Thanks to Michael Knutson, Paul Hamric, Greg Scott, and Chris Landes for helpful discussions and assistance related to the custom inert atmosphere sample holder and assistance in the University of Utah student machine shop. P.C. acknowledges the NSF GRFP under Grant No. 0750758. P.C. acknowledges the University of Utah Nanotechnology Training Fellowship. R.M. acknowledges a NSF CAREER Award No. 1054899 and funding from the USTAR Initiative.

REMARQUE: effectuer toutes les étapes suivantes en vertu de salle blanche de classe 100 de conditions ou mieux. Préparation de l&#39;échantillon 1. <ol><li> Nettoyer une plaquette de silicium de 2 &quot;de diamètre avec Buffered Oxide Etch (BOE) solution (6 pièces 40% de NH 4 F et une partie 49% HF) pendant 2 min (Attention: produits chimiques dangereux). Choisissez cette fois de gravure pour enlever les contaminants organiques ou à la surface. Rincer à l&#39;eau désionisée (DI) de l&#39;eau pendant environ 5 min. Plaquette sec avec N2 sec. NOTE: Ne jamais travailler seul lors de l&#39;utilisation HF. Porte toujours des lunettes de protection avec écran facial et des équipements de protection individuelle (EPI) en cas de déversements. directives de mission pour l&#39;utilisation et la manipulation des déchets de HF dans le laboratoire où la gravure est effectuée. REMARQUE: les étapes 1.2 à 1.7 sont pour le verrouillage électrochimique seulement. Si vous effectuez de verrouillage via la dissolution passez à l&#39;étape 2. </li><li> Pour fixer l&#39;électrode de travail, pulvérisation 100 nm de platine (Pt) sur le nettoyage 2 &quot;de diamètre Silicsur la plaquette. </li><li> Avant de graver le film mince de platine, nettoyer la chambre RIE de toute impureté ou résine photosensible restes de gravures sèches précédentes. </li><li> Pomper la chambre jusqu&#39;à une pression de base de 1 × 10 -5 Torr est obtenue. Assurez-vous que la puissance RF est réglé à 200 W et les débits pour l&#39;oxygène et de l&#39;argon sont fixés à 50 sccm et 10 sccm respectivement. Allumer le Ar / O 2 plasma et fonctionner pendant au moins 1 h. </li><li> Éteignez l&#39;Ar / O 2 plasma et permettent la chambre de ventilation pendant environ 10 min. </li><li> Pour graver la surface du film mince de platine, charger l&#39;échantillon dans la chambre RIE et pomper la chambre jusqu&#39;à une pression de base de 1 × 10 -5 Torr. Cette fois réglé le débit d&#39;argon à 0 sccm. Allumer le plasma O 2 et laisser ce processus de fonctionner pendant 30 min. </li><li> Éteignez le plasma O 2 et laissez la chambre de ventilation pendant 10 min. </li></ol> 2. évaporation thermique des photochromique molécule en utilisant personnalisée Low évaporateur Température (LTE) <ol><li> Remplissez AlO2 bateau avec 30 mg de BTE et charger dans la source d&#39;LTE personnalisé (figure 6). </li><li> Charge plaquette de silicium dans l&#39;échantillon de montage. </li><li> orifices de la chambre d&#39;étanchéité de la pompe et la chambre jusqu&#39;à une pression de base de 1 x 10 -6 Torr. </li><li> Evaporer le contour à une température de consigne de 100 ° C, avec une épaisseur de film de 30 nm. </li><li> Immédiatement après l&#39;évaporation, inondation illuminer l&#39;échantillon à 5 min de UV pour transformer la matière BTE à la forme fermée, 1c. </li><li> Afin de définir la taille de l&#39;échantillon, cliver un petit morceau de la galette à l&#39;aide d&#39;une pointe en diamant pour rayer une ligne à partir du bord de la surface de silicium. Saisir la tranche des deux côtés de la ligne de rayure et plier la plaquette vers le bas jusqu&#39;à ce qu&#39;il casse le long du plan de cristal. </li><li> Effectuer des mesures de profilomètre pour valider BTE épaisseur de film mince. Pour ce faire, rayer l&#39;échantillon en utilisant une amende pinces de bord. Mesurer la hauteur de la marche vientm ce scratch, qui est la différence de hauteur