This research was supported by the National Science Foundation (Awards CMMI-1437050 and DMR-1207342), the Office of Naval Research (Grant N00014-10-10489), and the Air Force Office of Scientific Research (Grant FA9550-14-1-0090).

ALD 실험 1. 준비 Sr과 티타늄 전구체 <ol><li> 글러브 박스의 대기실로 깨끗하고 마른 가습기 새로운 전구체를로드합니다. 공기와 수분의 적절한 정화를 위해 글러브 박스의 적재 절차를 따르십시오. 메인 챔버로 자료를 전송합니다. 참고 :이 그룹은 시중에서 구입 한 구성 요소에 자체 내장 된 가습기 (그림 3 참조)를 사용합니다. 포화 기 조립체의 상세 특정 시약 및 기기의 목록에서 발견 될 수있다. </li><li> 스트론튬 전구체 (스트론튬 비스 (triisopropylcyclopentadienyl) 시니어 (전 2) 3 CP를 PR]) 및 티타늄 전구체 (티타늄 테트라 이소 프로 폭 시드 [티 (O- 내가 잠) 4], TTIP) 불활성 환경 (예를 들어, 글러브 박스 보관 ) 제조업체가 제공하는 원래의 포장을 개봉 후. 참고 :이 그룹은 수분 함량없는 g으로 글로브 박스를 사용5 ppm으로보다 reater. </li><li> 상기 전구체 약 2/3 포화 (약 5g)의 유리 부분을 차지하도록 포화에 전구체를로드. </li><li> 가습기를 재 조립하고 단단히 밀봉이 달성 좋은 누출을 확인합니다. 참고 :이 그룹은 누출 단단한 물개를 달성하기 위해 금속 가스켓 얼굴 인감 피팅을 사용합니다. </li><li> 글러브 박스에서 작성 가습기를 언로드하고 ALD 매니 폴드에 채워진 가습기를 연결합니다. 주 :로드 전구체는 연장 된 기간에 걸쳐 여러 번 사용될 수있다. 이 그룹의 시스템의 전구 물질은 일반적으로 그들이 소모 될으로 매 6 개월마다 재충전이 필요합니다. (- 140 ° C (130)) 시니어 2 RT 본 연구의 작동 온도 모두에서 갈색의 액체이다 (나는 3 CP를 PR). TTIP는 투명한 액체이다. TTIP이 악화되면, 일반적으로 수분 및 / 또는 공기 오염으로 인해, 전구체는 백색 고체로 변합니다. 더 VISI가 없었다시니어를위한 전구체 저하의 상상력 표시 등이이 그룹에 의해 관찰 (전 3 CP PR). SR 전구체 열화 일반적 SR을 이용하는 반복적 인 ALD 성장 SR 콘텐츠의 상당한 감소 (10 % 초과)에 의해 검출된다 (전 3 CP를 PR) 2. </li></ol> 2. 청소 창 (001) 기판 <ol><li> 작은 비커 (25-50 ㎖)에 위쪽으로 직면하는 창 (001) 기판 (18mm × 20mm), 연마면을 놓습니다. 아세톤 약 1cm 높이로 비커를 입력합니다. 10 분 동안 목욕 초음파기 및 초음파 처리에 비커를 놓습니다. 참고 :이 그룹은 다이 싱 톱을 사용하여 18 × 20mm 2 조각으로 잘라 단면 연마 창 4에서 웨이퍼를 사용합니다. 필름의 전기 측정이 필요한 경우, 그렇지 않으면 모든 도핑 레벨 및 도펀트 유형 허용 (본 연구 ρ ≈ 0.04 Ω-cm와 Sb로 도핑 된 게르마늄 웨이퍼를 사용함) 도핑 된 n 형의 창을 사용한다. </li><li> 부어 또는 게르마늄 기판 플립 않도록주의하면서, 폐기물 용기로 아세톤의 대부분을 따르다. 이소 프로필 알코올 (IPA)와 비커의 벽을 씻어 약 1cm 높이로 채운다. 또 다른 10 분 동안 IPA 1 센티미터 비이커 및 초음파 처리 리필, 폐기물 용기에 IPA의 대부분을 붓는다. </li><li> 단계 2.2를 반복하지만, 탈 이온수로 IPA를 대체합니다. </li><li> 핀셋 비커에서 기판을 제거합니다. 총 질소 또는 다른 건조 불활성 가스 흐름은 기판을 건조. </li><li> 상기 UV 오존 클리너에 기판을 올려 놓고 30 분 동안 세정제를 실행. </li><li> UV 오존 세정 후 즉시 진공 시스템으로 기판을로드합니다. </li></ol> 3.로드 게르마늄 기판 <ol><li> 로드 록으로 전송 라인 샘플 캐리어 카트를 이동합니다. 로드 락을 분리 게이트 밸브를 닫습니다. </li><li> 로드 락 터보 분자 펌프의 전원을 끄고로드 록을 배출하는 질소 라인을 엽니 다. 완전한완전히 배출하는로드 로크를 기다리는 동안 3.3 단계. </li><li> 20mm × 20mm의 샘플 홀더로, 아래쪽으로 향하도록 기판 연마면을 놓습니다. 참고 : 모든 증착는 샘플이 아래로 향하게하여 수행됩니다. 기판 홀더의 바닥 높이가 확인; 그렇지 않으면 RHEED 실험은 어려움을 겪을 수 있으며, 필름 균일하게 증착되지 않을 수 있습니다. 이 그룹에 사용하는 샘플 홀더는도 4에 도시되어있다. </li><li> 그것이 완전히 배출 된 후에로드 록을 연다. 오픈 카트 위치의 채널과 샘플 홀더의 탭을 맞추고 제자리를 낮춤으로써 오픈 캐리어 카트 위치에 샘플 홀더를 배치합니다. </li><li> 로드 락을 닫고로드 락 터보 분자 펌프의 전원을 켭니다. 