연구는 양자 계산을위한 우수의 호주 연구위원회 센터 및 통신 기술, 프로젝트 번호 CE110001027에 의해 지원됩니다.

1. 일부 사용자 정의 - 기본 요소 <ol><li> 링 공진기 이 실험에서, 분할 및 다른 주파수의 빔을 결합하여 두 개의 링 공진기가 필요합니다. 캐비티의 설계를도. 2. <ol><li> 대량의 알루미늄 중공 실린더 주위의 공진기를 구축 할 수 있습니다. 한쪽 끝에서 동일한 반사율을 가진 두 개의 평면 거울을 탑재합니다. 반대쪽에서 최대 반사율 곡면 거울을 탑재합니다. 거울은 캐비티 스페이서에 접착 할 필요가 없습니다. 스페이서의주의 가공으로, 엔드 - 캡은 장소에 저장하기에 충분합니다. </li><li> 공동의 공진 주파수를 제어하도록 O-링 및 압전 액츄에이터와 곡면 거울을 배합. 거울 뒤에 피에조, 거울과 공동 스페이서 사이의 O-링을 놓습니다. 엔드 미러의 고속 작동을 허용하도록 엔드 캡과 공진기 스페이서 상으로 이러한 요소를 압축. O-링 압축의 조합고속 피에조는 일반적으로 10 kHz의 초과 대역폭 제어를 허용. 참고 :이 예를 들어, 스페이서는 약 25 ㎝ 길이입니다. 제어 및 프로브 빛이 초 미세 분할이 자유 스펙트럼 범위의 배수가되어야 함을 의미한다 coresonant되지 않도록 그것을 선택해야하지만,이 길이는 임의입니다. 때문에 링 형상으로, 공동은 서로 다른 기교의 비축 퇴 편광 모드를해야합니다. 사용자 정의 코팅 된 거울은 P-편광에 대한 약 100의 기교에 이르게의 편광, 1,000의 주위에 기교의 캐비티를 제공하기 위해 지정됩니다. 이러한 실험은 일반적으로 저가 기교 모드에서 수행되는 동안 빔의 강한 필터링이 요구되어야 설치 간단 높은 기교 모드로 전환 될 수있다. </li></ol></li><li> 메모리 셀 및 그 하우징의 디자인 <ol><li> 메모리 장치를 구축하기 위해, 동위 원소로 향상된 87 RB 앨라배마 함유 긴 셀을 사용Kr을 버퍼 가스의 0.5 토르와 사연. 셋업에서, 길이는 20cm이다. 셀의 창은 반사 방지 코팅입니다. 이 셀은 비자 열선을 사용하여 약 80 °의 C로 가열해야합니다. </li><li> 세 동심 솔레노이드 셀을 싸는. 두 개의 내부 솔레노이드는 자기장의 그라디언트를 만들 수 있습니다. 이러한 솔레노이드 풍력, 비오 - 사 바르 식을 이용하여 시뮬레이션을 수행한다. 선형 적으로 변화하는 자기장을 제공 할 것입니다 가변 피치 솔레노이드를 시뮬레이션합니다. </li><li> 그래프 프로그램을 사용하여 종이에이 나선형의 플롯을 인쇄 할 수 있습니다. 파이프에 전선을 따라 바람에 라인을 제공하기 위해 PVC 파이프 주변의 종이 포장. 참고 :이 설정에서 코일은, 가장자리 효과를 방지하기 위해 가스 셀의 배 이상 길이 50​​ cm 길이 있습니다. 직경은 자기장이 주로 길이되도록 다음 번 셀의 직경 (6) 및 10cm,이다. 그라데이션 솔레노이드 그래서 그쪽으로 서로 반대그들 사이의 t의 전환 (그림. 3 참조) 기울기의 부호를 전환합니다. 전형적인 실험에서, 현재의 2 ~ 3은이 코일을 통해 실행되고, 코일은 3 ~ 4 마이크로 초에 전환됩니다. </li><li> 전환 시간을 최적화하고 중지하는 진동은 코일과 직렬 200 Ω 댐핑 저항을 사용한다. 제만 수준의 타락을 올리려면 DC 자기장을 제공하는 데 사용되는 세 번째 일반적으로 상처 코일 내부에 두 솔레노이드를 놓습니다. 루비듐 자기장 (26)의 약 1.4 MHz의 / G의 변화가 있습니다. 그라디언트 2 G / M 것 동안 일반적인 DC 필드, 6 G입니다. </li><li> 실험에 대한 지구의 자기장의 영향을 저감하는 3 기의 자기 코일 주위 μ-금속 실드의 2 개의 층을 배치. </li></ol></li></ol> 2. 광 빔 경로의 레이아웃 <ol><li> 795 nm에서의 루비듐 D 1 라인 근처에 조정 된 단일 모드 레이저를 사용합니다. 주파수를 모니터도 3에 도시 된 바와 같이, 포화 흡수 측정을 사용하는 레이저. = 2 전이 F에 = 2 F &#39;위의 약 1.5 기가 헤르쯔에 의해 주파수를 디튠. 이것은 제어 광의 대략 주파수 일 것이다. </li><li> 빔 스플리터 BS2에서, 제어 빔을 형성하는 주요 레이저 떨어져 약간 빛을 누릅니다. 음향 광학 변조기 AOM1를 사용하여 주파수를 시프트. 이 AOM도 제어 광의 파워의 조절을 허용한다. , AOM 구동 TTL 신호에 의해 제어되는 RF 스위치를 통해 신호 소스의 출력을 전달하고 AOM로 전송하기 전에 상기 신호를 증폭한다. 이 AOM의 구동 주파수를 변화시킴으로써, 예를 들면 라만 흡수를 최적화하기 위해 미세 조정 제어 주파수. 설치 프로그램에서 버튼 확장 박스 (AOM)의 RF 구동 주파수는 80 MHz의, 그러나 이것은 임의의. </li><li> 제어 빔으로부터 6.8 GHz의 현재 주파수의 초 미세 바닥 상태 분할 됨으로써, 양자의 메모리에 저장 될 것이다 프로브 빔을 DETUNERB 87. 이 주파수를 준비하려면, 6.8 GHz의 마이크로파 소스에 의해 구동되는 광섬유 결합 전기 광학 변조기를 통해 레이저를 전달합니다. 