JoVE Logo
АВТОРЫ
СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ

Войдите в систему

В этой статье

  • Резюме
  • Аннотация
  • Введение
  • протокол
  • Результаты
  • Обсуждение
  • Раскрытие информации
  • Благодарности
  • Материалы
  • Ссылки
  • Перепечатки и разрешения

Резюме

Протокол для производства простых структурированных органических светоизлучающих диодов (OLEDs) представил.

Аннотация

Метод для получения простой и эффективной термически активируемого задержки флуоресценции органических светоизлучающих диодов (OLEDs) на основе гость хост или представлены излучателей донорно акцепторной exciplex. С шаг за шагом процедуры читатели смогут повторить и производить OLED устройств на основе простых органических излучателей. Кучность процедура позволяет создавать персонализированные Индий оксид олова (ITO) форма отображается. Это сопровождается испарением всех слоев, инкапсуляции и характеристику каждого отдельного устройства. Конечной целью является представить процедуру, которая даст возможность повторять информацию, представленную в цитируется публикации, но и с использованием различных химических соединений и структур с целью подготовки эффективных OLEDs.

Введение

Органической электроники объединяет все поля из химии к физике, пройдя через материаловедения и инженерных для улучшения текущих технологий к более эффективным и более стабильной структуры, так и устройств. Исходя из этого органических светоизлучающих диодов (OLEDs) — это технология, показал большие усовершенствования за последние несколько лет, как с точки зрения эффективности и стабильности1,2. Отчеты говорят, что индустрии OLED дисплеев может увеличиться от 16 миллиардов долларов в 2016 году до около 40 миллиардов долларов в 2020 году и более чем 50 миллиардов 20263. Он также найти свой путь в общее освещение и Руководитель смонтирован microdisplays для дополненной реальности4. Приложения, такие как органические датчики для биомедицинских приложений является более футуристический приложения на данный момент, учитывая требования для яркости и стабильности5. Эта тенденция подтверждает необходимость для улучшения устройства структуры, которая включает более эффективным молекул меньше за счет природных ресурсов. Лучшего понимания присущего процессов, материалов, используемых для OLEDs также имеет большое значение при проектировании этих.

OLED является многоуровневой органических стека, зажатой между двумя электродами, по крайней мере один из них прозрачные. Каждый слой, предназначенные соответственно для их высокие оккупированных молекулярная орбиталь (HOMO) и низкие незанятых молекулярная орбиталь (ЛЮМО) и их внутренней мобильности, имеет определенную функцию (инъекции, блокады и транспорта) в общем устройстве. Этот механизм основывается на противоположной носителей заряда (электронов и дырок) путешествия через устройство, где они встречаются в определенный слой, перекомбинировать формы экситонов и дезактивации этих экситонов приходит излучение фотонов6. Этот Фотон будет характеристикой слоя, где деактивации принимает место7,8,9. Таким образом до молекулярного дизайна стратегии, различные красного, зеленого и синего излучателей могут синтезируется и применяется в стек. Положить их вместе, белый устройства могут также быть производства10,11. Светоиспускающий слой OLED стека обычно основаны на системе (G-H) гость хост, где гость рассеивается в принимающей чтобы избежать тушения света9 и бок реакции12.

Есть несколько способов, чтобы подтолкнуть молекулы излучают свет, с термически активируемого задержки флуоресценции (TADF) реализовано более недавно13,14,15. TADF допускается для повышения внешней эффективности устройств от 5% типичных флуоресценции излучателя до 30% за счет триплет заготовки через небольшой синглетно триплетного энергии расщепления в процессе называется обратный межсистемным пересечения (rISC). Существует несколько способов для формирования эффективной OLEDs на основе TADF: один из наиболее распространенных в литературе формируется система G-H где эмиссионных состояние одной молекулы по16,17,18. Вторая система использует exciplex излучатель, образуются между донором электрона (D) и электрон акцептора (A) молекулы, которые называют просто донорно акцепторной системы (D-A)15,19,20, 21; Небольшой диапазон TADF материалов и устройств сообщалось, уступая очень высокой внешней квантовой дает14, достигая значений, к примеру, 19% EQE22, четко указав, что весьма эффективного триплет заготовки происходит и что 100 % внутреннего Квантовая эффективность Возможен экспорт. В этих TADF-основе OLEDs Будьте внимательны при выборе правильной хост материала как полярности среды может изменить состояние заряда передачи (CT) от местной взволнован (LE) государства, таким образом, уменьшение TADF механизм. Процедура будет принимать во внимание похож на другие люминесцентные излучатели23. Такие устройства имеют сравнительно простой стек структур, обычно 3-5 органических слоев и без необходимости p-i-n структурой24, что приводит к ультра-низким включения напряжения порядка 2.7 V и максимальной толщиной около 130 Нм для всех органические слои, чтобы гарантировать хороший заряд баланс.

Помимо свойств материалов производство многослойных стеков может быть либо основываться на вакуумные термическое испарение (ВТЭ) или спин покрытие, бывший чаще для малых молекул. Необходимо точно контролировать температуру, давление, окружающей среды, скорость и толщина каждого слоя. Для испуская G-H слои, курсы совместно испарения должны контролироваться для желаемого коэффициенты должны быть получены. Крайне важное значение имеет также очистка субстратов, используемых для OLEDs, которые могут привести к неработающего устройства или неравномерным выбросов на протяжении излучающих пикселей25.

Таким образом эта статья направлена на всех этапах подготовки, производства и характеристика органических устройств и намерена помочь новых специалистов на тщательный протокола для высокой эффективности и равномерность выбросов. Это включает в себя использование DPTZ-DBTO2 (2,8-Bis(10H-phenothiazin-10-yl)dibenzothiophene-S,S-dioxide) как излучающих гость в16,TADF G-H в системе26. Подобные методы могут быть также реализованы для формирования систем exciplex на основе D-A, с помощью DtBuCz-DBTO2 (2,8-Bis(3,6-di-tert-butyl-9H-carbazol-9-yl)dibenzothiophene-S,S-dioxide) в TAPC (4, 4 ' Cyclohexylidenebis [N, N-bis(4- отмеченный) benzenamine])15, где основное различие в процедуре является коэффициент концентрации Эмиссионный слой, но это существенно изменяет характер выбросов (одной молекулы CT выбросов против exciplex CT выбросов). Система G-H, описанный здесь имеет одной молекулы CT излучатель и включает испарения 5 слоев с 3 органических и неорганических материалов 2. Устройство состоит из оксида Индия (ITO) как анод, 40 Нм N,N′-di(1-naphthyl) -N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (NPB) отверстие транспортный уровень (HTL), а также всего 20 Нм, 4, 4 ' бис (N - carbazolyl) -1, 1 ' дифенил (УТПО) с 10% DPTZ-DBTO2 как светоиспускающий слой, основанный на системе G-H. 60 Нм 2,2′,2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1H-бензимидазола) (TPBi) затем используется как уровень переноса электронов (ETL) и 1 Нм Floride лития (LiF) как электронно впрыска слой (ЭМС). 100 Нм алюминия (Al) завершает устройство как катод. На рисунке 1можно найти схему всей процедуры. Толщины organics были выбраны быть похожими на другие устройства, используемые в литературе. Мобильности каждого слоя должны быть тщательно изучены обеспечить хороший перевозчик баланс внутри слоя. Операция LiF основана на туннелирования эффект, т.е., перевозчиков путешествия через туннели Упакованные LiF, обеспечение лучше инъекций в транспортные слои. Это означает, что требуется27тонких слоев (от 0,8 до 1,5 Нм). Слой Аль должен быть достаточно толстым, чтобы предотвратить любой окисления (70 Нм достигается минимальное требование).

протокол

Предупреждение: Следующая процедура предполагает использование различных растворителей, поэтому надлежащего необходимо соблюдать осторожность при их использовании. Пожалуйста, используйте дыма и средств индивидуальной защиты (перчатки, лабораторный халат). Для обеспечения качества устройств, испаряется, рекомендуется, что вся процедура делается в чистой среде (например, чистые комнаты и/или бардачком). В спецификациях безопасности должны быть проведены консультации перед использованием каждого оборудования/материалов.

