Part of the work has been performed in the project JEMSiP_3D, which is funded by the Public Authorities in France, Germany, Hungary, The Netherlands, Norway and Sweden, as well as by the ENIAC Joint Undertaking. The authors would like to thank the Dimes Technology Centre staff for processing support.

Achtung: Bitte beachten Sie alle relevanten Sicherheitsdatenblätter (MSDS) vor dem Gebrauch. Einige der Chemikalien in diesem Herstellungsprozess verwendet werden, sind akut giftig und krebserregend. Nanomaterialien können zusätzliche Gefahren im Vergleich zu ihren Großgegenstück haben. Bitte verwenden Sie alle geeigneten Sicherheitspraktiken bei der Arbeit mit Geräten, Chemikalien oder Nanomaterialien, einschließlich der Verwendung von technischen Massnahmen verwendet (Abzug) und persönliche Schutzausrüstung (Schutzbrille, Handschuhe, Reinraumkleidung). 1. Alignment Marker Definition zu Lithos <ol><li> Beginnen Sie mit einseitig polierten industrieller Qualität Si (100) Wafer mit entweder n oder p-Dotierung. </li><li> Mantel der Wafer mit 1,4 um von positiven Photoresist. Durchführen einer 90 sec Hexamethyldisilazan (HMDS) bei 130 ° C, um die Haftung des Photoresists, gefolgt von einem Abkühlen des Wafers auf eine kalte Platte, Spin-Beschichtung bei der entsprechenden Geschwindigkeit (3500 rpm) zu fördern, und eine 90 sec Softbake at 95 ° C. </li><li> Unter Verwendung einer Photolithographiemaske und Belichtungswerkzeug setzen die Ausrichtungsmarkierungen, Belichtungsdosis 120 mJ / cm 2. </li><li> Führen Sie eine einzelne Pfütze Entwicklungsprozess. Führen Sie eine 90 Sekunden 115 ° C Post-Exposure Bake, gefolgt von 60 Sekunden Entwicklung mit Entwickler und 90 sec Fest backen bei 100 ° C zum Aushärten des Resists. </li><li> Verwenden Sie ein Mikroskop zu untersuchen, wenn die Öffnungen in der Resist sind die richtigen Abmessungen. </li><li> Etch 120 nm von Si unter Verwendung von Chlor Plasmaätzen. Diese Dicke ergibt einen guten Kontrast für die automatische Ausrichtungssysteme der Belichtungswerkzeug in dieser Arbeit verwendet. Beispielsweise unter Verwendung eines induktiv gekoppelten Plasma (ICP): 20/40 sccm O 2 / CF 4, 5 mTorr, 60/500 W Platte / ICP HF-Leistung, 10 Sek Oxid Durchbruch Ätzen, gefolgt von 80/40 sccm Cl 2 / HBr , 60 mTorr, 20/500 W Platte / ICP HF-Leistung, 35 sec Si zu ätzen. </li><li> Verwenden Sie ein Sauerstoffplasma Stripper um den Photoresist (1 kW, 400 sccm O 2 mit endpo entfernenint Erkennung und 2 min Überätzen). Als der Photoresist durch das Plasma normaler Lösungsmittel wie Aceton gehärtet werden können, nicht verwendet werden. </li><li> Reinigen Sie die Scheiben. Legte sie zuerst für 10 min in 99% HNO 3, gefolgt von Spülen in DI-Wasser, bis der spezifische Widerstand des Wassers 5 MOhm (organisch sauber). Nach diesem Reinigen der Wafer 10 min lang in 65% HNO 3 bei 110 ° C durch Spülen mit entionisiertem Wasser und danach, bis der spezifische Widerstand des Wassers 5 MOhm (Metall sauber). Verwenden Sie einen Rinser Dryer, um die Wafer zu trocknen. </li></ol> 2. Bottom Metall- und dielektrischen Zwischenschichtabscheidung <ol><li> Verwenden Magnetronsputtern, um die untere Metallschicht des Tests via abzuscheiden. Ein Stapel von drei Metallschichten muss aufgebracht werden: 500 nm Ti, 50 nm TiN und 100 nm Ti. Die erste Ti-Schicht ist, um den Widerstand des Stapels zu verringern, ist die TiN die eigentliche Trägerschicht für CNT Wachstum und die obere Ti ist, die TiN gegen Plasmabeschädigung zu schützen, wenn das Ätzen der SiO 2 -Schicht 12 </sup&gt;. Zuführen Ti Sputtern unter Verwendung eines reinen Ti-Targets mit Ar-Plasma bei einer Substrattemperatur von 350 ° C. TiN reaktives Sputtern verwenden eine Kombination von Ar und N 2, erneut bei 350 ° C Substrattemperatur. </li><li> Unter Verwendung von Plasma-unterstützter chemischer Gasphasenabscheidung (PECVD), hinterlegt eine 1 um dicke Schicht aus SiO 2. Hier Tetraethylorthosilikat (TEOS) als Vorläufer bei einer Plattentemperatur von 350 ° C verwendet. <ol><li> Überprüfen Sie die Dicke der SiO 2 -Schicht mit einem geeigneten Werkzeug, beispielsweise einem Reflektometer oder Ellipsometer. </li></ol></li><li> Beschichten des Wafers mit 1,4 um aus positivem Photoresist, beginnend mit einem 90 sec HMDS-Behandlung bei 130 ° C, gefolgt von einem Abkühlen des Wafers auf eine kalte Platte, Spin-Beschichtung bei der entsprechenden Geschwindigkeit (3500 rpm) und einer 90 s Weich backen bei 95 ° C. </li><li> Unter Verwendung einer Photolithographiemaske und Belichtungswerkzeug, setzen Sie das gewünschte Muster von Öffnungen, die später in die SiO 2 t geätzt werdeno die Durchkontaktierungen zu den Ausrichtungsmarkierungen ausgerichtet sind, Belichtungsdosis 140 mJ / cm 2. </li><li> Führen Sie eine einzelne Pfütze Entwicklungsprozess, beginnend mit einem 90 s 115 ° C Post-Exposure Bake, gefolgt von 60 Sekunden Entwicklung mit Entwickler und 90 sec Fest backen bei 100 ° C. </li><li> Verwenden Sie ein Mikroskop zu untersuchen, wenn die Öffnungen in der Resist sind die richtigen Maße und, wenn die Überlagerung auf die Ausrichtungsmarkierungen korrekt ist. </li><li> Plasmaätzen der Kontaktöffnungen in der SiO 2. Verwenden Sie beispielsweise eine Triode Plasmaätzer mit C 2 F 6 / CHF 3 36/144 sccm bei 180 mTorr und 300 W HF-Leistung. Bei Bedarf nehmen Sie Ätzrate Tests auf einem Testwafer, um mehr zu minimieren Ätzen, um 5% -10% in der Zeit. Anmerkung: Obwohl das Ti ist beständig gegen reaktives Ätzen in dieser Fluorchemie, werden längere Exposition an das Plasma in der physikalischen Ätzung der Ti-Schicht führen. Wenn die TiN-Schicht dem Plasma ausgesetzt ist diese negativ influen habenCE mit dem Wachstum der CNT 12. Verwenden Sie keine Nassätzen, da dies zu viel Aufweitung der Öffnungen führen, so dass die obere Metallisierung teil 4 problematisch. </li><li> Entfernen Sie die Opfer Ti-Schicht durch Nassätzen in 0,55% HF für 60 Sekunden. Nach dem Ätzen der Wafer gründlich mit DI-Wasser, bis der Wasserwiderstand 5 M &amp; Omega; und mit einem Rinser Dryer, um die Wafer zu trocknen. Hinweis: Die Verwendung eines Mikroskops überprüft werden kann, wenn der Ti-Schicht geätzt werden kann, wird die TiN-Schicht eine goldbraune Farbe haben, während der Ti ist grau metallic. </li></ol> 3. Katalysator Deposition und CNT Wachstum <ol><li> Verdampfen 5 nm Co unter Verwendung einer Elektronenstrahlverdampfer. Abpumpen bis mindestens 2x10 -6 Torr und heizen die Wafer bis 60 ° C unter Verwendung von Lampen unter Vakuum vor der Abscheidung, jede Wasserfilm zu entfernen. Der Photoresist verwendet, um die Kontaktöffnungen zu definieren auf den Wafer gehalten wird, um eine Selbstausrichtung des Katalysators, der Kontaktöffnungen in der SiO 2 bereitzustellen. </li><li> Entfernendie Co außerhalb der Kontaktöffnungen durch Abheben. Für Co wurde gefunden, daß Tetrahydrofuran (THF) ergibt die besten Ergebnisse Abheben und Wachstum bei niedrigen Temperaturen. N-Methyl-2-pyrrolidon (NMP), das zuvor für Abheben nach Verdampfen Fe verwendet wurde, um eine Beschädigung festgestellt das Co auch in einem solchen Ausmaß, jede ausgerichtet CNT Wachstum zu verhindern. Gesetzt den Wafer für 15 min im Ultraschallbad mit THF bei 35 ° C. Spülen mit DI-Wasser für 5 Minuten und trocknen unter Verwendung einer Schleuder oder Stickstoff Pistole. </li><li> Untersuchen Sie den Wafer unter dem Mikroskop und überprüfen Lackreste. Wenn Rückstände bleiben führen eine längere Ultraschallbehandlung in THF und gegebenenfalls mit einem speziellen weichen Wattestäbchen für Lift-off-Zwecken manuell abzuwischen Rückstände. </li><li> Zuführen CNT Wuchses mit Niederdruck-Gasphasenabscheidung (LPCVD). Verwenden des folgenden Rezepts: 8 min vorgeGlühen