이것은 캐리어 주파수 위와 아래 6.8 기가 헤르쯔의 고조파 파대의 어레이를 생성한다. </li><li> 순수한 주파수 프로브 빔을 얻으려면 +6 구분합니다. 8 GHz의 빛을 다른 모든 원치 않는 변조 측 대역에서. 이를 위해, 링 공동 중 하나를 사용한다. 6. 8 GHz의 사이드 밴드와 공명에 구멍 잠금 1. 모든 다른 주파수를 반영하면서이 주파수는 다음 따라서 루비듐 원자 F = 1 바닥 상태를 해결할 것이다 순수한 주파수를 준비하는, 공진기를 통해 전송 될 것이다. 공동은 입력 미러로부터 반사 된 광을 사용하여] 파운드 Drever - 홀 (27)의 기술을 이용하여 잠글 수있다. </li><li> BS3에서 레이저 빔의 부분을 탭하고 정밀한 주파수 제어 및 프로브 빔의 강도를 허용하도록 AOM2 통해 보낸다. 그곳에AOM을 운전하는 방법 중 몇 가지 있습니다. 예를 들어, 80 MHz에서 변조 된 가우스 펄스를 발생하도록 설정 프로그램 가능한 신호 생성기를 사용한다. 또한, 80 MHz에서 변조 된 펄스를 제공하는 RF 믹서에 펄스로 연속 80 MHz의 신호를 결합한다. 어느 쪽이든,이 변조 된 가우스는 증폭과 AOM의 회절 순서로 빛의 펄스를 제공하기 위해 AOM로 전송됩니다. 주 :이 회절 순서는 메모리에 저장 될 수있는 빛의 미세 제어 된 펄스를 제공 할 것이다. 펄스의 크기는 AOM 구동 전력의 조합을 사용하고 BS1의 분할 비율을 가변 조정할 수있다. 이는 펄스 진폭의 넓은 범위의 안정적인 생산이 가능하고, 특히, 평균 광자 번호 1보다 23 매우 약한 펄스의 생성을 허용한다. </li><li> 다음 단계는 프로브 제어 빔을 재결합하는 것이다. 이것은 간단한 빔 스플리터와 함께 할 수 있지만, 그 빛의 일부를 잃는 것을 의미한다.프로브 및 제어의 편광 직교되었습니​​다 경우 무손실 재결합은 편광 빔 스플리터를 사용하여 달성 될 수 있지만, 저장 장치는 진정 프로브 및 제어 편광들의 독립적 제어를 통해 최적화 될 수있다. <ol><li> 이것을 달성하기 위해, 초 고효율, 임피던스 정합, 링 공동을 사용한다. 컨트롤 필드가 출력 거울에서 반사되는 동안 프로브 빔을 통해 전송 될 수 있도록 캐비티를 설정한다. 이 제 2 공진기를 통해 프로브의 송신도 4 광파 혼합의 문제를 방지 할 주파수 필터링의 두번째 층을 제공한다. </li><li> 공동의 반전 모드에 주입 보조 잠금 빔 (점선)을 이용한 프로브 광의 주파수에이 캐비티를 잠근다. 프로브 빔에서 다른 주파수, 편파 및 공간 모드로 튜닝이 빔 악영향 프로브 빔에 영향을주지 않고 반사에 검출 될 수 있도록. 이러한 노력에 대한 이유는 그것이캐비티를 고정 저전력, 펄스 프로브 빔을 사용하기 어려워 어렵다. 제어 및 프로브 빔이 각각 7mm 및 3mm 크기로 메모리 셀 전에 시준된다. </li><li> 메모리 셀 전에 제어 필드 전원 ~ 270 mW의와 프로브 전원이 실험의 실행에 따라 몇 마이크로 와트 0에서 선택 될 수있다. 4 파장 판을 사용하여, (약) 원형과 같은 헬리 시티의로 결합 된 프로브 및 제어 광선의 편광을 조절합니다. 메모리 가스 전지 장치에 그들을 주입. </li></ol></li><li> LabVIEW 프로그램 (28)을 사용하는 실험의 모든 요소의 타이밍을 제어한다. 전형적인 듀티 사이클은 120 마이크로 초 것이다. 메모리 동작에 방해가되지 않도록 메모리 저장 시간 동안 히터를 끄고. 일반적인 타이밍 시퀀스는도 4에 도시된다. 가능하면 광이 메모리에 저장되어있는 동안, 상기 제어 광을 해제. 따뜻한 가스 셀에, 비록 일E 라만 천이 도플러 폭 넘은 여기 상태로부터 이조되는, 제어 필드는 여전히 의한 자발 라만 산란의 영이 아닌 확률 메모리의 decoherence 중요한 소스가 될 수있다. 라만 산란이 제어 필드 전력에 정비례와 반비례 이조에 제곱. 제어 필드는 전체 축적 시간 중에 유지되는 경우,이 낮은 상태와 상호 작용 및 산란에 의해 정의 된 기하 급수적으로 간섭 성을 파괴 할 수있다. 이것은 토론 섹션에서 추가로 설명된다. </li><li> 저장 및 리콜 후 빔으로부터 제어 필드를 제거하기 위해 여과 셀을 통해 프로브를 통과한다. 이 RB의 천연 혼합물로 셀을 사용하는 것이 가능하다. 85 RB는 진압의 60dB을 제공하고, 상기 제어 광의 주파수에서 강하게 지배하고 흡수한다. 프로브 빔은 통상적으로 1.4 dB, 훨씬 덜 감쇠된다. 140 ℃로 가열 긴 셀 75mm를 사용동위 원소 강화 85 RB와 셀은 작은 프로브의 흡수로 이어질 것입니다. </li><li> 마지막 단계는 호모 다인 ​​또는 헤테로 다인 검출을 이용하여, 프로브 펄스의 검출이다. 이 검출 방법의 장점은 그래서 어떤 잔여 제어 광이 측정에 영향을주지한다 선택 모드이다. 에코는 half-wave/quarter-wave 접시 조합을 사용하여 선형을 만들어 (근처) 원 편광 있습니다. <ol><li> , 국부 발진기를 생산 BS4에 빔 부분을 누르고 AOM4를 사용하여 주파수를 시프트한다. 빠른 오실로스코프를 사용하여 호모 다인 ​​또는 헤테로 다인 설정에서 신호를 저장, LabVIEW는 제어 프로그램에 트리거. </li></ol></li></ol>