1. Ито патронирования

  1. Равномерно покрыть оксид олова Индия (24 x 24 мм2, покрытая ITO стеклянные подложки листа сопротивление 20 Ω/см2 и Ито толщиной 100 Нм) субстрат с p тип фоторезиста, с помощью пипетки. Спин пальто его скоростью 500 об/мин за 5 s следуют 4000 rpm для 45 s.
  2. Отжиг субстратов на плитой для по крайней мере 5 мин при 95 ° C. Это будет гарантировать, что все оставшиеся растворитель испаряется, производство равномерную пленку.
  3. Поместите маску с 4 мм полосы (или желаемого узора) на подложке ITO сопротивляться покрытием. Подвергать 8 W 365 Нм УФ лампа для 50 s.
  4. Место ITO подложке в раствор разработчика (1 часть разработчик: 2 части деонизированной воды (DI)) для 60 s.
  5. Тщательно промойте субстрат для около 10 s с мыть бутылки, содержащие DI воды, держащий субстрат с помощью пинцета. Сухой остаток воды с пневматический пистолет.
  6. Тепла ITO подложки на конфорку при 95 ° C, по крайней мере, 15 мин.
  7. Удаления фоторезиста от края подложки и между ними, полосы, с помощью ватным тампоном смоченной ацетоном.
  8. Удаление ITO, используя смесь соляной и азотной кислот (20:1 v/v), оставить на 5 мин при комнатной температуре.
  9. Промыть водой ди для 10 s и удалить остальные фоторезист с помощью ацетона.

2. Очистка субстрат

  1. Возьмите два узорной ITO подложки, промойте около 10 s с ацетоном и протереть не пористых листа бумаги или сухой с ружьем азота.
  2. С помощью пинцета, полностью погрузите субстратов в контейнер с помощью ацетона. Положите его в ультразвуковой ванне (320 W, 37 кГц) за 15 мин.
  3. Теперь погружаться субстратов в контейнер с изопропиловым спиртом (IPA, 2-пропанол). Поместите контейнер в ультразвуковой ванне для еще 15 мин.
  4. Удалить контейнер из ультразвуковой ванне, а затем субстратов из ванны IPA и сухой с ружьем азота. Осмотрите субстратов, чтобы увидеть, если есть никаких твердых остатков или пятен. Если есть, повторить от пункта 2.1.
  5. Откройте поток в цистерны кислорода в размере около 50 единиц. Используйте очиститель плазмы кислорода (100 Вт, 40 кГц) для очистки ITO подложки для 6 мин на 2,5 Л/ч поток кислорода, будучи уверенным Ито лица вверх.
  6. Удаление подложек из плазмы палаты и прикрепить их к владельцу субстрата. Будут использоваться две маски: (A) для испарения всех органических слоев и (B) для испарения алюминия (рис. 1). Для простоты в данном протоколе маска A прилагается к держателю субстрата

3. Подготовка камеры испарения

  1. Вставьте держатель субстрата, маска A и маска B, в зале испарения. В зависимости от типа системы испарения установите держатель субстрат с маской A на полке осаждения и маска B на полке 1.
  2. Добавьте органические порошок всех различных материалов, используемых для этого устройства в тигли различных оксида алюминия, убедившись, что поверхность покрыта его. В этом случае добавьте НПБ, DPTZ-DBTO2, УТПО и TPBi до 4 различных 10 мл тигли оксида алюминия. Добавить LiF в одном 5 мл тигель и алюминия (Al) штук в высокой температуры тигле нитрида бора наполовину полный 5 мл.
  3. Примите во внимание позицию органических тигель с соответствующими кварцевый микровзвешивания (QCM) датчиком, который даст реальную стоимость толщины. Для D-A и G-H системы испарений процесс совместного испарения необходимо сделать. Таким образом для управления процессом совместного испарения, DPTZ-DBTO2 и УТПО (TADF OLED) или DtBuCz-DBTO2 и TAPC (Exciplex OLED) должны управляться различными QCMs. В этом случае позиции соответствующих соединений представлены на рисунке 2.
  4. Закрыть камеру и вакуумные процедуры (также известный как перекачивание вниз). Ждать для давления P < 1·10-5 мбар начать испарения.

4. испарение органических слоев

Примечание: Для всех органических веществ, не превышать скорость испарения 2 Е/с как это результаты увеличения шероховатости и снижение унификации слоев. До определенной точки это может привести к неравномерным выбросов и даже шорты.

