Name: comprehensive characterization of extended defects in semiconductor materials by a scanning electron microscope
Uploaded: 2016-05-28T14:00:00.000+00:00
Duration: 11 min 14 s
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Support of this work by the German Research Foundation (DFG) within the framework of the Research Training Group 1621 is gratefully acknowledged by Paul Chekhonin. All authors are grateful to Dietmar Temmler (Fraunhofer FEP Dresden) for providing the electron beam processed Si samples showing liquid phase re-crystallisation. Special thanks go to Stefan Saager and Jakob Holfeld for the preparation of the figures for the SEM equipment and the EBSD set-up. We thank Michael Stavola for detailed discussions and help with this work.

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The authors have nothing to disclose.

Die SEM bietet die Möglichkeit ausgedehnte Defekte in dem Halbleitermaterial zu lokalisieren sowie ihrer strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften, die durch die Anwendung von ccEBSD, CL und EBIC Untersuchungen zu charakterisieren. Im Allgemeinen ist es nicht möglich, alle drei Verfahren gleichzeitig mit der gleichen Probe durchzuführen. Jedoch kann eine Kombination der Ergebnisse von den verschiedenen ergänzenden Untersuchungsverfahren erhalten, wenn sie in einer angemessenen Reihenfolge durchgeführt wird, führt zu einem tieferen Verständnis der physikalischen Natur der durch ausgedehnte Defekte verursachte Effekte. Für die CL-Messungen Informationen über die optischen Eigenschaften von ausgedehnten Defekten zu geben, ein kritischer Schritt in dem Protokoll ist das Probenpositionierungsprozedur (Schritt 1.6) durch unerwünschte Tempern von Defekten in der Probe während der Erwärmung der Indiumfolie (die eine gute gewährleistet, thermische und elektrische Kontakt der Probe mit dem Probenhalter). Eine Alternative zu dem Verfahren vorgeschlagen,ist die Probe auf den Probenhalter durch leitfähige Silberpaste bei RT zu montieren. Jedoch aus Erfahrung bekannt ist, dass das organische Lösungsmittel in der Paste kann Kohlenstoffverunreinigung auf der Probenoberfläche während des Abtastens in der SEM verursachen. Die Verschmutzung verschlechtert die Qualität der CL Bilder sowie die EBSD Beugungsmuster. Zusätzlich erfordert der Schritt 4.21 besondere Aufmerksamkeit, wobei ein abrupter Anstieg der Lumineszenzintensität von Silizium während der Abkühlung der Probe auftreten kann. Dies kann die Leistung des Photomultipliers schaden. Im Gegenteil, für den Fall von unerwarteten niedrige Lumineszenzintensität für die eigentliche Probe, sollte man versuchen, die Einstellung der Lichtsammelspiegel (Protokoll Nr 4.23), weil die vorläufige Spiegelausrichtung auf einer Testprobe bei RT wurde durchgeführt zur Verbesserung der in eine etwas andere Wellenlängenbereich. Bezüglich instrumental Einschränkungen des Verfahrens muss man berücksichtigen, dass bei sehr niedrigen temperatÜRES die Bühne mit der Probe nur um ± 5 mm in der x- und y-Richtungen, die in den Bereich der untersuchten Proben beschränkt bewegt werden kann. Diese Einschränkung ist durch die Gefahr des Sprödbruchs des He Übertragungsrohrs. Die Probenabmessungen für Kryo-Experimente gegeben in 1.1 und 1.2 werden auch durch Versuchsbedingungen beschränkt. So dass die Oberfläche der Proben sollte der Größe des Probenhalters eingestellt werden, um einen optimalen thermischen Kontakt auf der Wärmesenke zu sichern. Die geringe empfohlene Dicke der Siliziumproben begrenzt den Temperaturgradienten in der Probe für die Kryo-Experimenten. Für eine Probendicke von 200 um, wurde die Temperatur in der Mitte des Wechselwirkungsvolumen für die Primärelektronen in der Oberflächenregion gefunden um weniger als 5 K im Vergleich zu der Temperatur an der Oberfläche des Probenhalters gemessen erhöht werden. Die hohe Scangeschwindigkeit und die nur für die Cool-down-Verfahren in den Schritten 4.5 und 4.17 vorgeschlagen geringer Vergrößerung, sicherzustellen, dass the Region von Interesse ist sauber gehalten. Dies ist wegen der Wärmeübertragung durch den abtastenden Elektronenstrahls, die oberhalb der Temperatur der Rest der Probenbereiche immer leicht eine Temperatur hält, die für Restgas in der Kammer SEM als Kondensationsfalle wirken. Im Allgemeinen werden alle in Schritt aufgeführten Parameter 4.24 für CL-Spektroskopie zur Messung der so genannten D-Linie Lumineszenz in Bulk-Silizium durch die experimentelle entsprechend der Ausstattungsliste eingerichtet optimiert. Die Parameter angepasst werden, wenn die Untersuchungen der Lumineszenz sind auf andere Halbleitermaterialien durchgeführt werden. Unabhängig von dem Energiebereich der Lumineszenz beobachtet wird, eine weitere Begrenzung der CL-Messungen ergibt sich aus der Lichtsammelspiegel, weil Licht von Strahlungsrekombination Prozesse in der gesamten Rekombination Volumen durch den Spiegel kommt und somit gesammelt wird, bestimmt den Grauwert des entsprechenden CL Bildpixel, das ist assigned auf die Position des Elektronenstrahls auf der Probenoberfläche. Da der Durchmesser der Rekombinationsreaktion Volumen (der mit dem Anregungsvolumen vergleichbar ist) größer ist als die Pixelgröße auch bei geringer Vergrößerung bewirkt dieser Effekt eine räumliche Verschmieren des Lumineszenzsignals und daher begrenzt die räumliche Auflösung. Dennoch ermöglicht die CL Untersuchung eine Abbildung der lokalen Verteilung von Mono- oder panchromatic Lumineszenz mit mittlerer spektraler Auflösung und könnte mit Photolumineszenz Untersuchungen kombiniert werden, um eine höhere spektrale Auflösung zu geben. Vor kurzem als eine alternative experimentelle Methode Messungen Cl, eine mikroskopische und spektroskopische Abbildungs ​​von Versetzungs bezogen Photolumineszenz wurde durch die Gruppe von Tajima et al 26 vorgeschlagen. Die räumliche Auflösung der Photolumineszenz-Mapping ist deutlich niedriger als in den CL-Bilder, aber die Photolumineszenz Untersuchungen ermöglicht zusätzlich die Polarisation des tiefen Ebene