entre le droit et la position du curseur gauche. REMARQUE: inexactitudes dans l&#39;épaisseur du film seront entraîner des écarts de la dose d&#39;exposition. </li><li> Magasin échantillon restant en N 2 boîte à gants remplie. </li></ol> 3. Les expositions REMARQUE: Effectuer toutes les expositions dans des conditions d&#39;atmosphère inerte pour éviter la dégradation de l&#39;échantillon. <ol><li> Cliver l&#39;échantillon en suivant la même procédure que décrite dans l&#39;étape 2.6. </li><li> échantillon de charge inerte en porte-échantillon de l&#39;atmosphère. </li><li> Montez porte-échantillon inerte sur scène. échantillon de purge avec du N2. </li><li> Exposer l&#39;échantillon à la durée d&#39;exposition désirée à l&#39;aide d&#39;un interféromètre, tel que celui représenté sur la figure 8. </li></ol> 4. oxydation électrochimique en utilisant trois électrodes cellulaire REMARQUE: Effectuer l&#39;électrochimie dans des conditions d&#39;atmosphère inerte pour éviter la dégradation de l&#39;échantillon. <ol><li> Fixer un flacon de verre propre sur le dessus de la plaque chauffante. Placez une barre d&#39;agitation propre dans le flacon. Tournez sur l&#39;agitateur. </li><li> Nettoyer un nouveau clip de cuivre avec du méthanol. Nettoyez le contre-électrode de platine avec du méthanol. </li><li> En utilisant un clip de cuivre propre, couper l&#39;échantillon à travers un des trous dans le bouchon du flacon de Téflon. Assurez-vous de couper sur la platine exposée seulement. </li><li> Placer le flacon bouchon Téflon sur le flacon. Connectez le fil rouge sur le comptoir de platine électrode et le fil noir sur le clip de cuivre contenant l&#39;échantillon. </li><li> En utilisant une seringue propre, remplir le flacon avec déminéralisée filtrée (DI) de l&#39;eau à travers le deuxième trou dans le bouchon du flacon de Téflon. Remplissez aussi élevé sans immersion du platine toute nue sur l&#39;échantillon. </li><li> Bubble azote dans l&#39;eau pendant 3-5 min. Éteignez l&#39;azote. </li><li> Placer l&#39;électrode de référence dans le deuxième trou dans le bouchon du flacon de Téflon. Connectez le fil blanc sur l&#39;électrode de référence. Assurez-vous qu&#39;aucun de platine o nuen l&#39;échantillon est immergé. </li><li> L&#39;utilisation d&#39;un voltammograph, régler la tension d&#39;oxydation à 0,5 V / s. </li><li> Après le temps d&#39;oxydation désiré se est écoulé, coupez l&#39;alimentation à l&#39;voltammograph off. </li><li> Retirez les clips rouge, noir, et blanc de la contre-électrode en platine, un clip de cuivre, et l&#39;électrode de référence. </li><li> Exposer l&#39;échantillon aux UV pendant 5 min. </li></ol> 5. Exemple de développement - électrochimique Verrouillage REMARQUE: Effectuez développement dans des conditions d&#39;atmosphère inerte pour éviter la dégradation de l&#39;échantillon. <ol><li> Développer l&#39;échantillon filtré en 5 (% en poids) d&#39;isopropanol, 95 (% en poids) d&#39;éthylène glycol pour la durée désirée. Remarque: En général 50 échantillons nm sont développés pour 30-60 sec tout en 80 nm échantillons sont élaborés pour les 60 à 180 secondes. </li><li> Échantillon sec avec N2 sec. </li><li> Immédiatement exposer échantillon à 5 min de UV. </li></ol> 6. Exemple de développement - Dissolution de verrouillage </em&gt; REMARQUE: Effectuez développement dans des conditions d&#39;atmosphère inerte pour éviter la dégradation de l&#39;échantillon. <ol><li> En utilisant 100 ml d&#39;éthylène glycol dans un bécher de verre propre, de développer l&#39;échantillon exposée pour le temps de développement souhaité. </li><li> Échantillon sec avec N2 sec. Immédiatement exposer échantillon à 5 min de UV. </li></ol> 7. Les expositions multiples <ol><li> Si vous effectuez la répétition des expositions multiples étapes 3-6 avec une traduction de l&#39;échantillon par rapport à l&#39;optique. </li></ol>