질소 라인을 닫습니다. </li><li> 로드 록 내의 압력이 약까지 기다리 5.0 × 10-7 Torr로 전송 라인을 통해 카트로드 록 게이트 밸브를 개방 및 이동 전. </li></ol> 4. 창 탈산 <ol><li> MBE 챔버로 게르마늄 기판을 이송. </li><li> 20에서 550 ° C까지 게르마늄 기판 온도를 진입로 ° C • 분 -1 다음 700 ° C 10에서 ° C • 분 -1. 1 시간 동안 700 ° C에서 샘플을 유지 한 후, 30 ° C • 분 -1 램프 속도와 200 ° C에 샘플을 냉각. </li><li> 대표 결과 섹션에 설명 된대로 2 × 1 재구성 표면을 확인 RHEED를 사용합니다. 26,39을 </li><li> 선택 사항 : 사용 XPS는 창 (001) 기판 (제 8 항에 기술 된) 산화물이 없는지 확인합니다. </li></ol> 게르마늄 기판에 STO의 5 박막 ALD 성장 <ol><li> 225 ºC로 ALD 반응기의 온도를 조정합니다. </li><li> 열 시니어 (전 3 CP를 PR) 2 ° C (130)와 TTIP 40 ° C이다. RT (20 ~ 25 °의 C)에서 물을 유지한다. ALD 시스템에 수증기 흐름을 조절물의 투여 압력이 약 1 토르이되도록 포화에 부착 된 니들 밸브를 통해. 증착 프로세스 전체에서 일정한 전구체 온도를 유지한다. </li><li> 225 ℃로 예열 된 ALD 반응기로 진공에서 샘플을 옮기고 시료가 열적 평형 상태에 도달하기 위해 15 분 동안 기다린다. </li><li> 기계 펌프 터보 분자 펌프에서 ALD 반응기의 배기 포트를 전환합니다. </li><li> 불활성 가스의 흐름 (이 그룹은 아르곤을 사용) 할 수 있도록 유량 컨트롤러 켜기. 전체 성장 과정에서 1 토르의 압력을 유지한다. </li><li> 이되도록 Sr과 티타늄의 단위주기 비율을 설정 하나. 다음 다른 15 초 아르곤 정화 의해 물 1 초 용량을 15 초간 아르곤 퍼지 뒤에 시니어 또는 티타늄 전구체의 2 초 도즈에 Sr과 티타늄의 단위 사이클을 설정하고. </li><li> 바람직한 두께를 달성하기 위해 유닛의 사이클 수를 조정한다. ALD 사이클 시퀀스가​​ 포함되어 있는지 확인가능한 한 개별 시니어 또는 티 단위 사이클의 적은 반복. 예를 들어, 2 : 3-TI 이어 1-SR, 2- 티 오히려 2-SR보다 뒤에 SR-1, 1-TI로 실행될 때 3 SR-에-TI 순환 순서 나은 결과를 달성한다. 참고 :이 그룹은 창에 2 nm 두께의 STO 필름을 증착하는 36 단위 사이클을 사용했다. </li><li> 선택 사항 : 사용 XPS (8 항에 기술 된) 필름의 구성을 확인합니다. </li></ol> STO 필름 6. 소둔 <ol><li> 어닐링 챔버로 진공에서 증착 된 샘플을 옮긴다. </li><li> 의 속도로 650 ° C에 샘플을 가열 20 ° C • 분 -1 UHV 조건 (10-9 - 10-8 토르)에서. 5 분 동안 650 ºC 온도를 누른 상태에서 같은 속도로 200 ℃까지 시료를 냉각. 주 : 대표 결과 절에 설명 된대로 사용 RHEED는 어닐링 결과를 평가 26,39한다. </li></ol> 7. 푸STO의 rther 성장 <ol><li> 반복 섹션 5.1-5.5. </li><li> 1과 4 : 1 사이의 단위주기 비율을 설정 3. 각 단위 사이클 내에서 동일한 투여 / 정화 구성 요소를 유지한다. 단계 5.6에서 언급 된 원리에 따라 순서를 설정한다. </li><li> 목적 두께를 달성하기 위해 유닛의 사이클 수를 조정한다. </li><li> 의정서 제 6 항에있어서, 증착 필름을 어닐링. </li></ol> 8. XPS 측정 <ol><li> XPS 분석 챔버로 샘플을로드하고 X-ray 소스를 켭니다. 모든 적절한 게이트를 확인 / 문은 우발적 인 X 선 노출을 방지하기 위해 닫혀있다. </li><li> 분석을 위해 원하는 (에너지 범위 바인딩) 요소를 선택하여 새 스캔을 만들거나 기존의 스캔 프로그램을 선택합니다. 주 : 필요한 경우 결합 에너지 범위를 수동으로 변경 될 수있다. 신호 대 잡음비를 최적화하는 그러한 통과 에너지, 여기 에너지 스텝 에너지, 공정 시간과 같은 다른 설정을 설정할 수 있지만 남아모든 원소 검사에서 상수는 원소의 스펙트럼 사이의 비교를 유지한다. 표 1은이 그룹에서 사용하는 스캔 설정을 보여줍니다. </li><li> 모든 충전이 알려진 요소의 피크의 결합 에너지, 531 eV의에서 같은 O 1 초를 관찰하여 기판 상에 발생되어 있는지 확인합니다. 참고 : 피크가 알려진 값에서 이동 한 경우 충전 중입니다. </li><li> XPS 챔버로 홍수 총을 넣고 충전이 발생하는 경우 홍수 총을 켭니다. 선택한 피크가 올바른 결합 에너지로 다시 이동되도록 샘플에서 홍수 총 에너지 출력과 거리를 조정합니다. </li><li> 알려진 요소의 피크 관찰 지역 (531 eV의에서 일반적으로 O (1)의 피크)을 극대화하기 위해 무대 위치를 조작 할 수 있습니다. </li><li> XPS 검사를 실행하고 데이터를 수집합니다. </li><li> X 선 소스를 끄고 XPS에서 샘플을 제거합니다. </li></ol>