Emissionsband correumgerechnet zu Versetzungen werden in LAGBs mit Twist und Neigungs Strukturen 27,28 bestimmt. Im Falle von EBIC Untersuchungen, die einen Einblick in die elektrischen Eigenschaften von ausgedehnten Defekten ergeben, gibt es keine alternative Methoden für die Abbildung der lokal variierenden Ladungssammeleffizienz in Halbleitermaterialien mit einem vergleichsweise räumlicher Auflösung. Jedoch auch für EBIC Messungen kritischen Schritte in dem Protokoll enthalten. So in Schritt 5.13 die Variation des EBIC Bild mit abnehmender Temperatur wird erwartet, dass von den temperaturabhängigen Eigenschaften der ausgedehnten Defekten entstehen. Jedoch kann die Qualität der Kontakte bei Temperaturen unter RT ändern und somit die EBIC Bild beeinflussen. Temperatur beeinflußt den Schottky-Kontakt, die mit einer geeigneten Schicht aus Al im Fall von p-Typ und mit Au in dem Fall von n-Typ-Silizium, aufgrund der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten trennen die Kontaktschicht von der silicon Substrat. Weiterhin bei Temperaturen unter 160 K. Normalerweise der ohmsche Kontakt durch eine Gallium-Indium-Eutektikum aus nicht stabil ist, führt die Verringerung der Kontaktqualität zu einer verminderten stark EBIC Signal für große Flächen. In diesem Fall müssen die Kontakte erneuert werden. Für EBIC Untersuchungen bei RT ist es auch denkbar, dass die Kontakte für die EBSD-Messungen können durch Bindung der Probe auf einem geeigneten Trägerplatte hergestellt werden. Eine andere Beschränkung der Instrumental EBIC Messungen wird durch den vorspringenden der Kontaktspitze Halter über der Probenoberfläche verursacht. Um zu verhindern, sollte eine Kollision zwischen dem Kontaktspitzenhalter und dem Polstück des SEM der WD mindestens 15 mm betragen. In dem experimentellen Verfahren für ccEBSD Untersuchungen, die verwendet werden können, die weitreichende Dehnungsfeld von ausgedehnten Defekten abzuschätzen, sind folgende Schritte kritisch. Der schwierigste Teil des Experiments ist die Probenvorbereitung, insbesondere die letzte Polierverfahren (protocol No. 3.1), die sorgfältig durchgeführt werden muss, um die Erzeugung zusätzlicher Oberflächenfehler zu vermeiden. Wenn kein Kikuchi Muster erhalten werden können, oft die Qualität der Probenoberfläche ist nicht ausreichend. Jedoch von Silicium-Einkristallen mit Schleifleitungen auf der Oberfläche nach der plastischen Verformung, eine gute Beugungsmuster, das für die ccEBSD Bewertungsverfahren gut geeignet war, erhalten werden konnte. Die Oberflächenrauhigkeit dieser Proben wurde durch Atomkraftmikroskopie was eine Höhenvariation im Bereich von bis zu 500 nm analysiert. Daher extrem hohe innere Spannungen oder amorphe Oberflächenschichten scheinen für unscharfe Beugungsmuster verantwortlich sein, anstatt der unvollkommenen Ebenheit der Probenoberfläche. Ein weiteres Problem könnte ein Low-Signal von den kohärent gestreuten Elektronen im Vergleich zum Hintergrund sein. Dann eine Erhöhung der Sondenstrom bei konstanter Beschleunigungsspannung und / oder eine genauere Bestimmung des Hintergrundsignals (protocol Schritt No. 6.12) are hilfreich. Zur Minimierung der Probenbewegung während einer lang anhaltenden ccEBSD Messung wird empfohlen, die Probe mechanisch (Protokoll Nr 3.2) zu beheben. Instrumental Einschränkungen für die ccEBSD Untersuchungen können entstehen, wenn die Neigung der Probenoberfläche relativ zum einfallenden Elektronenstrahl wird durch die Neigung der Bühne realisiert. Es gibt dann starke Einschränkungen für die Bewegung der Probe aufgrund einer Kollisionsgefahr mit dem Polstück und den Kammerwänden. Darüber hinaus wird dringend empfohlen, nur Linien-Scans zu verwenden, die zur Neigeachse parallel sind (und somit horizontal auf dem SEM-Bildschirm angezeigt werden), weil, erstens, vertikale Scans eine große Summe Fehler für die inneren Spannungen aufgrund des Fehlers der Probe haben Neigung. Zweitens, während EBSD ist die laterale Auflösung, die höher (um etwa den Faktor 3 für die 70 ° Neigung) entlang der Kippachse als senkrecht dazu. Die untere Grenze für den Wert der Verzerrungstensor Komponenten für Si berechnet aus ccEBSD Untersuchungen geht es um2 x 10 -4 , die den zufälligen Fehler ist. Zusätzlich muß betont werden, daß die ccEBSD Technik kann nicht in Gegenwart großer Gitter Rotationen angewandt werden (&gt; 4 °) mit Bezug auf den Referenzpunkt oder sehr nahe an den Korngrenzen, wo EBSD Muster aus verschiedenen Körnern überlappen. Die physikalische Beschränkung der ccEBSD Untersuchungen der räumlichen Auflösung des Dehnungsbestimmung betreffend ist auf dem Bereich der Elektronenbeugung, die gefunden wurde, etwa 50 nm entlang der Probe Kippachse zu sein. Im Vergleich zu Röntgenbeugungsexperimente zur Bestimmung von inneren Spannungen, ist dies ein deutlicher Vorteil aufgrund der wesentlich größeren Wechselwirkungsvolumen von Röntgenstrahlen, auch im Fall von Röntgen μ-Beugung. Für Halbleitermaterialien kann die Untersuchung von Störungen des isotropen Brechungsindex von einem Polsucher auch zur Bestimmung von Eigenspannungen angewendet werden, aber die räumliche Auflösung dieses Verfahrens ist, niedriger ist alseinige hundert nm 29. Ein alternatives Verfahren zur Bestimmung des räumlich aufgelösten dreidimensionalen Dehnungszustand in Kristallen auf der Spaltung von höherer Ordnung Laue Zonen (HOLZ) Linien basiert. Dieses Verfahren muss in einem Transmissionselektronenmikroskop (TEM) unter Verwendung eines Elektronen Biprisma zur Elektronen Interferometrie 30 ausgeführt werden. Jedoch im Gegensatz zu den Untersuchungen im ccEBSD SEM erfordert die TEM Untersuchung die Herstellung einer Folie aus der Probe, die die inneren Spannungen aufgrund Relaxationseffekte ändert. In zukünftigen Studien wird ccEBSD Messungen auch bei niedrigen Temperaturen durchgeführt werden. Dadurch wird die Untersuchung der strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften, nicht nur auf dem gleichen erweiterten Defekt zu ermöglichen, sondern auch bei der gleichen Temperatur.

