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Fabbricazione di sensore di immagine flessibile basato su Francesca laterale fototransistori

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09:59 min

June 23rd, 2018

DOI :

10.3791/57502-v

June 23rd, 2018


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Ingegneria

Capitoli in questo video

0:05

Title

0:26

Si Doping and Isolation

2:12

Sacrificial Oxide Layer Deposition

2:59

Deposition of the First Layer of Polyimide and Performing the First Metallization

4:43

Deposition of the Second Layer of Polyimide and Performing the Second Metallization

5:12

Encapsulating the Sample with Polyimide and Opening via Holes and Mesh Structure

5:56

Etching the Sacrificial Layer and Transferring the Sample to a Flexible Substrate

7:39

Results: Current-Voltage Characteristics for the Phototransistor Array in the Curved State

8:45

Conclusion

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