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Sonde à balayage spectroscopie de capacité unique électron

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10:53 min

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July 30th, 2013

DOI :

10.3791/50676-v

July 30th, 2013

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Kathleen A. Walsh¹, Megan E. Romanowich¹, Morewell Gasseller¹^,², Irma Kuljanishvili¹^,³, Raymond Ashoori⁴, Stuart Tessmer¹

¹Department of Physics and Astronomy, Michigan State University, ²Department of Chemistry & Biochemistry/Physics, Mercyhurst University, ³Department of Physics, Saint Louis University, ⁴Department of Physics, Massachusetts Institute of Technology

Résumé

Chapitres dans cette vidéo

0:05

Title

1:57

Microscope Setup, Preparation, and Mounting of the High Electron Mobility Transistor Circuit

6:37

Capacitance Mode Measurements

8:05

Results: Scanning Charge Accumulation and Capacitance-voltage Spectroscopy of Doped Semiconductors

10:17

Conclusion

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