This work was supported by the Department of Energy under the FPACE program (DE-EE0005398), the Ohio State University Institute for Materials Research, and the Ohio Office of Technology Investments&#8217; Third Frontier Program.

このプロトコルは、読者は、標準的なSEMの操作の作業を理解しているという前提で書かれています。メーカー、モデル、さらにソフトウェアのバージョンに応じて、すべてのSEMは、有意に異なるハードウェアおよび/またはソフトウェアインターフェースを有することができます。同じことは、機器の内部構成に関して言うことができます。このプロトコルを以下の場合であっても、比較的小さなサンプルサイズ/形状の変化は、試料の向き（傾き、回転）、および作動距離は、特に場合は、ポールピースに接触することのリスクを提示することができるように、オペレータは、慎重かつ注意深いである必要がありますないユーセントリックの高さで。ここで提供される指示電界放出銃と標準装備、この作業を実行するために使用される機器、FEIシリオンSEMのために、ポールピースが搭載され、環状のSi後方散乱検出器。したがって、読者が自分の特定の機器で同等の操作を実行する方法を理解することが不可欠です。 </P&gt; 1.サンプル調製<ol><li> SEM試料のサイズに応じて適切なサイズに切断するサンプルは、この研究のためのGaP / Siは、それが使用されるマウント。注：サンプルは5mm角と小さいまたは非常にきれいでなければならない使用SEMおよび利用可能なチャンバspace.The試料表面の内部形状に応じて、（4インチ長）フルウェハと同じ大きさにすることができ、チャネリングを乱す可能性があり、汚染（ 例えば 、結晶質または非晶質の自然酸化物）を含みません。 </li><li> SEMの試料上にサンプルを置き、マウントします。注：実装方法は、典型的には、使用するSEMスタブの種類に応じて、クリップのスタイルや、いくつかの接着剤を介してのいずれかを変更することができる（ 例えば 、カーボンテープ、銀ペイント。）。配置の方法は、試料が移動しないこと、それが電気的にサンプルの充電を防止するために接地されていることを確認する必要があります。 </li></ol> 2.ロードサンプル<ol><li>の「ベント」ボタンをクリックすることにより、SEMベントソフトウェアインタフェースと大気圧に達した後、サンプルを挿入します。 </li><li> SEMのドアを閉じる前に、SEMに移動する時にBSE検出器に衝突しないように、サンプルが適切な高さであることを確認してください。 </li><li>ソフトウェアインターフェイスの「ポンプ」ボタンをクリックすることで、SEMをポンプダウン。システムは圧力が測定を開始するのに十分低いことを示すまで待ち​​ます。 </li></ol> 3.設定された適切な労働条件<ol><li> 「ビーム」コントロールエリア内の制御ボタンを介して電子ビームをオンにして、ソフトウェアインタフェースの「ビーム」ドロップダウン·メニューを介して、加速電圧を設定します。ここで提示仕事のために、25 kVのを使用しました。 </li><li> 「ビーム」のドロップダウンメニューから適切な値にビーム電流を設定します。これは、図5（約2.4 NA）に設定されたスポットサイズの設定の仕方によって、ここで使用されるシステム内で決定されます。注記：高ビーム電流は、典型的には必要bとecause ECCI信号は、一般的に弱く、複数の識別可能な画像を可能にする電流も大きいです。 </li><li>二次電子検出器を使用して、ソフトウェアインタフェースを介して画像の焦点とstigmationを調整します。