1. Fabrication d'un filtre perforé à partir d'une membrane d'oxyde de silicium de 300 nm d'épaisseur comparable à l'échelle du cytoplasme endothélial des reins

1. Chargez la membrane préparée dans la chambre FIB. Les membranes sont souvent préparées par des professionnels (lors de la création de ponts Wheatstone) et peuvent être acquises sur les sites de fabrication de semi-conducteurs. Pour en préparer un vous-même, la photolithographie doit être utilisée. Les détails de ce processus peuvent être vus dans la vidéo photolithographie de la "Collection Bioengineering" sur le site De JoVE. REMARQUE : Assurez-vous de porter des gants nitriles lors de la manipulation de l'échantillon ou lorsque vous entrez en contact avec des composants internes de la FIB/SEM. L'environnement doit être maintenu très propre et exempt de toute huile de peau.
2. Allumez le faisceau d'ions focalisés et le canon à électrons et ajustez l'échantillon pour atteindre le point d'eucentric coïncident. C'est le point où la zone d'intérêt (la membrane) est dans la ligne des électrons et des ions pour les angles d'inclinaison allant de 0-54 degrés.

3. Ajustez le courant du faisceau d'ions et la tension d'accélération de la FIB à 30kV et 100pA et concentrez-vous sur une zone proche de la zone à broyer. Dessinez une matrice de cercles à travers le programme de fraisage FIB d'un diamètre d'environ 50nm avec une distance centre à centre de 150nm (voir Figure 1).
4. Changement de faisceau d'électrons et image de la zone à une tension d'accélération de 5kV.

Figure 1: Fib a broyé des trous dans la membrane d'oxyde de silicium créant lefiltre de particule.

2. Moudre un logo sur un cheveu

1. Mettre une mèche de cheveux sur un talon de microscope à l'aide de ruban adhésif carbone
2. Enduit d'or/carbone la mèche de cheveux à l'aide d'un enduit de creusage. Cet outil enrobe l'échantillon en quelques nanomètres d'un matériau conducteur afin qu'il puisse être photographié / sputtered avec des artefacts de charge minimale.
3. Allumez le faisceau d'ions focalisés et le canon à électrons et ajustez-vous pour le point coïncident-eucentrique.
4. Ajustez le courant du faisceau d'ions et la tension d'accélération à 30kV avec une ouverture 100pA, respectivement, et concentrez-vous sur une zone d'environ 15um x 15um près de la zone à broyer.
5. Chargez le motif/logo à moudre comme une carte bitmap et ajuster le courant du faisceau et l'accélération de la tension et commencer le fraisage.
6. Changement de faisceau d'électrons et image de la zone. Ceci est indiqué dans la figure 2.

Figure 2: "Happy Holidays" moulu sur une toile d'araignée avec FIB.