bei 350 ° C mit 700 sccm H 2 bei 80 mbar, gefolgt von CNT Wachstum durch Zugabe von 50 sccm C 2 H 2. Bei 350 ° C, 60min des Wachstums gibt etwa 1 &amp; mgr; m von CNT. Falls erforderlich einen Test Wachstum zu stimmen die Höhe, die die gleiche Dicke wie der SiO 2 -Schicht sein sollte. Cool down des Reaktors und Spülen mit N 2. </li><li> Verwenden Sie ein Rasterelektronenmikroskop, um die Höhe der CNT innerhalb der Öffnungen unter 45 ° Neigung, oder durch Herstellung eines Querschnitts zu überprüfen. </li><li> Prüfen die Proben unter Verwendung von Raman-Spektroskopie, um die Kristallinität der CNT 18 bestimmen. </li></ol> 4. Topside Metallisierung <ol><li> Verwenden Magnetron-Sputtern, um die obere Metall abzuscheiden. Ti ist ein guter Metall zur Kontaktierung CNT 19 erster 100 nm Ti, gefolgt von 2 &amp; mgr; m Al (1% Si) zu sputtern, ohne das Vakuum zu brechen. </li><li> Beschichten des Wafers mit 3,1 um aus positivem Photoresist mit höherer Viskosität, beginnend mit einem 90 sec HMDS-Behandlung bei 130 ° C, gefolgt von einem Abkühlen des Wafers auf eine kalte Platte, Schleuderbeschichtung bei 3000 Upm und 90 s Weichbacken an 95° C. </li><li> Unter Verwendung einer Photolithographiemaske und Belichtungswerkzeug setzen den oberen Metallmuster auf die Ausrichtungsmarkierungen ausgerichtet ist, Belichtungsdosis 420 mJ / cm 2, Fokus -1. </li><li> Führen Sie eine einzelne Pfütze Entwicklungsprozess. Dies beginnt mit einer 90 Sek 115ºC post-exposure bake, gefolgt von 60 Sekunden Entwicklung mit Entwickler und 90 sec Fest backen bei 100 ° C. </li><li> Verwenden Sie ein Mikroskop zu untersuchen, ob die Zeilen in der zu widerstehen der korrekten Abmessungen und wenn die Überlagerung auf die Markierungen korrekt ist. </li><li> Ätzen der Ti / Al-Stack unter Verwendung von Chlor Plasmaätzen. Beispielsweise unter Verwendung eines induktiv gekoppelten Plasmas: 30/40 sccm Cl 2 / HBr, 5 mTorr, 40/500 W Platen / ICP HF-Leistung mit Endpunkterfassung und 80% Überätzen unter Verwendung von 15/30 sccm Cl 2 / HBr. </li><li> Verwenden Sie ein Sauerstoffplasma Stripper um den Photoresist (1 kW, 400 sccm O 2 mit Endpunktdetektion und 2 min Überätzen) zu entfernen. Wenn die Metallabdeckung nicht vollständig ist (das heißt, es gibt kleine Löcher in der Nähe desCNT) verwenden ein organisches Lösungsmittel (zB NMP), um den Photoresist, um Plasma-Schäden an der CNT zu verhindern, entfernen. </li><li> Reinigen Sie die Scheiben. Setzte sie 10 Minuten lang in 99% HNO 3, gefolgt von Spülen mit entionisiertem Wasser, bis der spezifische Widerstand des Wassers 5 MOhm (organische sauber). Verwenden Sie einen Rinser Dryer, um die Wafer zu trocknen. </li></ol> 5. Messungen <ol><li> Verwenden eines Rasterelektronenmikroskops gemß den Anweisungen des Herstellers, um die obere Metallisierung der Wafer zu überprüfen. . Hinweis: Bei Bedarf kann der Wafer mechanisch, um die komplette CNT über Verwendung einer Probe Neigung von 90 °, was zu Bildern überprüfen gespalten, wie in Abbildung 3 dargestellt werden, wie die Proben sind elektrisch leitfähig keine zusätzlichen Behandlungsschritte verwendet werden müssen und Die Proben können direkt in die SEM montiert werden. Im Allgemeinen können hohe Beschleunigungsspannungen von 15 bis 20 kV verwendet werden, aber wenn der SiO 2 -Schicht wird aufgeladen zu viel kann reduziert werden to 5 kV. </li><li> Zuführen 4-Punkt-Sonde IV-Messungen unter Verwendung eines Probe-Station in Kombination mit einem Halbleiter Parameteranalyser wie in Figur 1 und in Vollebregt et al. 16 beschrieben. Hinweis: Normalerweise ist ein Spannungsdurchlauf von -0,5 bis 0,5 V ausreichend, da der Spannungsabfall über einen Verbindungsidealerweise klein ist. Durch die Verwendung einer 4-Punkt-Sonde Setup der Kontaktwiderstand der Sondennadeln und den Drahtwiderstände des Setup werden weggelassen. </li></ol>