<ol>
	<li>Brimhall, N., Andrew, T. L., Manthena, R. V., Menon, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Breaking+the+far-field+diffraction+limit+in+optical+nanopatterning+via+repeated+photochemical+and+electrochemical+transitions+in+photochromic+molecules.">Breaking the far-field diffraction limit in optical nanopatterning via repeated photochemical and electrochemical transitions in photochromic molecules.</a> Physical Review Letters. 107 (20), 205501 (2011).</li><li>Cantu, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Subwavelength+nanopatterning+of+photochromic+diaryethene+films.">Subwavelength nanopatterning of photochromic diaryethene films.</a> Applied Physics Letters. 100 (18), 183103 (2012).</li><li>Cantu, P., Andrew, T. L., Menon, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nanopatterning+of+diarylethene+films+via+selective+dissolution+of+one+photoisomer.">Nanopatterning of diarylethene films via selective dissolution of one photoisomer.</a> Applied Physics Letters. 103 (17), 173112 (2013).</li><li>Abbe, E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Beitr&#228;ge+zur+Theorie+des+Mikroskops+und+der+mikroskopischen+Wahrnehmung.">Beitr&#228;ge zur Theorie des Mikroskops und der mikroskopischen Wahrnehmung.</a> Archiv f&#252;r mikroskopische Anatomie. 9 (1), 413-418 (1873).</li><li>Li, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Achieving+&#955;/20+resolution+by+one-color+initiation+and+deactivation+of+polymerization.">Achieving &#955;/20 resolution by one-color initiation and deactivation of polymerization.</a> Science. 324 (5929), 910-913 (2009).</li><li>Fischer, J., von Freymann, G., Wegener, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+materials+challenge+in+diffraction-unlimited+direct-laser-writing+optical+lithography.">The materials challenge in diffraction-unlimited direct-laser-writing optical lithography.</a> Advanced Materials. 22 (32), 3578-3582 (2010).</li><li>Mirkin, C. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Beam+pen+lithography.">Beam pen lithography.</a> Nature Nanotechnology. 5, 637-640 (2010).</li><li>Xie, X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Manipulating+spatial+light+fields+for+micro-+and+nano-photonics.">Manipulating spatial light fields for micro- and nano-photonics.</a> Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 44, 1109-1126 (2012).</li><li>Leroy, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-speed+metal-insulator+transition+in+vanadium+dioxide+films+induced+by+an+electrical+pulsed+voltage+over+nano-gap+electrodes.">High-speed metal-insulator transition in vanadium dioxide films induced by an electrical pulsed voltage over nano-gap electrodes.</a> Applied Physics Letters. 100 (21), 213507 (2012).</li><li>Carr, D., Sekaric, L., Craighead, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Measurement+of+nanomechanical+resonant+structures+in+single-crystal+silicon.">Measurement of nanomechanical resonant structures in single-crystal silicon.</a> Journal of Vacuum Science &amp; Technology B. 16 (6), 3821-3824 (1998).</li><li>Wilhelmi, O., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+prototyping+of+nanostructured+materials+with+a+focused+ion+beam.">Rapid prototyping of nanostructured materials with a focused ion beam.</a> Japanese Journal of Applied Physics. 47 (6), 2010-5014 (2008).</li><li>Hell, S. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Far-field+optical+nanoscopy.">Far-field optical nanoscopy.</a> Science. 316 (5828), 1153-1158 (2007).</li><li>Chou, S. Y., Krauss, P. R., Renstrom, P. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nanoimprint+lithography.">Nanoimprint lithography.</a> Journal of Vacuum Science &amp; Technology B. 14, 4129 (1996).</li><li>Guillemette, M. D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+topography+induces+3D+self-orientation+of+cells+and+extracellular+matrix+resulting+in+improved+tissue+function.">Surface topography induces 3D self-orientation of cells and extracellular matrix resulting in improved tissue function.</a> Integrative Biology. 1 (2), 196-204 (2009).</li></ol>

The authors have nothing to disclose.

