간섭은 분석 신호 또는 배경을 증가시키거나 감소시켜 원자 흡수(AA) 측정에서 체계적인 오류를 유발합니다. 이러한 간섭은 스펙트럼 간섭, 화학적 간섭 및 물리적 간섭의 세 가지 주요 범주로 그룹화할 수 있습니다.

스펙트럼 간섭은 다른 원소 또는 분자의 신호가 분석물 신호와 겹치면서 분석물의 흡광도를 잘못 높이거나 가릴 때 발생합니다. 이 간섭은 제이만, 스미스-아예프체 또는 중수소 배경 보정 방법을 사용하여 보정할 수 있습니다.

제이만 보정 방법은 자기장을 사용하여 흡수선을 세 개의 편광 구성 요소로 분할합니다. 두 개의 σ(이동)와 하나의 π(이동되지 않음). 분석물과 배경 흡광도는 자기장을 번갈아가며 개별적으로 측정하여 복잡한 행렬의 정확도를 높입니다.

스미스-아예프체 교정법은 고전류에서 중공 음극 램프(HCL)를 펄싱하여 방출선이 넓어지고 자체 반전을 겪게 하며, 이때 중앙 분석 선이 감소합니다. 이로 인해 선의 양쪽에서 강한 방출이 발생하여 배경에 흡수됩니다. 흡광도는 정상 및 고전류 조건에서 측정하여 분석물과 배경 신호를 구별할 수 있습니다. 단일 광원만 필요하지만 이 방법의 감도는 감소하며, 특히 자체 반전이 불충분하거나 회복이 너무 느릴 때 그렇습니다.

중수(D2) 배경 교정법은 D2 램프를 광범위 스펙트럼 광원으로 사용하여 원자 흡광 분광법(AAS)에서 배경 흡수를 교정합니다. 회전 거울은 협대역 중공 음극 램프(HCL)와 광대역 D2 램프 사이를 번갈아 가며 움직입니다. D2 램프는 넓은 파장 범위에서 배경 흡광도를 측정하는 반면, HCL은 특정 파장에서 분석물과 배경 흡광도를 측정합니다. 두 신호의 차이는 분석물 흡광도를 분리합니다. 저렴하지만 고정밀 측정에는 정밀도가 부족합니다.

또한 고해상도 분광기는 겹치는 스펙트럼 선으로 인한 스펙트럼 간섭을 최소화할 수 있습니다. 때로는 분석 전에 용매로 분석물을 반복적으로 추출할 수 있습니다.

화학적 간섭은 원치 않는 매트릭스 구성 요소가 분석물과 상호 작용하여 분무 효율이 감소할 때 발생합니다. 방출제 또는 착화제와 같은 화학적 개질제를 표본에 추가하여 분무를 향상시키거나 간섭 화합물의 형성을 방지할 수 있습니다. 일반적인 화학적 간섭에는 이온화 및 내화성 화합물 형성으로 인한 간섭이 있습니다.

분석물과 동일한 온도에서 이온화되는 원소 또는 화합물은 이온화를 변경할 수 있습니다. 이온화는 더 쉽게 이온화되는 원소가 포함된 용액을 과잉 첨가하여 분석물의 이온화를 억제함으로써 억제할 수 있습니다.

또한 분석물과 표본 매트릭스의 다른 종 간의 화학 반응은 쉽게 분무되지 않는 비휘발성 화합물을 형성할 수 있습니다. 이는 흡수를 위한 자유 원자의 형성을 방해합니다. 이러한 간섭은 화학적 경쟁자를 추가하거나 매우 높은 온도를 사용하여 방지합니다.

교정 표준은 실제 표본과 유사한 표본 매트릭스로 준비할 수 있으며, 이는 매트릭스에서 발생하는 화학적 간섭을 보상하는 데 도움이 됩니다.

가스 유량 변화 또는 화염 온도 변화와 같은 비화학적 요인에서 발생하는 물리적 간섭은 분무 또는 분무 프로세스에 영향을 미칩니다. 이러한 간섭은 내부 표준을 사용하거나 표본을 희석하여 해결할 수 있습니다. 표본 매트릭스를 수정하고 유사한 매트릭스로 교정 표준을 준비하면 물리적 간섭을 더욱 줄일 수 있습니다