注：これは、右クリックして、ソフトウェアのインターフェイス上でマウスをドラッグして、ここで行われます。フォーカスのために垂直、水平stigmation。また、フォーカス/ stigmation調整のための明確な主題を提供するために、サンプル上の小さな粒子または表面特徴を見つけるために、通常は便利です。 </li><li>増分ステージのZ位置を変更し、必要に応じてフォーカスとstigmationを調整することにより、垂直方向の作動距離内に試料を移動します。 Z位置は、ソフトウェアインタフェースの「ステージ」の制御領域に「Z」のドロップダウンメニューから変更されています。ここで説明する作業のため、5ミリメートルの作動距離は、ユーセントリック高さで同じものを配置し、強いECCI信号のために提供します。 </li></ol> 4.サンプルECPを可視化 &lt;オール&gt; <li>ソフトウェアインターフェイスの「検出器」のドロップダウンメニューから、BSEモードに切り替えます。 </li><li> ECPを可視化するために、キー（ - ）コンピュータのキーボードのマイナスを介して、ここで行われ、その最も低い設定（27X）に倍率を下げます。 </li><li>十分な信号対雑音（ 例えば 、低速走査ではなく、TVモード）で画像を提供するために、「スキャン」のドロップダウンメニューを使用してここで行わ走査速度を調整します。注：平均化または画像を統合することは鮮明、より識別可能な画像を取得する必要があるかもしれません。 </li><li>画像のコントラストや明るさを調整し、「コントラスト」や「明るさ」スライダを介して、ここで達成、ECPの可視性を強化するために、過飽和しないように注意してください。 </li><li>チャネリングパターンの特徴がより明らかに作るために、「R」とソフトウェアインタフェースの「ステージ」コントロールエリア内の &#39;T&#39;のエントリを使用して、試料回転を調整し、傾けます。サンプルrotat（ 図2に示すように）イオンは、ECPの回転をもたらすであろうと（図3に示すように）傾斜は、ECPの翻訳をもたらします。 </li></ol> 5.画像欠陥/特長<ol><li>ステップ4.5で説明したように所望の回折条件を設定するには、サンプルの傾きと回転を調整します。ターゲット菊池バンドエッジを揃えるためにECPを並進および/ ​​または回転させることによって、これを達成する（ すなわち 、明るい菊池バンドとその関連暗い菊池ライン間の変曲点）SEMの光学軸を有します。最大チャネリングが実際菊池ラインで発生しているが、ここで説明する方法で整列させる（ 図4、図5参照）明暗両方のコントラストレベルの欠陥のための可視化のコントラストを提供します。 </li><li>所望の回折条件が達成されると、キーボードプラス（+）キーを介して行われ、ここで、倍率を増加させます。 </li><li>画像を再集束し、ステップ3.2で説明したように、stigmationを調整。注：ここでは、FOをCUSとstigmationは最高の画像化されている特定の欠陥/機能に関して調整されています。 </li><li>バンドの端から小さな偏差が対象欠陥または機能の外観に大きな違いを作ることができますので、しながら、（直交関心の菊地バンド/ラインへの試料傾斜の調整を超えないを小さくすることにより、回折条件を最適化します最大コントラストのための特定の機能を見て。（菊池ラインに向かって）バンドの外側に向かって移動しながら菊池バンドの内側に向かって移動する、典型的には、「明」の特徴の相対的なコントラストを低下させることに注意してください一般的に相対的なコントラストが低下します「暗」の機能。 </li><li>所望のコントラストが得られると、同じバンドがまだ上または非常に光軸の近くにあることを確認するために、倍率を低下させます。あまりにも多くの傾斜は完全に回折条件を変更することができます。 </li></ol>

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The authors have nothing to disclose.

25 kVの加速電圧がこの研究に使用しました。加速電圧は、電子ビームの侵入深さを決定します。高い加速電圧で、試料中のより深いから来たBSE信号が存在することになります。それはインターフェイスに埋葬された試料の表面から離れている転位の可視化を可能にするため、高加速電圧は、このシステムのために選択しました。欠陥/機能の他のタイプは、試料の種類に応じて多かれ少なかれ...

そのような欠陥がデバイス性能に著しい有害な影響を与えることができるので、結晶欠陥や微細構造の詳細な特徴付けは、半導体材料及びデバイスの研究の非常に重要な側面です。転位、積層欠陥、双晶、逆位相ドメイン、等 - - 現在、透過型電子顕微鏡（TEM）は、拡張欠陥の詳細な特徴付けのために最も広く受け入れられ、使用される技術であり、それは十分と欠陥の多様なダイレクトイメージングを可能にするため空間分解能。残念ながら、TEMが原因の研究開発サイクルの大幅な遅延やボトルネックにつながる可能性が長い試料調製時間、基本的に低スループットのアプローチです。加えて、as-grownのひずみ状態の条件のようなサンプルの完全性は、混ぜ結果の機会を残して、試料調製中に変更することができます。 電子チャネリング共同ntrastイメージング（ECCI）に相補的であり、それは、同じ拡張欠陥を撮像するための代替的な、ハイスループットアプローチを提供するようにいくつかのケースでは、潜在的に優れた、技術は、TEMします。エピタキシャル材料の場合、サンプルは、ECCIより多くの時間を効率的に、ノー準備に少し必要があります。さらに有利なのは、標準ECCI環状ポールピース搭載後方散乱電子（BSE）検出器を備えた唯一の電界放出型走査電子顕微鏡（SEM）を必要とするという事実です。 forescatterジオメトリも使用しますが、少し特殊な装置を必要とし、ここで説明されていないことができます。 ECCI信号が二と同様に1非弾性的で継続チャネリングビーム（電子波面）から散乱された電子で構成され、複数の追加の非弾性散乱イベントを通じて、裏面を介してサンプルを逃れることができます。さビームTEMは、オリエによってSEMに特定の回折条件でECCIを行うことが可能ですパターン（環境調和型製品）をチャネリング低倍率の電子を用いて決定されるように、入射電子ビームを満たす結晶ブラッグ条件（ すなわち、チャネリング）ようにサンプルをnting; 1,2は、例えば、 図1を参照。単に、環境調和型製品は、入射電子線回折/チャネリングの姿勢空間表現を提供する。低い後方散乱信号から得られた3ダークラインは、一方、強力なチャネリングを生じるブラッグ条件が満たされている（ すなわち 、菊池線）ビームサンプルの向きを示します明るい領域は高い後方散乱、非回折状態を示しています。 発信電子線回折を介して形成されている、電子後方散乱回折（EBSD）またはTEMにより製造菊池パターンとは対照的に、環境調和型製品は、 入射電子線回折/チャネリングの結果です。 実際には、ECCI用制御回折条件は、試料の向きを調整することによって達成され、Vたとえば、[400]または[220]菊地バンド/ラインは - - SEMの光学軸と一致する目的の明確に定義されたブラッグ条件を表すECPの機能がそのような低倍率下IA傾斜および/または回転、 。その後、高倍率への移行、ため入射電子ビームの角度範囲の結果の制限のため、効果的に理想的にのみ選択された回折条件からの散乱に対応するBSE信号のために選択されます。この方法では、転位などの回​​折コントラストを提供する欠陥を観察することができます。ちょうどTEMのように、このような欠陥によって提示イメージングコントラストは、標準的な不可視の基準によって決定され、G·（U、X、B）= 0とg·gはバーガースベクトルbは 、回折ベクトルを表し、B = 0、およびuライン方向。4本欠陥によって歪め面からのみの回折電子はに関する情報が含まれていますので、現象が発生した不具合は述べています。 現在までに、ECCIは、主に近く、またはのGaSb、5のSrTiO 3、5のGaN、6-9及びSiCなどの機能性材料の試料表面での画像特徴や欠陥に使用されている。10,11この制限は、表面の結果であります100nmの - 信号を構成するBSEは、約10の深さの範囲から来る請求ECCI信号自体の感受性性質。この深さ解像限界に最も重要な寄与は低減する、原因イベントを散乱する電子の喪失に、結晶内への深さの関数として、広がりとにおける進行電子波面（チャネリング電子）の減衰のことです最大電位BSE信号は1それにもかかわらず、深さ分解能のある程度は、Si 1-x GeのX / Si上に以前の研究で報告されていると/ GaAs系ヘテロ構造、12,13ならびにより最近では（そして本明細書）として、XのGa 1-Xのギャップ/ Siのヘテロ構造上の著者、ECCIがで格子不整合ヘテロ界面に埋葬された画像のミスフィット転位に使用された14 （可能な可能性が高い深さ）100nmまでの深さ。 ここで詳細な作業のために、ECCIをエピタキシャルSiの（001）上に成長させたGaP、太陽光発電や光エレクトロニクスなどの分野に向けて、アプリケーションとの複合材料の統合システムを研究するために使用されます。のGaP / Siは費用対効果の高いSi基板上への変成の統合のための潜在的な経路（格子不整合）III-V族半導体として特に重要です。長年にわたり、この方向での努力は、逆位相ドメイン、積層欠陥、およびmicrotwins含むheterovalent核関連する欠陥の多数の制御されていない世代に悩まされてきました。このような欠陥は、デバイス性能に有害である、ESPE、それらがキャリア再結合中心として作用する、電気的にアクティブにすることができ、また、より高い転位密度につながる、界面転位滑りを妨げることができるという事実にインターネット上の下記URLで太陽光発電、。15しかし、最近の著者らの努力と他の人が開発に成功をもたらしましたこれらの核関連の欠陥のないギャップ上のa-Si膜を生成することができ、エピタキシャルプロセスで、16〜19は、それによって継続的進歩のための道を開きます。 それにもかかわらず、理由のGaPおよびSi（室温で0.37パーセント）との間に小さいが、無視できない、格子不整合のため、ミスフィット転位の発生は避けられない、と完全にリラックスしたエピ層を生成するために実際に必要です。 glissileであり、長いネットグライド長を通じて株を大量に緩和することができるすべり系に対するFCCベースの閃亜鉛鉱構造のギャップ、60°型の転位をもたらす（混合エッジとネジ）する傾向があります。追加の複雑さはまたに不整合によって導入され、（典型的な成長温度で、すなわち 、≥0.5％のミスフィット）温度の上昇とともに増加する格子不整合になるのGaPとSiの熱膨張係数、20ので、一緒に（ミスフィット転位ループの残りの部分を構成する貫通転位セグメント界面のミスフィット結晶面）だけでなく、それらの関連する非発光キャリア再結合特性のために知られており、したがって、劣化デバイス性能、21は完全にそれらの性質及びその数を最小化することができるように進化を理解することが重要です。界面ミスフィット転位の詳細な特徴は、このようにシステムの転位動力学に関するかなりの量の情報を提供することができます。 ここでは、ECCIを実行し、その機能と長所の例を提供するために、SEMを使用するためのプロトコルを説明します。ここでの重要な違いは、ECCIの使用は微細構造characteriを実行することです一般的に起因する大幅に削減サンプル調製ニーズにかなり短い時間枠でECCIは同等のデータを提供するのに対し、TEMを介して行うが、一種の化。比較的滑らかな表面を有するエピタキシャルサンプルについて場合には、効果的に全く必要ない試料調製はありません。欠陥やミスフィット転位の一般的な特徴付けのためのECCIの使用が提供される観察された結晶欠陥のいくつかの例を挙げて、説明されています。界面ミスフィット転位の配列の観察された画像造影上の不可視基準の影響は、その後に記載されています。 TEMのようなデータを提供する、しかしの都合から - 転位核生成のためのギャップ上のa-Si臨界厚さを決定するために、この場合の検討を - これは、ECCIは、特性評価の重要な態様を実行するために使用することができる方法のデモンストレーションが続きますSEMと大幅に減少した時間枠で。

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Sirion Field Emission SEM</td>
			<td>FEI/Phillips</td>
			<td>516113</td>
			<td>Field emission SEM with beam voltage range of 200 V - 30 kV, equipped with a backscattered electron detector</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sample of Interest</td>
			<td>Internally produced</td>
			<td>N/A</td>
			<td>Synthesized/grown in-house via MOCVD</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PELCO SEMClip</td>
			<td>Ted Pella, Inc.</td>
			<td>16119-10</td>
			<td>Reusable, non-adhesive SEM sample stub (adhesive attachment will also work)</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

electron channeling contrast imaging for rapid iii-v heteroepitaxial characterization

Misfit dislocations in heteroepitaxial layers of GaP grown on Si(001) substrates are characterized through use of electron channeling contrast imaging (ECCI) in a scanning electron microscope (SEM). ECCI allows for imaging of defects and crystallographic features under specific diffraction conditions, similar to that possible via plan-view transmission electron microscopy (PV-TEM). A particular advantage of the ECCI technique is that it requires little to no sample preparation, and indeed can use large area, as-produced samples, making it a considerably higher throughput characterization method than TEM. Similar to TEM, different diffraction conditions can be obtained with ECCI by tilting and rotating the sample in the SEM. This capability enables the selective imaging of specific defects, such as misfit dislocations at the GaP/Si interface, with high contrast levels, which are determined by the standard invisibility criteria. An example application of this technique is described wherein ECCI imaging is used to determine the critical thickness for dislocation nucleation for GaP-on-Si by imaging a range of samples with various GaP epilayer thicknesses. Examples of ECCI micrographs of additional defect types, including threading dislocations and a stacking fault, are provided as demonstration of its broad, TEM-like applicability. Ultimately, the combination of TEM-like capabilities &#8211; high spatial resolution and richness of microstructural data &#8211; with the convenience and speed of SEM, position ECCI as a powerful tool for the rapid characterization of crystalline materials.

この研究のためのギャップ/ Siのサンプルは、著者の前にヘテロエピタキシャルプロセスを報告した後のAixtron社3×2の密結合シャワーヘッド反応器内で有機金属化学気相成長（MOCVD）によって成長させた。17全ての成長（4インチのSi上で実施しました[110]に向かって6度の意図的なミスオリエンテーション（オフカット）001）基板。すべてのECCIイメージングは​​、（脇SEMにロードするた...

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Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization

The use of electron channeling contrast imaging in a scanning electron microscope to characterize defects in III-V/Si heteroexpitaxial thin films is described. This method yields similar results to plan-view transmission electron microscopy, but in significantly less time due to lack of required sample preparation.

迅速なIII-Vヘテロ特徴付けのための電子チャネリングコントラストイメージング

Misfit dislocations in heteroepitaxial layers of GaP grown on Si(001) substrates are characterized through use of electron channeling contrast imaging ...

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Research

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Engineering

10.9K ビュー.  The Ohio State University. The use of electron channeling contrast imaging in a scanning electron microscope to characterize defects in III-V/Si heteroexpitaxial thin films is described. This method yields similar results to plan-view transmission electron microscopy, but in significantly less time due to lack of required sample preparation.

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Spatial Separation of Molecular Conformers and Clusters

Gas-phase molecular physics and physical chemistry experiments commonly use supersonic expansions through pulsed valves for the production of cold molecular beams. However, these beams often contain multiple conformers and clusters, even at low rotational temperatures. We present an experimental methodology that allows the spatial separation of these constituent parts of a molecular beam expansion. Using an electric deflector the beam is separated by its mass-to-dipole moment ratio, analogous to a bender or an electric sector mass spectrometer spatially dispersing charged molecules on the basis of their mass-to-charge ratio. This deflector exploits the Stark effect in an inhomogeneous electric field and allows the separation of individual species of polar neutral molecules and clusters. It furthermore allows the selection of the coldest part of a molecular beam, as low-energy rotational quantum states generally experience the largest deflection. Different structural isomers (conformers) of a species can be separated due to the different arrangement of functional groups, which leads to distinct dipole moments. These are exploited by the electrostatic deflector for the production of a conformationally pure sample from a molecular beam. Similarly, specific cluster stoichiometries can be selected, as the mass and dipole moment of a given cluster depends on the degree of solvation around the parent molecule. This allows experiments on specific cluster sizes and structures, enabling the systematic study of solvation of neutral molecules.

We present a technique that allows the spatial separation of different conformers or clusters present in a molecular beam. An electrostatic deflector is used to separate species by their mass-to-dipole moment ratio, leading to the production of gas-phase ensembles of a single conformer or cluster stoichiometry.

分子適合体とクラスターの空間的分離

Gas-phase molecular physics and physical chemistry experiments commonly use supersonic expansions through pulsed valves for the production of cold ...

工学

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by quantum mechanical effects such as tunneling through single dopants, scattering via interface defects, and discrete trap charge states. However, progress in silicon technology has shown that these phenomena can be harnessed and exploited for a new class of quantum-based electronics. Among others, multi-layer-gated silicon metal-oxide-semiconductor (MOS) technology can be used to control single charge or spin confined in electrostatically-defined quantum dots (QD). These QD-based devices are an excellent platform for quantum computing applications and, recently, it has been demonstrated that they can also be used as single-electron pumps, which are accurate sources of quantized current for metrological purposes. Here, we discuss in detail the fabrication protocol for silicon MOS QDs which is relevant to both quantum computing and quantum metrology applications. Moreover, we describe characterization methods to test the integrity of the devices after fabrication. Finally, we give a brief description of the measurement set-up used for charge pumping experiments and show representative results of electric current quantization.

The fabrication process and experimental characterization techniques relevant to single-electron pumps based on silicon metal-oxide-semiconductor quantum dots are discussed.

単電子揚水用のシリコン金属酸化膜半導体量子ドット

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by ...

Fabrication of High Contrast Gratings for the Spectrum Splitting Dispersive Element in a Concentrated Photovoltaic System

High contrast gratings are designed and fabricated and its application is proposed in a parallel spectrum splitting dispersive element that can improve the solar conversion efficiency of a concentrated photovoltaic system. The proposed system will also lower the solar cell cost in the concentrated photovoltaic system by replacing the expensive tandem solar cells with the cost-effective single junction solar cells. The structures and the parameters of high contrast gratings for the dispersive elements were numerically optimized. The large-area fabrication of high contrast gratings was experimentally demonstrated using nanoimprint lithography and dry etching. The quality of grating material and the performance of the fabricated device were both experimentally characterized. By analyzing the measurement results, the possible side effects from the fabrication processes are discussed and several methods that have the potential to improve the fabrication processes are proposed, which can help to increase the optical efficiency of the fabricated devices.

The fabrication of high contrast gratings as the parallel spectrum splitting dispersive element in a concentrated photovoltaic system is demonstrated. Fabrication processes including nanoimprint lithography, TiO2 sputtering and reactive ion etching are described. Reflectance measurement results are used to characterize the optical performance.

集中太陽光発電システムにおけるスペクトル分割分散素子の高コントラスト回折格子の作製

High contrast gratings are designed and fabricated and its application is proposed in a parallel spectrum splitting dispersive element that can improve ...

Use of a Multi-compartment Dynamic Single Enzyme Phantom for Studies of Hyperpolarized Magnetic Resonance Agents

Imaging of hyperpolarized substrates by magnetic resonance shows great clinical promise for assessment of critical biochemical processes in real time. Due to fundamental constraints imposed by the hyperpolarized state, exotic imaging and reconstruction techniques are commonly used. A practical system for characterization of dynamic, multi-spectral imaging methods is critically needed. Such a system must reproducibly recapitulate the relevant chemical dynamics of normal and pathological tissues. The most widely utilized substrate to date is hyperpolarized [1-13C]-pyruvate for assessment of cancer metabolism. We describe an enzyme-based phantom system that mediates the conversion of pyruvate to lactate. The reaction is initiated by injection of the hyperpolarized agent into multiple chambers within the phantom, each of which contains varying concentrations of reagents that control the reaction rate. Multiple compartments are necessary to ensure that imaging sequences faithfully capture the spatial and metabolic heterogeneity of tissue. This system will aid the development and validation of advanced imaging strategies by providing chemical dynamics that are not available from conventional phantoms, as well as control and reproducibility that is not possible in vivo.

A multi-compartment dynamic phantom is used to simulate some biology of interest for metabolic studies using hyperpolarized magnet resonance agents.

過分極磁気共鳴剤の研究のための多区画動的単一酵素ファントムの使用

Imaging of hyperpolarized substrates by magnetic resonance shows great clinical promise for assessment of critical biochemical processes in real time. Due ...

Comprehensive Characterization of Extended Defects in Semiconductor Materials by a Scanning Electron Microscope

Extended defects such as dislocations and grain boundaries have a strong influence on the performance of microelectronic devices and on other applications of semiconductor materials. However, it is still under debate how the defect structure determines the band structure, and therefore, the recombination behavior of electron-hole pairs responsible for the optical and electrical properties of the extended defects. The present paper is a survey of procedures for the spatially resolved investigation of structural and of physical properties of extended defects in semiconductor materials with a scanning electron microscope (SEM). Representative examples are given for crystalline silicon. The luminescence behavior of extended defects can be investigated by cathodoluminescence (CL) measurements. They are particularly valuable because spectrally and spatially resolved information can be obtained simultaneously. For silicon, with an indirect electronic band structure, CL measurements should be carried out at low temperatures down to 5 K due to the low fraction of radiative recombination processes in comparison to non-radiative transitions at room temperature. For the study of the electrical properties of extended defects, the electron beam induced current (EBIC) technique can be applied. The EBIC image reflects the local distribution of defects due to the increased charge-carrier recombination in their vicinity. The procedure for EBIC investigations is described for measurements at room temperature and at low temperatures. Internal strain fields arising from extended defects can be determined quantitatively by cross-correlation electron backscatter diffraction (ccEBSD). This method is challenging because of the necessary preparation of the sample surface and because of the quality of the diffraction patterns which are recorded during the mapping of the sample. The spatial resolution of the three experimental techniques is compared.

The optical, electrical, and structural properties of dislocations and of grain boundaries in semiconductor materials can be determined by experiments performed in a scanning electron microscope. Electron microscopy has been used to investigate cathodoluminescence, electron beam induced current, and diffraction of backscattered electrons.

走査型電子顕微鏡による半導体材料における拡張欠陥の総合的な特性評価

Extended defects such as dislocations and grain boundaries have a strong influence on the performance of microelectronic devices and on other applications ...

Characterization of Anisotropic Leaky Mode Modulators for Holovideo

Holovideo displays are based on light-bending spatial light modulators. One such spatial light modulator is the anisotropic leaky mode modulator. This modulator is particularly well suited for holographic video experimentation as it is relatively simple and inexpensive to fabricate1-3. Some additional advantages of leaky mode devices include: large aggregate bandwidth, polarization separation of signal light from noise, large angular deflection and frequency control of color1. In order to realize these advantages, it is necessary to be able to adequately characterize these devices as their operation is strongly dependent on waveguide and transducer parameters4. To characterize the modulators, the authors use a commercial prism coupler as well as a custom characterization apparatus to identify guided modes, calculate waveguide thickness and finally to map the device's frequency input and angular output of leaky mode modulators. This work gives a detailed description of the measurement and characterization of leaky mode modulators suitable for full-color holographic video.

This work describes fabrication and characterization of anisotropic leaky mode modulators for holographic video.

Holovideoための異方性漏洩モードモジュレーターのキャラクタリゼーション

Holovideo displays are based on light-bending spatial light modulators.  One such spatial light modulator is the anisotropic leaky mode modulator.  This ...

Electrochemical Etching and Characterization of Sharp Field Emission Points for Electron Impact Ionization

A new variation of the drop-off method for fabricating field emission points by electrochemically etching tungsten rods in a NaOH solution is described. The results of studies in which the etching current and the molarity of the NaOH solution used in the etching process were varied are presented. The investigation of the geometry of the tips, by imaging them with a scanning electron microscope, and by operating them in field emission mode is also described. The field emission tips produced are intended to be used as an electron beam source for ion production via electron impact ionization of background gas or vapor in Penning trap mass spectrometry applications.

