The authors would like to thank R&#252;diger Rosenkranz and Sven Niese (Fraunhofer IKTS-MD) for their assistance in sample preparation, and Ude Hangen, Douglas Stauffer, Ryan Major and Oden Warren (Hysitron Inc.) for their technical support on the PI95 TEM holder. The support of the Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and the Dresden Center for Nanoanalysis (DCN) at Technische Universit&#228;t Dresden is acknowledged as well.

1. Preparação da amostra para a Focused Ion Beam (FIB) Emagrecimento (Figura 1) <ol><li> Clivar o wafer completo em pequenos chips (~ 10 milímetros por 10 milímetros) com um escriba diamante. </li><li> Marque a posição da estrutura de &quot;ponta-a-ponta&quot; sobre os chips. </li><li> Viu o chip com uma máquina de corte em cubos para obter barras de 60 mm por 2 mm de tamanho. O bar inclui a estrutura &quot;ponta-a-ponta&quot; no centro. </li><li> Cole o bar alvo em um meio anel Cu usando o super-cola. Em seguida, cole o bar em um estágio da amostra Cu também usando o super-cola. Então, o uso de prata colar para definir a condução entre a metade e o anel de fase de amostra de cobre. Nota: Ao manusear a amostra, certifique-se de usar sempre uma pulseira antiestática para evitar descargas eletrostáticas, que podem danificar a estrutura sensível na amostra. </li></ol> 2. FIB Emagrecimento no Microscópio Eletrônico de Varredura (Figura 2) <ol><li> Colocar a amostra obtida no passo 1 numan SEM estágio da amostra e colocar o palco com cuidado no SEM. </li><li> Escolheu o modo de deposição, e configurar as dimensões (área e espessura) da camada precisava de proteção Pt. Sempre use um feixe de íons de 30 kV para manter a mais alta precisão. Ajustar a corrente para obter a eficiência satisfeito, dependente das dimensões da camada de Pt necessário. <ol><li> Depositar uma linha Pt entrar em contato com um bloco para a fase de Cu (potencial de terra). Subsequentemente, depositar uma camada de Pt de espessura na parte superior da estrutura de &quot;ponta-a-ponta&quot;, o que é muito importante para minimizar os danos iónica durante o processo de desbaste FIB e para reforçar a lamela fina. Este é um procedimento padrão utilizado na preparação de FIB. </li><li> Tome cuidado para não introduzir quaisquer caminhos condutores entre os dois blocos no topo da estrutura de &quot;ponta-a-ponta&quot; através da camada de Pt ao realizar a deposição de Pt. Qualquer caminho condutor será curto circuito elétrico (Figura 2 A e B). </li></ol></li><li> FIB moagem <ol><li> Use uma tensão de 30 kV e corrente de 10 pA para o corte final. Diluir o alvo em um bar TEM lamela H-bar com uma espessura entre 150 e 180 nm. </li><li> Corte um entalhe perto da almofada (V + pad) que será tocado por um transdutor na ponta TEM. Utilizar o entalhe como um marcador para identificar a almofada correcta no MET. </li></ol></li></ol> 3. Amostra de transferência do SEM ao TEM <ol><li> Coloque a pulseira anti-estática antes de tocar na amostra. </li><li> Desmontar a amostra H-bar preparado a partir da fase de SEM. Manter a amostra no palco Cu quando removê-lo do SEM. </li><li> Fixe a fase Cu no suporte do TEM. Mover a ponta do transdutor do suporte de MET perto da estrutura de teste (algumas centenas de micrómetros de distância a partir da estrutura de teste) sob o microscópio óptico. <ol><li> Insira o suporte da TEM na TEM cuidadosamente. Não utilizar qualquer tratamento de limpeza (por exemplo, limpeza de plasma) durante o transfer processo, caso contrário, a lamela pode ser influenciado. </li></ol></li><li> Mantenha o tempo para a transferência da amostra em 15 minutos ou menos para evitar o excesso de exposição à humidade ambiente e oxigênio. </li></ol> 4. Estabelecer a ligação eléctrica (Figura 3) <ol><li> Conecte o suporte do TEM para seu sistema de controle eo SourceMeter. Em seguida, ligar o sistema de controle eo SourceMeter. </li><li> Monitorar a ponta do transdutor na TEM ao fazer a abordagem grosseira da ponta do transdutor para a estrutura de teste por meio do ajuste dos botões no suporte do TEM. <ol><li> Mova a ponta do transdutor do titular do TEM perto do bloco V + (≤ 500 nm). Coloque a extremidade do transdutor para o mesmo nível (Z: altura) como o pad. Ajustar a posição da ponta e fazer a ponta voltado para o centro da almofada de V +. </li></ol></li><li> Contacte a ponta do transdutor para o bloco V +. Definir uma tensão muito baixa na ponta (0,5 V a cerca de 1 V) quando se aproxima o pad. Monitorar o simultáneo atualusly para garantir que o contato é estabelecido. </li></ol> 5. Experimento In Situ TDDB <ol><li> Utilize uma tensão de aceleração de 200 kV no MET. Mova o feixe de elétrons para a área de interesse; escolher uma ampliação adequada e focar a imagem. </li><li> Use passos de iluminação baixos (≤ 8) para reduzir os danos na estrutura de feixe de teste. Use uma abertura do condensador para localizar a área de iluminação apenas dentro da parte fina da amostra H-bar. </li><li> Aplicar uma tensão constante (≤ 40 V) sobre a estrutura &quot;ponta-a-ponta&quot; usando o SourceMeter enquanto grava as imagens em MET in situ (2-3 frames / seg). Grave as imagens automaticamente, utilizando um código de auto-scripted, por exemplo, utilizando o software DigitalMicrograph. </li><li> Pause o experimento ao ver uma difusão aparente de metal em os dielétricos ULK e fazer a análise química Electron espectroscópica Imagem (ESI). <ol><li> Insira a abertura de fenda filtro no Omegum filtro de energia no MET. </li><li> Ajustar a largura da abertura de lama do filtro para obter uma largura adequada da energia (20/10 eV) no espectro de perda de energia dos electrões (EELS). </li><li> Deslocar a energia para o pico de adsorção de cobre M-borda nas EELS. </li><li> Volte para o modo de imagem para adquirir uma imagem TEM energia filtrada no Cu M-borda de absorção de pico. </li><li> Deslocar a energia para o pré-borda do M-borda de cobre e obter uma outra imagem TEM energia filtrada. </li><li> Corrigir a deriva da amostra entre as duas imagens. </li><li> Divida a primeira imagem por um segundo para obter a imagem relação salto de Cu. </li></ol></li><li> Continuar o experimento TDDB: reaplicar uma tensão constante (≤ 40 V) sobre a estrutura &quot;ponta-a-ponta&quot; usando o SourceMeter e gravar as imagens em MET. </li></ol> 6. Tomografia Computadorizada <ol><li> Execute TEM tomografia computadorizada quando o experimento TDDB for concluída, para obter informações sobre a distribuição 3D diffused partículas. </li><li> Incline a amostra e gravar uma série de inclinação de 138 °. Use um passo de inclinação de 1 °, e gravar a imagem em cada passo no modo STEM campo claro (BF). </li><li> Reconstruir a série (inclui o alinhamento de imagens, determinando eixo de inclinação, reconstruindo volume e segmentação para formar o volume tomografia 3D). </li></ol>

<ol>
	<li>Edelstein, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Full+Copper+Wiring+in+a+Sub-0.25+&#181;m+CMOS+ULSI+Technology.">Full Copper Wiring in a Sub-0.25 &#181;m CMOS ULSI Technology.</a> IEDM Tech. Dig. , 773-776 (1997).</li><li>List, S., Bamal, M., Stucchi, M., Maex, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+global+view+of+interconnects.">A global view of interconnects.</a> Microelectron. Eng. 83 (11/12), 2200-2207 (2006).</li><li>Meindl, J. D., Davis, J. A., Zarkesh-Ha, P., Patel, C. S., Martin, K. P., Kohl, P. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Interconnect+opportunities+for+gigascale+integration.">Interconnect opportunities for gigascale integration.</a> IBM J. Res. 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Lett. 82 (13), 2032 (2003).</li><li>Zschech, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Stress-induced+phenomena+in+nanosized+copper+interconnect+structures+studied+by+x-ray+and+electron+microscopy.">Stress-induced phenomena in nanosized copper interconnect structures studied by x-ray and electron microscopy.</a> J. Appl. Phys. 106 (9), 093711 (2009).</li><li>Tan, T. L., Hwang, N., Gan, C. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dielectric+Breakdown+Failure+Mechanisms+in+Cu-SiOC+low-k+interconnect+system.">Dielectric Breakdown Failure Mechanisms in Cu-SiOC low-k interconnect system.</a> IEEE Trans. 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R., Liniger, E., Shaw, T. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Simple+model+for+time-dependent+dielectric+breakdown+in+inter-+and+intralevel+low-k+dielectrics.">Simple model for time-dependent dielectric breakdown in inter- and intralevel low-k dielectrics.</a> J. Appl. Phys. 98 (8), 084109 (2005).</li><li>Chen, F., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+Comprehensive+Study+of+Low-k+SiCOH+TDDB+Phenomena+and+Its+Reliability+Lifetime+Model+Development.">A Comprehensive Study of Low-k SiCOH TDDB Phenomena and Its Reliability Lifetime Model Development.</a> , 46-53 (2006).</li><li>Wu, W., Duan, X., Yuan, J. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Modeling+of+Time-Dependent+Dielectric+Breakdown+in+Copper+Metallization).">Modeling of Time-Dependent Dielectric Breakdown in Copper Metallization).</a> IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 3 (2), 26-30 (2003).</li><li>Achanta, R. S., Plawsky, J. L., Gill, W. N. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+time+dependent+dielectric+breakdown+model+for+field+accelerated+low-k+breakdown+due+to+copper+ions.">A time dependent dielectric breakdown model for field accelerated low-k breakdown due to copper ions.</a> Appl. Phys. Lett. 91 (23), 234106 (2007).</li><li>Chen, F., Shinosky, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Soft+breakdown+characteristics+of+ultralow-k+time-dependent+dielectric+breakdown+for+advanced+complementary+metal-oxide+semiconductor+technologies.">Soft breakdown characteristics of ultralow-k time-dependent dielectric breakdown for advanced complementary metal-oxide semiconductor technologies.</a> J. Appl. Phys. 108 (5), 054107 (2010).</li><li>Yeap, K. B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=An+Experimental+Methodology+for+the+In-Situ+Observation+of+the+Time-Dependent+Dielectric+Breakdown+Mechanism+in+Copper/Low-k+On-Chip+Interconnect+Structures.">An Experimental Methodology for the In-Situ Observation of the Time-Dependent Dielectric Breakdown Mechanism in Copper/Low-k On-Chip Interconnect Structures.</a> , (2013).</li><li>Yeap, K. B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=In+situ+study+on+low-k+interconnect+time-dependent-dielectric-breakdown+mechanisms).">In situ study on low-k interconnect time-dependent-dielectric-breakdown mechanisms).</a> J. Appl. Phys. 115 (12), 124101 (2014).</li><li>Liao, Z. Q., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=In-situ+Study+of+the+TDDB-Induced+Damage+Mechanism+in+Cu/Ultra-low-k+Interconnect+Structures.">In-situ Study of the TDDB-Induced Damage Mechanism in Cu/Ultra-low-k Interconnect Structures.</a> Microelectron. Eng. In Press, (2014).</li><li>Liao, Z. Q., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+New+In+Situ+Microscopy+Approach+to+Study+the+Degradation+and+Failure+Mechanisms+of+Time-Dependent+Dielectric+Breakdown:+Set-Up+and+Opportunities.">A New In Situ Microscopy Approach to Study the Degradation and Failure Mechanisms of Time-Dependent Dielectric Breakdown: Set-Up and Opportunities.</a> Adv. Eng. Mater. 16 (5), 486-493 (2014).</li><li>Lee, Z., Meyer, J. C., Rose, H., Kaiser, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optimum+HRTEM+image+contrast+at+20+kV+and+80+kV-Exemplified+by+graphene.">Optimum HRTEM image contrast at 20 kV and 80 kV-Exemplified by graphene.</a> Ultramicroscopy. 112 (1), 39-46 (2012).</li><li>Bell, D. C., Russo, C. J., Kolmykov, D. V. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=40+keV+atomic+resolution+TEM.">40 keV atomic resolution TEM.</a> Ultramicroscopy. 114, 31-37 (2012).</li><li>Kaiser, U., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Transmission+electron+microscopy+at+20+kV+for+imaging+and+spectroscopy.">Transmission electron microscopy at 20 kV for imaging and spectroscopy.</a> Ultramicroscopy. 111 (8), 1239-1246 (2011).</li><li>Egerton, R. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Control+of+radiation+damage+in+the+TEM.">Control of radiation damage in the TEM.</a> Ultramicroscopy. 127, 100-108 (2013).</li><li>Jiang, N. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Damage+mechanisms+in+electron+microscopy+of+insulating+materials.">Damage mechanisms in electron microscopy of insulating materials.</a> J. Phys. D: Appl. Phys. 46, 305502 (2013).</li><li>Buban, J. P., Ramasse, Q., Gipson, B., Browning, N. D., Stahlberg, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-resolution+low-dose+scanning+transmission+electron+microscopy.">High-resolution low-dose scanning transmission electron microscopy.</a> J. Electron Microsc. 59 (2), 103-112 (2010).</li><li>Egerton, R. F., Li, P., Malac, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Radiation+damage+in+the+TEM+and+SEM.">Radiation damage in the TEM and SEM.</a> Micron. 35 (6), 399-409 (2004).</li></ol>

No competing financial interests.

O pré-requisito para o sucesso da experiência TDDB é boa preparação de amostras, especialmente no processo de moagem FIB no SEM. Em primeiro lugar, uma camada de Pt de espessura na parte superior da estrutura de &quot;ponta-a-ponta&quot; tem de ser depositada. A espessura e o tamanho da camada de Pt pode ser ajustada pelo operador de SEM, mas tem que seguir três princípios: (1) A espessura e o tamanho é suficiente para proteger a área alvo de possíveis danos do feixe de iões ao longo de todo o processo de moa...

Desde interconexões Cu foram primeiramente introduzido na tecnologia de integração ultra-large-scale (ULSI) em 1997 1, low-k e ultra-low-k (ULK) dielétricos foram adotadas no back-end-of-line (BEOL) como os materiais isolantes entre interconexões on-chip. A combinação de novos materiais, por exemplo, Cu para redução da resistência e de baixo k / ULK dielétricos de baixa capacitância, supera os efeitos do aumento da resistência-capacitância (RC) atraso causado por interconectam dimensional encolhimento 2, 3. No entanto, esse benefício foi invadido pela escala agressiva contínua de dispositivos microeletrônicos nos últimos anos. O uso de low-k / ULK materiais resulta em vários desafios no processo de fabricação e para a confiabilidade do produto, especialmente se o campo de interconexão atinge cerca de 100 nm ou menos 4-6. TDDB refere-se ao mecanismo de um material dieléctrico falha física como uma função de temposob um campo eléctrico. O teste de fiabilidade TDDB é normalmente levada a cabo sob condições aceleradas (campo eléctrico elevada e / ou temperatura elevada). O TDDB em on-chip stacks interconexão é um dos mecanismos de falha mais críticos para os dispositivos microeletrônicos, que já suscitou preocupações intensas na comunidade confiabilidade. Ele continuará a ser o centro das atenções de engenheiros de confiabilidade desde dielétricos ULK com propriedades elétricas e mecânicas mesmo mais fracos estão sendo integrados nos dispositivos nos nós de tecnologia avançada. Dedicado experiências foram realizadas para investigar o mecanismo de falha TDDB 7-9, e uma quantidade significativa de esforço tem sido investido para desenvolver modelos que descrevem a relação entre o campo eléctrico e tempo de vida dos dispositivos 10-13. Os estudos existentes beneficiar a comunidade de engenheiros de confiabilidade em microeletrônica; no entanto, muitos challenges ainda existem e muitas questões ainda precisam ser respondidas em detalhes. Por exemplo, os modelos comprovados para descrever o mecanismo de falha e degradação física cinética no processo TDDB ea respectiva verificação experimental ainda estão faltando. Como uma necessidade particular, um modelo mais apropriado é necessário para substituir o modelo conservador √E-14. Como uma parte muito importante da investigação TDDB, análise de falhas típico está enfrentando um desafio sem precedentes, ou seja, fornecendo evidências abrangente e difícil de explicar a física dos mecanismos de falha e cinética de degradação. Aparentemente, inspeccionando milhões de metros vias e de linhas de Cu nanoescala um por um e ex situ imagiologia do site de falha não é a escolha apropriada de obstáculo a este desafio, porque é muito demorado, e informação limitada sobre a cinética do mecanismo de dano pode ser fornecida. Por isso, uma tarefa urgente surgiu para desenvolver umnd para otimizar experiências e para obter uma melhor procedimento para estudar os mecanismos de falha TDDB e cinética de degradação. Neste artigo, vamos demonstrar uma metodologia experimental em situ para investigar o mecanismo de falha TDDB em Cu / ULK pilhas de interconexão. Um TEM com a capacidade de imagem de alta qualidade e análise química é usado para estudar o processo de cinética em estruturas de teste dedicados. O teste em eléctrica situ é integrado no experimento MET para proporcionar um campo eléctrico elevado para os dieléctricos. A estrutura personalizado &quot;ponta-a-ponta&quot;, consistindo de interconexões Cu totalmente encapsulados e isolados por um material ULK, é projetado no nó de 32 nm CMOS tecnologia. O procedimento experimental descrito aqui pode também ser estendido a outras estruturas em dispositivos activos.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Automatic Dicing Saw</td>
			<td>DISCO Kiru-Kezuru-Migaku Technologies</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Scanning Electron Microscope</td>
			<td>Zeiss</td>
			<td>Zeiss Nvision 40</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Picoindentor</td>
			<td>Hysitron</td>
			<td>Hysitron Pi95</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Keithley SourceMeter</td>
			<td>Keithley</td>
			<td>Keithley 2602/237</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Transmission Electron Microscope</td>
			<td>FEI</td>
			<td>FEI Tecnai F20</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Transmission Electron Microscope</td>
			<td>Zeiss</td>
			<td>Zeiss Libra 200</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

in situ time-dependent dielectric breakdown in the transmission electron microscope: a possibility to understand the failure mechanism in microelectronic devices

The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. The aggressive scaling of feature sizes, both on devices and interconnects, leads to serious challenges to ensure the required product reliability. Standard reliability tests and post-mortem failure analysis provide only limited information about the physics of failure mechanisms and degradation kinetics. Therefore it is necessary to develop new experimental approaches and procedures to study the TDDB failure mechanisms and degradation kinetics in particular. In this paper, an in situ experimental methodology in the transmission electron microscope (TEM) is demonstrated to investigate the TDDB degradation and failure mechanisms in Cu/ULK interconnect stacks. High quality imaging and chemical analysis are used to study the kinetic process. The in situ electrical test is integrated into the TEM to provide an elevated electrical field to the dielectrics. Electron tomography is utilized to characterize the directed Cu diffusion in the insulating dielectrics. This experimental procedure opens a possibility to study the failure mechanism in interconnect stacks of microelectronic products, and it could also be extended to other structures in active devices.

A Figura 4 mostra brilhante campo (BF) imagens de TEM de um teste em situ. Não são parcialmente violado TaN / barreiras Ta e átomos Cu pré-existentes nos dielétricos ULK antes do teste elétrico (Figura 4A), devido a armazenamento prolongado no ambiente. Depois de apenas 376 segundos a 40 V, a ruptura dielétrica começou e foi acompanhada de duas grandes vias migratórias de cobre de metal M1, com um potencial positivo com referência a lado no chão 15-16. As ...

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In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown in the Transmission Electron Microscope: A Possibility to Understand the Failure Mechanism in Microelectronic Devices

The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. This paper demonstrates the procedure of an in situ TDDB experiment in the transmission electron microscope, which opens a possibility to study the failure mechanism in microelectronic products.

Em ruptura dielétrica Situ dependentes do tempo no Microscópio Eletrônico de Transmissão: A possibilidade de compreender o mecanismo de falha em dispositivos microeletrônicos

The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. ...

in-situ-time-dependent-dielectric-breakdown-transmission-electron

Research

JoVE Journal

Engineering

In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown in the Transmission Electron Microscope: A Possibility to Understand the Failure Mechanism in Microelectronic Devices

8.6K visualizações.  Fraunhofer Institute for Ceramic Technologies and Systems. The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. This paper demonstrates the procedure of an in situ TDDB experiment in the transmission electron microscope, which opens a possibility to study the failure mechanism in microelectronic products. 

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