאיידים פונה קדימה.
2. להכין השרף כלים צינור ופיזור. בורג עצה נכונה לצד אחד של הצינור, אקדח לחץ לצד השני של הצינור.
3. הפעילו לחץ עם האקדח כדי לפזר את השרף. לצייר ריבועים המערבות כל הפיקסלים המתאיידים (איור 2).
4. המקום זכוכית כימוס על כל ריבוע של שרף.
5. UV-קיור מצעים עם שרף, כימוס זכוכית עבור זמן רב ככל הנדרש על-ידי היצרן שרף.

6. אפיון OLED

1. במידת הצורך, לנקות את הדרגה איטו אינו מכוסה על ידי הזכוכית אנקפסולציה עם קיסם באמצעות אצטון או IPA כדי להסיר את כל חומר אורגני שהופקדו לפני התחברות להפעלת יחידת מדידה. זה יבטיח כי איש קשר ohmic טוב בין מדידת מערכת ואלקטרודות מושגת.
2. כיילו את המדידה OLED בהתאם לסטנדרטים NIST באמצעות מנורת מכוילת מראש.
3. המקום OLED בתחום שילוב, מוודא שאנשי הקשר ממוקמים בצורה נכונה (איור 1). לאשר כי אנודת (+) בין הקתודה (-) מחוברים הידיות איטו ואל, בהתאמה. קרוב לספרה שילוב.
4. למדוד את עקומת-V של המכשיר ואת הזוהר שהושג ספקטרום הפליטה-מתחים שונים.
   1. החל מתח בין שני המסופים, למדוד את הפלט הנוכחי. מד זוהר מודד את הפלט בהירות.
   2. באמצעות תוכנה ואת גודל פיקסל הנכון, לחשב את צפיפות זרם (J), יעילות קוונטית חיצוניים (EQE), כוח, דיבל יעילות, מוליכות חשמלית, הארה יעילות (ƞ_P), יעילות הנוכחית (ƞ_L) זוהר (L), ועדת הבינלאומית דה L'Eclairage (CIE) מרכזת. מידע נוסף על ערכים אלה ניתן למצוא התייחסות¹⁵.
5. מגרש J-V-L, EQE-ג'י, ƞ_P- V-ƞ..._L, EL-λ-מתחים שונים לנתח את הנתונים. ניתן לבצע זאת באמצעות תוכנת עיבוד נתונים. עבור הבנה טובה יותר, השתמש בטבלה הבאה כהפניה על התוויית.

תוצאות

הנתונים המוצגים באיור 3 הוא דוגמה טובה של המידע שונים ניתן לקבל על ידי הניתוח של סוג זה של OLEDs. מ- איור 3a, המתח מדליק (מתח שבו הגלאי מתחיל גילוי אור על המכשיר) יכול להיקבע. במקרה זה, זה המכשיר (פ') השפלה עקב מתח גבוה נתפסת כאשר זוהר פוחתת באופן משמעותי (בסביבות 13 החמישי) 4. השפלה מתרחשת כאשר נושאות מוזרק לתוך המכשיר מגיבים עם השכבות אורגני וכתוצאה מכך שבירת קשרים ומולקולות. כמו כן, מתח חשמלי יכול להיות משויך התקן השפלה. זוהר מרבי של המכשיר הזה הוא סביב 17000 cd/m². איור 3b, מרבי E.Q.E. (סביב 7%) ו רול-off, מדד היציבות מכשיר חשמלי, נקבעות. גליל-off של התקן גם מוגדר הירידה יעילות עם זרם דרכו. כדי להשוות את רול-off של התקנים שונים, הערכים של EQE-זוהר סטנדרטי של 100 ו- 1000 cd/m² ניתנות בדרך כלל⁶. במקרה זה, 6.1 ל- 5.5%, בהתאמה אשר מייצגת ירידה של 9% ו-20% והערך המירבי שלו. זה מייצג של רול-off המסכן. ערכים טובים צריך להיות בין 0 ל- 5% עד רמות גבוהות של זוהר. הערכים האחרים של יעילות מוצגים באיור 3 c, כאמצעי השוואה עם סוגים דומים של התקנים אחרים. בסופו של דבר, EL מוצג שדורג 573 nm, פליטה ירוק-צהוב טיפוסי (הבלעה של דמות תלת-ממד). EL-מתחים שונים יכולים לעזור לתת תובנות יציבות אופטי קרי, שבו מתקיים הפליטה. במקרה זה, כמו זה לכאורה לא משתנה עם המתח יישומית, ניתן להניח שהתקן שטיחות יציב. בדיקת CIE של קואורדינטות (שיבוץ של איור 3b עם מתח היא דרך נוספת למדוד את היציבות אופטי.

