Questo lavoro è stato in parte finanziato dal National Science Foundation grant No. DMR-0420785 (XPS). Vi ringraziamo dell'Università del Michigan Michigan Center per la caratterizzazione dei materiali, (MC)2, per la sua assistenza con XPS e il laboratorio dell'Università del Michigan Van vitale per XRD. Vorremmo anche ringraziare Thomas Kratofil per la sua assistenza con preparazione di materiali alla rinfusa.

Attenzione: Indossare i necessari dispositivi di protezione individuale (PPE) tra cui scarpe a punta stretta, lunghezza pantaloni, occhiali di sicurezza, filtrazione del particolato maschera, camice e guanti come ossido polveri posa un rischio per contatto irritazioni cutanee e irritazione di contatto con gli occhi. Per ulteriori requisiti di PPE, consultare tutte le schede di sicurezza pertinenti prima di iniziare. Sintesi dovrebbero essere fatto con l'utilizzo di controlli di ingegneria come una cappa aspirante.
1. bulk sintesi di ossidi entropia-stabilizzato
<ol><li>
Calcolo massa di polveri di ossido costituente
	<ol>
<li>Stimare la massa totale desiderata del target moltiplicando il volume desiderato per la densità media di costituente binari ossidi. <img alt="Equation 3" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq3v2.jpg"> <img alt="Equation 4" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq4.jpg"> dove <img alt="Equation 5" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq5.jpg"> e <img alt="Equation 6" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq6.jpg"> sono la frazione molare e la densità della <img alt="Equation 7" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq7.jpg"> </img>componente th. Per un 1"(2,54 cm) di diametro, ⅛" campione di spessore (0,3175 cm), il volume di destinazione è <img alt="Equation 8" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq8.jpg"> </img>1,7 cm3.</li>
		<li>Determinare le talpe necessarie di ogni componente dividendo questa massa di destinazione per la massa molare media degli ossidi binari costituenti. <img alt="Equation 9" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq9v2.jpg"> <img alt="Equation 10" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq10.jpg"> dove <img alt="Equation 11" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq11.jpg"> è la massa molare della <img alt="Equation 7" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq7.jpg"> </img>componente th. Convertire il numero di moli, <img alt="Equation 12" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq12.jpg"> </img>, torna a grammi di <img alt="Equation 13" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq13.jpg"> Nota: Le masse dei costituenti e composizioni mirate dei materiali sintetizzati qui sono riportate nelle tabelle 1 e 2.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
-Elaborazione di polveri di ossido
	<ol>
<li>Pulire un'agata mortaio e pestello di acquaforte con 20 mL di acqua regia (HNO3 + 3 HCl). Versare l'acido nel mortaio e macinare con il pestello fino a quando il fondo è chiaro. Smaltire l'acido e risciacquare con acqua.</li>
		<li>Combinare 0,559 g di MgO, 1,103 g di CoO, 1,035 g di NiO, 1,103 g di CuO e 1,129 g di polveri di ZnO (per composizione equimolare) nel mortaio pulito.</li>
		<li>Usando il pestello pulito, macinare la polvere con movimenti in senso orario per 20 giri, poi si gira in senso antiorario di 20. Ripetere questo processo per almeno 45 min. uso una spatola metallica pulita per rimuovere la polvere dai lati del mortaio e spazzolare la polvere verso il centro del mortaio. Nota: Polvere di miscelazione e macinazione è completa quando la polvere è omogeneo e di colore grigio-nero, appare finemente terra e si sente liscio.</li>
		<li>Trasferire la polvere in un contenitore pulito, richiudibile per il trasporto.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
Pressatura Pellet in ceramica Attenzione: Indossare guanti e occhiali di sicurezza quando il dado di montaggio e mentre la stampa è in uso. Effettuare operazioni di montaggio e pulizia die intera su una superficie di carta pulita. I componenti utilizzati sono mostrati nella Figura 2.<ol>
<li>Lubrificare i lati e la faccia interna dello stantuffo (etichettati C in Figura 2a e 2b) piccolo fondo dello stampo con olio minerale e inserire il cilindro di morire fino a quando è allineato al margine inferiore.</li>
		<li>Rotolare un carta di pesare nella cavità dello stampo in modo che i lati dello stampo sono coperti. Versare la polvere sul fondo dello stampo. Senza consentendo allo stantuffo piccolo di cadere fuori il dado, picchiettare delicatamente la parte sul bancone per rimuovere eventuali sacche d'aria e livellare la polvere. Rimuovere delicatamente la carta di pesare.</li>
		<li>Aggiungere una piccola quantità di acetone alla polvere nella cavità dello stampo per formare un impasto. In questo modo il flusso di grano mentre il target è sotto pressione e inibisce la formazione di vuoti.</li>
		<li>Lubrificare i lati e la faccia interna dello stantuffo (parte B in Figura 2a e 2b) con olio di paraffina, facendo attenzione a non disturbare la polvere. Inserire questa parte nello stampo. Inserire il dado assemblato la pressa di stampaggio come raffigurato nella Figura 2C, tra cui le piastre superiore e inferiore (parti D nella Figura 2a e 2b) per fornire una superficie uniforme.</li>
		<li>Die posto nella pressa uniassiale fredda. Pompa il braccio di stampa fino a 200 MPa è raggiunto. Consentire la stampa di sedersi nello stato compresso per 20 min. La pressione sarà rilassarsi con il tempo la polvere densifies. Aggiungere pressione secondo necessità per mantenere 200 MPa per la durata di pressatura. Spazzare via qualsiasi solvente in eccesso che fuoriesce all'esterno il dado.</li>
		<li>Rilasciare la pressione di stampa. Rimuovere con attenzione le piastre superiore e inferiore. Posizionare la guaina di rimozione e pistone rimozione come mostrato in Figura 2C. Premere lentamente, rimuovere il pezzo di dado piccolo dall'assembly prima di esporre il bersaglio pressato. Premere delicatamente l'Assemblea fino a quando il bersaglio è esposta dallo stampo. Rimuovere con cautela il corpo verde e trasferirlo in un crogiolo per sinterizzazione.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
Sinterizzazione in ceramica Attenzione: Materiali bersaglio saranno essere temprati dalle alte temperature. Indossare guanti resistenti al calore e uno schermo facciale quando si toglie il crogiolo dal forno caldo.<ol>
<li>Ottenere un crogiolo di allumina che si adatta la polvere pressata e uno strato di 2 mm di Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) 0,1 – 0,2 perline. Ricoprire il fondo del crogiolo con perline di YSZ. Nota: Il rivestimento deve essere di circa 2 mm di spessore per garantire che l'obiettivo non tocchino il fondo del crogiolo.</li>
		<li>Lentamente e con attenzione è possibile trasferire la destinazione premuta al centro del crogiolo.</li>
		<li>Utilizzando pinze metalliche, trasporto attentamente il crogiolo per il forno di sinterizzazione. Aumentare la temperatura a 1100 ° C a 50 ° C min-1. L'obiettivo per 24 h a 1.100 ° C in un'atmosfera di aria di sinterizzazione.</li>
		<li>Mentre a 1100 ° C, togliere il crogiolo dal forno. Utilizzando le pinze, placare rapidamente il bersaglio in acqua a temperatura ambiente. Il bersaglio si polverizza per ~ 30 s, quindi rimuoverlo dall'acqua e asciugare.</li>