Es ist seit Jahrzehnten bekannt , dass ausgedehnte Defekte einen Einfluss auf die elektronische Struktur von Halbleitermaterialien 1-3 ausüben. Der Effekt der ausgedehnten Defekten auf die Leistungsfähigkeit von elektronischen Geräten und anderen Anwendungen, wie beispielsweise Sensoren und Solarzellenmaterialien unter umfangreiche experimentelle und theoretische Untersuchungen. Dennoch gibt es keine allgemein akzeptierte Theorie zur Berechnung der elektronischen Zustände der Halbleiter in Gegenwart von ausgedehnten Defekten. Dies ist aufgrund der Komplexität der Berechnungen der elektronischen Struktur im Falle von Abweichungen von der idealen Kristallgitter und auch die große Vielfalt in Bezug auf die Art und Konfiguration von ausgedehnten Defekten, sowie die möglichen Kombinationen untereinander und mit 0-dim intrinsische und extrinsische Defekte. Die wichtigsten Arten von ausgedehnten Defekten sind Versetzungen (1-dimensionale Defekte) und Korngrenzen (2-dimensionale Defekte). Im Folgenden werden wir zusammenncentrate auf beide dieser Arten von ausgedehnten Defekten in Bezug auf die Experimente, die in dem Rasterelektronenmikroskop (SEM) durchgeführt werden kann. Die experimentellen Methoden vorgestellt hier geben Auskunft über strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften von ausgedehnten Defekten und damit indirekt Kenntnis der elektronischen Zustände in Halbleitermaterialien ausgedehnte Defekte enthält. Die Steuerung der Defekt im Zusammenhang mit elektronischen Zustände ist ein zentrales Thema für die Anwendung von Halbleitern und den Betrieb von Halbleiterbauelementen. Für die strukturelle Untersuchung von ausgedehnten Defekten kann das Rückstreuelektronenbeugung (EBSD) Technik angewendet werden. Üblicherweise wird eine EBSD Messung wird durch Punkt-Mapping mit einem stationären Elektronenstrahl an jedem Punkt durchgeführt. EBSD liefert dann Informationen über die kristallographische Orientierung des Kristallgitters der Probe im Fall von einkristallinem Material und der Körner in polykristallinen Materialien. for Dazu werden die experimentell bestimmte Beugungsmuster von den Kikuchi Bänder gebildet haben durch Vergleich mit simulierten Muster aus dem Kristall der Raumgruppe des Materials bestimmt analysiert werden. Wenn die Software für die Auswertung der Orientierungsdaten kann die Fehlorientierungswinkel zwischen den kristallographischen Koordinatensysteme benachbarter Abbildungspunkte zu berechnen, kann die Art der Korngrenze zwischen ihnen festgestellt werden. Wenn der Fehlorientierung Winkel kleiner als 15 °, eine niedrige Winkelkorngrenze (LAGB) vorhanden ist; ansonsten ist es eine hohe Winkelkorngrenze (HAGB). Die Art der HAGB zeichnet sich durch seine Σ Wert charakterisiert , wo Σ -1 der Anteil der Gitterpunkte ist auf einem Zufall Gitter liegen. Also, Σ = 3 steht für die hochsymmetrische Zwillingsgrenze 4. Wenn der EBSD Abbildung auf zwei Ebenen der Probenoberfläche kann mit einer genauen Kenntnis der Positionen der Zuordnungen gemessen werden, der Art der Korngrenzebene with Miller Indizes hkl kann auch durch ein von Randle 5 vorgeschlagenen Verfahren bewertet werden. Vor kurzem wurde ein neues Verfahren für die Beurteilung der Elektronenbeugungsmuster abgeleitet von Wilkinson et al. 6 , die die Berechnung aller Komponenten des gesamten lokalen Verzerrungstensor ermöglicht, dh., Absolute Werte der drei normale Belastung und die drei Scherverformungs Komponenten. Diese Berechnung wird für jeden Messpunkt in einer Abbildung aus dem entsprechenden Beugungsmusters in Bezug auf ein Referenzmuster auf einem ungespannten Kristallbereich mit derselben kristallographischen Orientierung genommen durchgeführt. Dieses Bewertungsverfahren basiert auf der Bestimmung von kleinen Verschiebungen der charakteristischen Merkmale des EBSD Muster basiert die Kreuzkorrelationstechnik verwendet, die den Namen ccEBSD verleiht. Im Vergleich zu einem gewählten Referenzpunkt, die Dehnungskomponenten und Gitter Drehungen mit Genauigkeiten von 10 -4 und 0,006 &amp; # gemessen werden176 ;, bzw. 7. Die Anwendung ccEBSD Messungen in Linie scannt über Korngrenzen oder entlang Anordnungen von Versetzungen, kann man lokal die Menge sowie den Bereich der Spannungsfelder dieser ausgedehnten Defekten bestimmen. Die optischen Eigenschaften von Versetzungen und Korngrenzen kann durch spektraler und bildlicher Kathodolumineszenz (CL) Techniken untersucht werden. Das Lumineszenzsignal wird durch die strahlende Rekombination von Elektronen-Loch-Paare verursacht, die in dem Halbleitermaterial durch den Primärelektronenstrahl des SEM erzeugt werden. Die Intensität der Lumineszenz ist proportional zur Strahlungsrekombination Wirkungsgrad, der das Verhältnis der Gesamtminoritätsladungsträger-Lebenszeit zur Strahlungsrekombination Zeit ist. Wenn dieses Verhältnis durch Defekte lokal beeinflusst wird, kann ein Kontrast in der Lumineszenzverteilung in den CL-Bilder beobachtet werden. Normalerweise wirken ausgedehnte Defekte als nicht strahlende Rekombinationszentren, und daher die luminescence von Band-Band-Rekombination in der Nähe der ausgedehnten Defekten im Vergleich zum ungestörten Halbleiter verringert. Jedoch im Falle von Si, Ge und einige Verbindungshalbleitermaterialien, bei Versetzungen sowie Korngrenzen werden charakteristische Lumineszenz-Banden beobachtet zeigt Photonenenergien geringer als die der (direkt oder nicht direkt) Band-zu-Band Rekombination im Schüttgut 8-10. Als Beispiel offenbart umfangreiche Untersuchungen von CL gebundenen Siliziumwafer und von multikristallinem Silizium durch Sekiguchi et al 11-13 , dass Dislokationen und LAGBs für das Auftreten von flachen und tiefen Niveaus in der Bandlücke verantwortlich sind. Die entsprechenden Strahlungsübergänge werden als D-Linien in der CL-Spektren bezeichnet. Dennoch ist die Rolle des Stammes Feldanordnungen von Versetzungen und der Dislokation Kontamination durch Sauerstoffabscheidung und Übergangsmetallverunreinigungen begleitet noch umstritten für die interpretatIon der D-Linie Lumineszenz. Aber, wenn eine Zuordnung der Energieposition der Lumineszenz Linie zu einer deutlichen erweiterten Defekt kann erfolgreich durchgeführt werden, dann ist das Auftreten dieses bestimmten Zeile in dem Lumineszenzspektrum kann als Signal für das Vorhandensein dieses Fehlers getroffen werden. Um die Lumineszenzintensität erhöhen, dh., Die strahlende Rekombination in Bezug auf die nicht-strahl einer weisen CL Untersuchungen bei niedrigen Temperaturen (cryo-CL) für Halbleitermaterialien mit indirektem Bandstrukturen durchgeführt werden. Die elektrischen Eigenschaften der ausgedehnten Defekten hier betrachteten werden durch Abbilden der elektronenstrahlinduzierten Strom (EBIC) in dem SEM charakterisiert. Dieser Strom kann beobachtet werden, wenn Elektronen-Loch-Paaren, die durch den Primärelektronenstrahl erzeugt von einem eingebauten elektrischen Feld getrennt sind. Dieses Feld kann durch das elektrische Potential der ausgedehnten Defekte erzeugt werden selbst oder von Schottky-Kontakte auf der Probenoberfläche. Die EBIC BildKontrast ergibt sich aus lokalen Variationen der Ladungssammeleffizienz aufgrund einer unterschiedlichen Rekombination Verhalten bei elektrisch aktiven Defekten. Die ausgedehnte Defekte zeigen in der Regel eine erhöhte Trägerrekombinationszeit, so dass sie dunkler in einem EBIC Bild erscheinen als fehlerfreie Regionen. Im Rahmen der physikalisch basierten Modelle von Defekten 14, eine quantitative Auswertung der räumlichen Abhängigkeit der EBIC Signals, das Kontrastprofil aufgerufen wird, ermöglicht die Bestimmung der Minoritätsladungsträger - Diffusionslänge und die Lebensdauer sowie die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit. Da diese Parameter abhängig sind von der Temperatur, EBIC Untersuchungen sollten auch bei niedriger Temperatur (cryo-EBIC) durchgeführt werden, um ein verbessertes Signal-Rausch-Verhältnis zu erhalten. Alternativ temperaturabhängige EBIC - Messungen ermöglichen die Bestimmung der Konzentration von tiefen Ebene Verunreinigungen an Versetzungen nach einem Modell , das von Kittler und Mitarbeitern 15,16 vorgeschlagen wurde. <p class = &quot;jove_content&quot;&gt; Es ist zu beachten, dass die optischen und elektrischen Eigenschaften von ausgedehnten Defekten in Halbleitern wesentlich durch Verunreinigungen beeinflußt werden kann , und durch 0-dim intrinsische Defekte 17 auf, die gelöst werden können , nicht durch Rasterelektronenmikroskopie. Jedoch ist die Kombination der experimentellen Methoden, ccEBSD, CL und EBIC, bietet die Möglichkeit, die erweiterten Defekte sichtbar zu machen und ihre grundlegenden Eigenschaften in dem SEM zu quantifizieren. Für zukünftige Anwendungen, bei denen nicht nur die Fehleranalyse, sondern auch defekt Kontrolle und Defekt-Engineering bestimmt sind, dieses mächtige Werkzeug wird eine wichtige Rolle bei der Verbesserung der Leistungsfähigkeit von Halbleiterbauelementen zu spielen.

