Contrôle de champ électrique des États électroniques dans WS2 nanodispositifs par électrolyte Gate
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10:36 min
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April 12th, 2018
DOI :
April 12th, 2018
•Feng Qin1, Toshiya Ideue1, Wu Shi2, Yijin Zhang3,4, Ryuji Suzuki1, Masaro Yoshida5, Yu Saito1, Yoshihiro Iwasa1,5
1Quantum-Phase Electronics Center (QPEC) and Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 2Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, 3Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 4Max Planck Institute for Solid State Research, 5RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS)
Chapitres dans cette vidéo
0:04
Title
0:38
Dispersion of WS2 Nanotubes (NTs) on a Si/SiO2 Substrate
1:35
Application of WS2 Flakes to a Si/SiO2 Substrate with the Tape Method
2:28
Device Fabrication by Electron Beam Lithography
5:59
Electrode Deposition
7:17
Device Completion and Transport Measurements
8:31
Results: Transistor Operations of WS2 Nanotube and Flake Devices
9:56
Conclusion
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