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M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Impact+of+the+atomic+layer+deposition+precursors+diffusion+on+solid-state+carbon+nanotube+based+supercapacitors+performances.">Impact of the atomic layer deposition precursors diffusion on solid-state carbon nanotube based supercapacitors performances.</a> Nanotechnology. 26 (6), 064002 (2015).</li></ol>

The authors have nothing to disclose.

Figur 1 zeigt einen schematischen Überblick über den Aufbau in dieser Arbeit hergestellt ist, und die in dem 4-Punkt-Sondenmessungen verwendet wurde. Indem das Potential über die Sonden tragenden kein Strom gemessen wird, kann die genaue Potentialabfall (V H -V L) über dem zentralen CNT Bündels und seine Kontakte an die Metall gemessen werden. Größeren Durchmesser CNT Bündel werden verwendet, um die untere TiN-Schicht von den Kontaktflächen zu kontaktieren, um den Gesamtwi...

Kupfer und Wolfram, die Metalle, die derzeit für die Leiterbahnen in State-of-the-Art-Integrationsgrad (VLSI) Technologie verwendet werden, nähern sich ihre physikalischen Grenzen in Bezug auf Zuverlässigkeit und elektrische Leitfähigkeit 1. Während des Herunterskalierung Transistoren ihre Leistung im Allgemeinen verbessert, es tatsächlich erhöht den Widerstand und die Stromdichte der Leiterbahnen. Dies führte zu Verbindungen dominiert den integrierten Schaltkreis (IC) Leistung in Bezug auf Verzögerung und Stromverbrauch 2. Carbon Nanotubes (CNT) sind als Alternative für Cu und W-Metallisierung vorgeschlagen worden, vor allem für vertikale Verbindungen (Vias) als CNT kann leicht vertikal 3 angebaut. CNT ist gezeigt worden, ausgezeichnete elektrische Zuverlässigkeit aufweisen, so dass eine bis zu 1000-mal höheren Stromdichte als Cu 4. Hinzu kommt, dass CNT nicht von der Oberfläche und Korngrenzenstreuung zu leiden, die Erhöhung wird die resistivity von Cu im Nanometerbereich 5. Schließlich CNT wurde gezeigt, daß eine ausgezeichnete thermische Leiter 6, der im Wärmemanagement in VLSI-Chips unterstützen kann. Für eine erfolgreiche Integration von CNT in der VLSI-Technologie ist es wichtig, dass die Wachstumsprozesse für die CNT mit der Halbleiterherstellung kompatibel gemacht. Dies erfordert das Niedertemperaturwachstum von CNT (&lt;400 ° C) unter Verwendung von Materialien und Ausrüstung, die als verträglich und skalierbar Großproduktion sind. Obwohl viele Beispiele von CNT Test Durchkontaktierungen sind in der Literatur 7,8,9,10,11,12,13,14 demonstriert worden, die meisten von ihnen verwenden Fe als Katalysator, der als eine Verunreinigung in der IC-Herstellung 15 gilt. Außerdem ist die Aufwachstemperatur in vielen dieser Arbeiten verwendet viel höher als die obere Grenze von 400 ° C. Vorzugsweise CNT sollte sogar unter 350 ° C gehalten werden, um die Integration mit modernen Nieder κ-Dielektrika oder flexible ermöglichenSubstraten. Hier präsentieren wir eine skalierbare Methode zur wachsenden CNT bei Temperaturen bis zu 350 ° C unter Verwendung von Co als Katalysator 16. Diese Methode ist von Interesse für die Herstellung von verschiedenen elektrischen Strukturen, die aus vertikal ausgerichteten CNT in integrierten Schaltungen, die von Verbindungs- und Elektroden an Super-Kondensatoren und Feldemissionsvorrichtungen. Der Co-Katalysator Metall wird oft in der IC-Herstellung für die Herstellung von Silizid von 17 verwendet, während TiN ist eine häufig verwendete Sperrmaterial 7. Darüber hinaus zeigen wir ein Verfahren zur Herstellung CNT Test Vias während nur unter Verwendung von Techniken aus Standard-Halbleiterfertigung. Damit werden CNT Test Durchkontaktierungen hergestellt, durch Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Raman-Spektroskopie und elektrisch charakterisiert inspiziert.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="905">
	<colgroup>
		<col />
		<col />
		<col />
		<col />
	</colgroup>
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Materials</td>
			<td style="width:188px;">Company</td>
			<td style="width:119px;">Catalog Number</td>
			<td style="width:291px;">Comments/Description</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Si (100) wafer 4&#34;</td>
			<td style="width:188px;">International Wafer Service</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Resisitivity: 2-5 m&#937;-cm, thickness: 525 &#181;m&#160;</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Ti-sputtertarget (99.995 % purity)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Al (1% Si)-sputtertarget (99.999 % purity)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Co (99.95 % purity)</td>
			<td style="width:188px;">Kurt J. Lesker</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Chemicals</td>
			<td style="width:188px;">Company</td>
			<td style="width:119px;">Catalog Number</td>
			<td>Comments/Description</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">SPR3012 positive photoresist</td>
			<td style="width:188px;">Dow Electronic Materials</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">MF-322 developer</td>
			<td style="width:188px;">Dow Electronic Materials</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">HNO3 (99.9 %)</td>
			<td style="width:188px;">KMG Ultra Pure Chemicals</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">HNO3 (69.5%)</td>
			<td style="width:188px;">KMG Ultra Pure Chemicals</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">HF 0.55%</td>
			<td style="width:188px;">Honeywell</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Tetrahydrofuran</td>