<table><tbody><tr><td>Cryogenic liquids:&amp;nbsp;&amp;nbsp;&amp;nbsp;</td><td>Linde http://www.linde-gas.de, Air Liquide http://www.airliquide.de/</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Liquid helium ( LHe )</td><td></td><td></td><td>for cooling of the cryostat</td></tr><tr><td>Liquid nitrogen ( LN2 )</td><td></td><td></td><td>for cooling of the PMT R5509-73</td></tr><tr><td>Indium wire</td><td>chemPUR http://chempur.de/&amp;nbsp;</td><td>900898</td><td>CL sample preparation: for good electrical and thermal coupling between cryostat and sample</td></tr><tr><td>Mica</td><td>plano GmbH http://www.plano-em.de/&amp;nbsp;</td><td>V3</td><td>isolation of EBIC sample holder and good thermal coupling to the cryostat</td></tr><tr><td>Aluminium wire, gold wire</td><td>chemPUR http://chempur.de/&amp;nbsp;</td><td>009013, 900891</td><td>purity 99.99%, material for formation of Schottky contact for EBIC measurements</td></tr><tr><td>Indium-Gallium eutectic solution</td><td>Alfa Aesar&amp;nbsp;</td><td>12478</td><td>to form ohmic contact on the backside of the sample for EBIC measurements</td></tr><tr><td>Liquid chemicalsVLSI Selectipur&lt;br/&gt; &amp;nbsp;(de-ionized water, acetone, ethanol)</td><td>VWR</td><td>52182674,&lt;br/&gt; 51152090</td><td>for sample preparation: cleaning and surface treatment</td></tr><tr><td>Hydrofluoric acid</td><td>VWR</td><td>1,003,382,500</td><td>necessary to remove surface oxide layer on Silicon samples immediately before investigation; follow safety precautions!&amp;nbsp;</td></tr><tr><td>MicroCloth</td><td>Buehler http://www.buehler.com/&amp;nbsp;</td><td>40-7222</td><td>polishing cloth</td></tr><tr><td>MasterMet 1 (0.02 &amp;micro;m)</td><td>Buehler http://www.buehler.com/&amp;nbsp;</td><td>40-6380-006</td><td>SiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; polishing suspension</td></tr><tr><td>Scanning electron microscope (SEM)</td><td>Carl Zeiss AG http://www.zeiss.de/microscopy/&amp;nbsp;</td><td>Ultra 55</td><td>field emission gun</td></tr><tr><td>SEM-CL system</td><td>EMSystems</td><td></td><td>customized, following equipment belongs to CL system:</td></tr><tr><td>&amp;nbsp;SEM stage for cryostat</td><td>Kammrath &amp;amp; Weiss http://www.kammrath-weiss.com&amp;nbsp;</td><td></td><td></td></tr><tr><td>KONTI cryostat</td><td>Cryovac http://www.cryovac.de/</td><td>3-06-4609C-7674</td><td>cooling of sample</td></tr><tr><td>Liquid He transfer line for KONTI cryostat</td><td>Cryovac http://www.cryovac.de/</td><td>3-01-3506C-SO</td><td></td></tr><tr><td>Cryogenic Temperature Controller</td><td>Cryovac http://www.cryovac.de/</td><td>TIC-304 MA</td><td>controlling the flow rate of cryogenic</td></tr><tr><td>Photomultiplier Tube (PMT)&amp;nbsp;</td><td>Hamamatsu http://www.hamamatsu.com</td><td>R5509-73</td><td>for NIR spectral range&amp;nbsp;</td></tr><tr><td>PMT housing and cooler</td><td>Hamamatsu http://www.hamamatsu.com</td><td>C9940-2</td><td></td></tr><tr><td>HV power supply&amp;nbsp;</td><td>Heinzinger electronic GmbH http://www.heinzinger.de/</td><td>LNC 3000-10 neg</td><td>for operating of the PMT</td></tr><tr><td>Monochromator&amp;nbsp;</td><td>Sol Instruments Ltd. http://www.solinstruments.com</td><td>MS2004i</td><td></td></tr><tr><td>PMT&amp;nbsp;</td><td>Hamamatsu http://www.hamamatsu.com</td><td>R3896</td><td>for visible spectral range</td></tr><tr><td>CCD digital camera&amp;nbsp;</td><td>Proscan GmbH, Proscan Special Instruments Ltd. http://www.proscan.de</td><td>HS 101 H</td><td>for visible spectral range</td></tr><tr><td>Control program</td><td>Proscan GmbH, Proscan Special Instruments Ltd. http://www.proscan.de</td><td>PSI line</td><td>for controlling spectral CL measurements with CCD or PMT detectors</td></tr><tr><td>Laptop</td><td>Dell</td><td>Latitude 110L</td><td>hardware for running the control program</td></tr><tr><td>&amp;nbsp;LHe dewar</td><td>cryotherm http://www.cryotherm.de/</td><td>Stratos 100 SL</td><td>container for cryogenic</td></tr><tr><td>LN2 dewar</td><td></td><td></td><td>container for cryogenic</td></tr><tr><td>Protective glasses</td><td>pulsafe</td><td></td><td>protective equipment</td></tr><tr><td>Protective gloves</td><td>tempex</td><td>Protect line&amp;nbsp; Mod. 4081052</td><td>protective equipment</td></tr><tr><td>Heating tape</td><td>Thermocax Isopad GmbH http://www.isopad-solutions.com</td><td>IT-TeMS 6</td><td>to prevent or reduce icing of the flexible hoses during cooling</td></tr><tr><td>Diaphragm pump&amp;nbsp;</td><td>Vacuubrand GmbH &amp;amp; Co KG http://www.vacuubrand.com</td><td>ME4</td><td>to provide the flow rate of the cryogenic</td></tr><tr><td>Vacuum accessoires: flexible hoses, seals, locking rings</td><td></td><td></td><td>connectors for cryogenic CL or EBIC set-up</td></tr><tr><td>Specimen current EBIC amplifier</td><td>KE developments / Deben http://deben.co.uk/</td><td>Type 31</td><td>Measuring the EBIC current</td></tr><tr><td>High vacuum chamber with metal evaporation</td><td>customized</td><td></td><td>formation of Schottky contact for EBIC measurements</td></tr><tr><td>Heating plate</td><td>Retsch GmbH http://www.retsch.de</td><td>SG1</td><td>CL sample preparation</td></tr><tr><td>EBSD detector Nordlys</td><td>HKL</td><td></td><td>no more available; can be replaced by the Oxford EBSD detectors NordlysMax3 or NordlysNano</td></tr><tr><td>EBSD acquisition and evaluation software Channel 5</td><td>HKL</td><td></td><td>no more available; can be replaced by the Oxford EBSD Software AZtecHKL</td></tr><tr><td>ccEBSD program ccEBSD_v1.07.exe</td><td>in house written program</td><td></td><td>for use please contact authors</td></tr><tr><td>EBSD interface with remote control system</td><td>Carl Zeiss AG http://www.zeiss.de/microscopy/&amp;nbsp;</td><td></td><td>necessary for the electron beam control and parameter transfer between EBSD system and SEM&amp;nbsp;&amp;nbsp;</td></tr><tr><td>Vibromet2</td><td>Buehler, http://www.buehler.com/&amp;nbsp;</td><td>671635160</td><td>vibratory polisher</td></tr></tbody></table>