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B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Spatial Multimode Storage in a Gradient Echo Memory [dissertation]. , (2012).</li><li>Sparkes, B. M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Gradient+echo+memory+in+an+ultra-high+optical+depth+cold+atomic+ensemble.">Gradient echo memory in an ultra-high optical depth cold atomic ensemble.</a> arXiv. , (2012).</li></ol>

저자는 더 경쟁 재정적 이익이 없다는 것을 선언합니다.

높은 메모리 효율을위한 필요 조건은 높은 외경 [30]입니다. Λ-GEM의 OD는 Ω_c이 결합 자계 라비 주파수이고, Δ가 여기 상태로부터 라만 이조 인 라만 계수 Ω_c 2 / Δ 2에 비례한다. 자발 라만 산란 비율은 라만 계수에 비례하고, 따라서있어 절충 높은 흡수 및 낮은 산란 손실을 달성 간의.는 우리는 반복적 인 프로세스를 사용하여 제어 필드 전력, 디 튜닝 및 가스 온도에 대한 최적의 설정을 찾을 수 있습니다. 펄스가 완전히 흡수 된 후 산란 손실은 저장 중에 제어 된 빔을 스위치 오프에 의해 다소 완화 될 수있다. 광학 두께는 원자의 내부 상태에 의해 영향을 받는다. 이상적으로는 프로브의 흡수를 증가시키기 위해 F = 1 초 미세 수준에서 가능한 많은 원자를 갖고 싶다. 그것은에 = 2 F에서 원자를 펌프 작용으로 제어 빔도 여기에 중요한 역할을F 1 수준 =. 이는 디 튜닝에 매우 효율적 아니지만 제어 빔 파워풀 펄스 저장 실험 간의 장기간에 남아있을 수있다. 우리의 실험에서 라만 선의 폭은 주로 제어 필드로 인한 전력 넓히는 결과 100 kHz의 주위이다. 이것은 거의 원자는 F = 1 초 미세 상태 = 2 F로부터 펌핑되는 속도에 대응한다. 그러나 일부 인구로 인해 허용 광 전환의 부족 = 2 초 미세 수준의 F (원형 편광의 기호에 따라 또는 -2) MF = 2에 남아있을 것입니다. OD는 가스상 원자의 개수를 결정하는 셀의 온도에 크게 의존 할 것이다. 우리가 셀의 중심에서 측정 한 주변의 78 ° C의 온도를 사용한다. 우리는 우리의 셀에, 제어 필드의 일부 흡수뿐만 아니라 일의 어떤 간섭 흡수 될 수있는 85 °의 C 이상으로 온도가 증가 것으로 나타났습니다전자 프로브 신호. 히터는 세포 내부의 자기장을 방해하지 않도록 실험 실행 중에 꺼집니다. 두 프로브 및 제어 필드의 편광도 메모리의 흡수 효율에 중요한 역할을한다. 87Rb의 D1 전이 선은 8 제만 준위의 총 두 개의 초 미세 흥분 상태가 있습니다. 원칙적으로, 프로브 및 제어 필드 모두에 대해 동일한 원형 편광들의 선택은 그들이 단지 = 2 여기 상태 레벨 MF (또는 -1), F &#39;= 2와 상호 작용하는 것을 보장한다. 레이저 분야의 선형 또는 타원형 편광은 F = 1의 다른 제만 준위 &#39;(2)를 통해 라만 커플 링을 야기. 이는 서로 다른 커플 링 상수 및 각종 천이 AC 탁 교대로, 라만 라인 형상 넓히고 비대칭 초래할 것이다. 불행하게도, 메모리 전에 준비 동일하게 원형 편광 프로브 및 제어 분야는 서로 다른 편광 자체 R을 체험 할 수otations가 메모리를 통해 전파로. 이 효과는 더 우리가 우리의 실험이 높은 OD 미디어에서 발음됩니다. 이것은 프로브 제어 빔 편광의 미세 조정이 자전의 영향을 상쇄하기 위해 필요하다는 것을 의미한다. 큰 OD (25)와 함께 작업 할 때 문제를 더욱 복잡하게, 타락한 4 광파 혼합 (FWM) 과정은 종종 볼 수 있습니다. 이것은 증폭을 야기하고, 결과적으로 메모리의 출력 상태에 잡음을 도입 할 수있다. 직선 편광을 제어 및 프로브 빔 모두에 사용되는 경우 특히, FWM 효과가 크게 인해 체류 여기 상태를 통해 라만 여진을 향상시킬 수있다. FWM 프로세스 향상이나 시스템 억제하거나하는 조건은 참조 번호 25에 나타내었다. FWM의 영향에 의해, 다시, 프로브 제어 빔의 편광을 미세 조정 완화 될 수있다. 이러한 방식으로, FWM 프로세스는 그들이 지점으로 저감 할 수있다리콜 빛 (23)에 노이즈를 추가하지. FWM에 관하여, 그것은 모두 캐비티 달리 FWM 프로세스를 시드 것이다 섬유 EOM 생성 -6.8 GHz의 측​​ 파대를 억제하는데 중요한 역할을한다는 것을 주목할 가치가있다. 자전과 FWM 모두 확대 라만 라인의 형상에 영향을 미친다. 도 5에 도시 된 바와 같이 미세 조정 한 후, 하나는 상당히 대칭, 대략 직사각형 모양의 흡수 기능을 달성 할 수있다. 이 편광은 FWM의 영향을 설명하기 위해 선택되었다도 7에 도시 된 경우와 대조. 여기에 라만 기능은 매우 비대칭이다. 앞서 언급 한 바와 같이, 천연 풍요 RB 셀은 제어 된 빔을 필터링하고 검출부에 프로브 빔을 전달하는 데 사용 하였다. 이 때문에 전지의 고온으로, 우리는 셀룰라 윈도우 주변의 공기 흐름을 다시, 헤테로 다인 검출 프린지 가시성에 변동을 일으킬 것으로 나타신호의 변동에 sulting. 이 효과는 즉시 여과 셀 후에 헤테로 다인 검출을 구현하고 적절한 오븐 디자인을 사용하여 셀 윈도우 주변의 공기 흐름을 감소시킴으로써 최소화되었다. 우리는 빠르게 윈도우에서의 프레 넬 반사 및 상기 여과 셀에서 87 RB 원자에 의해 흡수, 필터링 셀을 통해 30 % 정도의 프로브 손실을 관찰했다. 이 손실은 잠재적 셀 창에 반사 방지 코팅을 사용하여, 순수 85 RB 대신 RB의 천연 혼합물을 사용함으로써 감소 될 수있다. 따뜻한 증기 셀에서 확산이 축적 시간에 대부분의 한계이다. 빛을 흡수 한 후, 원자 따라서 부분적으로 저장된 정보를 삭제, 일관된 지역 바깥으로 확산 될 수 있습니다. (우리의 실험에서 0.5 토르 Kr을) 버퍼 가스를 추가하면 어느 정도 확산의 효과를 감소시킨다. 너무 많은 버퍼 가스는, 그러나, 31을 확대 충돌하는 작은 증가 할 것이다. 이 12 증가상기 펌프의 효율을 감소 oherence 및 제어 필드 흡수. 횡 방향 확산의 영향을 감소시키는 또 다른 방법은 프로브 및 제어 필드의 횡 단면도를 확대하여 상호 작용 부피를 증가시키는 것이다. 이 접근법은 결국 셀 벽과 비탄성 충돌에 의해 제한 될 것이다. 이 경우에, 셀 벽은 탄성 벽에 충돌을 제공하므로 원자 히어 런스 시간 바로, antirelaxation 재료 (32, 33)으로 코팅 될 수있다. 적절한 벽 코팅을 사용하고, 거의 셀의 단면을 덮도록 상기 레이저 빔의 크기를 증가 벽 비탄성 충돌을 최소화하여, 하나는 저장 시간에 횡 방향 확산로부터 최소 효과를 누릴. 종의 확산은 긴 저장 시간에 지배적 인 결 어긋남 효과가 있습니다. 종 방향 확산 원자가 감소 reph 초래할 수 축적 시간 동안 서로 다른 자기장 강도를 경험하는 원인asing 효율. 종 방향의 확산을 제어하는​​ 한 가지 방법은 광 자기 트랩 (MOT)에서 냉각 된 원자와 같은 차가운 원자 앙상블을 사용하는 것이다. 즉, 그러나 차가운 원자 구름을 제어에 관련된 실험 복잡성의 새로운 층을 필요로한다. 이것은 우리가 현재 우리 연구실 (36)에 평가하는 시스템입니다.