			<td style="width:188px;">JT Baker</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Acetone</td>
			<td style="width:188px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">ECI3027 positive photoresist</td>
			<td style="width:188px;">AZ</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Tetraethyl orthosilicate (TEOS)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Gasses</td>
			<td style="width:188px;">Company</td>
			<td style="width:119px;">Catalog Number</td>
			<td>Comments/Description</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">N2 (99.9990%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">O2 (99.9999%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">CF4 (99.9970%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">CL2 (99.9900%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">HBr (99.9950%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Ar (99.9990%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">C2F6 (99.9990%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">CHF3 (99.9950%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">H2 (99.9950%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">C2H2 (99.6000%)</td>
			<td style="width:188px;">Praxair</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Equipment</td>
			<td style="width:188px;">Company</td>
			<td style="width:119px;">Catalog Number</td>
			<td>Comments/Description</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">EVG 120 coater/developer</td>
			<td style="width:188px;">EVG</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">ASML PAS5500/80 waferstepper</td>
			<td style="width:188px;">ASML</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">SPTS &#937;mega 201 plasma etcher</td>
			<td style="width:188px;">SPTS</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Used for Si and metal etching</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">SPTS &#931;igma sputter coater</td>
			<td style="width:188px;">SPTS</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Novellus Concept One PECVD</td>
			<td style="width:188px;">LAM</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Drytek 384T plasma etcher</td>
			<td style="width:188px;">LAM</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Used for oxide etching</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">CHA Solution e-beam evaporator</td>
			<td style="width:188px;">CHA</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">AIXTRON BlackMagic Pro CVD tool</td>
			<td style="width:188px;">AIXTRON</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Carbon nanotube growth</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Philips XL50 scanning electron microscope</td>
			<td style="width:188px;">FEI</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Tepla 300</td>
			<td style="width:188px;">PVA TePla</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td>Resist plasma stripper</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Avenger rinser dryer</td>
			<td style="width:188px;">Microporcess Technologies</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Leitz MPV-SP reflecometer</td>
			<td style="width:188px;">Leitz</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Renishaw inVia Raman spectroscope</td>
			<td style="width:188px;">Renishaw</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Agilent 4156C parameter spectrum analyzer</td>
			<td style="width:188px;">Agilent</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:307px;">Cascade Microtech probe station</td>
			<td style="width:188px;">Cascade Microtech</td>
			<td style="width:119px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of low temperature carbon nanotube vertical interconnects compatible with semiconductor technology

We demonstrate a method for the low temperature growth (350 &#176;C) of vertically-aligned carbon nanotubes (CNT) bundles on electrically conductive thin-films. Due to the low growth temperature, the process allows integration with modern low-&#954; dielectrics and some flexible substrates. The process is compatible with standard semiconductor fabrication, and a method for the fabrication of electrical 4-point probe test structures for vertical interconnect test structures is presented. Using scanning electron microscopy the morphology of the CNT bundles is investigated, which demonstrates vertical alignment of the CNT and can be used to tune the CNT growth time. With Raman spectroscopy the crystallinity of the CNT is investigated. It was found that the CNT have many defects, due to the low growth temperature. The electrical current-voltage measurements of the test vertical interconnects displays a linear response, indicating good ohmic contact was achieved between the CNT bundle and the top and bottom metal electrodes. The obtained resistivities of the CNT bundle are among the average values in the literature, while a record-low CNT growth temperature was used.

Die Konstruktion der Messstruktur in dieser Arbeit verwendet wird, kann in 1 gefunden werden. Durch Verwendung eines solchen Aufbaus der Messung der CNT Bündel Beständigkeit und Metall-CNT Kontaktwiderstände genau bestimmt werden kann, als Sonde und Drahtwiderstände umgangen werden. Der Widerstand des Bündels ist ein Maß für die Qualität und Dichte der CNT Bündel. Um den Kontaktwiderstand zu Bündeln unterschiedlicher Längen zu bestimmen sollte, gemessen werden. Ei...