		<li>Una volta che la destinazione è fresco e asciutto, misurare la densità di destinazione e confrontare con il valore teorico, <img alt="Equation 14" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq14v2.jpg"> </img>, calcolato in parte 1. Misurare la massa del target sulla bilancia utilizzata in precedenza e misurare le dimensioni utilizzando pinze. Il rapporto tra la densità misurata al valore stimato, <img alt="Equation 15" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq15.jpg"> </img>, dà la densità teorica delle percentuali. Nota: Dopo la sintesi, la densità è di solito ~ 80% della densità teorica.</li>
		<li>Di maggiore densità, riaffilare la destinazione sinterizzata utilizzando il pestello e mortaio e ripetere la procedura di sintesi di Bulk dal punto 1.2.3. Dopo la sinterizzazione secondo, determinare la densità del bersaglio. Nota: Di solito la densità misurata è <img alt="Equation 16" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq16.jpg"> densità teorica, che è adatta per la deposizione laser pulsato (PLD).</li>
	</ol>
</li>
</ol>2. PLD di ESO cristallo singolo film
<ol><li>
Preparazione di destinazione
	<ol>
<li>I pellet di ceramica all'ingrosso sintetizzati nel passaggio 1 servirà ora come fonti di deposizione (obiettivi). Polacco il target in un movimento circolare utilizzando progressive (320/600/800/1.200) grane di SiC carta fino a quando la superficie è riflettente e uniforme.</li>
		<li>Posizionare i bersagli sulla giostra rotante all'interno della camera e posizionare un pezzo di ~ 2 cm x 2 cm di bruciare carta sulla destinazione finale nel percorso del fascio.</li>
		<li>Misurare la dimensione dello spot laser sparare un solo colpo al bersaglio e misurando la conseguente ustione attraverso entrambi gli assi. Se la dimensione dello spot non è corretta, regolare la messa a fuoco (Figura 3a). Regolare la dimensione del punto misurata fino ad ottenere un'ellisse, 0,27 x 0,24 cm su entrambi gli assi.</li>
		<li>Rimuovere la carta brucia e chiudere la porta per l'evacuazione. Evacuare la camera usando un rotolo asciutto sgrossatura pompa ad una pressione di 6.7 Pa, al punto che la pompa turbo può essere filata fino a una frequenza di 1.000 Hz.</li>
		<li>Pompa fuori della camera ad una pressione di base di almeno 1,3 x 10-5 Pa come misurato da un contatore di ioni. Una volta raggiunto, è possibile ridurre il turbo a una velocità di 200 Hz per consentire l'utilizzo di gas di processo durante la crescita.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
Preparazione del substrato
	<ol>
<li>Pulire un singolo cristallino, un lato lucido, substrato di MgO spessa 0,5 mm di sonicazione per 2 minuti ciascuno, a semiconduttore grado tricloroetilene (TCE), acetone grado semiconduttore e isopropanolo ad elevata purezza (IPA).</li>
		<li>Saltare il substrato con gas N2 ultra-secco, compresso e allegare il substrato per il rullo di substrato (Figura 3b) con una piccola quantità di vernice argento termicamente conduttivo. Riscaldare il substrato e il rullo a ° C per 10 minuti su una piastra calda per curare la vernice d'argento.</li>
		<li>Utilizzando lo strumento di trasferimento esterno, posto titolare del substrato sul braccio di trasferimento nella camera di carico blocco, quindi sigillare e pompa fuori della camera ad una pressione di almeno 1,3 x 10-4 PA.</li>
		<li>Trasferire il substrato nella camera di crescita aprendo la valvola a saracinesca tra i due e utilizza il braccio di trasporto per bloccare il rullo di substrato il gruppo riscaldatore.</li>
		<li>Ritrarre il braccio di trasferimento nuovamente dentro il blocco di carico e sigillare la porta. Abbassare il riscaldamento con l'assemblaggio di vite sulla parte superiore della camera.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
L'energia del laser e Fluence Nota: Deposizione è attivata per l'irradiazione di un laser di eccimeri pulsata di 248 nm KrF. La larghezza di impulso del laser è di ~ 20 ns.<ol>
<li>Misura l'energia del laser utilizzando un contatore di energia posizionata nel percorso ottico, poco prima di entrare nella camera (Figura 3a). Determinare l'energia media dopo irradiazione fotodiodo con 50 impulsi a una frequenza di 2 Hz.</li>
		<li>Variare la tensione di eccitazione del laser fino a raggiungere un'energia di impulso media di 310 mJ con stabilità di ± 10 mJ. Rimuovere il contatore di energia dal percorso del fascio per consentire al laser di passare nella camera. Nota: Con un'attenuazione di laser della finestra camera del 10%, la configurazione di cui sopra dà un fluence di 2,55 J cm-2. La distanza del substrato-bersaglio in questo lavoro è di 7 cm. Una differenza di substrato-destinazione diversi può modificare condizioni di deposizione ideale e tasso di crescita.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
Deposizione
	<ol>
<li>Prima crescita, riscaldare il substrato a 1.000 ° C per 30 min a un tasso 30 ° C min-1 nel vuoto a dehydroxylize la superficie del cristallo di MgO. Ridurre la temperatura a 300 ° C a 30° min-1 e permettono di equilibrare per 10 min. Nota: Nostro temperature segnalate sono determinate da una termocoppia all'interno del blocco riscaldatore.</li>
		<li>Flusso ultra-elevata purezza (99.999%) O2 gas nella camera di raggiungere una pressione di 6.7 PA. Nota: Quando l'ossigeno volato nella camera, la pressione è determinata mediante un misuratore di barotron. Il gas viene introdotto tramite un controllore di flusso di massa, come parte di un sistema a circuito chiuso che stabilizza la pressione in camera durante la crescita.</li>
		<li>Pulire i bersagli di eventuali contaminanti rimanenti e prepararli per la crescita di pre-ablazione. Impostare il target selezionato su raster e ruotare, in modo che il laser non è colpire nello stesso punto ogni volta, assicurarsi che il pulsante di scatto del substrato è chiuso e l'ablazione il bersaglio per 2.000 impulsi a una frequenza di 5 Hz. Nota: L'obiettivo è ora pronto, e il sistema è presso le corrette condizioni (temperatura, pressione, fluence) per la deposizione.</li>
		<li>Aprire l'otturatore prima deposizione. A queste condizioni, 10.000 impulsi a 6 Hz produce una pellicola spessa di ~ 80 nm. Nota: Questo tasso di crescita è stato determinato riflettività di raggi x nel precedente lavoro16.</li>
		<li>Dopo la deposizione, aumentare la pressione parziale di ossigeno a 133 Pa (1,0 torr) per inibire la formazione di vacanze di ossigeno. Ridurre la temperatura del campione a 40 ° C a 10 ° min-1. Una volta raggiunto 40 ° C, chiudere il flusso di ossigeno e, dopo la stabilizzazione della pressione, aprire la valvola a saracinesca tra la camera di crescita e il blocco di carico. Sollevare il riscaldatore e usare il braccio di trasferimento per rimuovere il rullo di substrato dall'assembly nuovamente dentro il blocco di carico.</li>
		<li>Sfogare il blocco carico di atmosfera e rimuovere l'esempio utilizzando lo strumento di trasferimento esterno. Rimuovere l'esempio dal piano di lettura utilizzando una lama di rasoio e lucidare la lastra per togliere la vernice argento restante e depositato materiale. Ripetere la procedura partendo dal passaggio 2.2 per la crescita di altri film.</li>
	</ol>
</li>
</ol>