  1. Включите поток воды для обеспечения достаточного охлаждения элементов.
  2. Включите субстрат ротации, на 10 вращений в минуту (об/мин), чтобы осаждения единообразных слоев.
  3. Нагреть НПБ тигель путем переключения на контроллере температуры системы и открыть его ' затвора. Это можно сделать с помощью программного обеспечения VTE в распоряжении пользователя. Запустите испарения (Открытый депозит затвора) когда уровень стабилизируется на около 1 Е/s. испарится толстым слоем 40 Нм, закройте затвор, подождать, пока тигель охлаждает вниз, чтобы начать следующий процесс.
  4. Аналогичным образом указать 4.3., разогреть УТПО и DPTZ-DBTO2 и открыть их шторки для совместного испарения. В зависимости от концентрации выпускных слоя используйте различные ставки соединений.
    1. Для 10% Эмиссионный слой начать испарения, когда ставка будет стабилизировать около 2.0 Å/s для УТПО и 0.22 Å/s для DPTZ-DBTO2. Откройте депозит затвора, когда достигается скорость.
    2. Испарится 20 Нм толщиной слой, содержащий 18 Нм УТПО и 2 Нм DPTZ-DBTO2, закройте затвор, подождать, пока тигель охлаждает вниз, чтобы начать следующий процесс.
  5. Предварительно нагрейте TPBi и откройте его затвора. Запустите испарения (Открытый депозит затвора) когда уровень стабилизируется на около 1 Å/s. испарится 60 Нм толщиной слоя, закройте затвор, подождать, пока тигель охлаждает вниз, чтобы начать следующий процесс.
  6. Предварительно нагрейте LiF, начало испарения (испарение открытого затвора) когда скорость стабилизирует примерно 0,2 Å/сек. Не превышать скорость испарения 0.5 Å/s. испарится 1 Нм толщиной слоя, Закрыть затвор, ждать до тех пор, пока тигель охлаждает вниз, чтобы начать следующий процесс.
  7. Выключите вращение субстрата.
  8. Замените маски A на субстрат держатель Маска б. При необходимости, вентиляционные камеры испарения. Если вентилируемые, палата должна быть накачан вниз перед продолжением процедуры. В этом протоколе маска A помещается на маску б.
  9. Включите субстрат ротации, т.е., 10 об/мин.
  10. Предварительно нагрейте Аль, начало испарения (Открытый депозит затвора) когда уровень стабилизируется на около 1 Å/сек. Не превышать скорость испарения 2 Å/s. испарится 100 Нм толщиной слоя, Закрыть затвор, ждать до тех пор, пока тигель охлаждает вниз.
  11. Вентиляционные и открыть камеру. Снимите держатель субстрат с хранение устройств.
    Примечание: После испарения, 4 пикселей получаются с двух разных размеров, как показано на рисунке 1: 2 x 4 и 4 x 4 cm2. Это гарантирует, что при укрупненном масштабе устройств воспроизводимость. Уровень дефектов также может быть более заметными, на больше пикселей11.

5. OLED Инкапсуляция

Примечание: Этот раздел не является обязательным для анализа OLEDs хотя настоятельно рекомендуется. Для обеспечения их качества, важно также, что в этом разделе делается в контролируемой среде.

  1. Удаление подложек из держателя субстрата. Разместите их на вершине инкапсуляции стадии с испаряющейся фильмов, лицом вперед.
  2. Подготовьте смолы трубки и диспергирования инструменты. Винт надлежащего кончика к одной стороне трубки и давление пистолет к другой стороне трубки.
  3. Приложите давление с пушкой для разгона смолы. Нарисуйте квадраты, которые включают все выварочная пикселей (рис. 2).
  4. Место инкапсуляции стекла на вершине каждого квадрата смолы.
  5. УФ кюр субстратов с смолы и инкапсуляции стекла для до тех пор, как требуется производителем смолы.

6. OLED характеристика

  1. При необходимости, очистите Ито полосы, не охватываемых инкапсуляции стекла с зубочисткой с помощью ацетона или АПИ для удаления любых органических материалов, хранение перед подключением к единицы измерения. Это будет гарантировать, что достигается хорошая омического контакта между измерительные системы и электродов.
  2. Калибровка OLED измерения стандартам NIST, используя предварительно откалиброванные лампа.
  3. Место OLED в сфере интеграции, убедившись, что контакты расположены правильно (рис. 1). Подтвердите, что анодом (+) и катод (-) подключены к Ито и Аль колодки, соответственно. Близко к интегрирующей сферы.
  4. Измерьте кривой-V устройство и полученные яркости и спектров выбросов на различные напряжения.
    1. Применить напряжения между двумя терминалами и измерения текущего выпуска. Яркости метр измеряет выход яркости.
    2. Использование программного обеспечения и размер правильный пикселя, вычислить плотность тока (J), внешние квантовой эффективности (EQE), мощность, дюбель эффективность, световой поток, светоотдача (ƞP), текущей эффективности (ƞЛ) яркости (L) и Комиссии Internationale de L'Eclairage (CIE) координаты. Более подробную информацию о эти значения можно найти в ссылка15.
  5. Участок ƞ J-V-L, EQE-J,P- V-ƞЛ, Эль λ различными напряжениями и анализа данных. Это можно сделать с помощью программного обеспечения для обработки данных. Для лучшего понимания, используйте следующую таблицу в качестве ссылки о заговоре.