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D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atomic+layer+deposition+of+crystalline+SrHfO3+directly+on+Ge+(001)+for+high-k+dielectric+applications.">Atomic layer deposition of crystalline SrHfO3 directly on Ge (001) for high-k dielectric applications.</a> J. Appl. Phys. 117 (5), 054101 (2015).</li><li>Jahangir-Moghadam, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Band-Gap+Engineering+at+a+Semiconductor-Crystalline+Oxide+Interface.">Band-Gap Engineering at a Semiconductor-Crystalline Oxide Interface.</a> Adv. Mater. Interfaces. 2 (4), (2015).</li><li>Posadas, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+integration+of+ferromagnetic+correlated+oxide+LaCoO3+with+Si+(100).">Epitaxial integration of ferromagnetic correlated oxide LaCoO3 with Si (100).</a> Appl. Phys. Lett. 98 (5), 053104 (2011).</li><li>Ponath, P., Posadas, A. B., Hatch, R. C., Demkov, A. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Preparation+of+a+clean+Ge(001)+surface+using+oxygen+plasma+cleaning.">Preparation of a clean Ge(001) surface using oxygen plasma cleaning.</a> J. Vac. Sci. Technol. B. 31 (3), 031201 (2013).</li><li>Braun, W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Applied RHEED: Reflection High-Energy Electron Diffraction During Crystal Growth. , (1999).</li><li>Moulder, J. F., Stickle, W. F., Sobol, P. E., Bomben, K. E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy. , (1992).</li><li>Vehkam&#228;ki, M., Hatanp&#228;&#228;, T., H&#228;nninen, T., Ritala, M., Leskel&#228;, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+SrTiO3+and+BaTiO3+thin+films+by+atomic+layer+deposition.">Growth of SrTiO3 and BaTiO3 thin films by atomic layer deposition.</a> Electrochem. Solid-State Lett. 2 (10), 504-506 (1999).</li><li>Vehkam&#228;ki, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atomic+Layer+Deposition+of+SrTiO3+Thin+Films+from+a+Novel+Strontium+Precursor-Strontium-bis(tri-isopropyl+cyclopentadienyl).">Atomic Layer Deposition of SrTiO3 Thin Films from a Novel Strontium Precursor-Strontium-bis(tri-isopropyl cyclopentadienyl).</a> Chem. Vap. Depos. 7 (2), 75-80 (2001).</li><li>Ritala, M., Leskel&#228;, M., Niinisto, L., Haussalo, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Titanium+isopropoxide+as+a+precursor+in+atomic+layer+epitaxy+of+titanium+dioxide+thin+films.">Titanium isopropoxide as a precursor in atomic layer epitaxy of titanium dioxide thin films.</a> Chem. Mater. 5 (8), 1174-1181 (1993).</li><li>Aarik, J., Aidla, A., Uustare, T., Ritala, M., Leskel&#228;, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Titanium+isopropoxide+as+a+precursor+for+atomic+layer+deposition:+characterization+of+titanium+dioxide+growth+process.">Titanium isopropoxide as a precursor for atomic layer deposition: characterization of titanium dioxide growth process.</a> Appl. Surf. Sci. 161 (3-4), 385-395 (2000).</li><li>Premkumar, P. A., Delabie, A., Rodriguez, L. N. J., Moussa, A., Adelmann, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Roughness+evolution+during+the+atomic+layer+deposition+of+metal+oxides.">Roughness evolution during the atomic layer deposition of metal oxides.</a> J. Vac. Sci. Technol. A. 31 (6), 061501 (2013).</li></ol>