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Fabrication of Low Temperature Carbon Nanotube Vertical Interconnects Compatible with Semiconductor Technology

A method for the growth of low temperature vertically-aligned carbon nanotubes, and the subsequent fabrication of vertical interconnect electrical test structures using semiconductor fabrication is presented.

Herstellung von Niedertemperatur-Carbon Nanotube Vertikale Verbindungen Kompatibel mit Halbleitertechnik

We demonstrate a method for the low temperature growth (350 &#176;C) of vertically-aligned carbon nanotubes (CNT) bundles on electrically conductive ...

fabrication-low-temperature-carbon-nanotube-vertical-interconnects

Research

JoVE Journal

Engineering

7.6K Aufrufe.  Delft University of Technology. A method for the growth of low temperature vertically-aligned carbon nanotubes, and the subsequent fabrication of vertical interconnect electrical test structures using semiconductor fabrication is presented.

Serie: Fabrication of Low Temperature Carbon Nanotube Vertical Interconnects Compatible with Semiconductor Technology

Fabrication, Densification, and Replica Molding of 3D Carbon Nanotube Microstructures

The introduction of new materials and processes to microfabrication has, in large part, enabled many important advances in microsystems, lab-on-a-chip devices, and their applications. In particular, capabilities for cost-effective fabrication of polymer microstructures were transformed by the advent of soft lithography and other micromolding techniques 1, 2, and this led a revolution in applications of microfabrication to biomedical engineering and biology. Nevertheless, it remains challenging to fabricate microstructures with well-defined nanoscale surface textures, and to fabricate arbitrary 3D shapes at the micro-scale. Robustness of master molds and maintenance of shape integrity is especially important to achieve high fidelity replication of complex structures and preserving their nanoscale surface texture. The combination of hierarchical textures, and heterogeneous shapes, is a profound challenge to existing microfabrication methods that largely rely upon top-down etching using fixed mask templates. On the other hand, the bottom-up synthesis of nanostructures such as nanotubes and nanowires can offer new capabilities to microfabrication, in particular by taking advantage of the collective self-organization of nanostructures, and local control of their growth behavior with respect to microfabricated patterns. 
Our goal is to introduce vertically aligned carbon nanotubes (CNTs), which we refer to as CNT "forests", as a new microfabrication material. We present details of a suite of related methods recently developed by our group: fabrication of CNT forest microstructures by thermal CVD from lithographically patterned catalyst thin films; self-directed elastocapillary densification of CNT microstructures; and replica molding of polymer microstructures using CNT composite master molds. In particular, our work shows that self-directed capillary densification ("capillary forming"), which is performed by condensation of a solvent onto the substrate with CNT microstructures, significantly increases the packing density of CNTs. This process enables directed transformation of vertical CNT microstructures into straight, inclined, and twisted shapes, which have robust mechanical properties exceeding those of typical microfabrication polymers. This in turn enables formation of nanocomposite CNT master molds by capillary-driven infiltration of polymers. The replica structures exhibit the anisotropic nanoscale texture of the aligned CNTs, and can have walls with sub-micron thickness and aspect ratios exceeding 50:1. Integration of CNT microstructures in fabrication offers further opportunity to exploit the electrical and thermal properties of CNTs, and diverse capabilities for chemical and biochemical functionalization 3.

We present methods for fabrication of patterned microstructures of vertically aligned carbon nanotubes (CNTs), and their use as master molds for production of polymer microstructures with organized nanoscale surface texture. The CNT forests are densified by condensation of solvent onto the substrate, which significantly increases their packing density and enables self-directed formation of 3D shapes.

Fabrication, Verdichtung, und Replica Molding von 3D-Carbon Nanotube Mikrostrukturen

The introduction of new materials and processes to microfabrication has, in large part, enabled many important advances in microsystems, lab-on-a-chip ...

Forschung

Ingenieurwesen

Dry Oxidation and Vacuum Annealing Treatments for Tuning the Wetting Properties of Carbon Nanotube Arrays