Результаты

Данные, представленные на рисунке 3 является хорошим примером различных информации, которую можно получить путем анализа этого типа OLEDs. Из рис. 3a, включения напряжения (напряжение, при котором детектор начинает обнаружения света на устройстве) может быть определено. В этом случае это 4 V. устройство деградации вследствие высоких напряжений видели когда яркости существенно уменьшается (около 13 V). Деградация происходит, когда перевозчики, вводят в устройство реагирует с органических слоев, что приводит к нарушению облигаций и молекул. Кроме того электрические стресс может быть связано с ухудшением состояния устройства. Максимальная яркость данного устройства составляет около 17000 cd/m2. Рисунок 3b, максимальная E.Q.E. (около 7%) и ролл офф мера устройство электрической стабильности, определяются. Roll офф устройства также определяется как снижение эффективности с тока, протекающего через него. Чтобы сравнить ролл офф различных устройств, значения EQE в стандартной яркости 100 и 1000 кд/м2 обычно даются6. В данном случае, 6.1 и 5,5%, соответственно представляет падение 9% и 20% от ее максимального значения. Это представляет собой бедные ролл офф. Хорошие значения должно быть между 0 и 5% до высокого уровня яркости. Другие значения эффективности приведены на рис. 3 c, как другие средства сравнения с аналогичными типами устройств. Наконец, Эль показано, достигнув 573 Нм, типичный зеленый желтый выбросов (врезные рис. 3d). EL различными напряжениями может помочь, давая понимание оптических стабильности т.е., где проходит выбросов. В этом случае как это казалось бы не меняется с приложенного напряжения, можно предположить, что устройство является оптически stable. Проверка CIE координирует (врезные Рисунок 3b с напряжением является еще одним способом для измерения оптической стабильности.

figure-results-2174
Рис 1: диаграмма, содержащая все шаги, представленные в настоящем Протоколе. Все органические слои и LiF испаряются с помощью маски а. После металлизации (испарение алюминия) два комплекта устройств могут быть изготовлены с использованием маски B: один с 2 x 4 cm2 и другой с 4 x 4 cm2. Напряжение будет применяться между Ито (анод: +) и алюминия (катод:-) и ток будет оцениваться. Сечение устройства структуры также показано. Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы посмотреть большую версию этой фигуры.

figure-results-2950
Рисунок 2:) Диаграмма органических низкой температуры (черный) и неорганических источников высокой температуры (синий) помещается в вакуумной камере. Каждый материал имеет быть помещены в указанный источник с рядом конкретных отопления для программного обеспечения, как они ранее были оптимизированы для каждого материала. b) QCM датчиков, расположенных по всей камере. Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы посмотреть большую версию этой фигуры.

figure-results-3647
Рисунок 3 :) J-V-L, б) EQE-J, c) ƞP-V-ƞL, d) Эль λ в различных напряжений для устройства в этом исследовании. Показано CIE координаты изменение напряжения на врезные b) в то время как фотография устройства отображается в врезные d). Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы посмотреть большую версию этой фигуры.

КриваяxШкалаY1ШкалаУ2Шкала
J-V-LVлинейнаяJЖурналLЖурнал
ȠP-V-ƞLȠP ЖурналȠЛ Журнал
EQE-JJЖурналEQEЖурнал
ЭЛЬ ΛΛлинейнаяELлинейная

Таблица 1: Считается кривых и связанные масштаба для унификации характеристика OLEDs.