comprehensive characterization of extended defects in semiconductor materials by a scanning electron microscope

Extended defects such as dislocations and grain boundaries have a strong influence on the performance of microelectronic devices and on other applications of semiconductor materials. However, it is still under debate how the defect structure determines the band structure, and therefore, the recombination behavior of electron-hole pairs responsible for the optical and electrical properties of the extended defects. The present paper is a survey of procedures for the spatially resolved investigation of structural and of physical properties of extended defects in semiconductor materials with a scanning electron microscope (SEM). Representative examples are given for crystalline silicon. The luminescence behavior of extended defects can be investigated by cathodoluminescence (CL) measurements. They are particularly valuable because spectrally and spatially resolved information can be obtained simultaneously. For silicon, with an indirect electronic band structure, CL measurements should be carried out at low temperatures down to 5 K due to the low fraction of radiative recombination processes in comparison to non-radiative transitions at room temperature. For the study of the electrical properties of extended defects, the electron beam induced current (EBIC) technique can be applied. The EBIC image reflects the local distribution of defects due to the increased charge-carrier recombination in their vicinity. The procedure for EBIC investigations is described for measurements at room temperature and at low temperatures. Internal strain fields arising from extended defects can be determined quantitatively by cross-correlation electron backscatter diffraction (ccEBSD). This method is challenging because of the necessary preparation of the sample surface and because of the quality of the diffraction patterns which are recorded during the mapping of the sample. The spatial resolution of the three experimental techniques is compared.