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 <a target="_blank" href="https://mdcvacuum.com/DisplayContentPageFull.aspx?cc=b8ca254a-cdc0-4b71-8603-af10ce18bbcb">https://mdcvacuum.com/DisplayContentPageFull.aspx?cc=b8ca254a-cdc0-4b71-8603-af10ce18bbcb</a> (2018).</li>
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<li>Biegalski, M. D., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.2198088">Relaxor ferroelectricity in strained epitaxial SrTiO3 thin films on DyScO3 substrates.</a> Appl Phys Lett. 88 (19), 192907(2006).</li>
<li>Schlom, D. G., Chen, L. Q., Pan, X., Schmehl, A., Zurbuchen, M. A. <a target="_blank" href="http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1111/j.1551-2916.2008.02556.x/abstract">A Thin Film Approach to Engineering Functionality into Oxides.</a> J Am Ceram Soc. 91 (8), 2429-2454 (2008).</li>
<li>Damodaran, A. R., Breckenfeld, E., Chen, Z., Lee, S., Martin, L. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Enhancement+of+Ferroelectric+Curie+Temperature+in+BaTiO3+Films+via+Strain-Induced+Defect+Dipole+Alignment%5BTitle%5D)+AND+%22Adv+Mater%22%5BJournal%5D)">Enhancement of Ferroelectric Curie Temperature in BaTiO3 Films via Strain-Induced Defect Dipole Alignment.</a> Adv Mater. 26 (36), 6341-6347 (2014).</li>
</ol>

Non abbiamo nulla di divulgare.

Ci hanno descritto e mostrato un protocollo per la sintesi di massa e di alta qualità, unico film cristallini di (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x)) O (x = 0.20, 0.27, 0,33) e (Mg0.25(1-x) Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x)CuxZn0.25(1-x)) O (x = 0.11, 0,27) ossidi di entropia-stabilizzato. Ci aspettiamo che queste tecniche di sintesi sia applicabile a una vasta gamma di composizioni di entropia-stabilizzato os...

Dopo la scoperta di leghe metalliche ad alta entropia nel 2004, materiali ad alta entropia hanno attirato l'interesse significativo dovuto le proprietà quali l'elevata durezza1,2,3, durezza4, 5e corrosione resistenza3,6. Recentemente, sono stati scoperti gli ossidi ad alta entropia7,8 e boruri9 , aprendo un ampio parco giochi per gli appassionati di materiale. Ossidi, in particolare, possono dimostrare utile e dinamiche le proprietà funzionali quali ferroelettricità10, magnetoelectricity11,12, termoelettricità13e superconduttività14 . Entropia-stabilizzato ossidi (OEn) hanno recentemente dimostrati di possedere interessanti, compositivamente dipendente dalla proprietà funzionali15,16, nonostante il disturbo significativo, rendendo questa nuova classe di materiali particolarmente emozionante.
Entropia-stabilizzato materiali sono chimicamente omogeneo, multicomponente (in genere avendo cinque o più costituenti), materiali monofase dove il contributo entropico configurazionale (<img alt="Equation 1" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq1.jpg">) per l'energia libera di Gibbs (<img alt="Equation 2" src="/files/ftp_upload/57746/57746eq2.jpg">) è significativo abbastanza per guidare la formazione di una singola fase soluzione solida17. La sintesi di ESOs multicomponente, dove cationici configurazionale disordine è osservato attraverso i siti di catione, richiede un controllo preciso della composizione, la temperatura, la velocità di deposizione, placare tasso e placare la temperatura7,16 . Questo metodo cerca di abilitare il praticante la capacità di sintetizzare la fase pura e pellet in ceramica di ossido di entropia-stabilizzato chimicamente omogeneo e fase puro, unico cristallino, piatto film sottili della stechiometria desiderata. Materiali alla rinfusa possono essere sintetizzati con maggiore densità teorica 90%, consentendo lo studio delle proprietà elettroniche, magnetiche e strutturali o utilizzano come fonti per le tecniche di film sottile physical vapour deposition (PVD). Come gli ossidi di entropia-stabilizzato qui considerati hanno cinque cationi, tecniche PVD film sottile che impiegano cinque fonti, ad esempio epitassia da fasci molecolari (MBE) o co-sputtering, sarà presentato con la sfida di depositare film sottili chimicamente omogeneo dovuto alla direzione di flusso. Questo protocollo comporta chimicamente omogeneo, singolo cristallina, piatto (rugosità root-mean-square (RMS) di ~0.15 nm) entropia-stabilizzato sottile film di ossido da un'unica fonte di materiale, che sono indicati per possedere la composizione chimica nominale. Questo protocollo di sintesi di film sottile può essere migliorato tramite l'inclusione di in situ dell'elettrone o tecniche di caratterizzazione ottica per monitoraggio in tempo reale della sintesi e controllo di qualità raffinata. Previsti limitazioni di questo metodo derivano dalla deriva di energia laser che può limitare lo spessore del film di alta qualità per essere inferiore a 1 μm.
Nonostante i significativi progressi nella crescita e caratterizzazione di film sottili ossido materiali10,18,19,20,21, la correlazione tra stereochimica e struttura elettronica in ossidi può portare a differenze significative nel materiale finale derivanti da differenze metodologiche apparentemente insignificanti. Inoltre, il campo di ossidi multicomponenti entropia-stabilizzato è piuttosto nascente, con soltanto due rapporti attuali della sintesi di film sottile nella letteratura7,16. OEN si prestano particolarmente bene a questo processo, aggirando le sfide che sarà presentate da deposizione di vapore chimico ed epitassia da fasci molecolari. Qui, forniamo un protocollo dettagliato sintesi di bulk e sottili pellicole ESOs (Figura 1), al fine di ridurre al minimo i materiali di elaborazione difficoltà, variazioni di proprietà non intenzionale e migliorare l'accelerazione della scoperta nel campo.

<table><tbody><tr><td>MAGNESIUM OXIDE 99.95%</td><td>Fisher</td><td>AA1468422</td><td></td></tr><tr><td>COBALT(II) OXIDE, 99.995%</td><td>Fisher</td><td>AA4435414</td><td></td></tr><tr><td>NICKEL(II) OXIDE 99.998%</td><td>Fisher</td><td>AA1081914</td><td></td></tr><tr><td>COPPER(II) OXIDE 99.995%</td><td>Fisher</td><td>AA1070014</td><td></td></tr><tr><td>ZINC OXIDE 99.99%</td><td>Fisher</td><td>AA8781230</td><td></td></tr><tr><td>TRICHLROETHLENE SEMICNDTR 9</td><td>Fisher</td><td>AA39744K7</td><td></td></tr><tr><td>ACETONE SEMICNDTR GRD 99.5%</td><td>Fisher</td><td>AA19392K7</td><td></td></tr><tr><td>2-PROPANOL ACS 99.5%</td><td>Fisher</td><td>A416S4</td><td></td></tr><tr><td>Mineral oil, pure</td><td>Acros Organics</td><td>AC415080010</td><td></td></tr><tr><td>alumina crucible</td><td>MTI Corporation</td><td>eq-ca-l50w40h20</td><td></td></tr><tr><td>ZIRCONIA (YSZ) GRINDING MEDIA</td><td>Inframat Advanced Materials</td><td>4039GM-S010</td><td></td></tr><tr><td>SiC paper 320/600/800/1200</td><td>South Bay Technology</td><td>SDA08032-25</td><td></td></tr><tr><td>MgO (100) substrate, 5x5x0.5 mm, 1SP</td><td>MTI Corporation</td><td>MGa050505S1</td><td></td></tr><tr><td>OXYGEN COMPRESSED ULTRA HIGH PURITY GRADE, 99.999%</td><td>Cryogenic Gases</td><td>OXYUHP</td><td></td></tr><tr><td>NITROGEN COMPRESSED EXTRA DRY GRADE</td><td>Cryogenic Gases</td><td>NITEX</td><td></td></tr></tbody></table>

bulk and thin film synthesis of compositionally variant entropy-stabilized oxides

Qui, presentiamo una procedura per la sintesi di bulk e multicomponenti di film sottile (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x)) O (variante Co) e (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni 0.25(1-x) CuxZn0.25(1-x)) O (Cu variante) entropia-stabilizzato ossidi. Fase pura e chimicamente omogeneo (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x)) O (x = 0.20, 0.27, 0,33) e (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x) CuxZn0.25(1-x)) O (x = 0.11, 0,27) palline ceramiche sono sintetizzati e utilizzato la deposizione di altissima qualità, fase puro, unico film sottili cristallini della stechiometria destinazione. Viene descritta una metodologia dettagliata per la deposizione di film sottili di ossido di liscio, chimicamente omogeneo, entropia-stabilizzato di deposizione laser pulsato su substrati di MgO (001)-orientati. La fase e la cristallinità di massa e materiali a film sottile sono confermati mediante diffrazione di raggi x. Composizione e omogeneità chimica sono confermati dalla spettroscopia fotoelettronica a raggi x e spettroscopia di raggi x dispersiva di energia. La topografia di superficie di film sottili è misurata con microscopia a sonda di scansione. La sintesi di alta qualità, film sottili di ossido cristallino, entropia-stabilizzato singolo consente lo studio dell'interfaccia, dimensione, ceppo e disordine effetti sulle proprietà di questa nuova classe di materiali ossidi altamente disordinata.

Spettri di diffrazione di raggi x (XRD) sono state prese di entrambi i preparati (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x)) O (x = 0.20, 0.27, 0,33) e (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x )CuxZn0.25(1-x)) O (x = 0.11, 0,27) massa ceramica (Figura 4a) e depositati film sottili (Figura 4b). Questi dati mostrano che i ca...

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Bulk and Thin Film Synthesis of Compositionally Variant Entropy-stabilized Oxides

La sintesi di alta qualità all'ingrosso e a film sottile (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x)) O e (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x)CuxZn0.25(1-x )) Ossidi di entropia-stabilizzato O è presentato.

Massa e sintesi di Film sottile di ossidi compositivamente varianti entropia-stabilizzato

Here, we present a procedure for the synthesis of bulk and thin film multicomponent (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x))O (Co variant) and ...

bulk-thin-film-synthesis-compositionally-variant-entropy-stabilized

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9.4K Views.  University of Michigan. La sintesi di alta qualità all'ingrosso e a film sottile (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x)) O e (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x)CuxZn0.25(1-x )) Ossidi di entropia-stabilizzato O è presentato.

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Fabrication of Nano-engineered Transparent Conducting Oxides by Pulsed Laser Deposition

Nanosecond Pulsed Laser Deposition (PLD) in the presence of a background gas allows the deposition of metal oxides with tunable morphology, structure, density and stoichiometry by a proper control of the plasma plume expansion dynamics. Such versatility can be exploited to produce nanostructured films from compact and dense to nanoporous characterized by a hierarchical assembly of nano-sized clusters. In particular we describe the detailed methodology to fabricate two types of Al-doped ZnO (AZO) films as transparent electrodes in photovoltaic devices: 1) at low O2 pressure, compact films with electrical conductivity and optical transparency close to the state of the art transparent conducting oxides (TCO) can be deposited at room temperature, to be compatible with thermally sensitive materials such as polymers used in organic photovoltaics (OPVs); 2) highly light scattering hierarchical structures resembling a forest of nano-trees are produced at higher pressures. Such structures show high Haze factor (&gt;80%) and may be exploited to enhance the light trapping capability. The method here described for AZO films can be applied to other metal oxides relevant for technological applications such as TiO2, Al2O3, WO3 and Ag4O4.

We describe the experimental method to deposit nanostructured oxide thin films by nanosecond Pulsed Laser Deposition (PLD) in the presence of a background gas. By using this method Al-doped ZnO (AZO) films, from compact to hierarchically structured as nano-tree forests, can be deposited.

Fabbricazione di nano-ingegneria trasparenti Ossidi Conducting da Pulsed Laser Deposition

Nanosecond Pulsed  Laser Deposition (PLD) in the presence of a background gas allows the deposition  of metal oxides with tunable morphology, structure, ...

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Fabrication of Spatially Confined Complex Oxides

Complex materials such as high Tc superconductors, multiferroics, and colossal magnetoresistors have electronic and magnetic properties that arise from the inherent strong electron correlations that reside within them. These materials can also possess electronic phase separation in which regions of vastly different resistive and magnetic behavior can coexist within a single crystal alloy material. By reducing the scale of these materials to length scales at and below the inherent size of the electronic domains, novel behaviors can be exposed. Because of this and the fact that spin-charge-lattice-orbital order parameters each involve correlation lengths, spatially reducing these materials for transport measurements is a critical step in understanding the fundamental physics that drives complex behaviors. These materials also offer great potential to become the next generation of electronic devices 1-3. Thus, the fabrication of low dimensional nano- or micro-structures is extremely important to achieve new functionality. This involves multiple controllable processes from high quality thin film growth to accurate electronic property characterization. Here, we present fabrication protocols of high quality microstructures for complex oxide manganite devices. Detailed descriptions and required equipment of thin film growth, photo-lithography, and wire-bonding are presented.

We describe the use of pulsed laser deposition (PLD), photolithography and wire-bonding techniques to create micrometer scale complex oxides devices. The PLD is utilized to grow epitaxial thin films. Photolithography and wire-bonding techniques are introduced to create practical devices for measurement purposes.

Fabbricazione di ossidi complessi spazialmente confinati

Complex materials such as high Tc superconductors, multiferroics, and colossal magnetoresistors have electronic and magnetic properties that arise from ...

Atomically Defined Templates for Epitaxial Growth of Complex Oxide Thin Films

Atomically defined substrate surfaces are prerequisite for the epitaxial growth of complex oxide thin films. In this protocol, two approaches to obtain such surfaces are described. The first approach is the preparation of single terminated perovskite SrTiO3 (001) and DyScO3 (110) substrates. Wet etching was used to selectively remove one of the two possible surface terminations, while an annealing step was used to increase the smoothness of the surface. The resulting single terminated surfaces allow for the heteroepitaxial growth of perovskite oxide thin films with high crystalline quality and well-defined interfaces between substrate and film. In the second approach, seed layers for epitaxial film growth on arbitrary substrates were created by Langmuir-Blodgett (LB) deposition of nanosheets. As model system Ca2Nb3O10- nanosheets were used, prepared by delamination of their layered parent compound HCa2Nb3O10. A key advantage of creating seed layers with nanosheets is that relatively expensive and size-limited single crystalline substrates can be replaced by virtually any substrate material.

Various procedures are outlined to prepare atomically defined templates for epitaxial growth of complex oxide thin films. Chemical treatments of single crystalline SrTiO3 (001) and DyScO3 (110) substrates were performed to obtain atomically smooth, single terminated surfaces. Ca2 Nb3 O10- nanosheets were used to create atomically defined templates on arbitrary substrates.

Modelli atomicamente definiti per epitassiale crescita di ossido Complex Thin Films

Atomically defined substrate surfaces are prerequisite for the epitaxial growth of complex oxide thin films. In this protocol, two approaches to obtain ...

Chimica

Writing and Low-Temperature Characterization of Oxide Nanostructures

Oxide nanoelectronics is a rapidly growing field which seeks to develop novel materials with multifunctional behavior at nanoscale dimensions. Oxide interfaces exhibit a wide range of properties that can be controlled include conduction, piezoelectric behavior, ferromagnetism, superconductivity and nonlinear optical properties. Recently, methods for controlling these properties at extreme nanoscale dimensions have been discovered and developed. Here are described explicit step-by-step procedures for creating LaAlO3/SrTiO3 nanostructures using a reversible conductive atomic force microscopy technique. The processing steps for creating electrical contacts to the LaAlO3/SrTiO3 interface are first described. Conductive nanostructures are created by applying voltages to a conductive atomic force microscope tip and locally switching the LaAlO3/SrTiO3 interface to a conductive state. A versatile nanolithography toolkit has been developed expressly for the purpose of controlling the atomic force microscope (AFM) tip path and voltage. Then, these nanostructures are placed in a cryostat and transport measurements are performed. The procedures described here should be useful to others wishing to conduct research in oxide nanoelectronics.

Oxide nanostructures provide new opportunities for science and technology. The interfacial conductivity between LaAlO3 and SrTiO3 can be controlled with near-atomic precision using a conductive atomic force microscopy technique. The protocol for creating and measuring conductive nanostructures at LaAlO3/SrTiO3 interfaces is demonstrated.

Scrittura e bassa temperatura Caratterizzazione di nanostrutture di ossido

Oxide nanoelectronics is a rapidly growing field which seeks to develop novel materials with multifunctional behavior at nanoscale dimensions.  Oxide ...

Synthesis and Characterization of High c-axis ZnO Thin Film by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System and its UV Photodetector Application

In this study, zinc oxide (ZnO) thin films with high c-axis (0002) preferential orientation have been successfully and effectively synthesized onto silicon (Si) substrates via different synthesized temperatures by using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. The effects of different synthesized temperatures on the crystal structure, surface morphologies and optical properties have been investigated. The X-ray diffraction (XRD) patterns indicated that the intensity of (0002) diffraction peak became stronger with increasing synthesized temperature until 400 oC. The diffraction intensity of (0002) peak gradually became weaker accompanying with appearance of (10-10) diffraction peak as the synthesized temperature up to excess of 400 oC. The RT photoluminescence (PL) spectra exhibited a strong near-band-edge (NBE) emission observed at around 375 nm and a negligible deep-level (DL) emission located at around 575 nm under high c-axis ZnO thin films. Field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) images revealed the homogeneous surface and with small grain size distribution. The ZnO thin films have also been synthesized onto glass substrates under the same parameters for measuring the transmittance.
For the purpose of ultraviolet (UV) photodetector application, the interdigitated platinum (Pt) thin film (thickness ~100 nm) fabricated via conventional optical lithography process and radio frequency (RF) magnetron sputtering. In order to reach Ohmic contact, the device was annealed in argon circumstances at 450 oC by rapid thermal annealing (RTA) system for 10 min. After the systematic measurements, the current-voltage (I-V) curve of photo and dark current and time-dependent photocurrent response results exhibited a good responsivity and reliability, indicating that the high c-axis ZnO thin film is a suitable sensing layer for UV photodetector application.

We offered a method to directly synthesize high c-axis (0002) ZnO thin film by plasma enhanced chemical vapor deposition. The as-synthesized ZnO thin film combined with Pt interdigitated electrode was used as sensing layer for ultraviolet photodetector, showing a high performance through a combination of its good responsivity and reliability.

Sintesi e caratterizzazione di alta c-asse ZnO film sottile da potenziato a plasma Chemical Vapor Deposition del sistema e la sua applicazione Rilevatori UV

In this study, zinc oxide (ZnO) thin films with high c-axis (0002) preferential orientation have been successfully and effectively synthesized onto ...

Epitaxial Growth of Perovskite Strontium Titanate on Germanium via Atomic Layer Deposition

Atomic layer deposition (ALD) is a commercially utilized deposition method for electronic materials. ALD growth of thin films offers thickness control and conformality by taking advantage of self-limiting reactions between vapor-phase precursors and the growing film. Perovskite oxides present potential for next-generation electronic materials, but to-date have mostly been deposited by physical methods. This work outlines a method for depositing SrTiO3 (STO) on germanium using ALD. Germanium has higher carrier mobilities than silicon and therefore offers an alternative semiconductor material with faster device operation. This method takes advantage of the instability of germanium's native oxide by using thermal deoxidation to clean and reconstruct the Ge (001) surface to the 2&#215;1 structure. 2-nm thick, amorphous STO is then deposited by ALD. The STO film is annealed under ultra-high vacuum and crystallizes on the reconstructed Ge surface. Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) is used during this annealing step to monitor the STO crystallization. The thin, crystalline layer of STO acts as a template for subsequent growth of STO that is crystalline as-grown, as confirmed by RHEED. In situ X-ray photoelectron spectroscopy is used to verify film stoichiometry before and after the annealing step, as well as after subsequent STO growth. This procedure provides framework for additional perovskite oxides to be deposited on semiconductors via chemical methods in addition to the integration of more sophisticated heterostructures already achievable by physical methods.

This work details the procedures for the growth and characterization of crystalline SrTiO3 directly on germanium substrates by atomic layer deposition. The procedure illustrates the ability of an all-chemical growth method to integrate oxides monolithically onto semiconductors for metal-oxide semiconductor devices.

Crescita epitassiale di perovskite titanato di stronzio su Germanio via Atomic Layer Deposition

Atomic layer deposition (ALD) is a commercially utilized deposition method for electronic materials. ALD growth of thin films offers thickness control and ...

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

The quasi 2D electron system (q2DES) that forms at the interface between LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) has attracted much attention from the oxide electronics community. One of its hallmark features is the existence of a critical LAO thickness of 4 unit-cells (uc) for interfacial conductivity to emerge. Although electrostatic mechanisms have been proposed in the past to describe the existence of this critical thickness, the importance of chemical defects has been recently accentuated. Here, we describe the growth of metal/LAO/STO heterostructures in an ultra-high vacuum (UHV) cluster system combining pulsed laser deposition (to grow the LAO), magnetron sputtering (to grow the metal) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). We study step by step the formation and evolution of the q2DES and the chemical interactions that occur between the metal and the LAO/STO. Additionally, magnetotransport experiments elucidate on the transport and electronic properties of the q2DES. This systematic work not only demonstrates a way to study the electrostatic and chemical interplay between the q2DES and its environment, but also unlocks the possibility to couple multifunctional capping layers with the rich physics observed in two-dimensional electron systems, allowing the fabrication of new types of devices.

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

We fabricate metal/LaAlO3/SrTiO3 heterostructures using a combination of pulsed laser deposition and in situ magnetron sputtering. Through magnetotransport and in situ X-ray photoelectron spectroscopy experiments, we investigate the interplay between electrostatic and chemical phenomena of the quasi two-dimensional electron gas formed in this system.

Crescita ed elettrostatico/chimica proprietà di metallo/LaAlO3/SrTiO3 eterostrutture

The quasi 2D electron system (q2DES) that forms at the interface between LaAlO3 (LAO) and SrTiO3 (STO) has attracted much attention from the oxide ...

Chemical Synthesis of Porous Barium Titanate Thin Film and Thermal Stabilization of Ferroelectric Phase by Porosity-Induced Strain

Barium titanate (BaTiO3, hereafter BT) is an established ferroelectric material first discovered in the 1940s and still widely used because of its well-balanced ferroelectricity, piezoelectricity, and dielectric constant. In addition, BT does not contain any toxic elements. Therefore, it is considered to be an eco-friendly material, which has attracted considerable interest as a replacement for lead zirconate titanate (PZT). However, bulk BT loses its ferroelectricity at approximately 130 &#176;C, thus, it cannot be used at high temperatures. Because of the growing demand for high-temperature ferroelectric materials, it is important to enhance the thermal stability of ferroelectricity in BT. In previous studies, strain originating from the lattice mismatch at hetero-interfaces has been used. However, the sample preparation in this approach requires complicated and expensive physical processes, which are undesirable for practical applications.
In this study, we propose a chemical synthesis of a porous material as an alternative means of introducing strain. We synthesized a porous BT thin film using a surfactant-assisted sol-gel method, in which self-assembled amphipathic surfactant micelles were used as an organic template. Through a series of studies, we clarified that the introduction of pores had a similar effect on distorting the BT crystal lattice, to that of a hetero-interface, leading to the enhancement and stabilization of ferroelectricity. Owing to its simplicity and cost effectiveness, this fabrication process has considerable advantages over conventional methods.

Here, we present a protocol for the synthesis of porous barium titanate (BaTiO3) thin film by a surfactant-assisted sol-gel method, in which self-assembled amphipathic surfactant micelles are used as an organic template.

Sintesi chimica di Film sottile di titanato di bario poroso e stabilizzazione termica della fase ferroelettrica dallo sforzo indotto da porosità

Barium titanate (BaTiO3, hereafter BT) is an established ferroelectric material first discovered in the 1940s and still widely used because of its ...

Molten-Salt Synthesis of Complex Metal Oxide Nanoparticles

The development of feasible synthesis methods is critical for the successful exploration of novel properties and potential applications of nanomaterials. Here, we introduce the molten-salt synthesis (MSS) method for making metal oxide nanomaterials. Advantages over other methods include its simplicity, greenness, reliability, scalability, and generalizability. Using pyrochlore lanthanum hafnium oxide (La2Hf2O7) as a representative, we describe the MSS protocol for the successful synthesis of complex metal oxide nanoparticles (NPs). Furthermore, this method has the unique ability to produce NPs with different material features by changing various synthesis parameters such as pH, temperature, duration, and post-annealing. By fine-tuning these parameters, we are able to synthesize highly uniform, non-agglomerated, and highly crystalline NPs. As a specific example, we vary the particle size of the La2Hf2O7&#160;NPs by changing the concentration of the ammonium hydroxide solution used in the MSS process, which allows us to further explore the effect of particle size on various properties. It is expected that the MSS method will become a more popular synthesis method for nanomaterials and more widely employed in the nanoscience and nanotechnology community in the upcoming years.

Here, we demonstrate a unique, relatively low-temperature, molten-salt synthesis method for preparing uniform complex metal oxide lanthanum hafnate nanoparticles.

Sali fusi sintesi di nanoparticelle di ossido di metallo complesso

The development of feasible synthesis methods is critical for the successful exploration of novel properties and potential applications of nanomaterials. ...

Metal Oxide Heterojunction for Photocatalytic Activities

There is a significant global demand for improvements in synthesis techniques and their optimal characteristics, especially for industrial-scale applications. Sol-gel-based solution combustion synthesis (SG-SCS) is a simple method to produce ordered porous materials. In this regard, Pearson&#39;s hard and soft acids and bases theory assists in selecting host-dopant reactivity to form a proper heterojunction.
The formation of a heterojunction also changes the essential properties of the materials, improving photocatalysis via charge transfer or synergistic activities. A calcination temperature of 500 &#176;C is ideal for this process based on the results of the stability assessment via a differential thermogravimetry ratio analysis (DTG).
The nanoscale dimensions of the nanoparticles (NPs) and nanocomposites (NCs) generated were validated using X-ray diffraction and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). Furthermore, the scanning electron microscopy micrographs and BET analyses confirmed the porosity nature of the materials. HRTEM, X-ray photoelectron spectroscopy, and energy-dispersive X-ray investigations established the materials composition. The study found that NCs degraded the acid orange 8 (AO8) color more efficiently than bare ZnO.

<meta charset="utf8"></head><body>Eterogiunzione di ossidi metallici per attività fotocatalitiche

The development of a heterojunction boosts the photocatalytic activities of solution combustion synthesis, which is a time-/energy-efficient process. Advanced analytical characterization techniques were used in this protocol to evaluate the materials&#39; characteristics, and nanocomposites demonstrated improved acid orange-8 dye degradation.

Massa e sintesi di Film sottile di ossidi compositivamente varianti entropia-stabilizzato

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