In this article, we describe a simple method to reversibly tune the wetting properties of vertically aligned carbon nanotube (CNT) arrays. Here, CNT arrays are defined as densely packed multi-walled carbon nanotubes oriented perpendicular to the growth substrate as a result of a growth process by the standard thermal chemical vapor deposition (CVD) technique.1,2 These CNT arrays are then exposed to vacuum annealing treatment to make them more hydrophobic or to dry oxidation treatment to render them more hydrophilic. The hydrophobic CNT arrays can be turned hydrophilic by exposing them to dry oxidation treatment, while the hydrophilic CNT arrays can be turned hydrophobic by exposing them to vacuum annealing treatment. Using a combination of both treatments, CNT arrays can be repeatedly switched between hydrophilic and hydrophobic.2 Therefore, such combination show a very high potential in many industrial and consumer applications, including drug delivery system and high power density supercapacitors.3-5
The key to vary the wettability of CNT arrays is to control the surface concentration of oxygen adsorbates. Basically oxygen adsorbates can be introduced by exposing the CNT arrays to any oxidation treatment. Here we use dry oxidation treatments, such as oxygen plasma and UV/ozone, to functionalize the surface of CNT with oxygenated functional groups. These oxygenated functional groups allow hydrogen bond between the surface of CNT and water molecules to form, rendering the CNT hydrophilic. To turn them hydrophobic, adsorbed oxygen must be removed from the surface of CNT. Here we employ vacuum annealing treatment to induce oxygen desorption process. CNT arrays with extremely low surface concentration of oxygen adsorbates exhibit a superhydrophobic behavior.

This article describes a simple method to fabricate vertically aligned carbon nanotube arrays by CVD and to subsequently tune their wetting properties by exposing them to vacuum annealing or dry oxidation treatment.

Dry Oxidation und Vakuumtempern Behandlungen für Tuning der Benetzungseigenschaften von Carbon Nanotube-Arrays

In this article, we describe a simple method to reversibly  tune the wetting properties of vertically aligned carbon nanotube (CNT) arrays.  Here, CNT ...

Synthesis and Functionalization of Nitrogen-doped Carbon Nanotube Cups with Gold Nanoparticles as Cork Stoppers

Nitrogen-doped carbon nanotubes consist of many cup-shaped graphitic compartments termed as nitrogen-doped carbon nanotube cups (NCNCs). These as-synthesized graphitic nanocups from chemical vapor deposition (CVD) method were stacked in a head-to-tail fashion held only through noncovalent interactions. Individual NCNCs can be isolated out of their stacking structure through a series of chemical and physical separation processes. First, as-synthesized NCNCs were oxidized in a mixture of strong acids to introduce oxygen-containing defects on the graphitic walls. The oxidized NCNCs were then processed using high-intensity probe-tip sonication which effectively separated the stacked NCNCs into individual graphitic nanocups. Owing to their abundant oxygen and nitrogen surface functionalities, the resulted individual NCNCs are highly hydrophilic and can be effectively functionalized with gold nanoparticles (GNPs), which preferentially fit in the opening of the cups as cork stoppers. These graphitic nanocups corked with GNPs may find promising applications as nanoscale containers and drug carriers.

We discussed the synthesis of individual graphitic nanocups using a series of techniques including chemical vapor deposition, acid oxidation and probe-tip sonication. By citrate reduction of HAuCl4, the graphitic nanocups were effectively corked with gold nanoparticles due to the chemically reactive edges of the cups.

Synthese und Funktionalisierung von Stickstoff-dotierten Kohlenstoffnanoröhrchen Cups mit Gold-Nanopartikel als Korken

Nitrogen-doped carbon  nanotubes consist of many cup-shaped graphitic compartments termed as  nitrogen-doped carbon nanotube cups (NCNCs).  These ...

Writing and Low-Temperature Characterization of Oxide Nanostructures

Oxide nanoelectronics is a rapidly growing field which seeks to develop novel materials with multifunctional behavior at nanoscale dimensions. Oxide interfaces exhibit a wide range of properties that can be controlled include conduction, piezoelectric behavior, ferromagnetism, superconductivity and nonlinear optical properties. Recently, methods for controlling these properties at extreme nanoscale dimensions have been discovered and developed. Here are described explicit step-by-step procedures for creating LaAlO3/SrTiO3 nanostructures using a reversible conductive atomic force microscopy technique. The processing steps for creating electrical contacts to the LaAlO3/SrTiO3 interface are first described. Conductive nanostructures are created by applying voltages to a conductive atomic force microscope tip and locally switching the LaAlO3/SrTiO3 interface to a conductive state. A versatile nanolithography toolkit has been developed expressly for the purpose of controlling the atomic force microscope (AFM) tip path and voltage. Then, these nanostructures are placed in a cryostat and transport measurements are performed. The procedures described here should be useful to others wishing to conduct research in oxide nanoelectronics.

Oxide nanostructures provide new opportunities for science and technology. The interfacial conductivity between LaAlO3 and SrTiO3 can be controlled with near-atomic precision using a conductive atomic force microscopy technique. The protocol for creating and measuring conductive nanostructures at LaAlO3/SrTiO3 interfaces is demonstrated.