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Comprehensive Characterization of Extended Defects in Semiconductor Materials by a Scanning Electron Microscope

The optical, electrical, and structural properties of dislocations and of grain boundaries in semiconductor materials can be determined by experiments performed in a scanning electron microscope. Electron microscopy has been used to investigate cathodoluminescence, electron beam induced current, and diffraction of backscattered electrons.

Umfassende Charakterisierung von ausgedehnten Defekten in Halbleitermaterialien durch ein Rasterelektronenmikroskop

Extended defects such as dislocations and grain boundaries have a strong influence on the performance of microelectronic devices and on other applications ...

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13.6K Aufrufe.  Technische Universität Dresden. The optical, electrical, and structural properties of dislocations and of grain boundaries in semiconductor materials can be determined by experiments performed in a scanning electron microscope. Electron microscopy has been used to investigate cathodoluminescence, electron beam induced current, and diffraction of backscattered electrons. 

Serie: Comprehensive Characterization of Extended Defects in Semiconductor Materials by a Scanning Electron Microscope

Scanning-probe Single-electron Capacitance Spectroscopy

The integration of low-temperature scanning-probe techniques and single-electron capacitance spectroscopy represents a powerful tool to study the electronic quantum structure of small systems - including individual atomic dopants in semiconductors. Here we present a capacitance-based method, known as Subsurface Charge Accumulation (SCA) imaging, which is capable of resolving single-electron charging while achieving sufficient spatial resolution to image individual atomic dopants. The use of a capacitance technique enables observation of subsurface features, such as dopants buried many nanometers beneath the surface of a semiconductor material1,2,3. In principle, this technique can be applied to any system to resolve electron motion below an insulating surface.
As in other electric-field-sensitive scanned-probe techniques4, the lateral spatial resolution of the measurement depends in part on the radius of curvature of the probe tip. Using tips with a small radius of curvature can enable spatial resolution of a few tens of nanometers. This fine spatial resolution allows investigations of small numbers (down to one) of subsurface dopants1,2. The charge resolution depends greatly on the sensitivity of the charge detection circuitry; using high electron mobility transistors (HEMT) in such circuits at cryogenic temperatures enables a sensitivity of approximately 0.01 electrons/Hz&frac12; at 0.3 K 5.

Scanning-probe single-electron capacitance spectroscopy facilitates the study of single-electron motion in localized subsurface regions. A sensitive charge-detection circuit is incorporated into a cryogenic scanning probe microscope to investigate small systems of dopant atoms beneath the surface of semiconductor samples.

Scanning-Probe-Einzel-Elektronen-Spektroskopie Kapazität

The integration of low-temperature scanning-probe techniques and single-electron capacitance spectroscopy represents a powerful tool to study the ...

Forschung

Ingenieurwesen

Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization

Misfit dislocations in heteroepitaxial layers of GaP grown on Si(001) substrates are characterized through use of electron channeling contrast imaging (ECCI) in a scanning electron microscope (SEM). ECCI allows for imaging of defects and crystallographic features under specific diffraction conditions, similar to that possible via plan-view transmission electron microscopy (PV-TEM). A particular advantage of the ECCI technique is that it requires little to no sample preparation, and indeed can use large area, as-produced samples, making it a considerably higher throughput characterization method than TEM. Similar to TEM, different diffraction conditions can be obtained with ECCI by tilting and rotating the sample in the SEM. This capability enables the selective imaging of specific defects, such as misfit dislocations at the GaP/Si interface, with high contrast levels, which are determined by the standard invisibility criteria. An example application of this technique is described wherein ECCI imaging is used to determine the critical thickness for dislocation nucleation for GaP-on-Si by imaging a range of samples with various GaP epilayer thicknesses. Examples of ECCI micrographs of additional defect types, including threading dislocations and a stacking fault, are provided as demonstration of its broad, TEM-like applicability. Ultimately, the combination of TEM-like capabilities &#8211; high spatial resolution and richness of microstructural data &#8211; with the convenience and speed of SEM, position ECCI as a powerful tool for the rapid characterization of crystalline materials.

The use of electron channeling contrast imaging in a scanning electron microscope to characterize defects in III-V/Si heteroexpitaxial thin films is described. This method yields similar results to plan-view transmission electron microscopy, but in significantly less time due to lack of required sample preparation.

Electron Channeling Contrast Imaging Rapid III-V heteroepitaktischen Charakterisierung

Misfit dislocations in heteroepitaxial layers of GaP grown on Si(001) substrates are characterized through use of electron channeling contrast imaging ...

In Depth Analyses of LEDs by a Combination of X-ray Computed Tomography (CT) and Light Microscopy (LM) Correlated with Scanning Electron Microscopy (SEM)

In failure analysis, device characterization and reverse engineering of light emitting diodes (LEDs), and similar electronic components of micro-characterization, plays an important role. Commonly, different techniques like X-ray computed tomography (CT), light microscopy (LM) and scanning electron microscopy (SEM) are used separately. Similarly, the results have to be treated for each technique independently. Here a comprehensive study is shown which demonstrates the potentials leveraged by linking CT, LM and SEM. In depth characterization is performed on a white emitting LED, which can be operated throughout all characterization steps. Major advantages are: planned preparation of defined cross sections, correlation of optical properties to structural and compositional information, as well as reliable identification of different functional regions. This results from the breadth of information available from identical regions of interest (ROIs): polarization contrast, bright and dark-field LM images, as well as optical images of the LED cross section in operation. This is supplemented by SEM imaging techniques and micro-analysis using energy dispersive X-ray spectroscopy.

