Die Autoren Ivo W. Rangelow und Thomas Sattel danken dem Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und dem Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK) für die Unterstützung von Teilen der vorgestellten Methoden durch die Förderung der Projekte FKZ:13N16580 "Aktive Sonden mit Diamantspitze für Quantenmetrologie und Nanofabrikation" im Rahmen der Forschungslinie KMU-innovativ: Photonik und Quantentechnologien und KK5007912DF1 "Conjungate Nano-Positioner-Scanner für schnelle und große messtechnische Aufgaben in der Rasterkraftmikroskopie" im Rahmen der Förderlinie Zentrales Innovationsprogramm Mittelstand (ZIM). Ein Teil der hier vorgestellten Arbeiten wurde durch das Siebte Rahmenprogramm der Europäischen Union FP7/2007-2013 im Rahmen der Finanzhilfevereinbarung Nr. 318804 "Single Nanometre Manufacturing: Beyond CMOS" finanziert. Die Autoren Ivo W. Rangelow und Eberhard Manske bedanken sich für die Unterstützung durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) im Rahmen des Graduiertenkollegs "Spitzen- und laserbasierte 3D-Nanofabrikation in erweiterten makroskopischen Arbeitsbereichen" (GRK 2182) an der Technischen Universität Ilmenau.

1. Probenvorbereitung für die Inspektion im großen Maßstab
<ol><li>Bereiten Sie die Probe mit einer geeigneten Größe für das AFM vor (siehe Materialtabelle). HINWEIS: Waferförmige Proben mit einem Durchmesser in der Ebene von 75 mm bis 300 mm und einer erwarteten Höhenabweichung außerhalb der Ebene von weniger als 200 μm passen auf den AFM-Probentisch. In dieser Studie wird eine extrem ultraviolette (EUV) Maske auf einem 4-Zoll-Wafer verwendet (siehe Materialtabelle).</li>
	<li>Reinigen Sie die Probe, um Verunreinigungen zu entfernen, und bewahren Sie die Proben in einem Reinraum oder einer staubarmen Umgebung auf, z. B. in einer Vakuumkammer oder einem stickstoffgespülten Schrank.<ol><li>Entfernen Sie große Staubpartikel, indem Sie die Probe mit einer Spritzpistole für komprimierten Stickstoff ausblasen oder mit deionisiertem Wasser abspülen, wenn die Probe nicht mit Wasser reagiert. Um eine Beschädigung der Probe zu vermeiden, verwenden Sie eine kleine Durchflussrate von weniger als 0,1 m3/min.</li>
		<li>Wenden Sie optional eine Plasmareinigung an, um organische Verunreinigungen zu entfernen. Geben Sie die Probe in die Plasmabehandlungsmaschine. Schließen Sie die Kammer und pumpen Sie den Druck auf 600 mTorr herunter. Die Probe wird zur Reinigung 30 s lang dem Plasma ausgesetzt. HINWEIS: Schritt 1.3.2 ist optional für die Entfernung von Verunreinigungen. In dieser Studie wurden die Herstellung und Charakterisierung in einem Reinraum durchgeführt, so dass dieser Schritt nicht erforderlich war.</li>
	</ol></li>
	<li>Identifizieren Sie geeignete Bildgebungsstrategien, einschließlich Interessenbereiche, Scanbereich, räumliche Auflösung / Pixelauflösung und Scanliniengeschwindigkeit.<ol><li>Bestimmen Sie, ob die Probe ein Gesamtpanorama oder eine automatische Bildgebung mehrerer kleinerer ausgewählter Bereiche benötigt. HINWEIS: Bei nanofabrizierten Proben mit gewünschten Strukturen ist es oft einfacher, die Schlüsselbereiche zu bestimmen, die für Inspektionszwecke anfälliger für Defekte sind. Bei anderen Proben kann es einfacher sein, ein Bild mit niedriger räumlicher Auflösung aufzunehmen, um einen schnellen Überblick zu erhalten, und dann in den kleineren Interessenbereich zu zoomen, um eine Bildgebung mit hoher räumlicher Auflösung zu erhalten.</li>
		<li>Schätzen Sie die Größe der Features basierend auf den Vorkenntnissen der Stichprobe, um die gewünschte räumliche Auflösung zum Auflösen dieser Features zu bestimmen.</li>
		<li>Verwenden Sie das Verhältnis von Bildbereich und räumlicher Auflösung, um die Pixelauflösung zu bestimmen.</li>
		<li>Wählen Sie eine anfängliche Scanliniengeschwindigkeit basierend auf früheren Erfahrungen mit der Probe oder verwenden Sie später die AFM-Systemsoftware, basierend auf dem Probenmaterial, der Sondendynamik und der gewünschten räumlichen Auflösung.</li>
	</ol></li>
</ol>2. Kalibrierung des AFM-Instruments und Versuchsaufbau
<ol><li>Wählen Sie das entsprechende aktive AFM-Cantilever-Array aus. HINWEIS: Die Steifigkeit des aktiven AFM-Cantilevers, die erste Resonanzfrequenz und die ungenutzte Schärfe der Sondenspitze für jeden Cantilever im Sondenarray werden aus der Produktion charakterisiert. Die Daten können vom Hersteller abgerufen und vor der Bildgebung automatisch in die Software geladen werden. Die Auswahl des geeigneten Cantilevers, der von der Software auf der Grundlage des Probenmaterials oder der Anwendung empfohlen wird, ist hilfreich, um eine erfolgreiche Bildgebung zu gewährleisten. Aufgrund der Variabilität der Fertigung können die Eigenschaften jedes Auslegers unterschiedlich sein, aber auf einem ähnlichen Niveau.</li>
