표본을 기체 상태 원자와 이온으로 변환하는 원자화는 원자 분광법에 필수적입니다. 원자화에 필요한 화염 온도는 원자화 효율과 여기 상태와 기본 상태의 상대적 분포를 증가시켜 원자 분광법의 효율에 영향을 미칩니다.
열 평형에서 여기 상태와 기본 상태 원자의 상대적 분포는 맥스웰-볼츠만 분포를 사용하여 추정할 수 있습니다. 예를 들어, 2500K에서 2600K로 온도를 높이면 여기 상태 나트륨 원자의 분포가 45% 증가하는 반면 기본 상태의 분포 감소는 무시할 수 있습니다. 원자 방출 분광법(AES)은 이러한 여기 상태의 광자 방출에 의존하기 때문에 온도에 매우 의존적입니다. 반면 원자 흡광 분광법(AAS)과 원자 형광 분광법(AFS)은 주로 기본 상태 분포에 의존하며 온도 의존성이 덜합니다. 그러나 쉽게 이온화되는 원소의 경우 화염 온도가 증가하면 이온화로 인해 원자가 손실되어 흡수 및 형광 스펙트럼 강도에 부정적인 영향을 미칩니다.
또한 원자 분광학 전체의 경우 온도가 높을수록 원자의 속도가 증가하여 도플러 효과가 더 두드러집니다. 이로 인해 원자 스펙트럼 선이 넓어지고 피크 높이가 감소합니다.
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