JoVE Logo

Войдите в систему

12.20 : Транзисторы

При анализе малых сигналов усилитель на МОП-транзисторе действует как линейный усилитель, когда работает в области насыщения. Напряжение затвор-исток (V_GS) полевого МОП-транзистора представляет собой сумму напряжения смещения постоянного тока и небольшого изменяющегося во времени входного сигнала. Эта комбинация устанавливает рабочую точку и модулирует ток стока (I_D), который течет от стока к истоку. Когда небольшой сигнал переменного тока накладывается на напряжение смещения постоянного тока на затворе, мгновенный ток стока состоит из трех частей:

  • Постоянный ток смещения (I_D0) — это ток покоя без подачи сигнала.
  • Компонент, который изменяется линейно в зависимости от входного сигнала, учитывается в целях усиления.
  • Нелинейная составляющая является функцией квадрата входного сигнала и приводит к искажению усиленного выходного сигнала.

Для небольших сигналов, где амплитуда переменного компонента V_GS достаточно мала, нелинейная составляющая тока стока (которая включает в себя члены, пропорциональные квадрату входного сигнала) становится незначительной. Игнорируя эти нелинейные факторы, поведение МОП-транзистора можно аппроксимировать линейно, что значительно упрощает анализ.

Крутизна МОП-транзистора (г_м) представляет собой скорость изменения тока стока в ответ на изменения VGS, оцениваемую в точке смещения и определяемую следующим образом:

Equation 1

Где V_GS0 — напряжение смещения постоянного тока.

В линейной области работы выходной ток слабого сигнала (i_d) определяется выражением:

Equation 2

где vgs — составляющая слабого сигнала V_GS, коэффициент усиления по напряжению (A_v) усилителя определяется выражением:

Equation 3

где RL — сопротивление нагрузки, подключенной к стоку, отрицательный знак в уравнении коэффициента усиления напряжения указывает на то, что выходной сигнал инвертирован относительно входного сигнала.

Теги

Small signal AnalysisMOSFET AmplifierSaturation RegionGate to source VoltageDC Biasing VoltageDrain CurrentAC SignalNonlinear ComponentTransconductanceVoltage GainLoad ResistanceAmplified OutputLinear Approximation

Из главы 12:

article

Now Playing

12.20 : Транзисторы

Transistors

475 Просмотры

article

12.1 : Биполярный транзистор.

Transistors

485 Просмотры

article

12.2 : Конфигурации биполярных переходных транзисторов

Transistors

339 Просмотры

article

12.3 : Принцип работы BJT

Transistors

339 Просмотры

article

12.4 : Характеристики BJT

Transistors

591 Просмотры

article

12.5 : Режимы работы BJT

Transistors

882 Просмотры

article

12.6 : Частотная характеристика BJT

Transistors

666 Просмотры

article

12.7 : Предельная частота BJT

Transistors

586 Просмотры

article

12.8 : Переключение BJT

Transistors

351 Просмотры

article

12.9 : BJT-усилители

Transistors

308 Просмотры

article

12.10 : Анализ малых сигналов биполярных переходных транзисторных усилителей (BJT)

Transistors

886 Просмотры

article

12.11 : Полевой транзистор

Transistors

268 Просмотры

article

12.12 : Характеристики JFET

Transistors

321 Просмотры

article

12.13 : Смещение полевых транзисторов (FET)

Transistors

202 Просмотры

article

12.14 : МОП-конденсатор

Transistors

652 Просмотры

See More

JoVE Logo

Исследования

Образование

О JoVE

Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены