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In Situ in funzione del tempo di rottura dielettrico nel Transmission Electron Microscope: A Con possibilità di capire il meccanismo Fallimento in dispositivi microelettronici

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09:26 min

June 26th, 2015

DOI :

10.3791/52447-v

June 26th, 2015


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Ingegneria

Capitoli in questo video

0:05

Title

1:35

Sample Preparation

2:30

Focused Ion Beam Thinning in a Scanning Electron Microscope

3:53

Sample Transfer to the Transmission Electron Microscope

4:29

Establishing the Electrical Connection

5:19

In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown Experiment

6:50

Computed Tomography

7:22

Results: Failure Mechanism in Microelectronic Devices

8:34

Conclusion

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