Óhmico Contacto Fabricación Usando una técnica enfocada-ion Beam y Eléctrica Caracterización de Nanoestructuras capa semiconductora

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•

08:12 min

•

December 5th, 2015

DOI :

10.3791/53200-v

December 5th, 2015

•

Ruei-San Chen¹, Chih-Che Tang², Wei-Chu Shen², Ying-Sheng Huang²

¹Graduate Institute of Applied Science and Technology, National Taiwan University of Science and Technology, ²Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology

Resumen

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Ingenier a

n mero 106

de haz de iones enfocado FIB

el contacto hmico

semiconductores capa

diseleniuro molibdeno Mose 2

Disulfuro de molibdeno AdM 2

Conductividad el ctrica

la microscop a de fuerza at mica AFM

microscop a electr nica de transmisi n de alta resoluci n HRTEM

rea seleccionada difractometr a electrones DESA

la espectroscopia de rayos X de energ a dispersiva EDX

Capítulos en este video

0:05

Title

0:57

Exfoliation of MoSe₂ Layer Nanocrystals

2:01

Dispersion of the Layer Nanocrystals onto the Device Template

2:42

Electrode Fabrication by Focused-ion Beam

6:14

Results: Characteristics of Ohmic Contacts

7:33

Conclusion

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