양자 정보 기술에 직면 뛰어난 과제 중 하나는 양자 상태의 메모리를 구축 할 수있는 능력이다. 포토닉스 양자 컴퓨팅 하나 또는 양자 키 분배 시스템 (2)에 사용되는 퀀텀 중계기 들어,이 광 (3)의 양자 상태를 저장할 수있는 메모리를 구축하는 것을 의미한다. 이 목표를 향해 촬영 한 방법 중 하나는 제어 가능하게 약간 나중에 광을 방출하고 저장하는 방식으로 제어 될 수있는 원자의 앙상블을 사용하는 것이다. 수많은 기술이 전자 기적으로 유도 된 투명도 (EIT) 04 원자 주파수 빗 (AFC) 5, 6, 7, 4 광파 혼합 (FWM) 08 라만 흡수 9, 패러데이의 상호 작용 (10) 및 광자 에코 기술 (11, 12) 등이 개발되었다 , 13, 14, 13, 15, 16, 17, 18, ​​19. 이 논문의 초점은 Λ입니다 - 세 가지를 사용하여 작동 그라데이션 에코 메모리 (Λ-GEM)수준 &#39;Λ&#39;구조화 된 원자 미디어. 그것은 처음 2008 20에 따뜻한 RB 증기 셀에 구현되었습니다. 이 방식은 광 펄스를위한 랜덤 액세스 메모리, 21로 사용되고 있습니다,, 87 % 22의 높은 입증 효율이 양자 상태 (23)의 무소음 스토리지를 제공하고, 비선형 광학 작업 (24)을위한 플랫폼으로 어떤 약속을 보여줍니다. 우리는 또한 최근에 따뜻한 원자 증기 (25)이 메모리의 상호 작용에 대한 몇 가지 세부 사항으로가는 논문을 발표했다. 기술의 본질은 우리가 원자 광의 펄스를 흡수되도록 비균질 넓어진 원자의 앙상블을 준비한다는 것이다. 도 1a에 도시 된 바와 같이 우리의 실험에서는 우리는 라만 흡수를 사용한다. 저장되는 프로브 광은, 원자이 접지 상태 간의 간섭에 매핑 될 것이다. 퍼짐은 자기장 gradien을 적용하여 제공된다광 전파의 방향을 따라서 t,도 1b에 도시 된 바와 같이, 라만 흡수 주파수의 공간적 기울기를 유도. 저장된 펄스의 다양한 주파수 성분 따라서 선형 원자 앙상블의 길이를 따라 서로 다른 공간 위치에 매핑된다. 즉, 입력 펄스의 흡수에 의해 생성되는 원자 스핀파의 공간적 프로파일은 입력 펄스의 시간 프로파일의 푸리에 변환에 비례한다. 나중에 개요 것 같이, 이는 또한이 메모리의 흥미로운 스펙트럼 프로세싱 기능 중 일부를 가능하게하는이 주파수 구배이다. 필드 그라데이션을 반전으로, 원자 앙상블의 일관성의 진화는 시간이 반전 될 수있다. 이는 빛의 펄스의 검색을 허용한다.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="596">
	<colgroup>
		<col />
		<col />
		<col />
		<col />
	</colgroup>
	<tbody>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">Titanium-sapphire laser</td>
			<td style="width:95px;">M Squared Lasers</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td style="width:167px;">SolsTiS</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Digital oscilloscope</td>
			<td style="width:95px;">Lecroy</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>WaveRunner 44Xi-A</td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">Memory cell</td>
			<td style="width:95px;">Triad Technology</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>20 cm long, 87Rb enhanced, 0.5 Torr Kr buffer gas, AR-coated</td>
		</tr>
		<tr height="63">
			<td height="63" style="height:63px;width:216px;">Filter cell</td>
			<td style="width:95px;">Triad Technology</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td style="width:167px;">7.5 cm long, natural mixture Rb, no buffer gas</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Fiber EOM</td>
			<td style="width:95px;">EOSPACE</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>PM-0K5-10-PFA-UL</td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">AOM</td>
			<td style="width:95px;">AA Opto-Electronic</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>MT80-A1-IR</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">AOM drive components</td>
			<td style="width:95px;">Minicircuits</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Amplifier ZHL-1-2W</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;"></td>
			<td style="width:95px;">Minicircuits</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Mixer ZAD-6</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;"></td>
			<td style="width:95px;">Agilent</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>80 MHz signal source 33250A</td>
		</tr>
		<tr height="189">
			<td height="189" style="height:189px;width:216px;">Cavities</td>
			<td style="width:95px;"></td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td style="width:167px;">Custom made triangular ring cavity. FSR = 600 MHz, Finesse = 100. 
			Flat mirrors (for input and output) IBS coating by Advanced Thin Films. Back mirror is 1 m ROC 
			Newport Supermirror (R&#62;99.97%)</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Photodiodes</td>
			<td style="width:95px;">Hamamatsu</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>S3883</td>
		</tr>
		<tr height="63">
			<td height="63" style="height:63px;width:216px;">Current Switches</td>
			<td style="width:95px;">Electronic Design and Research</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>EDR83915/2 and EDR8276612</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

gradient echo quantum memory in warm atomic vapor

그라데이션 에코 메모리 (GEM)는 원자 앙상블에서 빛의 광학 양자 상태를 저장하기위한 프로토콜입니다. 이러한 기술에 대한 기본 동기는 암호화 키의 보안을 보장하기 위해 하이젠 베르크의 불확실성을 사용하여 양자 키 분배 (QKD)는, 전송 거리에 제한이 있다는 것입니다. 양자 중계기의 개발 QKD 범위를 확장시킬 수있는 가능한 경로이지​​만, 중계기는 양자 메모리를 필요로 할 것이다. 우리의 실험에서 우리는 따뜻한 가스 셀에 포함 된 루비듐 87 증기의 가스를 사용합니다. 이 방식은 특히 간단합니다. 그것은 또한 주파수 대역폭 및 변속 조작과 같은 저장 상태의 메모리 정제를 가능하게 매우 다양한 방식이다. GEM 프로토콜의 기초는 자기장 변화에 준비되어 원자의 앙상블로 빛을 흡수하는 것입니다. 이 그라데이션의 반전은 원자 편광 rephasing 및 저장 광학 상태에 따라서 리콜로 연결됩니다. WE 우리 원자이 그라데이션을 제조 방법을 간략하게 설명하고 또한 광 이득을 야기 할 수있는 특정의 4 광파 혼합에 피해야 할 함정의 일부를 설명한다.

1. 진단 도구로 라만 흡수를 사용하여 수득 첫번째 결과는 프로브 빔 광의 라만 선 흡수이다. 이 흡수 기능의 최적화는 최적의 메모리 성능을 달성하는 방향으로 먼 길을갑니다. 자기 구배 코일 스위치를 끄고, 제어 주파수는 약한 연속 프로브 파의 존재를 스캔 할 수있다. 프로브 빔의 흡수를 직접 원자 셀의 광학 밀도와 관련된다. 그에 따라, 제어 광의 셀, 전력 및 단일 광자 디 튜닝의 온도는 최상의 라만 흡수를 제공하는 반복 과정을 통해 최적화 될 수있다. 너무 많은 제어 - 빔 전력의 흡수를 증가시킬뿐만 아니라, 라인의 폭을 확장한다. 최적화 할 경우, 폭은 우리의 시스템에서 100 kHz에서의 순서이다. 그라데이션 코일 중 하나에 전환 라만 라인을 확대 할 것이다. 확대 흡수 폭은 제지광산 메모리의 대역폭을 제공합니다. 절충안은 광 메모리 효율성에 영향을 미치는 밀도 및 메모리 대역폭 사이에 만들 수있다. 프로브 전송은 메모리 대역폭이 약 1 MHz로 설정되어도 5에서 우리 넓어 라만 라인 중 하나에 대해 표시된다. 동시에 자기 그라데이션 코일에 전환, nonbroadened 흡수 선폭을 복구 할 수 있어야합니다. 전류 크기 또는 자기장의 공간적 비균질성의 모든 불일치 라만 흡수 넓어 왜곡에 직접 반영된다. 2. 펄스 저장 메모리에 대한 간단한 구성은 단일 펄스 저장 및 검색합니다. 도 6에 도시 된 바와 같이 즉, 재생 시간이 마이크로 초 펄스를 수납하고 자기 구배 코일보기 펄스 피크 후에 3 마이크로 초 스위칭, 예를 들어, 일 것. 광학 밀도가 낮 으면, 일부 가벼운 leakaGE는 매체의 광학 밀도 (OD)에 따라 관찰됩니다. 정중 메모리 매개 변수를 조정하는 것은 고성능 스토리지를 얻는 것이 필수적이다. 이것은 메모리 셀의 온도의 최적화를 포함 프로브 및 제어 필드 사이 조심 배향은 빔의 정확한 편광을 보장 흡수 및 산란 간의 최상의 절충을 찾을 수 있도록 제어 광의 강도를 조정 및 주파수 조정 프로브 및 제어 빔. 이러한 최적화 방법은 상기 논의 섹션에서 설명된다. 이러한 모든 매개 변수가 잘 조정되면 4 마이크로 초 (22)의 축적 시간에 대해 80 %를 초과하는 효율을 기대할 수있다. 스토리지의 효율은 호출의 에코 에너지와 메모리에 저장되지 않은 동일한 펄스의 에너지 사이의 비율로서 정의된다. 이것은 효과적으로 인해 표면 또는 absorpt에 프레 넬 반사에 인스턴스 선형 손실의 영향을 축소 인자필터링 셀 이온. 헤테로 다인 검출을 사용하는 경우, 펄스 에너지는 헤테로 다인 신호를 제곱하고 펄스의 봉투의 영역을 측정함으로써 측정된다. 검색된 펄스의 주파수 및 대역폭은 구배 코일에 주입 전류에 의존한다. 이러한 전류의 간단한 조작 검색 펄스의 미세 조정을 할 수 있습니다. (예 29에서 설명한 것과 같은) 더 복잡한 스펙트럼 조작은 메모리 따라 기울기가 독립적으로 위치 및 시간의 함수로서 조정될 수 고급 코일 설정을 사용하여 수행 할 수있다. <img alt="그림 1" fo:content-width="6in" src="/files/ftp_upload/50552/50552fig1.jpg" width="500px" /> 그림 1. ) 메모리에 사용되는 87 RB D 1 줄에서 수준 구성표. 프로브 광은 라만은 일관성 내기를 만들 흡수<html> F = 1 및 F = 2 접지 상태과 사이. b) 자기장 변화는 셀의 길이를 따라 접지 상태의 공간적 종속 디 튜닝을 준다. 그라데이션을 반전과의 컨트롤 빔을 돌리면 저장 프로브 빛의 리콜을 제공합니다. ([34]에서 발췌). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50552/50552fig1highres.jpg" target="_blank">더 큰 이미지를 보려면 여기를 클릭하십시오</a> . <img alt="그림 2" fo:content-width="6in" src="/files/ftp_upload/50552/50552fig2.jpg" width="500px" /> 그림 2. 광 모드 청소기의 개략도.에 대한 설명 방법 섹션을 참조하십시오. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50552/50552fig2highres.jpg" target="_blank">더 큰 이미지를 보려면 여기를 클릭하십시오</a> . ig3.jpg &quot;폭 =&quot;는 500px &quot;/&gt; 그림 3. 실험 장치의 개략도 AOM = 음향 광학 변조기;. EOM = 전기 광학 변조기, BS = 빔 스플리터, λ / 4 = 4 파장 판. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50552/50552fig3highres.jpg" target="_blank">더 큰 이미지를 보려면 여기를 클릭하십시오</a> . <img alt="그림 4" fo:content-width="6in" src="/files/ftp_upload/50552/50552fig4.jpg" width="500px" /> 그림 4. 메모리의 일반적인 타이밍 시퀀스. (35에서 찍은). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50552/50552fig4highres.jpg" target="_blank">더 큰 이미지를 보려면 여기를 클릭하십시오</a> . <img alt="그림 5" fo:content-width="6in" src="/files/ftp_upload/50552/50552fig5.jpg" width="500px" /> 그림 5. 전형적인 헤테로 다인 라만 라인을 확대 할 때 번째의 일전자 자기 그라데이션 코일에 전환됩니다. 데이터 (얇은 실선) 헤테로 다인 측정을 사용하여 촬영하고 있습니다. 진동 프로브 빛과 국부 발진기 등의 구타에 의한 것입니다. 파선 곡선은 확장 된 라만 라인의 형상이있는 데이터의 포락선을 나타낸다. (25에서 수정). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50552/50552fig5highres.jpg" target="_blank">더 큰 이미지를 보려면 여기를 클릭하십시오</a> . <img alt="그림 6" fo:content-width="6in" src="/files/ftp_upload/50552/50552fig6.jpg" width="500px" /> 그림 6. 짧은 저장 시간에 대한 일반적인 평균 효율 GEM 에코. 자기 그라데이션 코일이 t에서 전환 = 10 마이크로 초 (점선). 레드 : 입력 펄스 강도 프로파일. 블루 : 메모리의 강도 출력은 빛을 유출 시연 (적색 입력 펄스에서 명백한입니다)와 t의 오른쪽에 표시되는 반향을 불러그는 파선. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50552/50552fig6highres.jpg" target="_blank">더 큰 이미지를 보려면 여기를 클릭하십시오</a> . <img alt="그림 7" fo:content-width="6in" src="/files/ftp_upload/50552/50552fig7.jpg" width="500px" /> 그림 7. 4 광파 각종 제어 필드 전력과 셀 온도가, 라만 라인을 스캔 할 때, 효과를 믹싱.들이 효과를 극대화 할 수 있도록이 수치는, 제어 필드 및 프로브 빔의 편광이 선택된 들어. PC의 제어 광 전력이다. (25에서 수정). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/50552/50552fig7highres.jpg" target="_blank">더 큰 이미지를 보려면 여기를 클릭하십시오</a> .

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Gradient Echo Quantum Memory in Warm Atomic Vapor

구배 에코 메모리 원자 앙상블 광의 광학 양자 상태를 저장하기위한 프로토콜이다. 양자 메모리는 양자 키 분배의 범위를 확장 할 수있는 양자 중계기의 핵심 요소이다. 3 - 레벨 원자 앙상블에서 구현 될 때 우리 방식의 동작 개요.

온난 한 원자 증기의 그라데이션 에코 양자 메모리

Gradient  echo memory (GEM) is a protocol for storing optical quantum states of light in  atomic ensembles. The primary motivation for such a technology ...

gradient-echo-quantum-memory-in-warm-atomic-vapor

Research

JoVE Journal

Engineering

12.7K 조회수.  The Australian National University.  구배 에코 메모리 원자 앙상블 광의 광학 양자 상태를 저장하기위한 프로토콜이다. 양자 메모리는 양자 키 분배의 범위를 확장 할 수있는 양자 중계기의 핵심 요소이다. 3 - 레벨 원자 앙상블에서 구현 될 때 우리 방식의 동작 개요. 

비디오: Gradient Echo Quantum Memory in Warm Atomic Vapor

Compact Quantum Dots for Single-molecule Imaging

Single-molecule imaging is an important tool for understanding the mechanisms of biomolecular function and for visualizing the spatial and temporal heterogeneity of molecular behaviors that underlie cellular biology 1-4. To image an individual molecule of interest, it is typically conjugated to a fluorescent tag (dye, protein, bead, or quantum dot) and observed with epifluorescence or total internal reflection fluorescence (TIRF) microscopy. While dyes and fluorescent proteins have been the mainstay of fluorescence imaging for decades, their fluorescence is unstable under high photon fluxes necessary to observe individual molecules, yielding only a few seconds of observation before complete loss of signal. Latex beads and dye-labeled beads provide improved signal stability but at the expense of drastically larger hydrodynamic size, which can deleteriously alter the diffusion and behavior of the molecule under study.
Quantum dots (QDs) offer a balance between these two problematic regimes. These nanoparticles are composed of semiconductor materials and can be engineered with a hydrodynamically compact size with exceptional resistance to photodegradation 5. Thus in recent years QDs have been instrumental in enabling long-term observation of complex macromolecular behavior on the single molecule level. However these particles have still been found to exhibit impaired diffusion in crowded molecular environments such as the cellular cytoplasm and the neuronal synaptic cleft, where their sizes are still too large 4,6,7.
Recently we have engineered the cores and surface coatings of QDs for minimized hydrodynamic size, while balancing offsets to colloidal stability, photostability, brightness, and nonspecific binding that have hindered the utility of compact QDs in the past 8,9. The goal of this article is to demonstrate the synthesis, modification, and characterization of these optimized nanocrystals, composed of an alloyed HgxCd1-xSe core coated with an insulating CdyZn1-yS shell, further coated with a multidentate polymer ligand modified with short polyethylene glycol (PEG) chains (Figure 1). Compared with conventional CdSe nanocrystals, HgxCd1-xSe alloys offer greater quantum yields of fluorescence, fluorescence at red and near-infrared wavelengths for enhanced signal-to-noise in cells, and excitation at non-cytotoxic visible wavelengths. Multidentate polymer coatings bind to the nanocrystal surface in a closed and flat conformation to minimize hydrodynamic size, and PEG neutralizes the surface charge to minimize nonspecific binding to cells and biomolecules. The end result is a brightly fluorescent nanocrystal with emission between 550-800 nm and a total hydrodynamic size near 12 nm. This is in the same size range as many soluble globular proteins in cells, and substantially smaller than conventional PEGylated QDs (25-35 nm).

We describe the preparation of colloidal quantum dots with minimized hydrodynamic size for single-molecule fluorescence imaging. Compared to conventional quantum dots, these nanoparticles are similar in size to globular proteins and are optimized for single-molecule brightness, stability against photodegradation, and resistance to nonspecific binding to proteins and cells.

단일 분자 이미징을위한 소형 양자 점

Single-molecule imaging is an important tool for  understanding the mechanisms of biomolecular function and for visualizing the  spatial and temporal ...

연구

공학

Echo Particle Image Velocimetry

The transport of mass, momentum, and energy in fluid flows is ultimately determined by spatiotemporal distributions of the fluid velocity field.1 Consequently, a prerequisite for understanding, predicting, and controlling fluid flows is the capability to measure the velocity field with adequate spatial and temporal resolution.2 For velocity measurements in optically opaque fluids or through optically opaque geometries, echo particle image velocimetry (EPIV) is an attractive diagnostic technique to generate "instantaneous" two-dimensional fields of velocity.3,4,5,6 In this paper, the operating protocol for an EPIV system built by integrating a commercial medical ultrasound machine7 with a PC running commercial particle image velocimetry (PIV) software8 is described, and validation measurements in Hagen-Poiseuille (i.e., laminar pipe) flow are reported.
For the EPIV measurements, a phased array probe connected to the medical ultrasound machine is used to generate a two-dimensional ultrasound image by pulsing the piezoelectric probe elements at different times. Each probe element transmits an ultrasound pulse into the fluid, and tracer particles in the fluid (either naturally occurring or seeded) reflect ultrasound echoes back to the probe where they are recorded. The amplitude of the reflected ultrasound waves and their time delay relative to transmission are used to create what is known as B-mode (brightness mode) two-dimensional ultrasound images. Specifically, the time delay is used to determine the position of the scatterer in the fluid and the amplitude is used to assign intensity to the scatterer. The time required to obtain a single B-mode image, t, is determined by the time it take to pulse all the elements of the phased array probe. For acquiring multiple B-mode images, the frame rate of the system in frames per second (fps) = 1/&delta;t. (See 9 for a review of ultrasound imaging.)
For a typical EPIV experiment, the frame rate is between 20-60 fps, depending on flow conditions, and 100-1000 B-mode images of the spatial distribution of the tracer particles in the flow are acquired. Once acquired, the B-mode ultrasound images are transmitted via an ethernet connection to the PC running the PIV commercial software. Using the PIV software, tracer particle displacement fields, D(x,y)[pixels], (where x and y denote horizontal and vertical spatial position in the ultrasound image, respectively) are acquired by applying cross correlation algorithms to successive ultrasound B-mode images.10 The velocity fields, u(x,y)[m/s], are determined from the displacements fields, knowing the time step between image pairs, &Delta;T[s], and the image magnification, M[meter/pixel], i.e., u(x,y) = MD(x,y)/&Delta;T. The time step between images &Delta;T = 1/fps + D(x,y)/B, where B[pixels/s] is the time it takes for the ultrasound probe to sweep across the image width. In the present study, M = 77[&mu;m/pixel], fps = 49.5[1/s], and B = 25,047[pixels/s]. Once acquired, the velocity fields can be analyzed to compute flow quantities of interest.

An echo particle image velocimetry (EPIV) system capable of acquiring two-dimensional fields of velocity in optically opaque fluids or through optically opaque geometries is described, and validation measurements in pipe flow are reported.

The transport of mass, momentum, and energy in fluid flows is ultimately determined by spatiotemporal distributions of the fluid velocity field.1 ...

Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots

A quantum computer is a computer composed of quantum bits (qubits) that takes advantage of quantum effects, such as superposition of states and entanglement, to solve certain problems exponentially faster than with the best known algorithms on a classical computer. Gate-defined lateral quantum dots on GaAs/AlGaAs are one of many avenues explored for the implementation of a qubit. When properly fabricated, such a device is able to trap a small number of electrons in a certain region of space. The spin states of these electrons can then be used to implement the logical 0 and 1 of the quantum bit. Given the nanometer scale of these quantum dots, cleanroom facilities offering specialized equipment- such as scanning electron microscopes and e-beam evaporators- are required for their fabrication. Great care must be taken throughout the fabrication process to maintain cleanliness of the sample surface and to avoid damaging the fragile gates of the structure. This paper presents the detailed fabrication protocol of gate-defined lateral quantum dots from the wafer to a working device. Characterization methods and representative results are also briefly discussed. Although this paper concentrates on double quantum dots, the fabrication process remains the same for single or triple dots or even arrays of quantum dots. Moreover, the protocol can be adapted to fabricate lateral quantum dots on other substrates, such as Si/SiGe.

This paper presents a detailed fabrication protocol for gate-defined semiconductor lateral quantum dots on gallium arsenide heterostructures. These nanoscale devices are used to trap few electrons for use as quantum bits in quantum information processing or for other mesoscopic experiments such as coherent conductance measurements.

게이트 정의 갈륨 비소 / AlGaAs 측면 양자점 나노

A quantum computer is a computer composed of quantum bits (qubits) that takes advantage of quantum effects, such as superposition of states and ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit a strong degradation after annealing due to the occurrence of void formation at the contact/SiO2 interface. This void formation can cause cracking and delamination of the metal film, which can increase the resistance or lead to a complete failure of the NW device. In order to address issues associated with void formation, a technique was developed that removes Ni/Au contact metal films from the substrates to allow for the examination and characterization of the contact/substrate and contact/NW interfaces of single GaN NW devices. This procedure determines the degree of adhesion of the contact films to the substrate and NWs and allows for the characterization of the morphology and composition of the contact interface with the substrate and nanowires. This technique is also useful for assessing the amount of residual contamination that remains from the NW suspension and from photolithographic processes on the NW-SiO2 surface prior to metal deposition. The detailed steps of this procedure are presented for the removal of annealed Ni/Au contacts to Mg-doped GaN NWs on a SiO2 substrate.

A technique was developed that removes Ni/Au contact metal films from their substrate to allow for the examination and characterization of the contact/substrate and contact/NW interfaces of single GaN nanowire devices.

단 하나의 GaN 나노 와이어 장치에 대한 문의 인터페이스의 분석

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Using Neutron Spin Echo Resolved Grazing Incidence Scattering to Investigate Organic Solar Cell Materials

The spin echo resolved grazing incidence scattering (SERGIS) technique has been used to probe the length-scales associated with irregularly shaped crystallites. Neutrons are passed through two well defined regions of magnetic field; one before and one after the sample. The two magnetic field regions have opposite polarity and are tuned such that neutrons travelling through both regions, without being perturbed, will undergo the same number of precessions in opposing directions. In this case the neutron precession in the second arm is said to &#34;echo&#34; the first, and the original polarization of the beam is preserved. If the neutron interacts with a sample and scatters elastically the path through the second arm is not the same as the first and the original polarization is not recovered. Depolarization of the neutron beam is a highly sensitive probe at very small angles (&#60;50&#160;&#956;rad) but still allows a high intensity, divergent beam to be used. The decrease in polarization of the beam reflected from the sample as compared to that from the reference sample can be directly related to structure within the sample.
In comparison to scattering observed in neutron reflection measurements the SERGIS signals are often weak and are unlikely to be observed if the in-plane structures within the sample under investigation are dilute, disordered, small in size and polydisperse or the neutron scattering contrast is low. Therefore, good results will most likely be obtained using the SERGIS technique if the sample being measured consist of thin films on a flat substrate and contain scattering features that contains a high density of moderately sized features (30 nm to 5 &#181;m) which scatter neutrons strongly or the features are arranged on a lattice. An advantage of the SERGIS technique is that it can probe structures in the plane of the sample.

Progress has been made in utilizing spin echo resolved grazing incidence scattering (SERGIS) as a neutron scattering technique to probe the length-scales in irregular samples. Crystallites of [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester have been probed using the SERGIS technique and the results confirmed by optical and atomic force microscopy.

중성자 스핀 에코 사용 하 여 방목 발생률 을 해결 하는 유기 태양 전지 물질을 조사 하기 위해

The spin echo resolved grazing incidence scattering (SERGIS) technique has been used to probe the length-scales associated with irregularly shaped ...

Construction and Characterization of External Cavity Diode Lasers for Atomic Physics

Since their development in the late 1980s, cheap, reliable external cavity diode lasers (ECDLs) have replaced complex and expensive traditional dye and Titanium Sapphire lasers as the workhorse laser of atomic physics labs1,2. Their versatility and prolific use throughout atomic physics in applications such as absorption spectroscopy and laser cooling1,2 makes it imperative for incoming students to gain a firm practical understanding of these lasers. This publication builds upon the seminal work by Wieman3, updating components, and providing a video tutorial. The setup, frequency locking and performance characterization of an ECDL will be described. Discussion of component selection and proper mounting of both diodes and gratings, the factors affecting mode selection within the cavity, proper alignment for optimal external feedback, optics setup for coarse and fine frequency sensitive measurements, a brief overview of laser locking techniques, and laser linewidth measurements are included.

