Die Tragelebensdauer ist ein wichtiger Parameter für die Halbleiterwellenanalyse und Materialien. Wir brauchen eine gemeinsame Methode zur Verirrung der Lebensdauer des Trägers. Hier führen wir Mikrowellen-Photoleitfähigkeitszerfall, sogenannte Mikro-PCD, ein.
Micro-PCD ist in der Regel veraltet Mikro-PCD ist in der Regel veraltet, weil es lange Verhalten und lange disruptive Methode ist. Ein weiterer Vorteil dieser Methode ist die Unempfindlichkeit gegenüber der Verirrung von Materialien von strukturen. Demonstriert wird das Verfahren von Takato Asada, einem Studenten aus meinem Labor.
Bereiten Sie zu Beginn dieses Verfahrens einen n-Typ 4H Siliziumkarbid-Epilayer vor. Mit einer Ultraschallwäscher, waschen Sie die Probe mit Aceton für fünf Minuten, folgen Sie durch Wasser für fünf Minuten. Anschließend verwenden Sie eine Stickstoffpistole, um Feuchtigkeit auf der Probenoberfläche zu entfernen.
Als nächstes bereiten Sie einen Mol aus Schwefelsäure, Chlorwasserstoff, Natriumsulfat, Natriumhydroxid oder einem Gewichtsprozent der Flusssäure vor. Bereiten Sie eine wässrige Lösung vor, die gemessen werden soll. Dann gießen Sie die wässrige Lösung in eine Quarzzelle.
Übertragen Sie die vorbereitete Probe in die Zelle und tauchen Sie sie in die wässrige Lösung ein. Um die Messgeräte vorzubereiten, schalten Sie die Stromversorgung des 266 Nanometer gepulsten Lasers ein, um die Lichtquelle zu anzuregen. Stellen Sie dann den Lasermodus auf Standby ein.
Schließen Sie den gepulsten Laser und einen Oszillator mit einem BNC-Kabel an. Schalten Sie den Oszillator ein und geben Sie eine 100-Hertz-Pulswelle an den gepulsten Laser ein. Anschließend verbinden Sie eine Photodiode mit dem BNC-Kabel an das Oszilloskop, um die Erfassung auszulösen.
Schalten Sie dann die Fotodiode ein. Als nächstes die Schutzbrille aufsetzen. Bestrahlen Sie den Pulslaser und platzieren Sie die Blende der Mikrowellenwellenführung auf dem optischen Pfad des Laserlichts in richtungsimpunktischer Richtung zum Licht.
Installieren Sie einen Halbspiegel auf dem optischen Pfad des gepulsten Lasers und reflektieren Sie den Pulslaser zur Photodiode. Schalten Sie anschließend das Oszilloskop ein und setzen Sie den Auslöseschwellenwert auf eine Spannung, die ausreicht, um Das Signal von der Photodiode zu erkennen. Überprüfen Sie dann die Auslösefrequenz mit einem Oszilloskop und stimmen Sie sie bei Bedarf ab.
Stellen Sie anschließend den Lasermodus auf Standby ein. Schließen Sie eine schottky Barrierediode in eine Mikrowellenwellenführung zur reflektierten Mikrowellenerkennung und einen Signaleingangskanal des Oszilloskops mit einem BNC-Kabel an. Als nächstes wenden Sie eine 9,5 Volt Betriebsspannung auf eine Kanonendiode an.
Legen Sie die Quarzzelle auf den Ständer vor der Blende so nah wie möglich und fixieren Sie sie mit Klebeband. Um die Lebensdauer des Trägers zu messen, schalten Sie die Laserlichtschwingung ein und strahlen das Licht auf die Probe aus. Legen Sie eine Halbwellenplatte, einen Polarisator und einen Leistungsmesser auf den optischen Pfad.
Strahlen Sie den Pulslaser auf den Leistungsmesser. Überprüfen Sie die Anregungsintensität des Lasers. Passen Sie dann den Halbwellenwinkel für die Steuerung der Anregungsintensität an.
Entfernen Sie anschließend den Leistungsmesser aus dem optischen Pfad. Stellen Sie die Zeit- und Spannungsskalen des Oszilloskops so ein, dass das Spitzensignal auf dem Oszilloskop angezeigt wird. Anschließend stellen Sie die Amplitude und Phase der Mikrowelle durch einen E-H-Tuner ein.
Überprüfen Sie das Oszilloskop und suchen Sie nach dem E-H-Tuner, bei dem das Spitzensignal maximal ist. Die fehlgeschlagene Einstellung des E-H-Tuners führt zu einem Signalverlust. Dieser Schritt sollte sehr sorgfältig ausgeführt werden.
Nun liefern kompromittierte Overtunings Tuner-Datensätze und falsche Messungen. Tuningfehler können in den Datenprozessen nicht bestätigt werden. Passen Sie die Zeitskala des Oszilloskops an und skizzieren Sie eine Zerfallskurve im Messbereich auf dem Oszilloskop.
Durchschnittlich das Signal für eine beliebige Anzahl von Malen, um das Signal-Rausch-Verhältnis zu verbessern. Speichern Sie dann die Messdaten als elektronische Datei auf einem Speicherlaufwerk. Um die Daten zu verarbeiten, importieren Sie die Signaldaten auf einen PC und zeichnen Sie die Zerfallskurven, die aus dem Experiment als Funktion der Zeit erhalten wurden.
Berechnen Sie den durchschnittlichen Wert des Hintergrundrauschenpegels, subtrahieren Sie ihn vom Zerfallssignal, und zeichnen Sie ihn als Funktion der Zeit. Suchen Sie den Spitzenwert des Zerfallssignals, und dividieren Sie dann das Zerfallssignal durch den Spitzenwert. Dieses Diagramm zeigt Mikro-PCD-Zerfallskurven des n-Typ 4H Siliziumkarbids in der Luft und in wässrigen Lösungen.
Ein Anregungslicht von 266 Nanometern wurde in wässrigen Lösungen in die Siliziumphase des 4H-Siliziumkarbids bestrahlt. Die Zeitkonstante der Zerfallskurven war länger, wenn die Probe in die sauren wässrigen Lösungen eingetaucht wurde, was impliziert, dass saure Lösungen Oberflächenzustände in der Siliziumphase passivierten und die Oberflächenrekombination der überschüssigen Träger reduzierten. Bitte beachten Sie, dass diese aktuellen Eigenschaften schalldicht sind.
Bei einer Messung der hohen Leitfähigkeit schalldicht, werden die Signalstärken klein sein. In solchen Fällen wird die Verzweigung des Signals wieder abgebaut. Hochtemperaturmessungen können durch Blasen von Heißgeschirr durchgeführt werden, während die Probe auf die Kochplatte gedrückt wird.
Durch die Hochtemperaturmessung spekulieren wir Eigenschaften unterschiedlicher 15 Trägerlebensdauern. Diese Methode ist in der konventionellen Halbleiterindustrie proprietär. Mit dieser Methode können wir 40 Ohm gleiche leitfähige Materialien und ihre Oberflächeneigenschaften komplementär charakterisieren.
Die gepulsten Strahlen sind gefährlich. Achten Sie darauf, Sicherheitsbrillen zu verwenden und tragen Sie keine Uhren, um Lichtreflexion zu verhindern.