In Depth Analyses of LEDs by a Combination of X-ray Computed Tomography CT and Light Microscopy LM Correlated with Scanning Electron Microscopy SEM

A workflow for comprehensive micro-characterization of active optical devices is outlined. It contains structural as well as functional investigations by means of CT, LM and SEM. The method is demonstrated for a white LED which can be still be operated during characterization.

In Tiefenanalysen der LEDs durch eine Kombination von Röntgen Computertomographie (CT) und Lichtmikroskopie (LM) korrelierte mit Rasterelektronenmikroskopie (SEM)

In failure analysis, device characterization and reverse engineering of light emitting diodes (LEDs), and similar electronic components of ...

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The characteristics of the C84-embedded Si surface, such as atomic resolution topography, local electronic density of states, band gap energy, field emission properties, nanomechanical stiffness, and surface magnetism, were examined using a variety of surface analysis techniques under ultra, high vacuum (UHV) conditions as well as in an atmospheric system. Experimental results demonstrate the high uniformity of the C84-embedded Si surface fabricated using a controlled self-assembly nanotechnology mechanism, represents an important development in the application of field emission display (FED), optoelectronic device fabrication, MEMS cutting tools, and in efforts to find a suitable replacement for carbide semiconductors. Molecular dynamics (MD) method with semi-empirical potential can be used to study the nanoindentation of C84-embedded Si substrate. A detailed description for performing MD simulation is presented here. Details for a comprehensive study on mechanical analysis of MD simulation such as indentation force, Young&#39;s modulus, surface stiffness, atomic stress, and atomic strain are included. The atomic stress and von-Mises strain distributions of the indentation model can be calculated to monitor deformation mechanism with time evaluation in atomistic level.

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

This paper reports the nanomaterial fabrication of a fullerene Si substrate inspected and verified by nanomeasurements and molecular dynamic simulation.

Probing C<sub&gt; 84</sub&gt; -embedded Si-Substrat mit Hilfe der Rastersondenmikroskopie und Molecular Dynamics

This paper reports an array-designed C84-embedded Si substrate fabricated using a controlled self-assembly method in an ultra-high vacuum chamber. The ...

Characterization of Ultra-fine Grained and Nanocrystalline Materials Using Transmission Kikuchi Diffraction

One of the challenges in microstructure analysis nowadays resides in the reliable and accurate characterization of ultra-fine grained (UFG) and nanocrystalline materials. The traditional techniques associated with scanning electron microscopy (SEM), such as electron backscatter diffraction (EBSD), do not possess the required spatial resolution due to the large interaction volume between the electrons from the beam and the atoms of the material. Transmission electron microscopy (TEM) has the required spatial resolution. However, due to a lack of automation in the analysis system, the rate of data acquisition is slow which limits the area of the specimen that can be characterized. This paper presents a new characterization technique, Transmission Kikuchi Diffraction (TKD), which enables the analysis of the microstructure of UFG and nanocrystalline materials using an SEM equipped with a standard EBSD system. The spatial resolution of this technique can reach 2 nm. This technique can be applied to a large range of materials that would be difficult to analyze using traditional EBSD. After presenting the experimental set up and describing the different steps necessary to realize a TKD analysis, examples of its use on metal alloys and minerals are shown to illustrate the resolution of the technique and its flexibility in term of material to be characterized.

This paper provides a detailed method to characterize the microstructure of ultra-fine grained and nanocrystalline materials using a scanning electron microscope equipped with a standard electron backscatter diffraction system. Metal alloys and minerals presenting refined microstructures are analyzed using this technique, showing the diversity of its possible applications.

Charakterisierung von ultrafeinkörnig und Nanokristalline Materialien mit Übertragung Kikuchi Diffraction

One of the challenges in microstructure analysis nowadays resides in the reliable and accurate characterization of ultra-fine grained (UFG) and ...

A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens

Electrically assisted deformation (EAD) is increasingly being used to improve the formability of metals during processes such as sheet metal rolling and forging. Adoption of this technique is proceeding despite disagreement concerning the underlying mechanism responsible for EAD. The experimental procedure described herein enables a more explicit study compared to previous EAD research by removing thermal effects, which are responsible for disagreement in interpreting previous EAD results. Furthermore, as the procedure described here enables EAD observation in situ and in real time in a transmission electron microscope (TEM), it is superior to existing post-mortem methods that observe EAD effects post-test. Test samples consist of a single crystal copper (SCC) foil having a free-standing tensile test section of nanoscale thickness, fabricated using a combination of laser and ion beam milling. The SCC is mounted to an etched silicon base that provides mechanical support and electrical isolation while serving as a heat sink. Using this geometry, even at high current density (~3,500 A/mm2), the test section experiences a negligible temperature increase (&#60;0.02 &#176;C), thus eliminating Joule heating effects. Monitoring material deformation and identifying the corresponding changes to microstructures, e.g. dislocations, are accomplished by acquiring and analyzing a series of TEM images. Our sample preparation and in situ experiment procedures are robust and versatile as they can be readily utilized to test materials with different microstructures, e.g., single and polycrystalline copper.

A Novel Method for In Situ Electromechanical Characterization of Nanoscale Specimens

Isolating electrical and thermal effects on electrically assisted deformation (EAD) is very difficult using macroscopic samples. Metallic sample micro- and nanostructures together with a custom test procedure have been developed to evaluate the impact of applied current on the formation without joule heating and evolution of dislocations on these samples.

Eine neuartige Methode für<em&gt; In Situ</em&gt; Elektromechanische Charakterisierung von nanoskaligen Proben

Electrically assisted deformation (EAD) is increasingly being used to improve the formability of metals during processes such as sheet metal rolling and ...

All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics

The miniaturization of semiconductor devices to scales where small numbers of dopants can control device properties requires the development of new techniques capable of characterizing their dynamics. Investigating single dopants requires sub-nanometer spatial resolution, which motivates the use of scanning tunneling microscopy (STM). However, conventional STM is limited to millisecond temporal resolution. Several methods have been developed to overcome this shortcoming, including all-electronic time-resolved STM, which is used in this study to examine dopant dynamics in silicon with nanosecond resolution. The methods presented here are widely accessible and allow for local measurement of a wide variety of dynamics at the atomic scale. A novel time-resolved scanning tunneling spectroscopy technique is presented and used to efficiently search for dynamics.