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ALD를 사용하여 페 로브 스카이 트 에피 택셜 성장을 때 게르마늄 기판의 청결은 성공의 열쇠입니다. 게르마늄 기판 탈지 탈산 및 탈산 및 STO 증착 사이의 시간의 양 사이의 소요 시간은 최소로 유지되어야한다. 샘플은 여전히​​ 심지어는 UHV 환경에서 오염 물질 노출 될 수 있습니다. 장기간 노출이 좋지 막 성장의 결과로, 외래 탄소 또는 게르마늄 재산 화의 재 증착 될 수 있습니다. 이 그룹은 ?...

페 로브 스카이 트 재료는 그들의 높은 대칭 차 또는 유사 입방정 구조와 특성의 무수한에 점점 더 매력적인되고있다. 이들 물질은, 일반 식 ABO 3, 여섯 개의 산소 원자에 배위 (12) 산소 원자 및 B 원자와 배위 원자로 이루어져있다. 그 간단한 구조, 전위 요소의 또 넓은 범위에 의해, 페 로브 스카이 트 (perovskite) 물질이 헤테로 구조 장치에 이상적인 후보를 제공한다. 에피 택셜 산화물 헤테로은 강자성 자랑, 1-3 반 / 강유전체, 4 multiferroic, 5-8 초전도, 7 -. (12)와 자기 기능 (13, 14)이 바람직 전자 성질의 대부분은 계면과 물질 사이 깨끗하고 갑작스러운 전환에 따라서 달라집니다. 페 로브 스카이 트 가족 구성원간에 공유 거의 동일한 구조와 격자 상수는 우수한 리터 허용attice 일치하고, 따라서, 고품질의 인터페이스. 용이하게 격자 정합뿐만 아니라 서로 일부 반도체로는, 페 로브 스카이 트 산화물이 현재 차세대 금속 산화물 반도체의 전자로 전환되고있다. 첫 번째 페 로브 스카이 트 티탄산 스트론튬으로 입증 실리콘 결정질 산화물의 모 놀리 식 통합은 된 SrTiO3 3 (STO)는 맥키와 동료, (15)는 페 로브 스카이 트 - 반도체 통합과 전자 기기의 실현을 향한 기념비적 인 단계이었다. 분자 빔 에피 택시 (MBE)이 때문에 층별 성장 규소 산화물의 에피 택셜 성장의 기본 기술뿐만 아니라 비정질 계면의 SiO2 형성을 조절하는데 필요한 가변 ​​산소 분압 16 -. 19 전형적인 MBE 성장 실리콘에서의 STO (001)의 SiO2의 SR-보조 탈산에 의해 달성된다. 초고 진공 (UHV) 조건에서의 SrO가 휘발성 인 서브열 증발에 JECT. SrO를 열역학적 스트론튬 금속 및 SiO2를 선호하기 때문에, 시니어의 증착 SiO2의 층으로부터 산소를 없애고 결과가 SrO 표면에서 증발한다. 이 과정에서, 실리콘 표면은 이합체 규소 원자의 열을 형성하는면에서 2 × 1 재구성을 경험한다. 편리하게, ½ 재구성 된 표면에 시니어 원자 단일 층 (ML)에 따르면이 이량 체 행에 의해 생성 된 틈을 채 웁니다. 20 ½ ML 범위는 산소 압력에주의 제어, SiO2를 방지하거나 계면 제어 할 수 있습니다, 보호 층을 제공 후속 산화물 성장 동안 형성 21 -. STO의 경우도 23의 (및 유사한 격자 매치로 페 로브 스카이 트 (perovskite))는, 얻어진 격자가 45 ° 회전 평면이되도록 (001) STO의 ‖ (001) Si 및 (100) STO의 ‖ (110)시는시 사이에 레지스트리를 허용 (3.84Å시 - 네 거리)와 STO합니다 (STO 만 약간의 압축 변형과 함께 = 3.905 Å). 이 레지스트리는 고품질 인터페이스 그들이 소유 원하는 특성에 필요하다. 실리콘 인해 계면 산화물의 높은 품질에 산업적으로 중요한되었지만, SiO2를 사용하는 작은 피처 크기에 상응하는 성능을 할 수있는 재료 단계적으로되고있다. SiO2를 경험 높은 누설 전류 때 초박형이 장치의 성능을 감소시킨다. 작은 피처 크기에 대한 수요의 SiO2 동등한 성능을 제공하고, 인자 (k)에 의해 SiO2를 /3.9보다 물리적으로 더 두껍다 고 유전 상수 (K)과 페 로브 스카이 트 산화물 막에 의해 충족 될 수있다. 또한, 다른 반도체는 게르마늄과 같은 때문에 실리콘보다 전자와 정공 이동도에 빠르게 장치 작동을위한 가능성을 제공합니다. 24, 25 게르마늄은 또한 INTERF이acial 산화물, 지역이 있지만, SiO2를 대조적으로, 그것은 불안정하고 열 탈산에 따라 달라질 수 있습니다. 따라서, 2 × 1 재구성 UHV 하에서 단순한 열 어닐링에 의해 달성하고, 보호 층은 페 로브 스카이 트 시니어 증착 동안 계면 산화물 성장을 방지 할 필요가 없다. 26 MBE에 의해 제공 성장 겉보기 용이성에도 불구하고, 원자 층 증착 (ALD)은 산화물 재료의 상업적 생산을위한 MBE보다 더 확장 가능하고 비용 효율적인 방법을 제공한다. 27,28 ALD가 자기있는 기판 기체 전구체의 투여 량을 사용 기판 표면과의 반응에 한정. 따라서, 이상적인 ALD 공정에서, 최대 하나의 원자 층의 표면에 추가적인 재료를 증착하지 사이클과 같은 전구체의 지속적인 투약 투여 주어진 전구체에 대해 증착된다. 반응성 작용기가 공동 반응물 자주 산화 또는 환원 전구체를 복원 (예를 들어물 또는 암모니아). 이전 작업은 아나타제 형 이산화 티탄, 된 SrTiO3 3의 BaTiO3 및 LaAlO 3 등 다양한 페 로브 스카이 트 필름의 ALD 성장을 보여 주었다, MBE로 성장 된 네 개의 단위 셀 두께 STO와 버퍼 있었다시 (001)에. (29) - 34 결정질 산화물의 순수 MBE 성장에서, ½ 청소시 (001)에 시니어의 단층 범위는 기술 (~ 10-7 토르) 네이티브 압력에서 SiO2를 형성에 대한 장벽을 제공하기에 충분하다. 그러나 ~ 1 Torr의 전형적인 ALD의 작동 압력 하에서, 이전 작업 STO 네 유닛 셀은 실리콘 표면을 산화 방지하기 위해 요구되는 것으로 나타났다. 29 여기에 설명 된 절차는 지역 2의 불안정성을 이용하고, MBE 성장 버퍼층없이 ALD 통해 게르마늄 STO의 일체형 통합을 달성 할 수있다. (26) 또한, 그것의 GE-창 자간 거리 (3.992 Å) (100) 표면의 Si (001)으로 관찰 STO와 유사한 에피 택셜 레지스트리 수 있습니다. 여기에 제시된 절차에 게르마늄 STO 특정이지만, 약간의 변형 게르마늄 막의 페 로브 스카이 트의 다양한 모 놀리 통합 할 수있다. 사실, 결정 SrHfO 3의 BaTiO3 영화를 직접 ALD 성장이 창에보고되고있다. 35, 36 추가 가능성이 잠재적 인 게이트 산화물을 포함, SrZr는 ALD의 페 로브 스카이 트 성장의 이전의 연구에 구축, 마지막으로 티 1-X의 O 3. 37 X 시에 네 개의 단위 셀 STO 필름에 (001) 29-34은 STO / 실리콘 플랫폼을 성장시킬 수있는 필름은 LaAlO 3 LaCoO 같은 창에 ALD 성장 STO 버퍼 필름 상에 성장 될 수 있음을 시사한다 3. 32,38 산화물 헤테로과 페 로브 스카이 트 산화물 사이의 놀라운 유사성에 사용할 수있는 속성의 다수는이 절차가 t 활용 될 수 제안이전 오 연구 등 산업적으로 실행 가능한 기술로 어렵거나 불가능 성장의 조합. 도 1은 ALD, MBE, 및 12 피트 전송선로 연결 분석 챔버를 포함 진공 시스템의 개략도를 도시한다. 샘플은 각 챔버 사이의 진공에서 전송 될 수있다. 전송 라인의 기준선 압력 세 이온 펌프에 의해 약 1.0 × 10-9 torr를 유지한다. 상업적 각도 - 분해 자외선 및 X 선 광전자 분광법 (XPS) 분석 시스템은 챔버 내의 압력은 약 1.0 × 10-9 Torr로 유지되도록 이온 펌프로 유지된다. ALD 반응기는 20cm의 460cm 3의 볼륨과 길이의 직사각형 맞춤형 스테인레스 스틸 챔버이다. ALD 반응기의 개략도는도 2에 도시되어있다. 반응기는 가열 벽 연속 크로스 플로우 형 반응기이다.반응기에 배치 된 샘플은 기판의 상부면과 챔버 천장 및 상기 기판의 저면과 상기 챔버 바닥 사이 1.9 cm 1.7 cm 사이의 간극을 갖는다. 전용의 전원에 의해 구동되는 가열 테이프, 배기구 이후 약 2cm로 입구로부터 챔버 감싸 반응기 벽의 온도 제어를 제공한다. 온도 제어기는 상기 가열 테이프 및 외부 반응기 벽 사이에 위치 된 열 커플 취한 온도 측정에 따른 가열 테이프에 입력 전력을 조정한다. 반응기 후 완전히 세 variac에서 제공하는 정 전력의 추가 가열 테이프, 알루미늄 호일 커버와 유리 섬유 양모의 최종 층 균일 한 가열을 촉진하기 위해 절연을 제공에 싸여있다. variac의 출력이 조정된다 반응기 (전용 전원 정지) 아이들링 온도가 약 175 ° C되도록. 반응기 싶어서입니다sively 주위 공기로 냉각시켰다. 기판 온도를 직접 장착하는 기판을 측정하여, T S (° C)가 기판 (℃) T (C)의 온도 선형 끼움 식 (1)에있어서, 반응기 벽의 온도는를 이용하여 계산 얻어 열전대. 온도 프로파일로 인해 이송 라인 반응기를 연결하는 냉 게이트 밸브 챔버의 유동 방향을 따라 존재한다; 유동 방향에 수직 한 온도 프로파일은 무시할 수있다. 온도 프로파일은 샘플의 선단에 부유 시니어 증착을 야기하지만, 시료에 따른 조성 변화는 XPS에 의한 (샘플의 선단 및 후미 에지 사이의 5 % 차이보다) 작다. (31)의 배기를 반응기는 터보 분자 펌프 및 기계식 펌프에 연결된다. ALD 프로세스 동안, 반응기를 약 1 토르의 압력을 유지하기 위해 기계적 펌프에 의해 펌핑된다. 그렇지 않으면, reactoR 압력은 터보 분자 펌프에 의해 2.0 × 10-6 토르 이하로 유지된다. (1) T의 = 0.977T의 C + 3.4 MBE 챔버는 약 2.0 × 10-9 토르 이하의 극저온 펌프에 의해 기준 압력으로 유지된다. MBE 챔버 내에서 다양한 종류의 부분 압력은 잔류 가스 분석기에 의해 모니터링된다. H 2의 백그라운드 압력은 약 1.0 × 10-9 Torr와 O 2의 것과 동시에, CO, N 2, CO 2, H 2 O가 1.0 미만 × 10-10 토르이다. 또한, MBE 챔버는 RHEED (여섯 삼출액 세포 네 포켓 전자빔 증착기, 원자 질소 플라즈마 소스 및 고정밀 압전 누출 밸브 원자 산소 플라즈마 소스 및 반사 고속 전자 회절에 장착되어 현장의 성장과 결정화 관찰에서 실시간) 시스템. 샘PLE 매니퓰레이터 기판은 산소 - 저항성 실리콘 카바이드 히터를 사용하여 1000 ℃까지 가열 할 수있다.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="963">
