1. 从300nm厚的硅氧化物膜中制造穿孔过滤器，其规模与肾脏内皮细胞质相当

1. 将制备的膜装入 FIB 室。膜通常由专业人员（在创建惠斯通桥时）制备，可在半导体制造现场获取。要自己准备一个，必须使用光刻。这个过程的细节可以在JoVE网站上的"生物工程集"的光刻视频中看到。注：在处理样品时或与 FIB/SEM 的任何内部组件接触时，请务必佩戴硝化手套。环境必须保持非常清洁，没有任何皮肤油。
2. 打开聚焦的电束和电子枪，调整样品以达到重合中心点。这是感兴趣区域（膜）位于电子和离子线中的点，倾斜角度范围为 0-54 度。

3. 将 FIB 的电束电流和加速电压调整到 30kV 和 100pA，并聚焦于靠近要铣削的区域。通过直径约 50nm 的 FIB 铣削程序绘制一个圆矩阵，中心到中心的距离为 150nm（参见图 1）。
4. 以 5kV 的加速电压更改为电子束并成像区域。

图1：FIB在氧化硅膜上铣削孔，形成微粒过滤器。

2. 在头发上铣削徽标

1. 使用碳胶带将发丝放在显微镜存根上
2. 使用溅射涂层涂抹头发链的金色/碳涂层。此工具将样品涂在几纳米的导电材料中，以便用最少的充电伪影进行成像/溅射。
3. 打开聚焦的电离束和电子枪，并调整到重合中心点。
4. 分别使用 100pA 孔径将电束电流和加速电压调节到 30kV，并聚焦在靠近要铣削的区域约 15um x 15um 的区域内。
5. 将要铣削的图案/徽标装入位图，并调整光束电流和加速电压，然后开始铣削。
6. 更改为电子束并成像区域。如图2所示。

图2："快乐假期"碾磨在蜘蛛网与FIB。