Bu protokol, intrakortikal mikroelektrot cihazlarının gaz fazı birikimi ve sulu çözelti reaksiyonu ile yüzey modifikasyonu için taşıma araçları sağlar. Bu taşıma yöntemleri, uzun reaksiyon süreleri boyunca cihaz bütünlüğünü korur. İntrakortikal mikroelektrot cihazlarının kullanım yöntemleri genellikle açıklanmaz.
Bu teknik, yüzey işlemleri ve kaplamalar geliştirerek bu cihazların performansını artırmak için araştırma çabalarına fayda sağlayabilir. Başlamak için, yüzey işlemi için intrakortikal mikroelektrot cihazları veya fonksiyonel olmayan problar edinin. Malzeme testini kolaylaştırmak için, cihazların yanında işlem için substrat malzemesinin bir santimetre karelik örneklerini alın.
3D baskı veya parça 1A ve 1B elde edin. Parça 1A'ya çift taraflı bir poliimid bant takın. Ayrıca, 1B parçasına tek taraflı yapıştırıcılı 3,17 milimetre kalınlığında bir köpük şerit takın.
Ardından, cihazın konektör ambalajını parça 1A'daki banda yapıştırın. Delikleri hizalayarak ve paslanmaz çelik vidalar ve kanat somunları kullanarak sabitleyerek 1A ve 1B parçalarını birleştirin. 1A parçasının altındaki delikleri kullanarak fermuarlı bağlar kullanarak tertibatı vakum kurutucu tepsisine sabitleyin.
Kare malzeme örneklerini çerçevenin altındaki yarıklara yerleştirin. Çözeltiyi, güvenli tertibatın karşısında ve aynı hizada vakumlu kurutucudaki uygun bir kaba yerleştirin. Tam basıncı kaydetmek için kurutucuya bir vakum göstergesi yerleştirin.
Daha sonra, kurumuş kapağın portunu güvenli tertibatın yanına ve çözeltiye uygun olarak yerleştirin ve gaz fazı biriktirme işlemini tamamlayın. İlk olarak, cihazın elektrot dizisini çözelti içinde askıya almak için kuyu plakasının kapağına 19 x 10,5 milimetre boyutlarındaki dikdörtgen delikleri kesin. 3D baskı veya kılavuzları edinin.
Kılavuzlardaki dikdörtgen delikleri kapaktaki deliklere hizalayarak kılavuzdaki deliğin engellenmediğinden emin olun. Siyanoakrilat yapıştırıcı kullanarak kılavuzları kapağa sabitleyin. Ardından, istenen çözeltiyi işlemin gerçekleşeceği kuyucuklara doldurun.
Yüzey işlemini doğrulamak için, kare substrat numunelerini plakanın bir kuyucuğuna reaksiyon çözeltisine batırın. Prob cihazını monte etmek için, bant parçası 2B'yi bir tezgah üstüne yerleştirin. Parça 2C'nin tabanını örtmek için çift taraflı bir poliimid bant yerleştirin.
Ayrıca, parça 2D'nin tabanını örtmek için tek taraflı yapıştırıcılı 3,17 milimetrelik bir köpük bant yerleştirin. Ardından, parça 2C'yi parça 2B'nin oluğuna yerleştirin. Cihazın konektör ambalajını, cihaz sapının uzunluğu askıya alınacak şekilde yönlendirilmiş banda yapıştırın.
Parça 2D'yi parça 2C'ye kaydırarak cihazı sabitleyin. Montajın kenarlarını tutun ve parça 2B'den çıkarmak için dikkatlice kaldırın. 2C ve 2D parçaları üzerindeki dışa bakan yarım daireleri, montajı kuyu plakasının kapağına sığdırmak için parça 2A'daki ilgili kılavuzlarla hizalayın.
Kılavuzların üzerine 2E parçasını presle takarak güvenli montaj yerleşimi. Cihazları kuyu plakasına askıya aldıktan sonra, tertibatı bir çalkalayıcıya aktarın ve dakikada 100 dönüşün altındaki hızlarda çalıştırın. Birden fazla çözelti veya yıkama adımı gerektiren reaksiyonlar için, kapağı uygun kuyucukta istenen çözeltiyi içeren yeni bir kuyu plakasına dikkatlice aktarın.
Bu adımdan sonra, bant parçası 2B'yi bir tezgah üstüne yerleştirin. Cihazları kuyu plakasından çıkarmak için, 2E parçasını kapaktan çıkarın. Ardından, cihazı tutarak tertibatı dikkatlice çıkarın.
Düzeneği, parça 2C tezgah üstüne ve parça 2D yukarı bakacak şekilde yönlendirin. Cihazın sapını tezgah üstüne paralel olarak hizalayın. Montajın 2C parçasını parça 2B'ye yerleştirin.
Parça 2D'yi parça 2C'den ayırmak için tezgaha parça 2C'nin tırnaklarına hafif bir basınç uygulayın. Forseps kullanarak, cihazın konektör ambalajını banttan çıkarın ve cihazı bir saklama kabına aktarın. Michigan tarzı mikroelektrot dizilerinin silikon kare örneklerdeki yüzey işlemi bu protokol kullanılarak gösterilmiştir.
Gaz fazı biriktirme yöntemi, APTES kullanılarak amin fonksiyonelleştirmesi için uygulandı. Bunu takiben, manganez TBAP'yi hareketsiz hale getirmek için karbodiimid çapraz bağlama kimyası kullanıldı. Silikon numunelerden elde edilen biriktirme elipsomist ölçümlerinden sonra, 7 angstromun teorik tek katman kalınlığına kıyasla, ortalama 8.5 angstrom APTES tabaka kalınlığı üretti.
X-ışını foto-elektron spektroskopisi analizi, gaz fazı APTES işleminden sonra atomik azot ve karbon konsantrasyonlarının yüzdesinde bir artış olduğunu ve kimyasal birikintiye işaret ettiğini göstermiştir. Benzer şekilde, çözelti fazı immobilizasyonunu takiben manganez tespit edildi. Ayrıca, mikroelektrot dizilerinin elektriksel empedans spektroskopisi analizi için Bode grafiği, kaplama işleminden önceki ve sonraki empedans büyüklükleri arasında istatistiksel bir fark göstermedi.
Böylece, kaplama işlemleri kullanılarak elektrot dizisinin başarılı bir şekilde kaplanması gerçekleştirilmiştir. Bu protokol, cihaza zarar verme riskini en aza indirerek intrakortikal mikroelektrotların yüzey modifikasyonunu kolaylaştırır. Alandaki diğerleri metodolojiyi cihazlarına ve kimyasal prosedürlerine uyarlayabilir.