	<li>Schalten Sie das AFM ein, indem Sie die Hauptstromversorgung des Controllers einschalten, und warten Sie, bis das System initialisiert ist. Schalten Sie den Host-Computer ein und öffnen Sie die AFM-Systemsoftware.</li>
	<li>Führen Sie die Installation einer aktiven Cantilever-Sonde durch.<ol><li>Heben Sie den Sondenscanner an, indem Sie auf die aktive Cantilever-Installation klicken. Warten Sie, bis der Sondenhalter vom Probentisch angehoben und automatisch gestoppt wird.</li>
		<li>Montieren und befestigen Sie das AFM-Cantilever-Sondenarray auf dem Sondenhalter. HINWEIS: Die AFM-Cantilever-Arrays sind an einem Nano-SD-Kartenhalter befestigt und können für die Sondeninstallation direkt von Hand gehandhabt werden. Aufgrund des grundlegenden Unterschieds in den Sensor- und Betätigungsprinzipien ist es nicht erforderlich, eine Laserausrichtung durchzuführen.</li>
		<li>Klicken Sie auf die automatischen Einstellungen der Sonde und laden Sie die vom Hersteller bereitgestellten Sondeninformationen (siehe Materialtabelle). Stellen Sie sicher, dass die Seriennummer auf der Sonde und in der Software übereinstimmt.</li>
		<li>Führen Sie einen Sondenfrequenz-Sweep durch, um die Resonanz jedes Cantilevers für die Bildgebung zu überprüfen. Klicken Sie auf Cantilever Tuning und klicken Sie im Pop-up-Fenster auf Sweep . Geben Sie die Startfrequenz und die Endfrequenz an, wenn der Bereich bekannt ist. Ist dies nicht der Fall, aktualisiert die Software die Werte automatisch mit den Standardeinstellungen. HINWEIS: Dieser Schritt ist im Prinzip optional für neue Sonden, da sie nach der Produktion kalibriert wurden. Bei Sonden, die zuvor verwendet wurden, wird jedoch empfohlen, diesen Sweep nur für den Fall durchzuführen, dass sich die Eigenschaften während des vorherigen Betriebs geändert haben (z. B. Anhaftung von Schmutzpartikeln, die die Cantilever-Resonanz verschieben). Durch die thermomechanische Betätigung ist die Heizleistung proportional zum Quadrat der Ansteuerspannung. Für den berührungslosen Betrieb wird aufgrund der Rechteckbeziehung in Gleichung 2 eine zweite Harmonische der Sinuswellenkomponente der Eingangsspannung erzeugt. Diese zweite Harmonische wird in der Regel während der Anregung mit der Cantilever-Resonanz abgeglichen, da das Gleichstrom-Offset-Signal (DC) seine Amplitude nicht beeinflusst. Daher steuern die DC-Komponenten die durchschnittliche Cantilever-Auslenkung, und die Wechselstromkomponente (AC) des Antriebssignals wird für die Bildgebung automatisch auf die Hälfte der Cantilever-Resonanzfrequenz eingestellt.</li>
	</ol></li>
	<li>Laden Sie die Probe und sichern Sie sie an Ort und Stelle. Stellen Sie sicher, dass die Bodenfläche, die mit der Probe in Berührung kommt, parallel zur Oberseite mit den abzubildenden Merkmalen verläuft. Feinabstimmung der Neigung des Probentisches mit den Mikrometerknöpfen, um sicherzustellen, dass die Probe flach ist. Fügen Sie Abstandshalter hinzu, wenn die Neigung zu groß ist, um von den Feineinstellungspositionierern ausgeglichen zu werden.</li>
	<li>Passen Sie die XY-Position der Probe in der Ebene mit dem Mikrometer auf dem AFM-Tisch an. Verwenden Sie ein optisches Mikroskopbild, um den interessierenden Bereich zu lokalisieren, und positionieren Sie die relative Position des Cantilever-Arrays auf dem ersten zu fotografierenden Bereich.</li>
	<li>Legen Sie eine globale Koordinate fest, indem Sie auf die Schaltfläche XYZ-Null klicken. HINWEIS: Für die Erstellung eines Panoramabildes kann dieser Schritt grob mit der Lichtmikroskopansicht durchgeführt werden. Bei der Abbildung ausgewählter Bereiche einer nanofabrizierten Probe kann es erforderlich sein, die XYZ-Koordinate der Fertigungsanlage genau mit der AFM-Koordinate auszurichten. Dieser Schritt kann präziser durchgeführt werden, indem Sie die AFM-Bildgebung durchführen und erneut auf die Schaltfläche XYZ Zero klicken.</li>
	<li>Schließen und versiegeln Sie die akustische Abschirmung. HINWEIS: Die akustische Abschirmung trägt dazu bei, die Schwingungsausbreitung durch die Luft zu reduzieren. Darüber hinaus kann die versiegelte Abdeckung auch die Wahrscheinlichkeit verringern, dass Staubpartikel auf der Probe landen, da die großflächige Bildgebung viel Zeit in Anspruch nehmen kann. Diese Schutzabdeckung kann optional in einer Reinraumumgebung ohne Schwingungsquellen eingesetzt werden.</li>
</ol>3. Topographie-Bildgebung und Parameterabstimmung
<ol><li>Wählen Sie den Reiter Imaging-Parameter einrichten (aktive Cantilever-Eigenmode, Scangeschwindigkeit, Sollwert usw.) und geben Sie die gewünschten Bildparameter ein.<ol><li>Geben Sie für ein einzelnes Panoramabild die Koordinate der oberen linken Ecke des Bildes und die Scangröße ein. Wenn Sie mehrere ausgewählte Regionen automatisch bebildern möchten, wiederholen Sie diesen Vorgang für alle zu bebildernden Regionen. Fügen Sie zusätzliche Polsterung um den Bildbereich herum hinzu, um das Bild-Stitching nachzubearbeiten. HINWEIS: Für die vorliegende Studie wurde die obere linke Ecke der EUV-Maske mit vordefinierten Merkmalen versehen, und das System wurde so konfiguriert, dass vier Bilder mit 130 μm x 130 μm gleichzeitig mit jedem Cantilever aufgenommen wurden.</li>
		<li>Geben Sie die gewünschte Pixelauflösung in der Ebene ein (in der Regel Tausende von Pixeln pro Scanzeile) und verwenden Sie die standardmäßige empfohlene Zeilenscangeschwindigkeit aus der Software für die Bildverarbeitung. Passen Sie bei Bedarf die Zeilenscangeschwindigkeit für jeden abzubildenden Bereich manuell an. HINWEIS: In dieser Studie wurde eine Pixelauflösung von 26.000 Pixeln pro Zeile, entsprechend 5 nm pro Pixel, verwendet, um hochauflösende Bilder zu erhalten.</li>
		<li>Verwenden Sie für den berührungslosen Modus die Standard-Treiberamplitude, -frequenz und den Standard-Sollwert in der Software, die Sie aus den Cantilever-Eigenschaften erhalten, oder geben Sie den Sollwert für jeden Cantilever auf dem Array manuell ein. Behalten Sie die Einstellungen des PID-Reglers als Standard bei.</li>
	</ol></li>
	<li>Verbinden Sie das aktive Cantilever-Sonden-Array mit der Probe.<ol><li>Klicken Sie auf Cantilever initialisieren , um den Cantilever vor der Bildgebung vorzubiegen.</li>
		<li>Klicken Sie auf Start Non-Resist Drive, um die Cantilever-Resonanz anzuregen.</li>
		<li>Klicken Sie auf Engage , damit das System die Probe und die Sonde automatisch in Kontakt bringt. Nach Abschluss dieses Schritts wird die Bildgebung automatisch gestartet.</li>
	</ol></li>
	<li>Passen Sie die Parameter des PID-Reglers für jeden Cantilever basierend auf der gescannten Leiterbahn/dem gescannten Bild an. Passen Sie die PID-Parameter an, um die Übereinstimmung zwischen den Trace- und Retrace-Linien zu verbessern, wodurch die Topographieänderungen besser erfasst werden können. Auch die Bildgeschwindigkeit kann entsprechend angepasst werden, um die Topographie-Tracking-Leistung zu verbessern.</li>
	<li>Speichern Sie die aktuellen Daten auf dem Bildschirm, indem Sie auf die Schaltfläche Speichern klicken. Die Daten werden auch während des Scans am Ende jedes Frames automatisch gespeichert.</li>
	<li>Beenden Sie die Bildgebung, indem Sie auf die Schaltfläche Stopp klicken. Das System stoppt die Bildgebung und zieht das Cantilever-Array automatisch von der Probe zurück. Der Kragarmantrieb wird ebenfalls gestoppt, so dass die Sonde sicher deinstalliert werden kann.</li>
	<li>Entfernen Sie die Sonde und die Probe vorsichtig und schalten Sie das System aus.</li>
</ol>4. Nachbearbeitung und Bildanalyse
<ol><li>Öffnen Sie die AFM-Bildanalysesoftware des Herstellers.<ol><li>Klicken Sie auf Automatische Verarbeitung , um die Standard-Nachbearbeitungssequenz anzuwenden, einschließlich der Korrektur der Neigung der Probe, der Entfernung von Ausreißern auf Pixelebene und des Scanlinienabgleichs.</li>
		<li>Wenden Sie weitere Korrekturen auf Bildfehler manuell aus der Beobachtung der Bilder an. Bei fortschrittlichen AFM-Instrumenten sind solche Defekte selten, aber die Bilder können mit diesen Schritten dennoch verbessert werden. HINWEIS: Bei großen Mengen von Bildern ist es möglich, den Prozess mithilfe von Makro- oder Python-Skripten durch Stapelverarbeitung mit demselben Vorgang zu automatisieren. Dies war für die vorliegende Studie nicht erforderlich.</li>
	</ol></li>
	<li>Verwenden Sie die Software, um ein Panoramabild zu erstellen, indem Sie auf die Schaltfläche Panoramabild klicken und mehrere Bilder auswählen, die zusammengefügt werden sollen. HINWEIS: Das Zusammenfügen von Bildern erfolgt automatisch, indem der überlappende Bereich der angrenzenden Bilder direkt ausgenutzt wird. Alternativ wird beim Zusammenführen von Bildern versucht, die Korrelation der überlappenden Pixel an den Kanten zu maximieren. In diesen Befehlen stehen verschiedene Optionen zur Verfügung, die optimiert werden können, um die Gesamtleistung beim Zusammenführen zu verbessern.</li>
	<li>Speichern Sie die Daten für die weitere Analyse basierend auf der spezifischen Probe.</li>
</ol>