We demonstrate an all-electronic method to observe nanosecond-resolved charge dynamics of dopant atoms in silicon with a scanning tunneling microscope.

Vollelektronische Nanosekunde gelöst Scanning Tunneling Microscopy: Erleichterung der Untersuchung der einzelnen Dotierstoff kostenlos Dynamik

The miniaturization of semiconductor devices to scales where small numbers of dopants can control device properties requires the development of new ...

Quantitative Atomic-Site Analysis of Functional Dopants/Point Defects in Crystalline Materials by Electron-Channeling-Enhanced Microanalysis

A novel elemental and chemical analysis scheme based on electron-channeling phenomena in crystalline materials is introduced, where the incident high-energy electron beam is rocked with the submicrometric pivot point fixed on a specimen. This method enables us to quantitatively derive the site occupancies and site-dependent chemical information of impurities or intentionally doped functional elements in a specimen, using energy-dispersive X-ray spectroscopy and electron energy-loss spectroscopy attached to a scanning transmission electron microscope, which is of significant interest to current materials science, particularly related to nanotechnologies. This scheme is applicable to any combination of elements even when the conventional Rietveld analysis by X-ray or neutron diffraction occasionally fails to provide the desired results because of limited sample sizes and close scattering factors of neighboring elements in the periodic table. In this methodological article, we demonstrate the basic experimental procedure and analysis method of the present beam-rocking microanalysis.

We provide a general outline of quantitative microanalysis methods for estimating the site occupancies of impurities and their chemical states by taking advantage of electron-channeling phenomena under incident electron beam-rocking conditions, which reliably extract information from minority species, light elements, oxygen vacancies, and other point/line/planar defects.

Quantitative Atom-Standortanalyse von funktionellen Dopants/Punktdefekten in kristallinen Materialien durch Elektronenkanaling-verstärkte Mikroanalyse

A novel elemental and chemical analysis scheme based on electron-channeling phenomena in crystalline materials is introduced, where the incident ...

Chemie

A Virtual Simulation Experiment of Mechanics: Material Deformation and Failure Based on Scanning Electron Microscopy

This work presents a set of comprehensive virtual experiments to detect material deformation and failure. The most commonly used pieces of equipment in mechanics and material disciplines, such as a metallographic cutting machine and a high-temperature universal creep testing machine, are integrated into a web-based system to provide different experimental services to users in an immersive and interactive learning environment. The protocol in this work is divided into five subsections, namely, the preparation of the materials, molding the specimen, specimen characterization, specimen loading, nanoindenter installation, and SEM in situ experiments, and this protocol aims to provide an opportunity for users regarding the recognition of different equipment and the corresponding operations, as well as the enhancement of laboratory awareness, etc., using a virtual simulation approach. To provide clear guidance for the experiment, the system highlights the equipment/specimen to be used in the next step and marks the pathway that leads to the equipment with a conspicuous arrow. To mimic the hands-on experiment as closely as possible, we designed and developed a three-dimensional laboratory room, equipment, operations, and experimental procedures. Moreover, the virtual system also considers interactive exercises and registration before using chemicals during the experiment. Incorrect operations are also allowed, resulting in a warning message informing the user. The system can provide interactive and visualized experiments to users at different levels.

This work presents a three-dimensional virtual simulation experiment for material deformation and failure that provides visualized experimental processes. Through a set of experiments, users can become familiar with the equipment and learn the operations in an immersive and interactive learning environment.

Ein virtuelles Simulationsexperiment der Mechanik: Materialverformung und -versagen anhand der Rasterelektronenmikroskopie

This work presents a set of comprehensive virtual experiments to detect material deformation and failure. The most commonly used pieces of equipment in ...

<meta charset="utf8"></head><body>Oberflächendefekte in NiTi-Feilen nach einmaliger und mehrfacher Anwendung in der endodontischen Nachbehandlung

Scanning Electron Microscopic Evaluation of Surface Defects of Remover Retreatment File After Single and Multiple Uses

This study aimed to evaluate surface defects of Remover rotary Nickel-Titanium (NiTi) files after single and multiple uses in conventional endodontic retreatment procedures using scanning electron microscopy (SEM). Eighty acrylic blocks, simulating root canals with a 1.5 mm internal diameter, a 5 mm radius of curvature, and a 55&#176; curvature, were utilized. After chemomechanical preparation and obturation, 24 new Remover files (N30, 7%, L23) were randomly assigned to three groups: single use, triple use, and six uses. The files were operated at 600 rpm with a torque of 2.5 Ncm, cleaned, and sterilized after each use.
SEM analysis at magnifications of 100x, 250x, and 500x revealed surface defects, including tip deformation, microcracks, fracture, unwinding, surface pitting, and blade disruption. Deformation was observed in 75% of the files after a single use and in 100% of the files after three and six uses. Microcracks were absent after single use but appeared in 25% and 87.5% of files after three and six uses, respectively, showing a statistically significant increase (p &#60; 0.001). Surface pitting also significantly increased among groups (p = 0.004).
No fractures were observed in any group. The most common defects were tip deformation (91.7%) and surface pitting (70.8%). The findings suggest that repeated use of NiTi files significantly increases surface defects, elevating the risk of fatigue fractures. Thus, the results recommend limiting the reuse of Remover files to a maximum of 3x. Further research is needed to correlate defect types with anatomical factors and to assess file effectiveness in retreatment scenarios.

<meta charset="utf8"></head><body>Rasterelektronenmikroskopische Bewertung von Oberflächendefekten von Entferner-Nachbehandlungsakte nach einmaliger und mehrfacher Verwendung

Here, we present a protocol for evaluating the surface characteristics of endodontic retreatment files after repeated use in retreatment procedures, utilizing scanning electron microscopy to identify and analyze potential surface defects.

Rasterelektronenmikroskopische Bewertung von Oberflächendefekten von Entferner-Nachbehandlungsakte nach einmaliger und mehrfacher Verwendung

This study aimed to evaluate surface defects of Remover rotary Nickel-Titanium (NiTi) files after single and multiple uses in conventional endodontic ...

Umfassende Charakterisierung von ausgedehnten Defekten in Halbleitermaterialien durch ein Rasterelektronenmikroskop

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