The fabrication, experimental setup and related operational procedures of Patterning via Optical Saturable Transitions (POST) have been described. By exploiting the linear switching properties of thermally stable photochromic molecules, POST offers new perspectives on circumventing the far-field diffraction limit.1-2,4
Previously long-term storage requirement of the samples was solved by storing the samples under N2, directly after the initial evaporation.2 How...

Lithographie optique est d&#39;une importance clé dans la fabrication de structures et dispositifs à l&#39;échelle nanométrique. Progrès accrus dans de nouvelles techniques de lithographie a la capacité de permettre à de nouvelles générations de nouveaux dispositifs. 8-11 Dans cet article, un examen est présentée d&#39;une classe de techniques lithographiques optiques qui permettent d&#39;atteindre une résolution sub-longueur d&#39;onde profonde en utilisant de nouvelles molécules photoswitchable. Cette approche est appelée Modélisation via optique saturable Transitions (POST) 1-3. POST est une nouvelle technique de nanofabrication qui combine de façon unique les idées de saturer transitions optiques de molécules photochromiques, spécifiquement (1,2-bis (5,5&#39;-diméthyl-2,2&#39;-bithiophen-yl)) perfluorocyclopent-1-ène. Familièrement, ce composé est appelé BTE, Figure 1, tels que ceux utilisés dans l&#39;émission stimulée appauvrissement (STED) microscopie 12, avec une interférence lithographie, ce qui en fait un outil puissant pour large-zone nanostructuration parallèle de fonctions de Subwavelength profondes sur une variété de surfaces avec extension potentielle à 2 et 3 dimensions. La couche photochromique est à l&#39;origine dans un état homogène. Lorsque cette couche est exposée à un éclairage uniforme de λ 1, on convertit en le second état ​​d&#39;isomères (1c), la figure 2. Ensuite, l&#39;échantillon est exposé à un noeud ciblé à λ 2, qui convertit l&#39;échantillon dans le premier état ​​d&#39;isomères ( 1o) partout, sauf dans le proche voisinage du noeud. En commandant la dose d&#39;exposition, la taille de la région ne ayant pas réagi peut être rendue arbitrairement faible. Une étape de fixation ultérieure de l&#39;un des isomères peut être sélectivement et irréversiblement transformée (verrouillé) dans un 3 ème Etat (en noir) pour verrouiller le motif. Ensuite, la couche est exposée uniformément à λ 1, qui convertit tout sauf la région verrouillée à l&#39;état d&#39;origine. Leséquence d&#39;étapes peut être répétée avec un déplacement de l&#39;échantillon par rapport à l&#39;optique, résultant en deux régions verrouillées dont l&#39;écartement est inférieur à la limite de diffraction en champ lointain. Par conséquent, ne importe quelle géométrie arbitraire peut être modelée de façon &quot;matricielle&quot;. 1-3