Parallele aktive Cantilever-Arrays im AFMS für Inspektionen mit hohem Durchsatz

<ol>
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G., Fowler, A. G., Maroufi, M., Moheimani, S. O. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=On-chip+dynamic+mode+atomic+force+microscopy:+a+silicon-on-insulator+MEMS+approach.">On-chip dynamic mode atomic force microscopy: a silicon-on-insulator MEMS approach.</a> Journal of Microelectromechanical Systems. 26 (1), 215-225 (2017).</li></ol>

Die Autoren haben keine Interessenkonflikte.

Wie in den repräsentativen Ergebnissen gezeigt, kann ein aktives Cantilever-Array verwendet werden, um mehrere Bilder einer statischen Probe parallel zu erfassen. Dieser skalierbare Aufbau kann den Bildgebungsdurchsatz von großflächigen Proben erheblich verbessern und eignet sich daher für die Inspektion von nanofabrizierten Bauelementen auf Halbleiterwafern. Die Technik ist auch nicht auf künstliche Strukturen beschränkt; Solange die Topographievariation innerhalb einer Gruppe von aktiven Cantilevern nicht zu gro?...

Rasterkraftmikroskope (AFMs) können 3D-Topographiebilder mit nanoskaliger räumlicher Auflösung aufnehmen. Forscher haben die Fähigkeit von AFMs erweitert, um Muster-Eigenschaftskarten in mechanischen, elektrischen, magnetischen, optischen und thermischen Bereichen zu erstellen. In der Zwischenzeit steht auch die Verbesserung des Bildgebungsdurchsatzes im Fokus der Forschung, um AFMs an neue experimentelle Anforderungen anzupassen. Es gibt im Wesentlichen zwei Anwendungsbereiche für die Hochdurchsatz-AFM-Bildgebung: Die erste Kategorie ist die Hochgeschwindigkeitsbildgebung eines kleinen Bereichs, um dynamische Veränderungen in der Probe aufgrund biologischer oder chemischer Reaktionen zu erfassen 1,2; Die zweite Kategorie ist die großflächige Abbildung von statischen Proben während einer Inspektion mit hoher räumlicher Auflösung, die in dieser Arbeit ausführlich diskutiert wird. Da die Transistorgröße auf den Nanobereich schrumpft, benötigt die Halbleiterindustrie dringend Hochdurchsatz-AFMs, um nanofabrikierte Bauelemente im Wafer-Maßstab mit nanoskaliger räumlicher Auflösung zu inspizieren3.
Die Charakterisierung von nanofabrizierten Bauelementen auf einem Wafer kann aufgrund des großen Unterschieds zwischen Wafer- und Transistormerkmalen eine Herausforderung darstellen. Große Defekte können mit optischen Mikroskopen automatisch erkannt werden4. Darüber hinaus werden Rasterelektronenmikroskope (REM) häufig für die Inspektion bis zu zehn Nanometern in 2D5 eingesetzt. Für 3D-Informationen und höhere Auflösungen ist das AFM ein geeigneteres Werkzeug, wenn sein Durchsatz verbessert werden kann.
Bei begrenztem Bildgebungsdurchsatz besteht ein Ansatz darin, ausgewählte Waferbereiche abzubilden, in denen Defekte in der Nanofabrikation mit größerer Wahrscheinlichkeit auftreten6. Dies würde Vorkenntnisse über den Design- und Herstellungsprozess erfordern. Alternativ ist die Kombination anderer Modalitäten, wie z. B. eines optischen Mikroskops oder REM mit einem AFM für Übersicht und Zoom, möglich 7,8. Ein hochpräzises Positionierungssystem mit großem Bereich ist erforderlich, um das Koordinatensystem zwischen den Fertigungs- und Charakterisierungswerkzeugen richtig auszurichten. Darüber hinaus ist ein automatisiertes AFM-System zur Abbildung verschiedener ausgewählter Bereiche erforderlich, um diese Funktionalität zu realisieren.
Als Alternative haben Forscher verschiedene Möglichkeiten untersucht, um die AFM-Scangeschwindigkeit zu erhöhen. Da die Ermöglichung von Hochdurchsatz-AFMs eine systematische Herausforderung bei der Präzisionsinstrumentierung darstellt, haben die Forscher verschiedene Methoden untersucht, darunter die Verwendung kleinerer AFM-Sonden, die Neugestaltung von Nanopositionern mit hoher Bandbreite 9,10,11,12 und der Ansteuerelektronik13, die Optimierung von Betriebsmodi und bildgebende Steuerungsalgorithmen 14,15,16,17 etc. Mit diesen Bemühungen kann die effektive relative Spitzen- und Probengeschwindigkeit auf maximal etwa zehn Millimeter pro Sekunde für kommerziell erhältliche Einzelsonden-AFM-Systeme gesteigert werden.
Um den Bildgebungsdurchsatz weiter zu verbessern, ist das Hinzufügen mehrerer Sonden, die parallel betrieben werden, eine natürliche Lösung. Das optische Strahlablenkungssystem (OBD), das für die Cantilever-Ablenkungsmessung verwendet wird, ist jedoch relativ sperrig, was das Hinzufügen mehrerer Sonden relativ schwierig macht. Auch eine individuelle Cantilever-Durchbiegungsregelung kann schwierig zu realisieren sein.
Um diese Einschränkung zu überwinden, werden eingebettete Sensor- und Betätigungsprinzipien ohne sperrige externe Komponenten bevorzugt. Wie in den zuvor veröffentlichten Berichten18 und 19 beschrieben, kann die Ablenkungsmessung mit piezoresistiven, piezoelektrischen und optomechanischen Prinzipien als eingebettete Sensorik betrachtet werden, wobei die ersten beiden ausgereifter und einfacher zu implementieren sind. Für die eingebettete Betätigung können sowohl thermomechanische mit elektrischer Beheizung als auch piezoelektrische Prinzipien verwendet werden. Obwohl piezoelektrische Prinzipien in einem breiteren Temperaturbereich bis hin zu kryogenen Umgebungen arbeiten können, können sie nur AFM-Operationen im Zapfmodus unterstützen, da die statische Ablenkung aufgrund des Ladungslecks und der statischen Betätigung, die unter Hysterese und Kriechen leidet, nicht gemessen werden kann. In früheren Arbeiten wurden aktive Cantilever-Sondenarrays, die einen piezoresistiven Sensor und den piezoelektrischen Sensor verwenden, für die Bildgebung im großen Bereichentwickelt 20,21, aber nicht weiter für die großflächige Bildgebung skaliert oder kommerzialisiert. In dieser Arbeit wird die Kombination aus piezoresistiver Sensorik und thermomechanischer Betätigung als eingebettete Wandler mit statischer Durchbiegungsregelung ausgewählt.
In dieser Arbeit wird ein neuartiges "Quattro"22 paralleles aktives Cantilever-Array als Sonde23 für die simultane Bildgebung unter Verwendung aktiver Cantilever verwendet. Um die Auslenkung des Auslegers zu messen, werden piezoresistive Sensoren in einer Wheatstone-Brückenkonfiguration19 an der Basis jedes Mikroauslegers nanofabriziert, um die innere Spannung zu messen, die linear proportional zur Auslenkung der Auslegerspitze ist. Dieser kompakte Embedded-Sensor kann auch eine Auflösung im Sub-Nanometer-Bereich erreichen wie der herkömmliche OBD-Sensor. Die maßgebende Gleichung des Wheatstone-Brückenspannungsausgangs UalsReaktion auf die aufgebrachte Kraft F oder Cantilever-Auslenkung z ist in Gleichung 119 für einen Cantilever mit der Länge L, der Breite W und der Dicke H, dem piezoresistiven Sensorkoeffizienten PR und dem effektiven Elastizitätsmodul der Cantilever-E-Brückenversorgungsspannung Ub dargestellt.
<img alt="Equation 1" src="/files/ftp_upload/65210/65210eq01.jpg" style="margin: auto;">(1)
Da für die nicht-invasive Bildgebung ein dynamischer/berührungsloser Betrieb bevorzugt wird, um eine Störung der Probe zu vermeiden, wird ein thermomechanischer Aktuator aus schlangenförmigen Aluminiumdrähten verwendet, um den bimorphen Ausleger aus Aluminium/Magnesium-Legierung24, Silizium und Siliziumoxid-Materialien zu erhitzen. Auf der mikroskopischen Skala ist die Zeitkonstante thermischer Prozesse viel kleiner, und die Cantilever-Resonanz bei zehn bis hundert Kilohertz kann durch den Antrieb der Heizung mit einem elektrischen Signal angeregt werden. Die Auslenkung des freitragenden Endes zh, die durch die relative Umgebung der Heiztemperatur ΔT gesteuert wird, ist in Gleichung 219für die Auslegerlänge L mit einer Konstante K in Abhängigkeit vom Thermoausdehnungskoeffizienten des bimorphen Materials und der geometrischen Dicke und Fläche dargestellt. Es ist zu beachten, dass das ΔT proportional zur Heizleistung P ist, die gleich dem Quadrat der angelegten Spannung V dividiert durch ihren Widerstand R ist.
<img alt="Equation 2" src="/files/ftp_upload/65210/65210eq02.jpg" style="margin: auto;">(2)
Neben der Resonanzanregung kann auch die statische Auslenkung gesteuert werden. Dies kann eine besonders hilfreiche Fähigkeit sein, um die Sonden-Proben-Interaktion jedes Cantilevers einzeln zu regulieren. Darüber hinaus können mehrere Cantilever auf demselben Basischip einzeln mit dem eingebetteten thermomechanischen Aktuator angeregt werden, was bei der herkömmlichen Resonanzanregung mit piezoerzeugten akustischen Wellen nicht möglich ist.
Durch die Kombination von piezoresistiver Sensorik und thermomechanischer Betätigung hat die aktive Cantilever-Sonde eine breite Palette von Anwendungen ermöglicht, darunter die Kollocated AF-Mikroskopie in der SE-Mikroskopie, die Bildgebung in undurchsichtigen Flüssigkeiten und die Rastersondenlithographie, wobei weitere Details in Review25 verfügbar sind. Für Inspektionszwecke mit hohem Durchsatz wird das aktive Cantilever-Array mit einem repräsentativen AFM-Implementierungsbeispiel mit vier parallelen Cantilevern erstellt, wie in Abbildung 1 dargestellt. In Zukunft wird ein System im industriellen Maßstab mit acht parallelen aktiven Auslegern und Dutzenden von Positionierern28 entwickelt. Um die Skala anhand eines Beispiels zu veranschaulichen: Bei einer räumlichen Auflösung von 100 nm in der Ebene würde die Abbildung einer Fläche von 100 mm x 100 mm zu mehr als 106 Scanzeilen und 1012 Pixeln führen. Bei einer Scangeschwindigkeit von 50 mm/s pro Ausleger würde dies insgesamt über 555,6 Stunden Scannen (23+ Tage) für einen einzelnen Ausleger erfordern, was zu lang ist, um praktisch nützlich zu sein. Durch den Einsatz der aktiven Cantilever-Array-Technologie mit Dutzenden von Positionierern kann die erforderliche Bildgebungszeit um etwa zwei Größenordnungen auf 5-10 h (weniger als einen halben Tag) reduziert werden, ohne Kompromisse bei der Auflösung einzugehen, was ein angemessener Zeitrahmen für industrielle Inspektionszwecke ist.
Um großflächige, hochauflösende Bilder aufnehmen zu können, wird auch das Nano-Positioniersystem aufgerüstet. Für die Abbildung großer Proben im Wafer-Maßstab wird das Abtasten der Sonde anstelle der Probe bevorzugt, um die Größe der zu bewegenden Objekte zu reduzieren. Mit einem Abstand von 125 μm zwischen den aktiven Cantilevern deckt der Scanner einen Bereich ab, der etwas größer ist als dieser Bereich, so dass Bilder von jedem Cantilever bei der Nachbearbeitung zusammengefügt werden können. Nach Beendigung eines Scans positioniert der Grobpositionierer die Sonde automatisch in einen neuen angrenzenden Bereich, um den Bildgebungsprozess fortzusetzen. Während der eingebettete thermomechanische Aktuator die Auslenkung jedes Auslegers regelt, wird die gemittelte Auslenkung aller parallelen Ausleger mit einem weiteren PID-Regler (Proportional-Integral-Derivative) geregelt, um die Ausleger bei der Topographieverfolgung zu unterstützen. Die Scannersteuerung stellt außerdem sicher, dass die Biegung jedes Cantilevers einen maximalen Schwellenwert nicht überschreitet, was dazu führen kann, dass andere Sonden den Kontakt zur Oberfläche verlieren, wenn die Topographievariation zu groß ist.
Der Grad der Topographie-Variation, der für Cantilever auf demselben Basischip verfolgt werden kann, sollte begrenzt sein, da der Kontrollbereich für die statische Durchbiegung des Cantilevers in der Größenordnung von Dutzenden von Mikrometern liegt. Bei Halbleiterwafern liegen die Variationen der Probentopografie in der Regel im Submikrometerbereich, so dass sie kein großes Problem darstellen sollten. Wenn jedoch mehr Cantilever hinzugefügt werden, kann die Neigung der Probenebene in Bezug auf die Linie der Cantilever zu einem Problem werden. In der Praxis würden acht parallele Ausleger mit Abständen von etwa 1 mm immer noch einen Neigungswinkel von 1° ermöglichen, während das Hinzufügen weiterer Ausleger die Kippsteuerung erschweren kann. Daher ist die Verwendung mehrerer Gruppen von acht Cantilever-Sonden, die auf getrennten Sondenscannern platziert werden, ein kontinuierliches Bestreben, das Potenzial des parallelen aktiven Cantilever-Sondenprinzips voll auszuschöpfen.
Nach der Datenerfassung ist eine Nachbearbeitung erforderlich, um die gewünschten Informationen abzurufen. Das Verfahren umfasst im Allgemeinen das Entfernen von Scan-Artefakten, das Zusammenfügen benachbarter Bilder zu einem Gesamtpanorama und gegebenenfalls das Identifizieren der Strukturdefekte durch Vergleichen mit der gewünschten Geometrie unter Verwendung geeigneter Algorithmen26. Es ist erwähnenswert, dass die Menge der anfallenden Daten für eine Vielzahl von Bildern enorm sein kann, und es werden auch datengesteuerte Lernalgorithmen für eine effizientere Verarbeitung entwickelt27.
Dieser Artikel veranschaulicht den allgemeinen Prozess der Erfassung hochauflösender AFM-Bilder mit dem parallelen aktiven Cantilever-Array, das in ein benutzerdefiniertes AFM-System integriert ist. Die detaillierte Implementierung des Systems ist in22, 28, 29 und 30 verfügbar und wird mit der in der Materialtabelle aufgeführten Modellnummer vermarktet. Alle vier Ausleger wurden im Gewindeschneidbetrieb betrieben, der durch den eingebetteten thermisch-mechanischen Aktuator angeregt wurde. Repräsentative Ergebnisse von Kalibrierproben, Nanofabrikationsmasken und hochorientierten pyrolytischen Graphitproben (HOPG) (siehe Materialtabelle) werden bereitgestellt, um die Wirksamkeit dieses neuen AFM-Werkzeugs für die großflächige Inspektion zu veranschaulichen.

