Os autores agradecem a Michael Lacerte para suporte técnico. MP-L. reconhece o Instituto Canadense de Pesquisas Avançadas (CIFAR), Ciências Naturais eo Conselho de Pesquisa em Engenharia do Canadá (NSERC), da Fundação Canadense para Inovação (CFI) e Fonds de Recherche Québec - Nature et Technologies (FRQNT) pelo apoio financeiro. O dispositivo aqui apresentado foi fabricado em CRN2 e IMDQ instalações, financiados em parte por NanoQuébec. Os GaAs / AlGaAs substrato foi fabricado por ZR Wasilewski, do Instituto de Ciências microestruturais no National Research Council Canada. JCL e CB-O. reconhecer CRSNG e FRQNT de apoio financeiro.

O processo de fabricação descrito abaixo é feito em um substrato de GaAs / AlGaAs com dimensões de 1,04 x 1,04 centímetros. Vinte dispositivos idênticos são fabricados sobre um substrato deste tamanho. Todas as etapas do processo são realizadas em salas limpas e um material de protecção adequado deve ser utilizado em todos os momentos. Água destilada é utilizada ao longo do processo, mas é simplesmente referido como &quot;água&quot; no protocolo abaixo. 1. Gravura da Mesa O resultado desta etapa de fabricação é mostrado na Figura 4a. <ol><li> Colocar a amostra em um calcinador de plasma com um plasma de O 2 a 75 W durante 2 minutos para remover quaisquer vestígios de compostos indesejados resistir ou orgânico. </li><li> Limpar a amostra num banho sónico com acetona (2x) e IPA, durante 5 min cada. Seque com um N 2 arma comprimido. Durante todo o protocolo de fabricação, quando se utiliza um banho sônico, evitar o uso de altas potências para evitar danificar o wafer GaAsque tem uma tendência a decompor. </li><li> Cozer a amostra num forno a 125 ° C durante pelo menos 15 min para desidratar a superfície. A desidratação pode também ser conseguida colocando a amostra numa placa quente a 180 ° C durante pelo menos 5 min. </li><li> Girar a amostra com revestimento Shipley S1818 fotosensitivo a 3.500 rpm durante 30 segundos e cozer numa placa quente a 115 ° C durante 60 seg. A camada resultante de resistir deve ser de cerca de 2,5 mm de espessura. S1818 é utilizado porque é espessa e é muito pouco afectado pela solução usada no passo 1.11 a corrosão do substrato. Durante todo o processo de fabrico, é importante para evitar overbaking fotossensível e de feixe e resistir a assegurar uma fácil remoção em passos subsequentes. </li><li> Usar uma máscara fotolitográfica alinhador e um bordo talão máscara para expor a resistir na borda exterior da amostra. A borda do grânulo é constituído por uma máscara x 1 centímetro quadrado um cromo sobre uma placa de vidro. Utilização de luz com um comprimento de onda de 436 nm, e exponha o resistir durante 10 seg a 15 m W / cm 2. A wavelength e poder são fixos e podem variar de acordo com a máquina usada. Ajustar o tempo de exposição e desenvolvimento para obter características bem definidas, com o tamanho apropriado. </li><li> Desenvolver resistir exposto por imersão da amostra em MF-319 por 2 min 10 seg. Agita-se lentamente durante este passo. Enxágüe em água por 15 segundos e secar com um N 2 arma comprimido. A borda talão deve ser removido no final desta etapa, deixando uma superfície x 1 1 cm com uma espessura uniforme de resistir no meio da amostra. A borda do grânulo é removido antes de expor a máscara de mesa para se obter um melhor contacto entre a máscara e a amostra, o que conduz a melhores resultados. </li><li> Ainda usando o alinhador de máscara de fotolitografia, expor a resistir usando a máscara de mesa e 436 nm de luz para 7 seg a 15 mW / cm 2. </li><li> Desenvolver o exposto resistir por imersão da amostra em MF-319 por 2 min 10 seg e agitando lentamente. Lavar por 15 segundos em água e seque com um N 2 arma comprimido. O resistir remaining sobre a amostra tem agora a forma de meseta. A resistência irá proteger a região da amostra que está sendo gravado fora nos passos que se seguem. </li><li> Para eliminar todos os vestígios de resistir na área previamente exposto, a amostra é colocada num calcinador plasma e é exposto a um plasma de O 2 durante 1 min a 75 W. </li><li> Uma solução de H 2 SO 4: H 2 O 2: H2O (05:01:55) é utilizado para gravar a amostra. Combine as devidas proporções de H 2 O 2 e água e, em seguida, adicione o H 2 SO 4. Esta solução é muito reactivo quando é primeiramente preparado. Espere 20 minutos antes de prosseguir para a etapa seguinte para evitar overetching. </li><li> Etch da amostra, mergulhando-o na solução ácida durante vários segundos e imediatamente a lavagem em água durante 30 segundos para parar a reacção. A superfície da amostra deve ser gravado após a camada de Si contaminantes e quase todo o caminho até o 2DEG para assegurar o esgotamento nestas regiões (SEe Figura 1). A profundidade da corrosão podem variar dependendo do substrato. Geralmente, para o tipo de substrato utilizado, um segundo imersão 34 conduz à profundidade desejada de etch 90-100 nm. No entanto, é importante não overetch para evitar danificar o 2DEG. Uma vez que a taxa de corrosão varia fortemente com a proporção de H 2 SO 4 e H 2 O 2 na solução, assim como com o tempo de espera antes da corrosão, é recomendável realizar a decapagem por diversos imersões de 5-10 segundos, em vez de um único 34 sec etch, e medir a profundidade gravado com um perfilômetro após cada etch. A taxa de corrosão relativamente lenta desta solução permite um bom controlo da profundidade da corrosão. Arrefecimento a solução de ataque abaixo da temperatura ambiente pode levar a reduzir taxas de corrosão. No entanto, uma vez que é uma corrosão superficial e corrosão do perfil é importante, diferentes soluções de decapagem pode também ser usado. </li><li> Tira a resistir por imersão da amostra em 1165 removedor a 65 ° C durante 3 horas. Enxaguarem acetona e IPA, durante 5 minutos cada. Meça o perfil etch com um perfilômetro. </li></ol> 2. Fabricação dos contatos ôhmica O resultado desta etapa de fabricação é mostrado na Figura 4b. <ol><li> Limpar a amostra num banho sónico por imersão em acetona (2x) e IPA, durante 5 min cada. Seque com um N 2 arma comprimido. </li><li> Cozer a amostra num forno a 125 ° C durante 15 minutos para secar a superfície. </li><li> Girar o revestimento com LOR5A a 2.500 rpm durante 30 segundos e cozer numa placa quente a 150 ° C durante 10 min. Em seguida, o revestimento com S1813 girar a 5000 rpm durante 30 segundos e cozer numa placa quente a 110 ° C durante 60 seg. A espessura resultante de resistir são ~ 600 nm e ~ 1,3 mM, respectivamente. Duas camadas de resistir são usados ​​para facilitar a descolagem do metal que vai ser depositado no passo 2.10. </li><li> Usando um alinhador de máscara de fotolitografia ea borda talão máscara, expor a resistir na ed exteriorge da amostra com luz 436 nm durante 10 segundos a 15 mW / cm 2. </li><li> Desenvolver o exposto resistir por imersão da amostra em MF-319 por 2 min 10 seg, enquanto se agita suavemente. Enxágüe em água por 15 segundos e secar com um N 2 arma comprimido. </li><li> Ainda usando o alinhador de máscara de fotolitografia, mas desta vez com a máscara de contato ôhmico, alinhar os padrões para os contatos óhmicas na gravado mesa. Exponha com 436 nm de luz para 6 seg a 15 mW / cm 2. </li><li> Desenvolver a resistir em MF-319 para 2 min 10 seg, enquanto agitando suavemente. Enxágüe em água por 15 segundos e secar com um N 2 arma comprimido. Não há mais resistir nas regiões em que os contactos óhmicos serão depositadas. O promotor dissolve o 5A LOR mais rápido do que o S1813, deixando um rebaixo abaixo da camada superior de resistir. Este perfil no resistir impede o metal (que será depositado na etapa 2.10) a formação de paredes para as bordas da resistência e permitirá também um equipame fácill dos restantes resistir e metal indesejável. </li><li> Para eliminar todos os vestígios de resistir na área anteriormente exposto, colocar a amostra em um calcinador de plasma e expô-la a um plasma de O 2 durante 1 min a 75 W. É importante que não se permita que a amostra ficar durante demasiado tempo no plasma porque cerca de 75 nm / min de resistir é gravado durante esta etapa. </li><li> Remover o óxido nativo GaAs por imersão da amostra numa soluo de H 2 SO 4: H 2 O (1:5) durante 30 seg e enxaguamento em água durante 30 segundos. Seque com um N 2 arma comprimido. Passo 2,10 deve ser realizada o mais rapidamente possível para evitar que o óxido nativo de reaparecer. </li><li> Use um evaporador e-beam para depositar 25 nm de Ni, 55 nm de Ge e 80 nm de Au. As taxas de deposição são, respectivamente, 0,2 nm / seg, 0,5 nm / seg e 0,5 nm / seg. As taxas de deposição são escolhidos de modo que o tempo de evaporação é suficientemente curto para evitar o aquecimento da câmara, sem ser tão curto que perder precisão da espessura tele depositou camada. A bicamada de Ge e Au pode ser substituído por uma única camada de GeAu eutética se ele está disponível 9. </li><li> O passo anterior de metal depositado sobre toda a superfície da amostra. A remoção do metal que é depositado sobre a protecção é feita através da dissolução do último. Para fazer isso, mergulhar a amostra em 1165 removedor a 65 ° C durante 3 horas. Para remover qualquer metal indesejáveis ​​que podem não ter levantado por si próprio, utilizar uma