1. Fabbricazione di un filtro perforato da una membrana di ossido di silicio spessa 300 nm paragonabile in scala al citoplasma endoteliale dei reni

1. Caricare la membrana preparata nella camera FIB. Le membrane sono spesso preparate da professionisti (durante la creazione di ponti di Wheatstone) e possono essere acquisite presso siti di fabbricazione di semiconduttori. Per prepararne uno da soli, è necessario utilizzare la fotolitografia. I dettagli di questo processo possono essere visti nel video di fotolitografia della "Bioengineering Collection" sul sito web di JoVE. NOTA: Assicurati di indossare guanti in nitrile quando maneggi il campione o quando entri in contatto con qualsiasi componente interno del FIB/SEM. L'ambiente deve essere mantenuto molto pulito e privo di oli per la pelle.
2. Accendere il fascio di ioni focalizzati e la pistola elettronica e regolare il campione per ottenere il punto coincidente-eucentrico. Questo è il punto in cui l'area di interesse (la membrana) è nella linea di elettroni e ioni per angoli di inclinazione che vanno da 0 a 54 gradi.

3. Regolare la corrente del fascio ionico e la tensione di accelerazione del FIB a 30kV e 100pA e concentrarsi su un'area vicina all'area da fresare. Disegnare una matrice di cerchi attraverso il programma di fresatura FIB di un diametro di circa 50nm con una distanza centro-centro di 150nm (vedere Figura 1).
4. Passare al fascio di elettroni e immaginare l'area a una tensione di accelerazione di 5kV.

Figura 1: Fori fresati FIB nella membrana di ossido di silicio che crea un filtro antiparticolato.

2. Fresatura di un logo su un capello

1. Metti una ciocca di capelli su uno stub del microscopio usando del nastro di carbonio
2. Oro / Carbonio rivestono la ciocca di capelli usando un coater sputter. Questo strumento ricopre il campione in pochi nanometri di un materiale conduttivo in modo che possa essere ripreso / sputtered con artefatti di carica minimi.
3. Accendere il fascio di ioni focalizzato e la pistola elettronica e regolare il punto coincidente-eucentrico.
4. Regolare la corrente del fascio ionico e la tensione di accelerazione a 30kV con un'apertura di 100pA, rispettivamente, e concentrarsi su un'area di circa 15um x 15um vicino all'area da fresare.
5. Caricare il modello/logo da fresare come bitmap e regolare la corrente del fascio e la tensione di accelerazione e avviare la fresatura.
6. Passa al fascio di elettroni e immagina l'area. Questo è mostrato nella Figura 2.

Figura 2: "Buone Feste" fresato su una ragnatela con FIB.