Обсуждение

Настоящий Протокол призван представить эффективным инструментом для структурирования, производства, инкапсуляции и характеристика OLEDs, основанный на небольшой молекулярный вес TADF-излучающих или exciplex излучающих слоев. Органических вакуумные термическое испарение позволяет для производства тонких пленок (от нескольких Å сотни Нм) органических и неорганических материалов и продукции для носителей заряда перекомбинировать от которых будет излучаемый свет. Хотя универсальный, производство устройства ограничен довольно испарителя т.е. количество органических и неорганических источников, имеющихся или возможность более чем одного испарения в то же время (co - и tri испарений очень распространены, особенно в TADF устройств). Более продвинутые системы могут позволить испарения более чем 3 источников в то же время, которые могут оказаться полезными для приложений, таких как белый OLEDs28 дисплеев и общего освещения. Тем не менее должны быть выполнены компромисс между сложности устройства и его производительности. Многофункциональность этого испарения процедура также позволяет делать различные исследования, которые выходят за рамки этой работы. Эти включают эффекты толщина слоя, концентрация примеси, слой функциональности или даже изучить присущие подвижности новых слоев. Тонкий контроль над ставки единого и совместно выварочная слои также имеет решающее значение, так как он позволяет для формирования единой фильмов с контролируемой точные пайков.

Рекомендуется, что все шаги настоящего Протокола делаются в контролируемой среде и что более важно для инкапсуляции, внутри бардачком избежать ухудшения окружающей среды соответствующих. Наконец интегрирующей сферы наиболее приветствуется, поскольку он обеспечивает для более детального анализа электрических и оптических. С умом все шаги от Теоретическое введение в производство и характеристика на основе TADF OLEDs были представлены в настоящем Протоколе, выделив все эти различные этапы, позволяя производство стабильного устройства, когда инкапсулированные, может длиться для больших периодов времени.

Раскрытие информации

Авторы не имеют ничего сообщать.

Благодарности

Авторы хотели бы признать проект «Excilight», который получил финансирование от H2020-МСКА-ITN-2015/674990.

Материалы

NameCompanyCatalog NumberComments
N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamineNPBSigma Aldrich556696
4,4′-Bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenylCBPSigma Aldrich699195
2,2′,2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)TPBiSigma Aldrich806781
Lithium Floride 99.995%LiFSigma Aldrich669431
Aluminum 99.999%AlAlfa Aesar14445
Acetone 99.9%AcetoneSigma Aldrich439126
Isopropyl alcohol 99.9 %IPASigma Aldrich675431
PhotoresistDOW Electronic MaterialsMicroposit S1813
DeveloperDOW Electronic MaterialsMicroposit 351
Hydrochloric acid 37%HClSigma Aldrich435570
Nitric acid 70%HNO3Sigma Aldrich258113
Encapsulation resinDeloKationbond GE680
Encapsulation square glass 15x15mmAgarAGL46s15-4
ITONaranjo SubstratesCustom made