pipeta para pulverizar ligeiramente a superfície da amostra com removedor quente. Lavar a amostra em acetona e IPA por 5 min cada. </li><li> Um processo de recozimento térmico rápido em gás de formação é utilizado para difundir o metal depositado até o 2DEG da amostra. A temperatura é aumentada a uma taxa de 50 ° C / segundo até a uma temperatura de 415 ° C, é alcançado. A amostra é deixada a esta temperatura durante 20 segundos e depois é arrefecido rapidamente. A duração e a temperatura do recozimento são escolhidos para obter a menor resistência através dos contactos óhmicos a baixatemperatura. O tempo óptimo de recozimento pode variar, dependendo da profundidade do 2DEG no substrato. </li></ol> 3. Fabricação de Ti / Au Schottky Leads O resultado desta etapa de fabricação é mostrado na Figura 4c. <ol><li> Limpar a amostra num banho sónico por imersão em acetona (2x) e IPA, durante 5 min cada. Seque com um N 2 arma comprimido. </li><li> Cozer a amostra num forno a 125 ° C durante 15 minutos para secar a superfície. </li><li> Spin coat PMMALMW4% a 5000rpm durante 30 seg e cozer numa placa quente a 180 ° C durante 90 seg. Em seguida, girar revestimento de PMMA de 2% de HMW a 5.000 rpm durante 30 segundos e cozer numa placa quente a 180 ° C durante 90 seg. O resultando espessuras de resistir são ~ ~ 75 nm e 40 nm, respectivamente. Uma vez que as ligações Ti / Au será muito fina, uma única camada de PMMA pode ser usado, mas os parâmetros de fiação, a exposição e revelação vai precisar de ser ajustadas em consequência. Esta observação aplica-se também a tAl ele leva e portões (passo 4). </li><li> Processo de E-beam: Esta parte do processo é altamente dependente do equipamento utilizado e do protocolo necessário pode, assim, ser muito diferente do descrito abaixo. Os padrões para as ligações são desenhadas em um arquivo CAD. Neste arquivo, as ligações devem ser desenhadas como polígonos fechados que são 2 m de largura. Os condutores são necessários para contactar as almofadas de ligação (fabricado no passo 5) para o Al portas (fabricado no passo 4). Quatro marcas de alinhamento também pode ser exposto para permitir que o alinhamento vertical, horizontal e de rotação das ligações Al e portões para o Ti / Au Schottky leva. <ol><li> Coloque a amostra em um microscópio eletrônico de varredura (SEM), que está equipado para fazer litografia por feixe de elétrons. É uma abertura de 10 um para reduzir o tamanho do ponto do feixe e ajustar a tensão de aceleração de 10 kV para garantir um bom contraste, durante o alinhamento das estruturas previamente fabricados. Ajuste o foco, a estigmatização eo alinhamento de abertura.Medir a corrente com um copo de Faraday feixe. </li><li> Alinhe o feixe com a mesa previamente gravadas e definir a ampliação de 300X. </li><li> Expor os leads. O SEM está programado para expor as áreas desejadas, enchendo-as com uma matriz de pontos expostos. A distância entre estes pontos (a distância de centro a centro) é de 5,5 nm e a dose é de 43 uC / cm 2 (o tempo de exposição dependerá da corrente de feixe medida no passo 3.5.1). Expor as marcas de alinhamento, assim como para permitir que o alinhamento do Al portões com os condutores de Ti / Au na etapa 4. </li><li> Repita os passos 3.5.2 e 3.5.3 para cada um dos 20 dispositivos na amostra. </li></ol></li><li> Desenvolver a resistir por imersão da amostra em IPA: H 2 O (9:1) durante 30 seg. A solução deve estar a uma temperatura de 20 ° C. Enxágüe em água por 30 segundos e secar com um N 2 arma comprimido. Se preferido, o PMMA pode resistir a ser desenvolvido usando um IPA: A solução de MIBK e enxaguamento em IPA para parar a reacção. A d diferenteesenvolvimento tempo será necessário se esta opção for escolhida. </li><li> Colocar a amostra de plasma em um calcinador e expô-la a um plasma de 2 O para 4 segundos a 50 W. Isto remove 5 nm de resistir e assegura que não há resistência à esquerda, na parte inferior das trincheiras formadas durante o processo de feixe electrónico. </li><li> Remover o óxido nativo GaAs por imersão da amostra numa soluo de H 2 SO 4: H 2 O (1:5) durante 30 seg e enxaguamento em água durante 30 segundos. Seque com um N 2 arma comprimido. Passo 3.8 deve ser realizada o mais rapidamente possível para evitar que o óxido nativo de reaparecer. </li><li> Colocar a amostra no evaporador e um depósito de feixe e 10 nm, de Ti e Au de 20 nm, ambas a uma taxa de 0,1 nm / seg. É importante que o suporte de amostras para ser bem ligado à terra e colocado de pelo menos 60 cm de distância da fonte para evitar a acumulação de cargas sobre a amostra durante o processo de deposição. </li><li> Excesso de metal decolagem por imersão da amostra em 1165 Remover a 65 °C durante 15 min. Para remover qualquer metal indesejáveis ​​que podem não ter levantado por si próprio, utilizar uma pipeta para pulverizar ligeiramente a superfície da amostra com removedor quente. Lavar em acetona e IPA por 5 minutos cada. </li></ol> 4. Fabricação dos Schottky Leads e portões Al O resultado desta etapa de fabricação é mostrada na Figura 4d. A fabricação do Al Schottky e leva portões constitui a etapa mais importante do processo de fabricação uma vez que estes são os portões que definem o ponto. É importante que o feixe de electrões ser bem focado e corrente de feixe bem ajustado no passo 4.2. A exposição dos tempos de desenvolvimento e também deve ser bem ajustado para se obter as pequenas portas, contínua e bem definida. Em muitos protocolos, estas portas e leva são fabricados em Ti / Au e são expostos simultaneamente com os fios anteriores durante a etapa 3. No entanto, uma vantagem da utilização de Al é que ele pode ser oxidado, Therefminério permitindo a elementos, tais como portas de topo a ser depositado directamente sobre a superfície da amostra, sem a necessidade de uma grande camada de isolamento 10. <ol><li> Repita os passos 3.1 a 3.4.2. No entanto, não use o banho sônico durante a limpeza da amostra para evitar danificar os fios Ti / Au. </li><li> Processo E-beam: Os padrões para as ligações Al e portões são desenhadas em um arquivo CAD. Os cabos de Al são usadas para contatar o Ti / Au leva à Al portões e são desenhados como polígonos fechados, com uma largura de 200 nm. O Al portões, contudo, não são desenhados como polígonos, mas como duas linhas individuais separadas por 20 nm. <ol><li> Uma vez que o feixe foi alinhada com a mesa, defina a ampliação para 1.500 X e alinhar o feixe com a Ti / Au Schottky leva. </li><li> Expor os leads. Utilização de uma dose de 43 uC / cm 2 e a uma distância de centro a centro de 3,3 nm. </li><li> Expor os portões. Use a dose linha de 0,149 NC / cm e uma distância de centro a centro de 1,1 nm. Isto irá levar a umlargura portão final de 60 nm. </li><li> Repita os passos 4.2.1 - 4.2.3 para cada um dos 20 dispositivos na amostra. </li></ol></li><li> Repita os passos de 3,5-3,7. </li><li> Colocar a amostra no evaporador e um depósito de feixe e de Al de 30 nm a uma taxa de 0,3 nm / seg. </li><li> Repita o passo 3.10. É importante ser muito delicada com a amostra a partir deste passo em diante, para evitar danificar as pequenas portas Al. </li></ol> 5. Fabricação dos Leads Schottky e Bonding Pads O resultado desta etapa de fabricação é mostrado na Figura 4e. <ol><li> Repita os passos de 2,1-2,9, utilizando-se uma máscara para a photolithographic Schottky leva em vez da máscara para as almofadas óhmicas. </li><li> Coloque a amostra em um evaporador e depósito e-beam 30 nm de Ti e 350 nm de Au com taxas de 0,3 nm / seg e 1 nm / s, respectivamente. A espessura da camada depositada de Au facilita a ligação da amostra ao suporte da amostra, porque é menos propenso a rasgar do que thicamadas nner. </li><li> Descolagem do metal em excesso e permanecer resistir por imersão da amostra em 1165 removedor a 65 ° C durante 3 horas. Para remover qualquer metal indesejáveis ​​que podem não ter levantado por si próprio, utilizar uma pipeta para pulverizar ligeiramente a superfície da amostra com removedor quente. Lavar a amostra em acetona e IPA por 5 min cada. </li></ol> 6. Cubos das amostras <ol><li> Cozer a amostra num forno a 125 ° C durante 15 minutos para secar a superfície. </li><li> Girar o revestimento com S1818 a 3.500 rpm durante 30 segundos e cozer numa placa quente a 115 ° C durante 1 min. A espessura desta camada de resistir não é importante, desde que seja suficientemente espessa para proteger a superfície da amostra durante o corte em cubos. </li><li> Depositar uma camada de fita de corte em cubos sobre as faces superior e inferior da amostra. A camada de fita adesiva sobre a face superior apresenta uma camada de protecção adicional para o dispositivo durante o corte em cubos. </li><li> Coloque a amostra de face para cima em um dicer. Cortar a amostra em dispositivos individuais por cortarpor todo o caminho através da camada superior da fita em cubos e os GaAs / AlGaAs bolacha sem corte através da camada inferior de fita de corte em cubos. </li><li> Remover a fita de corte em cubos e o protector resistir colocando a amostra em acetona, durante alguns minutos. Use uma pinça para puxar suavemente pedaços de fita em cubos que não levantar por conta própria. Lavar os dispositivos em IPA e seque usando uma arma de 2 N. </li></ol>

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V., Loss, D., Glazman, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electron+Spin+Decoherence+in+Quantum+Dots+Due+to+Interaction+with+Nuclei.">Electron Spin Decoherence in Quantum Dots Due to Interaction with Nuclei.</a> Phys. Rev. Lett. 88 (18), 186802 (2002).</li><li>Sakr, M. R., Jiang, H. W., Yablonovitch, E., Croke, E. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Fabrication+and+characterization+of+electrostatic+Si/SiGe+Quantum+Dots+with+an+Integrated+Read-Out+Channel.">Fabrication and characterization of electrostatic Si/SiGe Quantum Dots with an Integrated Read-Out Channel.</a> Appl. Phys. Lett. 87 (22), 223104 (2005).</li><li>Liu, X. L., Hug, D., Vandersypen, L. M. K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Gate-Defined+Graphene+Double+Quantum+Dot+and+Excited+State+Spectroscopy.">Gate-Defined Graphene Double Quantum Dot and Excited State Spectroscopy.</a> Nano Lett. 10 (5), 1623-1627 (2010).</li><li>Frey, T., Leek, P. J., Beck, M., Blais, A., Ihn, T., Ensslin, K., Wallraff, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dipole+Coupling+of+a+Double+Quantum+Dot+to+a+Microwave+Resonator.">Dipole Coupling of a Double Quantum Dot to a Microwave Resonator.</a> Phys. Rev. Lett. 108, 046807 (2012).</li><li>Pioro-Ladri&#232;re, M., Tokyra, Y., Obata, T., Kubo, T., Tarucha, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Micromagnets+for+coherent+control+of+spin-charge+qubit+in+lateral+quantum+dots.">Micromagnets for coherent control of spin-charge qubit in lateral quantum dots.</a> Appl. Phys. Lett. 90 (2), 024105 (2007).</li></ol>

Os autores não têm nada a revelar.

O processo apresentado acima descreve o protocolo de fabricação de um ponto quântico duplo capaz de atingir o regime de poucos electrões. No entanto, os parâmetros indicados podem variar em função do modelo de calibração e do equipamento utilizado. Portanto, os parâmetros tais como as doses para as exposições, durante os passos de e-beam fotolitografia e terá de ser calibrado antes do fabrico dos dispositivos. O processo pode ser facilmente adaptado para o fabrico de porta definida quantum dots em outros ti...

Ciência da informação quântica tem atraído muita atenção desde que foi mostrado que os algoritmos quânticos pode ser usado para resolver certos problemas exponencialmente mais rápido do que com os melhores algoritmos clássicos conhecidos 1. Um candidato óbvio para um bit quântico (qubit) é o spin de um único elétron confinado em um ponto quântico, uma vez que é um sistema de dois níveis. Várias arquiteturas foram sugeridos para a implementação de pontos quânticos, incluindo nanofios semicondutores 2, nanotubos de carbono 3, pontos quânticos auto-organizadas 4 e 5 de semicondutores verticais e pontos quânticos laterais 6. Pontos quânticos laterais portão definidos em GaAs / AlGaAs heteroestruturas foram muito bem sucedidos por causa de sua versatilidade e seu processo de fabricação é o foco deste artigo. Em quantum dots laterais, o confinamento dos electrões na direcção perpendicular à superfície da amostra (direcção z) is atingido pela escolha do substrato adequado. A modulação heteroestrutura dopado GaAs / AlGaAs apresenta um gás de electrões bidimensional (2DEG) confinada à interface entre as AlGaAs e as camadas de GaAs. Estas amostras são cultivadas por epitaxia de feixe molecular, para obter uma densidade baixa impureza, que, combinada com a técnica de modulação de-dopagem, conduz a uma elevada mobilidade de electrões na 2DEG. Um esquema das diferentes camadas da heteroestrutura bem como a sua estrutura de banda são mostrados na Figura 1. A mobilidade dos electrões é maior na 2DEG necessário para assegurar a coerência dos estados electrónicos sobre toda a superfície do quantum dot. O substrato utilizado para o processo de fabricação descrito abaixo foi comprada do Conselho Nacional de Pesquisa do Canadá e apresenta uma densidade de elétrons de 2,2 x 10 11 cm -2 e uma mobilidade de elétrons de 1,69 x 10 6 centímetros 2 / VSEC. O confinamento de elétrons em direções parallel à superfície da amostra é obtida por colocação de eléctrodos metálicos sobre a superfície do substrato. Quando estes eléctrodos são depositados sobre a superfície da amostra de GaAs, as barreiras são formadas Schottky 7. Tensões negativas aplicadas a esses eletrodos originar entraves locais na 2DEG abaixo do qual apenas os elétrons com energia suficiente podem cruzar. A exaustão da 2DEG ocorre quando a tensão aplicada é negativa o suficiente para que não há electrões têm energia suficiente para atravessar a barreira. Portanto, escolhendo cuidadosamente a geometria dos eléctrodos, é possível prender de um pequeno número de electrões entre as regiões empobrecido da amostra. Controlo de o número de electrões em ponto, bem como a energia de túnel entre o ponto e o 2DEG no resto da amostra pode ser obtido por ajuste fino das tensões nos eléctrodos. Um esquema dos eléctrodos de porta e o gás empobrecido de electrões é mostrado na Figura 2. O projeto para as estruturas que formam o portão ponto está naspired pelo projeto usado por Barthel et al. 8 Para controlar e ler informações sobre o número de elétrons no ponto, é útil para induzir e medir a corrente através do ponto. Leitura também pode ser feito por meio de um ponto de contacto do quantum (QPC), que também requer uma corrente através da 2DEG. O contacto entre as fontes e 2DEG tensão é assegurada através de contactos óhmicos. Trata-se de pastilhas metálicas que são difundidos a partir da superfície da amostra de todo o caminho até o 2DEG usando um recozimento térmico rápido processo padrão 7 (ver Figuras 3a e 4b). Para evitar um curto-circuito entre a fonte eo dreno, a superfície da amostra é gravado para que o 2DEG está esgotada em algumas regiões ea corrente é forçado a viajar através de alguns canais específicos (ver Figuras 3b e 4a). A região onde o 2DEG ainda permanece é referido como a &quot;mesa&quot;. Os seguintes detalhes do protocolo de todo o processo de fabricação de uma porta-definido ponto quântico lateral sobre um substrato de GaAs / AlGaAs. O processo é escalável, uma vez que continua a ser o mesmo, independentemente se o dispositivo está sendo fabricado é um único, duplo ou triplo quantum dot ou mesmo uma matriz de pontos quânticos. Manipulação, medição e resultados para os pontos quânticos duplos fabricados utilizando este método são discutidos em mais seções.

<table border="1">
		<tbody>
 <tr>
 <td>Name of the reagent/material</td>
 <td>Company</td>
 <td>Product number</td>
 <td>CAS number</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Acetone - CH3COCH3</td>
 <td>Anachemia</td>
 <td>AC-0150</td>
 <td>67-64-1</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Isopropyl Alcohol (IPA) - (CH3)2CHOH</td>
 <td>Anachemia</td>
 <td>AC-7830</td>
 <td>67-63-0</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>1165 Remover</td>
 <td>MicroChem Corp</td>
 <td>G050200</td>
 <td>872-50-4</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Microposit MF-319 Developer</td>
 <td>Shipley</td>
 <td>38460</td>
 <td>75-59-2</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Sulfuric Acid - H2SO4</td>
 <td>Anachemia</td>
 <td>AC-8750</td>
 <td>766-93-9</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Hydrogen Peroxide (30%) - H2O2</td>
 <td>Fisher Scientific</td>
 <td></td>
 <td>7722-84-1</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>LOR 5A Lift-off resist</td>
 <td>MicroChem Corp</td>
 <td>G516608</td>
 <td>120-92-3</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Microposit S1813 Photo Resist</td>
 <td>Shipley</td>
 <td>41280</td>
 <td>108-65-6</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Microposit S1818 Photo Resist</td>
 <td>Shipley</td>
 <td>41340</td>
 <td>108-65-6</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>PMMA LMW 4% in anisole</td>
 <td>MicroChem Corp</td>
 <td></td>
 <td>100-66-3, 9011-14-7</td>
 </tr>
 <tr>
 <td>PMMA HMW 2% in anisole</td>
 <td>MicroChem Corp</td>
 <td></td>
 <td>100-66-3, 9011-14-7</td>
 </tr>
 <tr>
 <td >GaAs/AlGaAs wafer</td>
 <td>National Research Council Canada</td>
 <td>See detailed layer structure in Figure 1.</td>
 <td></td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Ni (99.0%)</td>
 <td>Anachemia</td>
 <td></td>
 <td></td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Ge (99.999%)</td>
 <td>CERAC inc. </td>
 <td></td>
 <td></td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Au (99.999%)</td>
 <td>Kamis inc. </td>
 <td></td>
 <td></td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Ti (99.995%)</td>
 <td>Kurt J Lesker</td>
 <td></td>
 <td></td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Al</td>
 <td>Kamis inc.</td>
 <td></td>
 <td></td>
 </tr>
 <tr>
 <td>Silver Epoxy</td>
 <td>Epoxy Technology</td>
 <td>H20E</td>
 <td></td>
 </tr>
	 </tbody>
 </table>

nanofabrication of gate-defined gaas/algaas lateral quantum dots

Um computador quântico é um computador composto de bits quânticos (qubits), que tira proveito dos efeitos quânticos, como a superposição de estados eo emaranhamento, para resolver certos problemas exponencialmente mais rápido do que com os melhores algoritmos conhecidos em um computador clássico. Porta-definida pontos quânticos laterais na GaAs / AlGaAs são um dos muitos caminhos explorados para a implementação de um qubit. Quando adequadamente fabricado, um tal dispositivo é capaz de reter um pequeno número de electrões de uma certa região do espaço. Os estados de spin de electrões estes podem então ser usados ​​para implementar a lógica 0 e 1 do bit quântico. Dada a escala nanométrica desses pontos quânticos, as instalações de sala limpa oferecendo equipamentos, tais especializada como microscópios eletrônicos de varredura e e-beam-evaporadores são necessários para sua fabricação. Grande cuidado deve ser tomado durante todo o processo de fabricação para manter a limpeza da superfície da amostra e, para evitar danificar as portas frágeis da estrutura. Este papelapresenta o protocolo de fabricação detalhada de porta definidos quantum dots laterais da bolacha a um dispositivo de trabalho. Métodos de caracterização e resultados representativos são também brevemente discutida. Embora este trabalho concentra-se em pontos duplos quântica, o processo de fabricação é o mesmo para pontos simples ou triplo ou mesmo matrizes de pontos quânticos. Além disso, o protocolo pode ser adaptado para o fabrico de quantum dots laterais em outros substratos, tais como átomos de Si / SiGe.

Um dos passos importantes no processo descrito acima é o condicionamento da mesa (passo 1). É importante para gravar o suficiente para remover a seguir 2DEG evitando overetching. Portanto, recomenda-se a utilização de uma amostra de GaAs manequim grandes quantidades para testar a solução de gravação antes de realizar a corrosão das amostras de GaAs / AlGaAs. A taxa de corrosão dos GaAs / AlGaAs heteroestruturas é maior do que a de GaAs, mas a corrosão do manequim podem dar uma indicação sobre se a soluçã...

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Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots

Este trabalho apresenta um protocolo detalhado para fabricação de porta-definidos pontos quânticos semicondutores laterais em heteroestruturas arseneto de gálio. Estes dispositivos em nanoescala são usadas para prender alguns elétrons para uso como bits quânticos em processamento de informação quântica ou para outros experimentos mesoscópicas como medições de condutância coerentes.

Nanofabricação de GaAs / AlGaAs Quantum Dots laterais de porta definidos

A quantum computer is a computer composed of quantum bits (qubits) that takes advantage of quantum effects, such as superposition of states and ...

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Research

JoVE Journal

Engineering

16.0K visualizações.  Université de Sherbrooke. Este trabalho apresenta um protocolo detalhado para fabricação de porta-definidos pontos quânticos semicondutores laterais em heteroestruturas arseneto de gálio. Estes dispositivos em nanoescala são usadas para prender alguns elétrons para uso como bits quânticos em processamento de informação quântica ou para outros experimentos mesoscópicas como medições de condutância coerentes.

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Compact Quantum Dots for Single-molecule Imaging

Single-molecule imaging is an important tool for understanding the mechanisms of biomolecular function and for visualizing the spatial and temporal heterogeneity of molecular behaviors that underlie cellular biology 1-4. To image an individual molecule of interest, it is typically conjugated to a fluorescent tag (dye, protein, bead, or quantum dot) and observed with epifluorescence or total internal reflection fluorescence (TIRF) microscopy. While dyes and fluorescent proteins have been the mainstay of fluorescence imaging for decades, their fluorescence is unstable under high photon fluxes necessary to observe individual molecules, yielding only a few seconds of observation before complete loss of signal. Latex beads and dye-labeled beads provide improved signal stability but at the expense of drastically larger hydrodynamic size, which can deleteriously alter the diffusion and behavior of the molecule under study.
Quantum dots (QDs) offer a balance between these two problematic regimes. These nanoparticles are composed of semiconductor materials and can be engineered with a hydrodynamically compact size with exceptional resistance to photodegradation 5. Thus in recent years QDs have been instrumental in enabling long-term observation of complex macromolecular behavior on the single molecule level. However these particles have still been found to exhibit impaired diffusion in crowded molecular environments such as the cellular cytoplasm and the neuronal synaptic cleft, where their sizes are still too large 4,6,7.
Recently we have engineered the cores and surface coatings of QDs for minimized hydrodynamic size, while balancing offsets to colloidal stability, photostability, brightness, and nonspecific binding that have hindered the utility of compact QDs in the past 8,9. The goal of this article is to demonstrate the synthesis, modification, and characterization of these optimized nanocrystals, composed of an alloyed HgxCd1-xSe core coated with an insulating CdyZn1-yS shell, further coated with a multidentate polymer ligand modified with short polyethylene glycol (PEG) chains (Figure 1). Compared with conventional CdSe nanocrystals, HgxCd1-xSe alloys offer greater quantum yields of fluorescence, fluorescence at red and near-infrared wavelengths for enhanced signal-to-noise in cells, and excitation at non-cytotoxic visible wavelengths. Multidentate polymer coatings bind to the nanocrystal surface in a closed and flat conformation to minimize hydrodynamic size, and PEG neutralizes the surface charge to minimize nonspecific binding to cells and biomolecules. The end result is a brightly fluorescent nanocrystal with emission between 550-800 nm and a total hydrodynamic size near 12 nm. This is in the same size range as many soluble globular proteins in cells, and substantially smaller than conventional PEGylated QDs (25-35 nm).

We describe the preparation of colloidal quantum dots with minimized hydrodynamic size for single-molecule fluorescence imaging. Compared to conventional quantum dots, these nanoparticles are similar in size to globular proteins and are optimized for single-molecule brightness, stability against photodegradation, and resistance to nonspecific binding to proteins and cells.

Compactas pontos quânticos para uma única molécula de imagem

Single-molecule imaging is an important tool for  understanding the mechanisms of biomolecular function and for visualizing the  spatial and temporal ...

Engenharia

Gradient Echo Quantum Memory in Warm Atomic Vapor

Gradient echo memory (GEM) is a protocol for storing optical quantum states of light in atomic ensembles. The primary motivation for such a technology is that quantum key distribution (QKD), which uses Heisenberg uncertainty to guarantee security of cryptographic keys, is limited in transmission distance. The development of a quantum repeater is a possible path to extend QKD range, but a repeater will need a quantum memory. In our experiments we use a gas of rubidium 87 vapor that is contained in a warm gas cell. This makes the scheme particularly simple. It is also a highly versatile scheme that enables in-memory refinement of the stored state, such as frequency shifting and bandwidth manipulation. The basis of the GEM protocol is to absorb the light into an ensemble of atoms that has been prepared in a magnetic field gradient. The reversal of this gradient leads to rephasing of the atomic polarization and thus recall of the stored optical state. We will outline how we prepare the atoms and this gradient and also describe some of the pitfalls that need to be avoided, in particular four-wave mixing, which can give rise to optical gain.

The gradient echo memory is a protocol for storing optical quantum states of light in atomic ensembles. Quantum memory is a key element of a quantum repeater, which can extend the range of quantum key distribution. We outline the operation of the scheme when implemented in a 3-level atomic ensemble.

Gradiente eco Quantum Memória em Warm Atomic Vapor

Gradient  echo memory (GEM) is a protocol for storing optical quantum states of light in  atomic ensembles. The primary motivation for such a technology ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit a strong degradation after annealing due to the occurrence of void formation at the contact/SiO2 interface. This void formation can cause cracking and delamination of the metal film, which can increase the resistance or lead to a complete failure of the NW device. In order to address issues associated with void formation, a technique was developed that removes Ni/Au contact metal films from the substrates to allow for the examination and characterization of the contact/substrate and contact/NW interfaces of single GaN NW devices. This procedure determines the degree of adhesion of the contact films to the substrate and NWs and allows for the characterization of the morphology and composition of the contact interface with the substrate and nanowires. This technique is also useful for assessing the amount of residual contamination that remains from the NW suspension and from photolithographic processes on the NW-SiO2 surface prior to metal deposition. The detailed steps of this procedure are presented for the removal of annealed Ni/Au contacts to Mg-doped GaN NWs on a SiO2 substrate.

A technique was developed that removes Ni/Au contact metal films from their substrate to allow for the examination and characterization of the contact/substrate and contact/NW interfaces of single GaN nanowire devices.

Análise de Contato Interfaces para únicos dispositivos de nanofios de GaN

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Construction and Characterization of External Cavity Diode Lasers for Atomic Physics

Since their development in the late 1980s, cheap, reliable external cavity diode lasers (ECDLs) have replaced complex and expensive traditional dye and Titanium Sapphire lasers as the workhorse laser of atomic physics labs1,2. Their versatility and prolific use throughout atomic physics in applications such as absorption spectroscopy and laser cooling1,2 makes it imperative for incoming students to gain a firm practical understanding of these lasers. This publication builds upon the seminal work by Wieman3, updating components, and providing a video tutorial. The setup, frequency locking and performance characterization of an ECDL will be described. Discussion of component selection and proper mounting of both diodes and gratings, the factors affecting mode selection within the cavity, proper alignment for optimal external feedback, optics setup for coarse and fine frequency sensitive measurements, a brief overview of laser locking techniques, and laser linewidth measurements are included.

This is an instructional paper to guide the construction and diagnostics of external cavity diode lasers (ECDLs), including component selection and optical alignment, as well as the basics of frequency reference spectroscopy and laser linewidth measurements for applications in the field of atomic physics.

Construção e Caracterização de externas Cavity lasers de diodo para Física Atômica

Since their development in the late 1980s, cheap, reliable external cavity diode lasers (ECDLs) have replaced complex and expensive traditional dye and ...

Quantum State Engineering of Light with Continuous-wave Optical Parametric Oscillators

Engineering non-classical states of the electromagnetic field is a central quest for quantum optics1,2. Beyond their fundamental significance, such states are indeed the resources for implementing various protocols, ranging from enhanced metrology to quantum communication and computing. A variety of devices can be used to generate non-classical states, such as single emitters, light-matter interfaces or non-linear systems3. We focus here on the use of a continuous-wave optical parametric oscillator3,4. This system is based on a non-linear &#967;2 crystal inserted inside an optical cavity and it is now well-known as a very efficient source of non-classical light, such as single-mode or two-mode squeezed vacuum depending on the crystal phase matching. 
Squeezed vacuum is a Gaussian state as its quadrature distributions follow a Gaussian statistics. However, it has been shown that number of protocols require non-Gaussian states5. Generating directly such states is a difficult task and would require strong &#967;3 non-linearities. Another procedure, probabilistic but heralded, consists in using a measurement-induced non-linearity via a conditional preparation technique operated on Gaussian states. Here, we detail this generation protocol for two non-Gaussian states, the single-photon state and a superposition of coherent states, using two differently phase-matched parametric oscillators as primary resources. This technique enables achievement of a high fidelity with the targeted state and generation of the state in a well-controlled spatiotemporal mode.

We describe the reliable generation of non-Gaussian states of traveling optical fields, including single-photon states and coherent state superpositions, using a conditional preparation method operated on the non-classical light emitted by optical parametric oscillators. Type-I and type-II phase-matched oscillators are considered and common procedures, such as the required frequency filtering or the high-efficiency quantum state characterization by homodyning, are detailed.

Quantum Estadual de Engenharia de Luz com onda contínua Optical Parametric osciladores

Engineering non-classical states of the electromagnetic field is a central quest for quantum optics1,2. Beyond their fundamental significance, such states ...

Selective Area Modification of Silicon Surface Wettability by Pulsed UV Laser Irradiation in Liquid Environment

The wettability of silicon (Si) is one of the important parameters in the technology of surface functionalization of this material and fabrication of biosensing devices. We report on a protocol of using KrF and ArF lasers irradiating Si (001) samples immersed in a liquid environment with low number of pulses and operating at moderately low pulse fluences to induce Si wettability modification. Wafers immersed for up to 4 hr in a 0.01% H2O2/H2O solution did not show measurable change in their initial contact angle (CA) ~75&#176;. However, the 500-pulse KrF and ArF lasers irradiation of such wafers in a microchamber filled with 0.01% H2O2/H2O solution at 250 and 65 mJ/cm2, respectively, has decreased the CA to near 15&#176;, indicating the formation of a superhydrophilic surface. The formation of OH-terminated Si (001), with no measurable change of the wafer&#8217;s surface morphology, has been confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy measurements. The selective area irradiated samples were then immersed in a biotin-conjugated fluorescein-stained nanospheres solution for 2 hr, resulting in a successful immobilization of the nanospheres in the non-irradiated area. This illustrates the potential of&#160;the method for selective area biofunctionalization and fabrication of advanced Si-based biosensing architectures. We also describe a similar protocol of irradiation of wafers immersed in methanol (CH3OH) using ArF laser operating at pulse fluence of 65 mJ/cm2 and in situ formation of a strongly hydrophobic surface of Si (001) with the CA of 103&#176;. The XPS results indicate ArF laser induced formation of Si&#8211;(OCH3)x compounds responsible for the observed hydrophobicity. However, no such compounds were found by XPS on the Si surface irradiated by KrF laser in methanol, demonstrating the inability of the KrF laser to photodissociate methanol and create -OCH3 radicals.

We report on a process of in situ alteration of HF treated Si (001) surface into a hydrophilic or hydrophobic state by irradiating samples in microfluidic chambers filled with&#160;H2O2/H2O solution (0.01%-0.5%) or methanol solutions using pulsed UV laser of a relative low pulse fluence.

Seletiva Área Modificação de Superfície Wettability Silicon por Pulsed Laser irradiação UV em meio líquido

The wettability of silicon (Si) is one of the important parameters in the technology of surface functionalization of this material and fabrication of ...

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by quantum mechanical effects such as tunneling through single dopants, scattering via interface defects, and discrete trap charge states. However, progress in silicon technology has shown that these phenomena can be harnessed and exploited for a new class of quantum-based electronics. Among others, multi-layer-gated silicon metal-oxide-semiconductor (MOS) technology can be used to control single charge or spin confined in electrostatically-defined quantum dots (QD). These QD-based devices are an excellent platform for quantum computing applications and, recently, it has been demonstrated that they can also be used as single-electron pumps, which are accurate sources of quantized current for metrological purposes. Here, we discuss in detail the fabrication protocol for silicon MOS QDs which is relevant to both quantum computing and quantum metrology applications. Moreover, we describe characterization methods to test the integrity of the devices after fabrication. Finally, we give a brief description of the measurement set-up used for charge pumping experiments and show representative results of electric current quantization.

The fabrication process and experimental characterization techniques relevant to single-electron pumps based on silicon metal-oxide-semiconductor quantum dots are discussed.

Silicon Metal-Óxido-semiconductor Quantum Dots para bombear-elétron único

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by ...

Measurement of Quantum Interference in a Silicon Ring Resonator Photon Source

Silicon photonic chips have the potential to realize complex integrated quantum information processing circuits, including photon sources, qubit manipulation, and integrated single-photon detectors. Here, we present the key aspects of preparing and testing a silicon photonic quantum chip with an integrated photon source and two-photon interferometer. The most important aspect of an integrated quantum circuit is minimizing loss so that all of the generated photons are detected with the highest possible fidelity. Here, we describe how to perform low-loss edge coupling by using an ultra-high numerical aperture fiber to closely match the mode of the silicon waveguides. By using an optimized fusion splicing recipe, the UHNA fiber is seamlessly interfaced with a standard single-mode fiber. This low-loss coupling allows the measurement of high-fidelity photon production in an integrated silicon ring resonator and the subsequent two-photon interference of the produced photons in a closely integrated Mach-Zehnder interferometer. This paper describes the essential procedures for the preparation and characterization of high-performance and scalable silicon quantum photonic circuits.

Silicon photonic chips have the potential to realize complex integrated quantum systems. Presented here is a method for preparing and testing a silicon photonic chip for quantum measurements.

Medição de Interferência Quântica em uma fonte de silício anel ressonador Photon

Silicon photonic chips have the potential to realize complex integrated quantum information processing circuits, including photon sources, qubit ...

Experimental Methods for Trapping Ions Using Microfabricated Surface Ion Traps

Ions trapped in a quadrupole Paul trap have been considered one of the strong physical candidates to implement quantum information processing. This is due to their long coherence time and their capability to manipulate and detect individual quantum bits (qubits). In more recent years, microfabricated surface ion traps have received more attention for large-scale integrated qubit platforms. This paper presents a microfabrication methodology for ion traps using micro-electro-mechanical system (MEMS) technology, including the fabrication method for a 14 &#181;m-thick dielectric layer and metal overhang structures atop the dielectric layer. In addition, an experimental procedure for trapping ytterbium (Yb) ions of isotope 174 (174Yb+) using 369.5 nm, 399 nm, and 935 nm diode lasers is described. These methodologies and procedures involve many scientific and engineering disciplines, and this paper first presents the detailed experimental procedures. The methods discussed in this paper can easily be extended to the trapping of Yb ions of isotope 171 (171Yb+) and to the manipulation of qubits.

This paper presents a microfabrication methodology for surface ion traps, as well as a detailed experimental procedure for trapping ytterbium ions in a room-temperature environment.

Os métodos experimentais de armadilhagem sem crueldade íons usando Microfabricated íon armadilhas de superfície

Ions trapped in a quadrupole Paul trap have been considered one of the strong physical candidates to implement quantum information processing. This is due ...

Resonance Fluorescence of an InGaAs Quantum Dot in a Planar Cavity Using Orthogonal Excitation and Detection

The ability to perform simultaneous resonant excitation and fluorescence detection is important for quantum optical measurements of quantum dots (QDs). Resonant excitation without fluorescence detection &#8211; for example, a differential transmission measurement &#8211; can determine some properties of the emitting system, but does not allow applications or measurements based on the emitted photons. For example, the measurement of photon correlations, observation of the Mollow triplet, and realization of single photon sources all require collection of the fluorescence. Incoherent excitation with fluorescence detection &#8211; for example, above band-gap excitation &#8211; can be used to create single photon sources, but the disturbance of the environment due to the excitation reduces the indistinguishability of the photons. Single photon sources based on QDs will have to be resonantly excited to have high photon indistinguishability, and simultaneous collection of the photons will be necessary to make use of them. We demonstrate a method to resonantly excite a single QD embedded in a planar cavity by coupling the excitation beam into this cavity from the cleaved face of the sample while collecting the fluorescence along the sample&#39;s surface normal direction. By carefully matching the excitation beam to the waveguide mode of the cavity, the excitation light can couple into the cavity and interact with the QD. The scattered photons can couple to the Fabry-Perot mode of the cavity and escape in the surface normal direction. This method allows complete freedom in the detection polarization, but the excitation polarization is restricted by the propagation direction of the excitation beam. The fluorescence from the wetting layer provides a guide to align the collection path with respect to the excitation beam. The orthogonality of the excitation and detection modes enables resonant excitation of a single QD with negligible laser scattering background.

Resonant excitation of a single self-assembled quantum dot can be achieved using an excitation mode orthogonal to the fluorescence collection mode. We demonstrate a method using the waveguide and Fabry-Perot modes of a planar microcavity surrounding the quantum dots. The method allows complete freedom in the detection polarization.

Fluorescência de ressonância de um ponto de InGaAs quântica em uma cavidade Planar usando deteção e excitação ortogonal

The ability to perform simultaneous resonant excitation and fluorescence detection is important for quantum optical measurements of quantum dots (QDs). ...