איור 1: תרשים המכיל את כל השלבים מיוצגים בפרוטוקול זה. כל שכבות אורגני, LiF הם התאדו באמצעות מסיכת א לאחר metallization (אידוי של אלומיניום), שתי קבוצות של התקנים ניתן להפיק באמצעות מסיכת ב': אחד עם 2 x 4 ס מ² ועוד עם 4 x 4 ס מ². המתח יחולו בין קריטון (אנודת: +) ואלומיניום (קטודה:-), זרם תימדד. חתך רוחב של מבנה המכשיר מוצג גם. אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.

איור 2:) תרשים של הטמפרטורה הנמוכה אורגני (שחור) ומקורות אורגניים בטמפרטורה גבוהה (כחול) כדי להיות ממוקם בבית הבליעה ואקום. לכל חומר יש לשים בתוך המקור שצוין עם מספר חימום ספציפי עבור התוכנה כפי שהם היו בעבר אופטימיזציה עבור כל החומר הנדון. ב) חיישנים QCM מסודרים ברחבי החדר. אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.

איור 3:) J-V-L, ב') EQE-J, c) ƞP-V-ƞL, d) EL-λ-מתחים שונים עבור ההתקן במחקר זה. שינוי קואורדינטות CIE עם מתח מוצג בצד שיבוץ של b) בעוד תמונה של המכשיר מוצג על שיבוץ של d). אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.

עקומה	x	סולם	y1	סולם	y2	סולם
J-V-L	V	ליניארית	J	יומן	L	יומן
ȠP-V-ƞL			ȠP	יומן	ȠL	יומן
EQE-J	J	יומן	EQE	יומן
EL-Λ	Λ	ליניארית	EL	ליניארית

טבלה 1: נחשב מידה הקשורות לאיחוד של אפיון OLEDs ופיתולים.

Discussion

בפרוטוקול הנוכחי שמטרתו להציג כלי יעיל עבור המתבנת, ייצור, עיטוף, אפיון OLEDs בהתבסס על שכבות פולט-TADF או פולט-exciplex משקל מולקולרי קטן. אידוי תרמי ואקום אורגני מאפשר הפקת סרטים דק (מתוך כמה Å למאות ננומטר) של חומרים אורגניים ואנאורגניים, מסלולים לייצר עבור נושאי המטען אל חלל שממנו שיבוצעו אור. למרות רב-תכליתי, ייצור המכשיר מוגבל למדי את המאייד קרי, מספר מקורות אורגניים ואנאורגניים זמין או את האפשרות של אידוי יותר מפעם אחת באותו הזמן (co - ו tri-evaporations נפוצים מאוד, בפרט TADF התקנים). מערכות מתקדמות עשויה לאפשר האידוי של יותר מ-3 מקורות בו זמנית, אשר עשויה להיות שימושית עבור יישומים כגון לבן-OLEDs²⁸ עבור תצוגות של תאורה כללית. יחד עם זאת, חייבים להתקיים פשרה בין מורכבות ההתקן ואת הביצועים שלו. Multifunctionality של הליך אידוי זה מאפשר גם עושה מחקרים שונים מעבר לזה לעבוד. אלה כוללים את ההשפעות של עובי השכבה, ריכוז dopant, פונקציונליות שכבה או אפילו ללמוד את mobilities הטבועה של שכבות חדשות. שליטה טובה על שיעור של יחיד, שיתוף המתאיידים שכבות חיוני גם כיוון זה מאפשר היווצרות של סרטים אחיד עם הקצבה מדויק ומבוקר.

מומלץ כי כל השלבים של פרוטוקול זה נעשים בסביבה מבוקרת, וחשוב לצורך כימוס, בתוך הכפפות כדי למנוע כל השפלה קשורים אמביינט. לבסוף, כדור שילוב הוא מוזמן כפי שהיא מספקת עבור ניתוח מפורט יותר חשמלית, אופטי. עם המוח הזה, כל השלבים של מבוא תיאורטי ייצור ואפיון של OLEDs מבוססי TADF הוצגו ב פרוטוקול זה סימון כל אלה שלבים שונים ומאפשר הייצור של התקנים יציב, כאשר אנקפסולציה, יכול להימשך עבור פרקי זמן גדולים.

Materials

Name	Company	Catalog Number	Comments
N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine	NPB	Sigma Aldrich	556696
4,4′-Bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl	CBP	Sigma Aldrich	699195
2,2′,2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)	TPBi	Sigma Aldrich	806781
Lithium Floride 99.995%	LiF	Sigma Aldrich	669431
Aluminum 99.999%	Al	Alfa Aesar	14445
Acetone 99.9%	Acetone	Sigma Aldrich	439126
Isopropyl alcohol 99.9 %	IPA	Sigma Aldrich	675431
Photoresist		DOW Electronic Materials	Microposit S1813
Developer		DOW Electronic Materials	Microposit 351
Hydrochloric acid 37%	HCl	Sigma Aldrich	435570
Nitric acid 70%	HNO3	Sigma Aldrich	258113
Encapsulation resin		Delo	Kationbond GE680
Encapsulation square glass 15x15mm		Agar	AGL46s15-4
ITO		Naranjo Substrates	Custom made