	<tbody>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;width:285px;">MBE</td>
			<td style="width:235px;">DCA</td>
			<td style="width:143px;">M600</td>
			<td style="width:301px;"></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Cryopump for MBE</td>
			<td>Brooks Automation, Inc.</td>
			<td>On-Board 8</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Residual Gas Analyzer for MBE</td>
			<td>Extorr, Inc.</td>
			<td>XT200M</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="23">
			<td height="23" style="height:23px;">ALD Reaction Chamber</td>
			<td>Huntington Mechanical Laboratories</td>
			<td>N/A</td>
			<td>Custom manufactured, hot-wall, stainless steel, rectangular (~20 cm long, 460 cm3)</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">ALD Saturator</td>
			<td>Swagelok/Larson Electronic Glass</td>
			<td>See comments</td>
			<td>Custom-built from parts supplied by Swagelok and Larson Electronic Glass. The saturator is made out of 316 stainless steel and Pyrex. All parts are connected via butt welding. Swagelok catalog numbers:SS-4-VCR-7-8VCRF, SS-4-VCR-1, SS-8-VCR-1-03816, SS-8-VCR-3-8MTW, 316L-12TB7-6-8, SS-8-VCR-9, SS-4-VCR-3-4MTW, SS-T2-S-028-20&#160; Larson Electronic Glass catalog number: SP-075-T</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Manual Valves for Saturators</td>
			<td>Swagelok</td>
			<td>SS-DLVCR4-P and 6LVV-DPFR4-P.</td>
			<td>Both diaphragm-sealed valves are used interchangably by this group. The specific connectors (VCR male/female/etc.) to use will depend on the actual system design.</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">ALD Valves</td>
			<td>Swagelok</td>
			<td>6LVV-ALD3TC333P-CV</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">ALD System Tubing</td>
			<td>Swagelok</td>
			<td></td>
			<td>316L tubing of various sizes. This group uses inner diameter of 1/4&#34;</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">ALD power supply</td>
			<td>AMETEK Programmable Power, Inc.</td>
			<td>Sorensen DCS80-13E</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">ALD Temperature Controller</td>
			<td>Schneider Electric</td>
			<td>Eurotherm 818P4</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">ALD Valve Controller&#160;</td>
			<td>National Instruments</td>
			<td>LabView</td>
			<td>Program developed within the group</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">XPS</td>
			<td>VG Scienta</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">RHEED</td>
			<td>Staib Instruments</td>
			<td>CB801420</td>
			<td>18 keV at ~3&#176; incident angle</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">RHEED Analysis System</td>
			<td>k-Space Associates</td>
			<td>kSA 400</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Digital UV Ozone System</td>
			<td>Novascan</td>
			<td>PSD-UV 6</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Ozone Elimination System</td>
			<td>Novascan</td>
			<td>PSD-UV OES-1000D</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Strontium bis(triisopropylcyclopentadienyl)</td>
			<td>Air Liquide</td>
			<td>HyperSr</td>
			<td>Mildly reactive to air and water. Further information supplied by Air Liquide can be found at https://www.airliquide.de/inc/dokument.php/standard/1148/airliquide-hypersr-datasheet.pdf</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Titanium tetraisopropoxide (TTIP)</td>
			<td>Sigma-Aldrich</td>
			<td>87560</td>
			<td>Flammable in liquid and vapor phase</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Ge (001) wafer</td>
			<td>MTI Corporation</td>
			<td>GESBA100D05C1</td>
			<td>4&#34;, single-side polished Sb-doped wafer with &#961; &#8776; 0.04 &#937;-cm</td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Argon (UHP)</td>
			<td>Praxair</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="20">
			<td height="20" style="height:20px;">Deionized Water</td>
			<td>N/A</td>
			<td>N/A</td>
			<td>18.2 M&#937;-cm</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