This is an instructional paper to guide the construction and diagnostics of external cavity diode lasers (ECDLs), including component selection and optical alignment, as well as the basics of frequency reference spectroscopy and laser linewidth measurements for applications in the field of atomic physics.

원자 물리학에 대한 외부 공동 다이오드 레이저의 구조 및 특성

Since their development in the late 1980s, cheap, reliable external cavity diode lasers (ECDLs) have replaced complex and expensive traditional dye and ...

Quantum State Engineering of Light with Continuous-wave Optical Parametric Oscillators

Engineering non-classical states of the electromagnetic field is a central quest for quantum optics1,2. Beyond their fundamental significance, such states are indeed the resources for implementing various protocols, ranging from enhanced metrology to quantum communication and computing. A variety of devices can be used to generate non-classical states, such as single emitters, light-matter interfaces or non-linear systems3. We focus here on the use of a continuous-wave optical parametric oscillator3,4. This system is based on a non-linear &#967;2 crystal inserted inside an optical cavity and it is now well-known as a very efficient source of non-classical light, such as single-mode or two-mode squeezed vacuum depending on the crystal phase matching. 
Squeezed vacuum is a Gaussian state as its quadrature distributions follow a Gaussian statistics. However, it has been shown that number of protocols require non-Gaussian states5. Generating directly such states is a difficult task and would require strong &#967;3 non-linearities. Another procedure, probabilistic but heralded, consists in using a measurement-induced non-linearity via a conditional preparation technique operated on Gaussian states. Here, we detail this generation protocol for two non-Gaussian states, the single-photon state and a superposition of coherent states, using two differently phase-matched parametric oscillators as primary resources. This technique enables achievement of a high fidelity with the targeted state and generation of the state in a well-controlled spatiotemporal mode.

We describe the reliable generation of non-Gaussian states of traveling optical fields, including single-photon states and coherent state superpositions, using a conditional preparation method operated on the non-classical light emitted by optical parametric oscillators. Type-I and type-II phase-matched oscillators are considered and common procedures, such as the required frequency filtering or the high-efficiency quantum state characterization by homodyning, are detailed.

연속파 광 파라 메트릭 발진기와 빛의 양자 상태 공학

Engineering non-classical states of the electromagnetic field is a central quest for quantum optics1,2. Beyond their fundamental significance, such states ...

Selective Area Modification of Silicon Surface Wettability by Pulsed UV Laser Irradiation in Liquid Environment

The wettability of silicon (Si) is one of the important parameters in the technology of surface functionalization of this material and fabrication of biosensing devices. We report on a protocol of using KrF and ArF lasers irradiating Si (001) samples immersed in a liquid environment with low number of pulses and operating at moderately low pulse fluences to induce Si wettability modification. Wafers immersed for up to 4 hr in a 0.01% H2O2/H2O solution did not show measurable change in their initial contact angle (CA) ~75&#176;. However, the 500-pulse KrF and ArF lasers irradiation of such wafers in a microchamber filled with 0.01% H2O2/H2O solution at 250 and 65 mJ/cm2, respectively, has decreased the CA to near 15&#176;, indicating the formation of a superhydrophilic surface. The formation of OH-terminated Si (001), with no measurable change of the wafer&#8217;s surface morphology, has been confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy measurements. The selective area irradiated samples were then immersed in a biotin-conjugated fluorescein-stained nanospheres solution for 2 hr, resulting in a successful immobilization of the nanospheres in the non-irradiated area. This illustrates the potential of&#160;the method for selective area biofunctionalization and fabrication of advanced Si-based biosensing architectures. We also describe a similar protocol of irradiation of wafers immersed in methanol (CH3OH) using ArF laser operating at pulse fluence of 65 mJ/cm2 and in situ formation of a strongly hydrophobic surface of Si (001) with the CA of 103&#176;. The XPS results indicate ArF laser induced formation of Si&#8211;(OCH3)x compounds responsible for the observed hydrophobicity. However, no such compounds were found by XPS on the Si surface irradiated by KrF laser in methanol, demonstrating the inability of the KrF laser to photodissociate methanol and create -OCH3 radicals.

We report on a process of in situ alteration of HF treated Si (001) surface into a hydrophilic or hydrophobic state by irradiating samples in microfluidic chambers filled with&#160;H2O2/H2O solution (0.01%-0.5%) or methanol solutions using pulsed UV laser of a relative low pulse fluence.

액체 환경에서의 펄스 자외선 레이저 조사에 의한 실리콘 표면의 젖음성의 선택 영역 수정

The wettability of silicon (Si) is one of the important parameters in the technology of surface functionalization of this material and fabrication of ...

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by quantum mechanical effects such as tunneling through single dopants, scattering via interface defects, and discrete trap charge states. However, progress in silicon technology has shown that these phenomena can be harnessed and exploited for a new class of quantum-based electronics. Among others, multi-layer-gated silicon metal-oxide-semiconductor (MOS) technology can be used to control single charge or spin confined in electrostatically-defined quantum dots (QD). These QD-based devices are an excellent platform for quantum computing applications and, recently, it has been demonstrated that they can also be used as single-electron pumps, which are accurate sources of quantized current for metrological purposes. Here, we discuss in detail the fabrication protocol for silicon MOS QDs which is relevant to both quantum computing and quantum metrology applications. Moreover, we describe characterization methods to test the integrity of the devices after fabrication. Finally, we give a brief description of the measurement set-up used for charge pumping experiments and show representative results of electric current quantization.

The fabrication process and experimental characterization techniques relevant to single-electron pumps based on silicon metal-oxide-semiconductor quantum dots are discussed.

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by ...

Experimental Procedure for Warm Spinning of Cast Aluminum Components

High performance, cast aluminum automotive wheels are increasingly being incrementally formed via flow forming/metal spinning at elevated temperatures to improve material properties. With a wide array of processing parameters which can affect both the shape attained and resulting material properties, this type of processing is notoriously difficult to commission. A simplified, light-duty version of the process has been designed and implemented for full-size automotive wheels. The apparatus is intended to assist in understanding the deformation mechanisms and the material response to this type of processing. An experimental protocol has been developed to prepare for, and subsequently perform forming trials and is described for as-cast A356 wheel blanks. The thermal profile attained, along with instrumentation details are provided. Similitude with full-scale forming operations which impart significantly more deformation at faster rates is discussed.

An experimental protocol for instrumented warm rotary forming of cast aluminum alloys employing a bespoke industrially scaled apparatus is presented. Experimental considerations including thermal and mechanical effects are discussed, as well as similitude with full-scale processing of automotive wheels.

캐스트 알루미늄 부품의 따뜻한 회전에 대한 실험 절차

High performance, cast aluminum automotive wheels are increasingly being incrementally formed via flow forming/metal spinning at elevated temperatures to ...

Methods Article

온난 한 원자 증기의 그라데이션 에코 양자 메모리