<table border="1" fo:keep-together.within-page="1" fo:keep-with-next.within-page="always">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Active-Cantilever&#160;</td>
			<td>nano analytik GmbH</td>
			<td>AC-10-2012</td>
			<td>AFM Probe</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>E-Beam</td>
			<td>EBX-30, INC</td>
			<td>012323-15</td>
			<td>Mask patterning instrument</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Highly Oriented Pyrolytic Graphite &#8211; HOPG</td>
			<td>TED PELLA, INC</td>
			<td>626-10</td>
			<td>AFM calibration sample</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Mask Sample</td>
			<td>Nanda Technologies GmbH</td>
			<td>Test substrate</td>
			<td>EUV Mask Sample substrate</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>NANO-COMPAS-PRO&#160;</td>
			<td>nano analytik GmbH</td>
			<td>23-2016</td>
			<td>AFM Software</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>nanoMetronom 20</td>
			<td>nano analytik GmbH</td>
			<td>1-343-2020</td>
			<td>AFM Instrument</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

active probe atomic force microscopy with quattro-parallel cantilever arrays for high-throughput large-scale sample inspection

Ein Rasterkraftmikroskop (AFM) ist ein leistungsstarkes und vielseitiges Werkzeug für nanoskalige Oberflächenstudien, um 3D-Topographiebilder von Proben zu erfassen. Aufgrund ihres begrenzten Bildgebungsdurchsatzes sind AFMs jedoch nicht weit verbreitet für groß angelegte Inspektionszwecke. Forscher haben Hochgeschwindigkeits-AFM-Systeme entwickelt, um dynamische Prozessvideos bei chemischen und biologischen Reaktionen mit Dutzenden von Bildern pro Sekunde aufzuzeichnen, und das auf Kosten einer kleinen Bildgebungsfläche von bis zu mehreren Quadratmikrometern. Im Gegensatz dazu erfordert die Inspektion großflächiger nanofabrizierter Strukturen, wie z. B. Halbleiterwafer, eine Abbildung einer statischen Probe mit räumlicher Auflösung im Nanobereich über Hunderte von Quadratzentimetern mit hoher Produktivität. Herkömmliche AFMs verwenden eine einzelne passive Cantilever-Sonde mit einem optischen Strahlablenkungssystem, das während der AFM-Bildgebung jeweils nur ein Pixel erfassen kann, was zu einem geringen Bilddurchsatz führt. Diese Arbeit verwendet eine Reihe von aktiven Cantilevern mit eingebetteten piezoresistiven Sensoren und thermomechanischen Aktuatoren, die einen gleichzeitigen Multi-Cantilever-Betrieb im Parallelbetrieb für einen erhöhten Bilddurchsatz ermöglichen. In Kombination mit Nanopositionierern mit großer Reichweite und geeigneten Steuerungsalgorithmen kann jeder Cantilever einzeln gesteuert werden, um mehrere AFM-Bilder aufzunehmen. Mit datengesteuerten Nachbearbeitungsalgorithmen können die Bilder zusammengefügt und eine Fehlererkennung durchgeführt werden, indem sie mit der gewünschten Geometrie verglichen werden. In diesem Artikel werden die Prinzipien des kundenspezifischen Rasterkraftmikroskops unter Verwendung der aktiven Cantilever-Arrays vorgestellt, gefolgt von einer Diskussion über praktische Versuchsüberlegungen für Inspektionsanwendungen. Ausgewählte Beispielbilder von Silizium-Kalibriergittern, hochorientiertem pyrolytischem Graphit und extrem ultravioletten Lithographiemasken werden mit einem Array von vier aktiven Cantilevern ("Quattro") mit einem Spitzenabstand von 125 μm aufgenommen. Mit mehr technischer Integration kann dieses großflächige Bildgebungswerkzeug mit hohem Durchsatz messtechnische 3D-Daten für UV-Masken (EUV), chemisch-mechanische Planarisierungsprüfung (CMP), Fehleranalysen, Displays, Dünnschichtschrittmessungen, Rauheitsmessdüsen und lasergravierte Trockengasdichtungsnuten liefern.