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="778">
	<tbody>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">Name of Material/ Equipment</td>
			<td style="width:205px;">Company</td>
			<td style="width:119px;">Catalog Number</td>
			<td style="width:239px;">Comments/Description</td>
		</tr>
		<tr height="63">
			<td height="63" style="height:63px;width:216px;">Isopropanol</td>
			<td style="width:205px;">Fisher Scientific</td>
			<td style="width:119px;">P/7500/15</td>
			<td style="width:239px;">CAUTION: flammable, use good 
			ventilation and avoid all ignition 
			sources.</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Buffered Oxide Etch</td>
			<td style="width:205px;"></td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="63">
			<td height="63" style="height:63px;width:216px;">Methanol</td>
			<td style="width:205px;">Ricca Chemical</td>
			<td style="width:119px;">48-293-2&#160;</td>
			<td style="width:239px;">CAUTION: flammable, use good 
			ventilation and avoid all ignition 
			sources.</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ethylene Glycol</td>
			<td style="width:205px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">324558</td>
			<td>CAUTION: Harmful if swallowed</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silicon wafer</td>
			<td style="width:205px;"></td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Diamond Scribe</td>
			<td style="width:205px;"></td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Glass Beakers</td>
			<td style="width:205px;"></td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Tweezers</td>
			<td style="width:205px;">Ted Pella</td>
			<td style="width:119px;">5226</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">Reactive Ion Etching System</td>
			<td style="width:205px;">Oxford</td>
			<td style="width:119px;">Plasma Lab 80 Plus</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">Inert Atmosphere Sample Holder</td>
			<td style="width:205px;">Proprietary In-house Designed</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Polarizing beamsplitter cube</td>
			<td style="width:205px;">Thorlabs</td>
			<td style="width:119px;">PBS052</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">HeNe Laser</td>
			<td style="width:205px;">Melles Griot</td>
			<td style="width:119px;">25-LHP-171</td>
			<td>CAUTION: Wear safety glasses</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Half-wave plates</td>
			<td style="width:205px;">Thorlabs</td>
			<td style="width:119px;">WPH05M-633</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:216px;">Thermal Evaporator</td>
			<td style="width:205px;">Proprietary In-house Designed</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">TMV Super</td>
			<td style="width:205px;">TM Vacuum Products</td>
			<td style="width:119px;">TMV Super</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Voltammograph</td>
			<td style="width:205px;">Bioanalytical Systems</td>
			<td style="width:119px;">CV-37</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Shortwave UV lamp 365nm</td>
			<td style="width:205px;">UVP Analytik Jena Company</td>
			<td style="width:119px;">UVGL-25</td>
			<td>CAUTION: Wear UV safety glasses</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

patterning via optical saturable transitions - fabrication and characterization

This protocol describes the fabrication and characterization of nanostructures using a novel nanolithographic technique called Patterning via Optical Saturable Transitions (POST). In this technique the chemical properties of organic photochromic molecules that undergo single-photon reactions are exploited, enabling rapid top-down nanopatterning over large areas at low light intensities, thereby, allowing for the circumvention of the far-field diffraction barrier.4 Simple, cost-effective, high throughput and resolution alternatives to nanopatterning are being explored, such as, two-photon polymerization5,6, beam pen lithography (BPL)7, scanning electron beam lithography (SEBL), and focused ion beam (FIB) patterning. However, multi-photon approaches require high light intensities, which limit their potential for high throughput and offer low image contrast. Although, electron and ion beam lithographic processes offer increased resolution, the serial nature of the process is limited to slow writing speeds, which also prevents patterning of features over large areas. Beam-pen lithography is an approach towards parallel near-field optical lithography. However, the gap between the source of the beam and the surface of the photoresist needs to be controlled extremely precisely for good pattern uniformity and this is very challenging to accomplish for large arrays of beams. Patterning via Optical Saturable Transitions (POST) is an alternative optical nanopatterning technique for patterning sub-wavelength features1-3. Since this technique uses single photons instead of electrons, it is extremely fast and does not require high light intensities1-3, opening the door to massive parallelization.

Échantillons travaillées: Les différents temps d&#39;oxydation ont été caractérisés comme illustré par les micrographies de force atomique sur la figure 3 à une tension d&#39;oxydation de 0,85 V déterminé à partir de voltamétrie cyclique. Les films 50 nm d&#39;épaisseur ont été exposés à une onde stationnaire à λ = 647 nm de la période 400 nm pendant 60 secondes à une densité de puissance de 0,95 mW / cm 2. Comme le temps d&...

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Patterning via Optical Saturable Transitions - Fabrication and Characterization

We report that the diffraction limit of conventional optical lithography can be overcome by exploiting the transitions of organic photochromic derivatives induced by their photoisomerization at low light intensities.1-3 This paper outlines our fabrication technique and two locking mechanisms, namely: dissolution of one photoisomer and electrochemical oxidation.

Patterning par Transitions Optical saturable - Fabrication et caractérisation

This protocol describes the fabrication and characterization of nanostructures using a novel nanolithographic technique called Patterning via Optical ...

patterning-via-optical-saturable-transitions-fabrication

Research

JoVE Journal

Engineering

6.7K vues.  The University of Utah. We report that the diffraction limit of conventional optical lithography can be overcome by exploiting the transitions of organic photochromic derivatives induced by their photoisomerization at low light intensities.1-3 This paper outlines our fabrication technique and two locking mechanisms, namely: dissolution of one photoisomer and electrochemical oxidation.