Ссылки

  1. Tang, C. W., VanSlyke, S. A. Organic electroluminescent diodes. Applied Physics Letters. 51, 913-915 (1987).
  2. Shin, H., et al. Sky-Blue Phosphorescent OLEDs with 34.1% External Quantum Efficiency Using a Low Refractive Index Electron Transporting Layer. Advanced Materials. , 1-6 (2016).
  3. Bardsley, N., et al. . Solid-State Lighting R&D Plan. , (2016).
  4. Richter, B., Vogel, U., Herold, R., Fehse, K., Brenner, S., Kroker, L., Baumgarten, J. Bidirectional OLED Microdisplay: Combining Display and Image Sensor Functionality into a Monolithic CMOS chip. IEEE. 314, (2011).
  5. Sa Pereira, D., Data, P., Monkman, A. P. Methods of Analysis of Organic Light Emitting Diodes. Display and Imaging. 2, 323-337 (2017).
  6. Lin, T. -. A., et al. Sky-Blue Organic Light Emitting Diode with 37% External Quantum Efficiency Using Thermally Activated Delayed Fluorescence from Spiroacridine-Triazine Hybrid. Advanced Materials. , (2016).
  7. Dos Santos, P. L., Ward, J. S., Bryce, M. R., Monkman, A. P. Using Guest-Host Interactions to Optimize the Efficiency of TADF OLEDs. Journal of Physical Chemistry Letters. 7, 3341-3346 (2016).
  8. Jou, J. -. H., Kumar, S., Agrawal, A., Li, T. -. H., Sahoo, S. Approaches for fabricating high efficiency organic light emitting diodes. Journal of Materials Chemistry. C. 3, 2974-3002 (2015).
  9. de Sa Pereira, D., et al. An optical and electrical study of full thermally activated delayed fluorescent white organic light-emitting diodes. Scientific Reports. 7, (2017).
  10. Pereira, D., Pinto, A., California, A., Gomes, J., Pereira, L. Control of a White Organic Light Emitting Diode's emission parameters using a single doped RGB active layer. Materials Science and Engineering: B. 211, 156-165 (2016).
  11. Data, P., et al. Evidence for Solid State Electrochemical Degradation Within a Small Molecule OLED. Electrochimica Acta. 184, 86-93 (2015).
  12. Uoyama, H., Goushi, K., Shizu, K., Nomura, H., Adachi, C. Highly efficient organic light-emitting diodes from delayed fluorescence. Nature. 492, 234-238 (2012).
  13. Goushi, K., Yoshida, K., Sato, K., Adachi, C. Organic light-emitting diodes employing efficient reverse intersystem crossing for triplet-to-singlet state conversion. Nature Photonics. 6, 253-258 (2012).
  14. Jankus, V., et al. Highly efficient TADF OLEDs: How the emitter-host interaction controls both the excited state species and electrical properties of the devices to achieve near 100% triplet harvesting and high efficiency. Advanced Functional Materials. 24, 6178-6186 (2014).
  15. Etherington, M. K., et al. Regio- and conformational isomerization critical to design of efficient thermally-activated delayed fluorescence emitters. Nature Communications. 8, 14987 (2017).
  16. Okazaki, M., et al. Thermally activated delayed fluorescent phenothiazine-dibenzo[a,j]phenazine-phenothiazine triads exhibiting tricolor-changing mechanochromic luminescence. Chemical Science. 8, 2677-2686 (2017).
  17. Suzuki, Y., Zhang, Q., Adachi, C. A solution-processable host material of 1,3-bis{3-[3-(9-carbazolyl)phenyl]-9-carbazolyl}benzene and its application in organic light-emitting diodes employing thermally activated delayed fluorescence. Journal of Materials Chemistry. C. 3, 1700-1706 (2015).
  18. Data, P., et al. Efficient p-phenylene based OLEDs with mixed interfacial exciplex emission. Electrochimica Acta. 182, 524-528 (2015).
  19. Data, P., et al. Exciplex Enhancement as a Tool to Increase OLED Device Efficiency. Journal of Physical Chemistry C. 120, 2070-2078 (2016).
  20. Data, P., et al. Dibenzo[a,j]phenazine-Cored Donor-Acceptor-Donor Compounds as Green-to-Red/NIR Thermally Activated Delayed Fluorescence Organic Light Emitters. Angewandte Chemie International Edition. 55, 5739-5744 (2016).
  21. Goushi, K., Adachi, C. Efficient organic light-emitting diodes through up-conversion from triplet to singlet excited states of exciplexes. Applied Physics Letters. 23306, 10-14 (2014).
  22. Dos Santos, P. L., et al. Engineering the singlet-triplet energy splitting in a TADF molecule. Journal of Materials Chemistry. C. 4, 3815-3824 (2016).
  23. He, G., et al. Very high-efficiency and low voltage phosphorescent organic light-emitting diodes based on a p-i-n junction. Journal of Applied Physics. 95, 5773-5777 (2004).
  24. Pereira, L. . Organic light emitting diodes: the use of rare earth and transition metals. , 33-36 (2011).
  25. Dias, F. B., et al. The Role of Local Triplet Excited States in Thermally-Activated Delayed Fluorescence: Photophysics and Devices. Advanced Science. 3, 1600080 (2016).
  26. Kim, Y. Power-law-type electron injection through lithium fluoride nanolayers in phosphorescence organic light-emitting devices. Nanotechnology. 19, 0 (2008).
  27. Reineke, S., Thomschke, M., Lüssem, B., Leo, K. White organic light-emitting diodes: Status and perspective. Reviews of Modern Physics. 85, 1245-1293 (2013).

Перепечатки и разрешения

Запросить разрешение на использование текста или рисунков этого JoVE статьи

Запросить разрешение

Смотреть дополнительные статьи

141OLEDexciplex

This article has been published

Video Coming Soon

JoVE Logo

Конфиденциальность

Условия эксплуатации

Политика

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ

РЕКОМЕНДОВАТЬ БИБЛИОТЕКЕ

НОВОСТИ JoVE

Исследования

Образование

АВТОРЫ

Библиотекарь

О JoVE

Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены