1. Fabricación de un filtro perforado a partir de una membrana de óxido de silicio de 300 nm de espesor comparable en escala al citoplasma endotelial de los riñones

1. Cargue la membrana preparada en la cámara FIB. Las membranas son a menudo preparadas por profesionales (al crear puentes Wheatstone) y se pueden adquirir en sitios de fabricación de semiconductores. Para preparar uno usted mismo, se debe utilizar la fotolitografía. Los detalles de este proceso se pueden ver en el video de fotolitografía de la "Colección de Bioingeniería" en el sitio web de JoVE. NOTA: Asegúrese de usar guantes de nitrilo al manipular la muestra o al entrar en contacto con cualquier componente interno de la FIB/SEM. El medio ambiente debe mantenerse muy limpio y libre de aceites para la piel.
2. Encienda el haz de iones enfocado y la pistola de electrones y ajuste la muestra para lograr el punto coincidente-eucéntrico. Este es el punto donde el área de interés (la membrana) está en la línea de electrones e iones para ángulos de inclinación que van de 0-54 grados.

3. Ajuste la corriente del haz de iones y la tensión de aceleración de la FIB a 30kV y 100pA y concéntrese en un área cercana al área a fresar. Dibuje una matriz de círculos a través del programa de fresado FIB de un diámetro de alrededor de 50 nm con una distancia de centro a centro de 150 nm (consulte la figura 1).
4. Cambie al haz de electrones y la imagen del área a una tensión de aceleración de 5kV.

Figura 1: FiB agujeros fresados en membrana de óxido de silicio creando filtro de partículas.

2. Fresado de un logotipo en un cabello

1. Coloque una hebra de cabello en un talón de microscopio usando cinta adhesiva de carbono
2. Recubrir el cabello con una capa de esputo. Esta herramienta recubre la muestra en unos pocos nanómetros de un material conductor para que pueda ser imagen / sputtered con artefactos de carga mínimos.
3. Encienda el haz de iones enfocado y la pistola de electrones y ajuste el punto de eucéntrico coincidente.
4. Ajuste la corriente del haz de iones y la tensión de aceleración a 30 kV con una apertura de 100pA, respectivamente, y concéntrese en un área de aproximadamente 15um x 15um cerca del área a fresar.
5. Cargue el patrón/logotipo que se va a fresar como mapa de bits y ajuste la corriente de la viga y la tensión de aceleración e inicie el fresado.
6. Cambie al haz de electrones y la imagen del área. Esto se muestra en la Figura 2.

Figura 2: "Felices Fiestas" fresadas en una tela de araña con FIB.