A method for electrochemically etching field emission tips is presented. Etching parameters are characterized and the operation of the tips in field emission mode is investigated.

電子衝撃イオン化のためのシャープフィールドエミッションポイントの電気化学エッチングとキャラクタリゼーション

A new variation of the drop-off method for fabricating field emission points by electrochemically etching tungsten rods in a NaOH solution is described. ...

Single-Digit Nanometer Electron-Beam Lithography with an Aberration-Corrected Scanning Transmission Electron Microscope

We demonstrate extension of electron-beam lithography using conventional resists and pattern transfer processes to single-digit nanometer dimensions by employing an aberration-corrected scanning transmission electron microscope as the exposure tool. Here, we present results of single-digit nanometer patterning of two widely used electron-beam resists: poly (methyl methacrylate) and hydrogen silsesquioxane. The method achieves sub-5 nanometer features in poly (methyl methacrylate) and sub-10 nanometer resolution in hydrogen silsesquioxane. High-fidelity transfer of these patterns into target materials of choice can be performed using metal lift-off, plasma etch, and resist infiltration with organometallics.

We use an aberration-corrected scanning transmission electron microscope to define single-digit nanometer patterns in two widely-used electron-beam resists: poly (methyl methacrylate) and hydrogen silsesquioxane. Resist patterns can be replicated in target materials of choice with single-digit nanometer fidelity using liftoff, plasma etching, and resist infiltration by organometallics.

収差補正走査透過電子顕微鏡と 1 桁台のナノメートルの電子ビーム露光

We demonstrate extension of electron-beam lithography using conventional resists and pattern transfer processes to single-digit nanometer dimensions by ...

A Rapid Method for Modeling a Variable Cycle Engine

The variable cycle engines (VCE) that combine the advantages of turbofan and turbojet engines, are widely considered to be the next generation aircraft engines. However, developing VCE requires high costs. Thus, it is essential to build a mathematical model when developing an aircraft engine, which may avoid a large number of real tests and reduce the cost dramatically. Modeling is also crucial in control law development. In this article, based on a graphical simulation environment, a rapid method for modeling a double bypass variable cycle engine using object-oriented modeling technology and modular hierarchical architecture is described. Firstly, the mathematical model of each component is built based on the thermodynamic calculation. Then, a hierarchical engine model is built via the combination of each component mathematical model and the N-R solver module. Finally, the static and dynamic simulations are carried out in the model and the simulation results prove the effectiveness of the modeling method. The VCE model built through this method has the advantages of clear structure and real-time observation.

Here, we present a protocol to build a component-level mathematical model for a variable cycle engine.

可変サイクルエンジンのモデリングの迅速な方法

The variable cycle engines (VCE) that combine the advantages of turbofan and turbojet engines, are widely considered to be the next generation aircraft ...

Method Development for Contactless Resonant Cavity Dielectric Spectroscopic Studies of Cellulosic Paper

The current analytical techniques for characterizing printing and graphic arts substrates are largely ex situ and destructive. This limits the amount of data that can be obtained from an individual sample and renders it difficult to produce statistically relevant data for unique and rare materials. Resonant cavity dielectric spectroscopy is a non-destructive, contactless technique which can simultaneously interrogate both sides of a sheeted material and provide measurements which are suitable for statistical interpretations. This offers analysts the ability to quickly discriminate between sheeted materials based on composition and storage history. In this methodology article, we demonstrate how contactless resonant cavity dielectric spectroscopy may be used to differentiate between paper analytes of varying fiber species compositions, to determine the relative age of the paper, and to detect and quantify the amount of post-consumer waste (PCW) recycled fiber content in manufactured office paper.

A protocol for the non-destructive analysis of the fiber content and relative age of paper.

セルロース系紙の非接触共振キャビティ誘電分光研究の方法開発

The current analytical techniques for characterizing printing and graphic arts substrates are largely ex situ and destructive. This limits the amount of ...