Atomic force microscopes (AFMs) can capture 3D topography images with nanoscale spatial resolution. Researchers have extended the capability of AFMs to create sample property maps in mechanical, electrical, magnetic, optical, and thermal domains. In the meantime, improving imaging throughput has also been the focus of research to adapt AFMs to new experimental needs. There are primarily two application domains for high-throughput AFM imaging: the first category is high-speed imaging of a small area to capture dynamic changes in the sample due to biological or chemical reactions1,2; the second category is for high-spatial resolution, large-scale imaging of static samples during an inspection, which is discussed in detail in this work. With transistor size shrinking down to the nanoscale, the semiconductor industry urgently needs high-throughput AFMs to inspect wafer-scale nanofabricated devices with nanoscale spatial resolution3.
The characterization of nanofabricated devices on a wafer can be challenging due to the vast scale difference between wafer and transistor features. Large defects can be spotted with optical microscopes automatically4. In addition, scanning electron microscopes (SEMs) are widely used for inspection down to tens of nanometers in 2D5. For 3D information and higher resolution, the AFM is a more suitable tool if its throughput can be improved.
With limited imaging throughput, one approach is to image selected wafer areas where nanofabrication defects are more likely to happen6. This would require prior knowledge of the design and fabrication process. Alternatively, combining other modalities, such as an optical microscope or SEM with an AFM for overview and zoom, is possible7,8. A wide-range, high-precision positioning system is needed to properly align the coordinate system between the fabrication and characterization tools. Moreover, an automated AFM system to image various selected areas is necessary to realize this functionality.
As an alternative, researchers have investigated different ways to increase AFM scanning speed. Since enabling high-throughput AFMs is a systematic precision instrumentation challenge, researchers have investigated various methods, including using smaller AFM probes, redesigning high-bandwidth nano-positioners9,10,11,12 and driving electronics13, optimizing modes of operation, imaging control algorithms14,15,16,17, etc. With these efforts, the effective relative tip and sample speed can be increased to a maximum of around tens of millimeters per second for commercially available single-probe AFM systems.
To further improve the imaging throughput, adding multiple probes to operate in parallel is a natural solution. However, the optical beam deflection (OBD) system utilized for cantilever deflection sensing is relatively bulky, which makes the addition of multiple probes relatively challenging. Individual cantilever deflection control can also be difficult to realize.
To overcome this limitation, embedded sensing, and actuation principles without bulky external components, are preferred. As detailed in previously published reports18,19, deflection sensing with piezoresistive, piezoelectric, and optomechanical principles can be considered embedded sensing, with the former two being more mature and easier to implement. For embedded actuation, thermomechanical with electrical heating or piezoelectric principles can both be utilized. Although piezoelectric principles can operate in a wider temperature range down to cryogenic environments, they can only support tapping mode AFM operations, since static deflection cannot be measured due to the charge leakage and static actuation suffering from hysteresis and creep. In prior work, active cantilever probe arrays using a piezoresistive sensor and the piezoelectric sensor have been developed for large-range imaging20,21, but have not been further scaled up for large-scale imaging or commercialized. In this work, the combination of piezoresistive sensing and thermomechanical actuation are selected as embedded transducers with static deflection control capability.
In this work, a novel &#34;Quattro&#34;22 parallel active cantilever array is used as the probe23 for simultaneous imaging using active cantilevers. To measure the cantilever deflection, piezoresistive sensors in a Wheatstone bridge configuration19 are nanofabricated at the base of each micro-cantilever to measure the internal stress, which is linearly proportional to the cantilever tip deflection. This compact embedded sensor can also achieve sub-nanometer resolution as the conventional OBD sensor. The governing equation of the Wheatstone bridge voltage output Uout in response to the applied force F or cantilever deflection z is shown in Equation 119 for a cantilever with length L, width W, and thickness H, piezoresistive sensor coefficient PR, and effective elastic modulus of the cantilever E bridge supply voltage Ub.
<img alt="Equation 1" src="/files/ftp_upload/65210/65210eq01.jpg" style="margin: auto;" />&#160; &#160; (1)
As dynamic tapping/non-contact mode operation is preferred for noninvasive imaging to avoid disturbing the sample, a thermomechanical actuator made of serpentine shape aluminum wires is used to heat up the bimorph cantilever made with aluminum/magnesium alloy24, silicon, and silicon oxide materials. At the microscopic scale, the time constant of thermal processes is much smaller, and the cantilever resonance at tens to hundreds of kilohertz can be excited by driving the heater with an electrical signal. The cantilever free end deflection zh controlled by the heater temperature&#160;&#916;T relative ambience is shown in Equation 219for cantilever length L with a constant K, depending on the bimorph material thermo coefficient of expansion and geometric thickness and area. It should be noted that the&#160;&#916;T&#160;is proportional to the heater power P, which is equal to the square of the applied voltage V divided by its resistance R.
<img alt="Equation 2" src="/files/ftp_upload/65210/65210eq02.jpg" style="margin: auto;" />&#160; &#160; (2)
As an added benefit, static deflection can also be controlled in addition to resonance excitation. This can be a particularly helpful capability to regulate the probe-sample interaction of each cantilever individually. Moreover, multiple cantilevers on the same base chip can be excited individually with the embedded thermomechanical actuator, which is impossible in conventional resonance excitation with piezo-generated acoustic waves.
Combining piezoresistive sensing and thermomechanical actuation, the active cantilever probe has enabled a wide range of applications, including collocated AF microscopy in SE microscopy, imaging in opaque liquid, and scanning probe lithography, with more details available in review25. For high-throughput inspection purposes, the active cantilever array is created with a representative AFM implementation example involving four parallel cantilevers, as shown in Figure 1. In the future, an industrial-scale system will be developed using eight parallel active cantilevers and tens of positioners28. To illustrate the scale using an example, with an in-plane spatial resolution of 100 nm, imaging an area of 100 mm by 100 mm would result in over 106 scan lines and 1012 pixels. With a scanning speed of 50 mm/s per cantilever, this would require a total of over 555.6 h of scanning (23+ days) for a single cantilever, which is too long to be practically useful. Using the active cantilever array technology with tens of positioners, the required imaging time can be reduced by around two orders of magnitude to 5-10 h (less than half a day) without making any compromise to the resolution, which is a reasonable time scale for industrial inspection purpose.
To capture large-area, high-resolution images, the nano-positioning system is also upgraded. For imaging wafer-scale large samples, scanning the probe instead of the sample is preferred, in order to reduce the size of the objects being moved. With the separation distance between active cantilevers at 125 &#181;m, the scanner covers an area slightly larger than this range so that images from each cantilever can be stitched together during post-processing. Upon completion of a scan, the coarse positioner automatically repositions the probe to a new adjacent area to continue the imaging process. While the embedded thermomechanical actuatorregulates the deflection of each cantilever, the averaged deflection of all parallel cantilevers is regulated with another proportional-integral-derivative (PID) controller to assist the cantilevers during topography tracking. The scanner controller also ensures that the bending of each cantilever does not exceed a maximum threshold value, which may cause other probes to lose contact with the surface if the topography variation is too large.
The level of topography variation that can be tracked for cantilevers on the same base chip should it be limited, since the static deflection control range of the cantilever is on the order of tens of microns. For semiconductor wafers, the sample topography variations are typically on the sub-micrometer scale, so they should not be much of a big problem. However, with the addition of more cantilevers, the sample plane tilt with respect to the line of cantilevers can become a problem. In practice, eight parallel cantilevers with spacings close to 1 mm would still allow 1&#176; of tilt angle, while adding more cantilevers can make the tilting control more difficult to realize. Therefore, using multiple groups of eight-cantilever probes placed on separated probe scanners is an ongoing effort to fully realize the potential of the parallel active cantilever probe principle.
After data collection, a post-processing operation is necessary to retrieve the desired information. The process generally involves removing scanning artifacts, stitching adjacent images to form an overall panorama, and optionally identifying the structure defects by comparing them to the desired geometry using suitable algorithms26. It is worth noting that the amount of data accumulated can be enormous for a large range of images, and data-driven learning algorithms are also being developed for more efficient processing27.
This article illustrates the general process of acquiring high-resolution AFM images using the parallel active cantilever array integrated into a custom AFM system. Detailed implementation of the system is available in22,28,29,30, and it is being commercialized with the model number listed in Table of Materials. All four cantilevers were operated in tapping mode excited by the embedded thermal-mechanical actuator. Representative results on calibration samples, nanofabrication masks, and highly oriented pyrolytic graphite (HOPG) samples (see Table of Materials) are provided to illustrate the effectiveness of this new AFM tool for large-area inspection.

Autor im Rampenlicht: Einführung in die Rasterkraftmikroskopie mit aktiven Sonden mit quattro-parallelen Cantilever-Arrays

Rasterkraftmikroskopie mit aktiven Sonden mit quattroparallelen Cantilever-Arrays für die Inspektion von Großproben mit hohem Durchsatz

Scanning probe microscopy based on novel micro electromechanical system probes are called active cantilevers. Cantilevers with integrated actuation and sensing provide several advantages over passive cantilevers, which rely on piezoelectric excitation and optical beam deflection measurement. The most recent development in this field is the realization of arrays of active cantilevers for high-throughput parallel SPM imaging.The arrays of active cantilevers use integrated piezoresistive sensors to offer sensitivity comparable to optical readout methods without diffraction limits to allow smaller, softer, and more compact AFM probes. The results of this technique paved the way for the operation and building of high-throughput atomic force microscopes using high-speed multichannel electronics. The advances in this technique can facilitate the faster and more reliable operation of massively parallel active cantilever systems in the future.

Um die Wirksamkeit der AFM-Bildgebung mit großen Reichweiten unter Verwendung paralleler aktiver Cantilever für die Topographie-Bildgebung zu demonstrieren, sind in Abbildung 2 die zusammengefügten Bilder eines Kalibriergitters dargestellt, die von vier parallel betriebenen Cantilevern aufgenommen wurden. Die Silizium-Wafer-Kalibrierstruktur hat 45 μm lange Strukturen mit einer Höhe von 14 nm. Jeder Ausleger deckt eine Fläche von 125 μm x 125 μm ab, was ein gestitchtes Panoramabild v...

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Die großflächige Probeninspektion mit nanoskaliger Auflösung hat ein breites Anwendungsspektrum, insbesondere für nanofabrizierte Halbleiterwafer. Rasterkraftmikroskope können ein großartiges Werkzeug für diesen Zweck sein, sind aber durch ihre Abbildungsgeschwindigkeit begrenzt. Bei dieser Arbeit werden parallele aktive Cantilever-Arrays in AFMs verwendet, um Inspektionen mit hohem Durchsatz und großem Maßstab zu ermöglichen.

An Atomic Force Microscope&#160;(AFM) is&#160;a powerful and versatile tool for nanoscale surface studies to capture 3D topography images of samples. ...

Rastersondenmikroskopie, die auf neuartigen mikroelektromechanischen Systemsonden basiert, werden als aktive Cantilever bezeichnet. Cantilever mit integrierter Betätigung und Sensorik bieten mehrere Vorteile gegenüber passiven Cantilevern, die auf piezoelektrischer Anregung und optischer Strahlablenkungsmessung basieren. Die neueste Entwicklung auf diesem Gebiet ist die Realisierung von Arrays von aktiven Cantilevern für die parallele SPM-Bildgebung mit hohem Durchsatz.Die Arrays der aktiven Cantilever verwenden integrierte piezoresistive Sensoren, um eine Empfindlichkeit zu bieten, die mit optischen Auslesemethoden ohne Beugungsgrenzen vergleichbar ist, um kleinere, weichere und kompaktere AFM-Sonden zu ermöglichen. Die Ergebnisse dieser Technik ebneten den Weg für den Betrieb und den Bau von Hochdurchsatz-Rasterkraftmikroskopen mit Hochgeschwindigkeits-Mehrkanalelektronik. Die Fortschritte in dieser Technik können in Zukunft den schnelleren und zuverlässigeren Betrieb von massiv parallelen aktiven Cantilever-Systemen ermöglichen.

active-probe-atomic-force-microscopy-with-quattro-parallel-cantilever

Research

JoVE Journal

Engineering

Active Probe Atomic Force Microscopy with Quattro-Parallel Cantilever Arrays for High-Throughput Large-Scale Sample Inspection

1.0K Aufrufe.  Massachusetts Institute of Technology. Rastersondenmikroskopie, die auf neuartigen mikroelektromechanischen Systemsonden basiert, werden als aktive Cantilever bezeichnet. Cantilever mit integrierter Betätigung und Sensorik bieten mehrere Vorteile gegenüber passiven Cantilevern, die auf piezoelektrischer Anregung und optischer Strahlablenkungsmessung basieren. Die neueste Entwicklung auf diesem Gebiet ist die Realisierung von Arrays von aktiven Cantilevern für die parallele SPM-Bildgebung mit hohem Durchsatz.Die Arrays de...

Serie: Autor im Rampenlicht: Einführung in die Rasterkraftmikroskopie mit aktiven Sonden mit quattro-parallelen Cantilever-Arrays

An Atomic Force Microscope&#160;(AFM) is&#160;a powerful and versatile tool for nanoscale surface studies to capture 3D topography images of samples. However, due to their limited imaging throughput, AFMs have not been widely adopted for large-scale inspection purposes. Researchers have developed high-speed AFM systems to record dynamic process videos in chemical and biological reactions at tens of frames per second, at the cost of a small imaging area of up to several square micrometers. In contrast, inspecting large-scale nanofabricated structures, such as semiconductor wafers, requires nanoscale spatial resolution imaging of a static sample over hundreds of square centimeters with high productivity. Conventional AFMs use a single passive cantilever probe with an optical beam deflection system, which can only collect one pixel at a time during AFM imaging, resulting in low imaging throughput. This work utilizes an array of active cantilevers with embedded piezoresistive sensors and thermomechanical actuators, which allows simultaneous multi-cantilever operation in parallel operation for increased imaging throughput. When combined with large-range nano-positioners and proper control algorithms, each cantilever can be individually controlled to capture multiple AFM images. With data-driven post-processing algorithms, the images can be stitched together, and defect detection can be performed by comparing them to the desired geometry. This paper introduces principles of the custom AFM using the active cantilever arrays, followed by a discussion on practical experiment considerations for inspection applications. Selected example images of silicon calibration grating, highly-oriented pyrolytic graphite, and extreme ultraviolet lithography masks are captured using an array of four active cantilevers (&#34;Quattro&#34;) with a 125 &#181;m tip separation distance. With more engineering integration, this high-throughput, large-scale imaging tool can provide 3D metrological data for extreme ultraviolet (EUV) masks, chemical mechanical planarization (CMP) inspection, failure analysis, displays, thin-film step measurements, roughness measurement dies, and laser-engraved dry gas seal grooves.

Large-scale sample inspection with nanoscale resolution has a wide range of applications, especially for nanofabricated semiconductor wafers. Atomic force microscopes can be a great tool for this purpose, but are limited by their imaging speed. This work utilizes parallel active cantilever arrays in AFMs to enable high-throughput and large-scale inspections.