Ohmic Contato Fabrication usando uma técnica Focused-ion Beam e caracterização elétrica para camada semicondutora Nanoestruturas

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08:12 min

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December 5th, 2015

DOI :

10.3791/53200-v

December 5th, 2015

•

Ruei-San Chen¹, Chih-Che Tang², Wei-Chu Shen², Ying-Sheng Huang²

¹Graduate Institute of Applied Science and Technology, National Taiwan University of Science and Technology, ²Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology

Resumo

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Engenharia

Edi o 106

feixe focalizado ion FIB

contato hmico

camada semicondutora

molibd nio disseleneto Mose 2

Dissulfeto de molibd nio MoS 2

Condutividade el trica

microscopia de for a at mica AFM

de alta resolu o microscopia eletr nica de transmiss o HRTEM

rea selecionada difra o de el trons SAED

espectroscopia de raios X de energia dispersiva EDX

Capítulos neste vídeo

0:05

Title

0:57

Exfoliation of MoSe₂ Layer Nanocrystals

2:01

Dispersion of the Layer Nanocrystals onto the Device Template

2:42

Electrode Fabrication by Focused-ion Beam

6:14

Results: Characteristics of Ohmic Contacts

7:33

Conclusion

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