epitaxial growth of perovskite strontium titanate on germanium via atomic layer deposition

Atomic layer deposition (ALD) is a commercially utilized deposition method for electronic materials. ALD growth of thin films offers thickness control and conformality by taking advantage of self-limiting reactions between vapor-phase precursors and the growing film. Perovskite oxides present potential for next-generation electronic materials, but to-date have mostly been deposited by physical methods. This work outlines a method for depositing SrTiO3 (STO) on germanium using ALD. Germanium has higher carrier mobilities than silicon and therefore offers an alternative semiconductor material with faster device operation. This method takes advantage of the instability of germanium's native oxide by using thermal deoxidation to clean and reconstruct the Ge (001) surface to the 2&#215;1 structure. 2-nm thick, amorphous STO is then deposited by ALD. The STO film is annealed under ultra-high vacuum and crystallizes on the reconstructed Ge surface. Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) is used during this annealing step to monitor the STO crystallization. The thin, crystalline layer of STO acts as a template for subsequent growth of STO that is crystalline as-grown, as confirmed by RHEED. In situ X-ray photoelectron spectroscopy is used to verify film stoichiometry before and after the annealing step, as well as after subsequent STO growth. This procedure provides framework for additional perovskite oxides to be deposited on semiconductors via chemical methods in addition to the integration of more sophisticated heterostructures already achievable by physical methods.

세정 및 탈산 게르마늄 기판으로부터도 5 및도 6은 일반적인 X 선 광전자 스펙트럼 및 RHEED 이미지. 성공적 탈산 게르마늄 기판의 &quot;웃는 얼굴&quot;2 × 1 재구성 된 RHEED 패턴을 특징으로한다. 26,39 또한 키쿠치 라인은 청결과 샘플의 장거리 질서를 나타내는 RHEED 이미지에서 관찰된다. (40) 선명도 및 회절 패턴의 강도는 표면의 청결...

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Epitaxial Growth of Perovskite Strontium Titanate on Germanium via Atomic Layer Deposition

이 작업은 원자 층 증착에 의해 게르마늄 기판 상에 직접 결정 된 SrTiO3 (3)의 성장 및 특성화에 대한 세부 절차. 절차는 금속 산화물 반도체 소자에 모 놀리 식 반도체 산화물을 통합하는 모든 화학 성장 법의 성능을 나타낸다.

원자 층 증착을 통해 게르마늄에 페 로브 스카이 스트론튬 티탄의 에피 택셜 성장

Atomic layer deposition (ALD) is a commercially utilized deposition method for electronic materials. ALD growth of thin films offers thickness control and ...

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Chemistry

12.3K 조회수.  The University of Texas at Austin.  이 작업은 원자 층 증착에 의해 게르마늄 기판 상에 직접 결정 된 SrTiO3 (3)의 성장 및 특성화에 대한 세부 절차. 절차는 금속 산화물 반도체 소자에 모 놀리 식 반도체 산화물을 통합하는 모든 화학 성장 법의 성능을 나타낸다. 

비디오: Epitaxial Growth of Perovskite Strontium Titanate on Germanium via Atomic Layer Deposition

Preparation of Hydrophobic Metal-Organic Frameworks via Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Perfluoroalkanes for the Removal of Ammonia

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of perfluoroalkanes has long been studied for tuning the wetting properties of surfaces. For high surface area microporous materials, such as metal-organic frameworks (MOFs), unique challenges present themselves for PECVD treatments. Herein the protocol for development of a MOF that was previously unstable to humid conditions is presented. The protocol describes the synthesis of Cu-BTC (also known as HKUST-1), the treatment of Cu-BTC with PECVD of perfluoroalkanes, the aging of materials under humid conditions, and the subsequent ammonia microbreakthrough experiments on milligram quantities of microporous materials. Cu-BTC has an extremely high surface area (~1,800 m2/g) when compared to most materials or surfaces that have been previously treated by PECVD methods. Parameters such as chamber pressure and treatment time are extremely important to ensure the perfluoroalkane plasma penetrates to and reacts with the inner MOF surfaces. Furthermore, the protocol for ammonia microbreakthrough experiments set forth here can be utilized for a variety of test gases and microporous materials.

Herein the procedures for plasma enhanced chemical vapor deposition of perfluoroalkanes on microporous materials such as metal-organic frameworks to enhance their stability and hydrophobicity are described. Furthermore, breakthrough testing of milligram quantities of samples is described in detail.

플라즈마 통해 소수성 유기 금속 프레임 워크의 제조 암모니아의 제거에 대한 퍼플 루오로 알칸의 화학 증착을 강화

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of perfluoroalkanes has long been studied for tuning the wetting properties of surfaces. For high ...

연구

화학

Atomically Defined Templates for Epitaxial Growth of Complex Oxide Thin Films

Atomically defined substrate surfaces are prerequisite for the epitaxial growth of complex oxide thin films. In this protocol, two approaches to obtain such surfaces are described. The first approach is the preparation of single terminated perovskite SrTiO3 (001) and DyScO3 (110) substrates. Wet etching was used to selectively remove one of the two possible surface terminations, while an annealing step was used to increase the smoothness of the surface. The resulting single terminated surfaces allow for the heteroepitaxial growth of perovskite oxide thin films with high crystalline quality and well-defined interfaces between substrate and film. In the second approach, seed layers for epitaxial film growth on arbitrary substrates were created by Langmuir-Blodgett (LB) deposition of nanosheets. As model system Ca2Nb3O10- nanosheets were used, prepared by delamination of their layered parent compound HCa2Nb3O10. A key advantage of creating seed layers with nanosheets is that relatively expensive and size-limited single crystalline substrates can be replaced by virtually any substrate material.

Various procedures are outlined to prepare atomically defined templates for epitaxial growth of complex oxide thin films. Chemical treatments of single crystalline SrTiO3 (001) and DyScO3 (110) substrates were performed to obtain atomically smooth, single terminated surfaces. Ca2 Nb3 O10- nanosheets were used to create atomically defined templates on arbitrary substrates.

복합 산화물 박막의 에피 택셜 성장을위한 원자 적으로 정의 된 템플릿

Atomically defined substrate surfaces are prerequisite for the epitaxial growth of complex oxide thin films. In this protocol, two approaches to obtain ...

Synthesis and Reaction Chemistry of Nanosize Monosodium Titanate

This paper describes the synthesis and peroxide-modification of nanosize monosodium titanate (nMST), along with an ion-exchange reaction to load the material with Au(III) ions. The synthesis method was derived from a sol-gel process used to produce micron-sized monosodium titanate (MST), with several key modifications, including altering reagent concentrations, omitting a particle seed step, and introducing a non-ionic surfactant to facilitate control of particle formation and growth. The resultant nMST material exhibits spherical-shaped particle morphology with a monodisperse distribution of particle diameters in the range from 100 to 150&#160;nm. The nMST material was found to have a Brunauer-Emmett-Teller (BET) surface area of 285 m2g-1, which is more than an order of magnitude higher than the micron-sized MST. The isoelectric point of the nMST measured 3.34 pH units, which is a pH unit lower than that measured for the micron-size MST. The nMST material was found to serve as an effective ion exchanger under weakly acidic conditions for the preparation of an Au(III)-exchange nanotitanate. In addition, the formation of the corresponding peroxotitanate was demonstrated by reaction of the nMST with hydrogen peroxide.

The surfactant mediated sol-gel synthesis of nanosized monosodium titanate is described, along with preparation of the corresponding peroxide modified material. An ion-exchange reaction with Au(III) is also presented.

This paper describes the synthesis and peroxide-modification of nanosize monosodium titanate (nMST), along with an ion-exchange reaction to load the ...

Layer-by-layer Synthesis and Transfer of Freestanding Conjugated Microporous Polymer Nanomembranes

CMP as large surface area materials have attracted growing interest recently, due to their high variability in the incorporation of functional groups in combination with their outstanding thermal and chemical stability, and low densities. However, their insoluble nature causes problems in their processing since usually applied techniques such as spin coating are not available. Especially for membrane applications, where the processing of CMP as thin films is desirable, the processing problems have hindered their commercial application.
Here we describe the interfacial synthesis of CMP thin films on functionalized substrates via molecular layer-by-layer (l-b-l) synthesis. This process allows the preparation of films with desired thickness and composition and even desired composition gradients.
The use of sacrificial supports allows the preparation of freestanding membranes by dissolution of the support after the synthesis. To handle such ultra-thin freestanding membranes the protection with sacrificial coatings showed great promise, to avoid rupture of the nanomembranes. To transfer the nanomembranes to the desired substrate, the coated membranes are upfloated at the air-liquid interface and then transferred via dip coating.

In this paper we describe the interfacial synthesis of conjugated microporous polymers (CMP) on sacrificial substrates, and the dissolution of the substrate for the preparation of freestanding CMP nanomembranes. In addition, we will describe how the fragile nanomembranes can be transferred to other substrates.

레이어로 레이어 합성 및 독립 구조로 서있는 공역 미세 다공성 고분자 Nanomembranes의 전송

CMP as large surface area materials have attracted growing interest recently, due to their high variability in the incorporation of functional groups in ...

Preparation of Macroporous Epitaxial Quartz Films on Silicon by Chemical Solution Deposition

This work describes the detailed protocol for preparing piezoelectric macroporous epitaxial quartz films on silicon(100) substrates. This is a three-step process based on the preparation of a sol in a one-pot synthesis which is followed by the deposition of a gel film on Si(100) substrates by evaporation induced self-assembly using the dip-coating technique and ends with a thermal treatment of the material to induce the gel crystallization and the growth of the quartz film. The formation of a silica gel is based on the reaction of a tetraethyl orthosilicate and water, catalyzed by HCl, in ethanol. However, the solution contains two additional components that are essential for preparing mesoporous epitaxial quartz films from these silica gels dip-coated on Si. Alkaline earth ions, like Sr2+ act as glass melting agents that facilitate the crystallization of silica and in combination with cetyl trimethylammonium bromide (CTAB) amphiphilic template form a phase separation responsible of the macroporosity of the films. The good matching between the quartz and silicon cell parameters is also essential in the stabilization of quartz over other SiO2 polymorphs and is at the origin of the epitaxial growth.

A protocol is presented for the preparation of piezoelectric macroporous epitaxial films of quartz on silicon by solution chemistry using dip-coating and thermal treatments in air.

화학 용액 증착에 의해 실리콘에 거대 다공성 에피 택셜 석영 필름의 제조

This work describes the detailed protocol for preparing piezoelectric macroporous epitaxial quartz films on silicon(100) substrates. This is a three-step ...

Photochemical Oxidative Growth of Iridium Oxide Nanoparticles on CdSe@CdS Nanorods

We demonstrate a procedure for the photochemical oxidative growth of iridium oxide catalysts on the surface of seeded cadmium selenide-cadmium sulfide (CdSe@CdS) nanorod photocatalysts. Seeded rods are grown using a colloidal hot-injection method and then moved to an aqueous medium by ligand exchange. CdSe@CdS nanorods, an iridium precursor and other salts are mixed and illuminated. The deposition process is initiated by absorption of photons by the semiconductor particle, which results with formation of charge carriers that are used to promote redox reactions. To insure photochemical oxidative growth we used an electron scavenger. The photogenerated holes oxidize the iridium precursor, apparently in a mediated oxidative pathway. This results in the growth of high quality crystalline iridium oxide particles, ranging from 0.5 nm to about 3 nm, along the surface of the rod. Iridium oxide grown on CdSe@CdS heterostructures was studied by a variety of characterization methods, in order to evaluate its characteristics and quality. We explored means for control over particle size, crystallinity, deposition location on the CdS rod, and composition. Illumination time and excitation wavelength were found to be key parameters for such control. The influence of different growth conditions and the characterization of these heterostructures are described alongside a detailed description of their synthesis. Of significance is the fact that the addition of iridium oxide afforded the rods astounding photochemical stability under prolonged illumination in pure water (alleviating the requirement for hole scavengers).

A protocol for the photochemical oxidative growth of small crystalline iridium oxide nanoparticles on the surface of CdSe@CdS seeded rod nanoparticles is presented.

의 CdSe @ CdS와 나노 막대에 이리듐 산화물 나노 입자의 광 화학적 산화 성장

We demonstrate a procedure for the photochemical oxidative growth of iridium oxide catalysts on the surface of seeded cadmium selenide-cadmium sulfide ...

Influence of Hybrid Perovskite Fabrication Methods on Film Formation, Electronic Structure, and Solar Cell Performance

Hybrid organic/inorganic halide perovskites have lately been a topic of great interest in the field of solar cell applications, with the potential to achieve device efficiencies exceeding other thin film device technologies. Yet, large variations in device efficiency and basic physical properties are reported. This is due to unintentional variations during film processing, which have not been sufficiently investigated so far. We therefore conducted an extensive study of the morphology and electronic structure of a large number of CH3NH3PbI3 perovskite where we show how the preparation method as well as the mixing ratio of educts methylammonium iodide and lead(II) iodide impact properties like film formation, crystal structure, density of states, energy levels, and ultimately the solar cell performance.

We present an extensive study on the effects of different fabrication methods for organic/inorganic perovskite thin films by comparing crystal structures, density of states, energy levels, and ultimately the solar cell performance.

필름 형성에 하이브리드 페 로브 스카이 트 제조 방법, 전자 구조 및 태양 전지 성능의 영향

Hybrid organic/inorganic halide perovskites have lately been a topic of great interest in the field of solar cell applications, with the potential to ...

Reactive Vapor Deposition of Conjugated Polymer Films on Arbitrary Substrates

We demonstrate a method of conformally coating conjugated polymers on arbitrary substrates using a custom-designed, low-pressure reaction chamber. Conductive polymers, poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and poly(3,4-propylenedioxythiophene) (PProDOT), and a semiconducting polymer, poly(thieno[3,2-b]thiophene) (PTT), were deposited on unconventional highly-disordered and textured substrates with high surface areas, such as paper, towels and fabrics. This reported deposition chamber is an improvement of previous vapor reactors because our system can accommodate both volatile and nonvolatile monomers, such as 3,4-propylenedioxythiophene and thieno[3,2-b]thiophene. Utilization of both solid and liquid oxidants are also demonstrated. One limitation of this method is that it lacks sophisticated in situ thickness monitors. Polymer coatings made by the commonly used solution-based coating methods, such as spin-coating and surface grafting, are often not uniform or susceptible to mechanical degradation. This reported vapor phase deposition method overcomes those drawbacks and is a strong alternative to common solution-based coating methods. Notably, polymer films coated by the reported method are uniform and conformal on rough surfaces, even at a micrometer scale. This feature allows for future application of vapor deposited polymers in electronics devices on flexible and highly textured substrates.

This paper presents a protocol for reactive vapor deposition of poly(3,4-ethylenedioxythiophene), poly(3,4-propylenedioxythiophene), and poly(thieno[3,2-b]thiophene) films on glass slides and rough substrates, such as textiles and paper.

임의 기판에 활용 된 고분자 필름의 반응성 증 착

We demonstrate a method of conformally coating conjugated polymers on arbitrary substrates using a custom-designed, low-pressure reaction chamber. ...

Deposition of Porous Sorbents on Fabric Supports

A microwave deposition technique for silanes, previously described for production of oleophobic fabrics, is adapted to provide a fabric support material that can be subsequently treated by dip coating. Dip coating with a sol preparation provides a supported porous layer on the fabric. In this case, the porous layer is a porphyrin functionalized sorbent system based on a powdered material that has been demonstrated previously for the capture and conversion of phosgene. A representative coating is applied to cotton fabric at a loading level of 10 mg/g. This coating has minimal impact on water vapor transport through the fabric (93% of the support fabric rate) while significantly reducing transport of 2-chloroethyl ethyl sulfide (CEES) through the material (7% of support fabric rate). The described approaches are suitable for use with other fabrics providing amine and hydroxyl groups for modification and can be used in combination with other sol preparations to produce varying functionality.

This report details a microwave-initiated approach for deposition of porphyrin functionalized porous organosilicate sorbents on a cotton fabric and demonstrates reduction in 2-chloroethyl ethyl sulfide (CEES) transport through the fabric resulting from this treatment.

패브릭 지원에 다공성 흡수의 증 착

A microwave deposition technique for silanes, previously described for production of oleophobic fabrics, is adapted to provide a fabric support material ...

Solvothermal Synthesis of MIL-96 and UiO-66-NH2 on Atomic Layer Deposited Metal Oxide Coatings on Fiber Mats

Metal-organic frameworks (MOFs), which contain reactive metal clusters and organic ligands allowing for large porosities and surface areas, have proven effective in gas adsorption, separations, and catalysis. MOFs are most commonly synthesized as bulk powder, requiring additional processes to adhere them to functional devices and fabrics that risk decreasing the powder porosity and adsorption capacity. Here, we demonstrate a method of first coating fabrics with metal oxide films using atomic layer deposition (ALD). This process creates conformal films of controllable thickness on each fiber, while providing a more reactive surface for MOF nucleation. By submerging the ALD coated fabric in solution during solvothermal MOF synthesis, the MOFs create a conformal, well-adhered coating on the fibers, resulting in a MOF-functionalized fabric, without additional adhesion materials that may block MOF pores and functional sites. Here we demonstrate two solvothermal synthesis methods. First, we form a MIL-96(Al) layer on polypropylene fibers using synthetic conditions that convert the metal oxide to MOF. Using initial inorganic films of varying thicknesses, diffusion of the organic linker into the inorganic allows us to control the extent of MOF loading on the fabric. Second, we perform a solvothermal synthesis of UiO-66-NH2 in which the MOF nucleates on the conformal metal oxide coating on polyamide-6 (PA-6) fibers, thereby producing a uniform and conformal thin film of MOF on the fabric. The resulting materials can be directly incorporated into filter devices or protective clothing and eliminate the maladroit qualities of loose powder.

Solvothermal Synthesis of MIL-96 and UiO-66-NH2 on Atomic Layer Deposited Metal Oxide Coatings on Fiber Mats

Metal-organic frameworks are effective in gas storage and heterogeneous catalysis, but typical synthesis methods result in loose powders that are difficult to incorporate into smart materials. We demonstrate a method of first coating fabrics with ALD metal oxides, resulting in conformal films of MOF on the fabrics during solvothermal synthesis.

밀-96와 UiO-66-NH2 원자 층 Solvothermal 합성 섬유 매트에 금속 산화물 코팅을 입금

Metal-organic frameworks (MOFs), which contain reactive metal clusters and organic ligands allowing for large porosities and surface areas, have proven ...