Schreiben und Niedertemperatur-Charakterisierung von Nanostrukturen

Oxide nanoelectronics is a rapidly growing field which seeks to develop novel materials with multifunctional behavior at nanoscale dimensions.  Oxide ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor performance, which suggest a new direction for the development of next-generation ultrathin and flexible photonic and electronic devices. Enhanced luminescence quantum efficiency has been widely observed in these atomically thin 2D crystals. However, dimension effects beyond quantum confinement thicknesses or even at the micrometer scale are not expected and have rarely been observed. In this study, molybdenum diselenide (MoSe2) layer crystals with a thickness range of 6-2,700 nm were fabricated as two- or four-terminal devices. Ohmic contact formation was successfully achieved by the focused-ion beam (FIB) deposition method using platinum (Pt) as a contact metal. Layer crystals with various thicknesses were prepared through simple mechanical exfoliation by using dicing tape. Current-voltage curve measurements were performed to determine the conductivity value of the layer nanocrystals. In addition, high-resolution transmission electron microscopy, selected-area electron diffractometry, and energy-dispersive X-ray spectroscopy were used to characterize the interface of the metal&#8211;semiconductor contact of the FIB-fabricated MoSe2 devices. After applying the approaches, the substantial thickness-dependent electrical conductivity in a wide thickness range for the MoSe2-layer semiconductor was observed. The conductivity increased by over two orders of magnitude from 4.6 to 1,500 &#937;&#8722;1 cm&#8722;1, with a decrease in the thickness from 2,700 to 6 nm. In addition, the temperature-dependent conductivity indicated that the thin MoSe2 multilayers exhibited considerably weak semiconducting behavior with activation energies of 3.5-8.5 meV, which are considerably smaller than those (36-38 meV) of the bulk. Probable surface-dominant transport properties and the presence of a high surface electron concentration in MoSe2 are proposed. Similar results can be obtained for other layer semiconductor materials such as MoS2 and WS2.

We describe the approaches for the device fabrication and electrical characterization of molybdenum diselenide (MoSe2) layer semiconductor nanostructures with different thicknesses. In addition, the fabrication of ohmic contacts for MoSe2-layer nanocrystals by the focused-ion beam deposition method using platinum (Pt) as a contact metal is described.

Ohmsche Kontakt Fabrication unter Verwendung eines fokussierten Ionenstrahl-Technik und Elektrische Charakterisierung für Layer-Halbleiter-Nanostrukturen

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Advanced Experimental Methods for Low-temperature Magnetotransport Measurement of Novel Materials

Novel electronic materials are often produced for the first time by synthesis processes that yield bulk crystals (in contrast to single crystal thin film synthesis) for the purpose of exploratory materials research. Certain materials pose a challenge wherein the traditional bulk Hall bar device fabrication method is insufficient to produce a measureable device for sample transport measurement, principally because the single crystal size is too small to attach wire leads to the sample in a Hall bar configuration. This can be, for example, because the first batch of a new material synthesized yields very small single crystals or because flakes of samples of one to very few monolayers are desired. In order to enable rapid characterization of materials that may be carried out in parallel with improvements to their growth methodology, a method of device fabrication for very small samples has been devised to permit the characterization of novel materials as soon as a preliminary batch has been produced. A slight variation of this methodology is applicable to producing devices using exfoliated samples of two-dimensional materials such as graphene, hexagonal boron nitride (hBN), and transition metal dichalcogenides (TMDs), as well as multilayer heterostructures of such materials. Here we present detailed protocols for the experimental device fabrication of fragments and flakes of novel materials with micron-sized dimensions onto substrate and subsequent measurement in a commercial superconducting magnet, dry helium close-cycle cryostat magnetotransport system at temperatures down to 0.300 K and magnetic fields up to 12 T.

We describe the methodology of mechanical exfoliation and deposition of flakes of novel materials with micron-sized dimensions onto substrate, fabrication of experimental device structures for transport experimentation, and the magnetotransport measurement in a dry helium close-cycle cryostat at temperatures down to 0.300 K and magnetic fields up to 12 T.

Erweiterte Experimentelle Methoden für Niedertemperatur-Magneto Messung der Novel Materials

Novel electronic materials are often produced for the first time by synthesis processes that yield bulk crystals (in contrast to single crystal thin film ...

Precision Milling of Carbon Nanotube Forests Using Low Pressure Scanning Electron Microscopy

A nanoscale fabrication technique appropriate for milling carbon nanotube (CNT) forests is described. The technique utilizes an environmental scanning electron microscope (ESEM) operating with a low pressure water vapor ambient. In this technique, a portion of the electron beam interacts with the water vapor in the vicinity of the CNT sample, dissociating the water molecules into hydroxyl radicals and other species by radiolysis. The remainder of the electron beam interacts with the CNT forest sample, making it susceptible to oxidation from the chemical products of radiolysis. This technique may be used to trim a selected region of an individual CNT, or it may be used to remove hundreds of cubic microns of material by adjusting ESEM parameters. The machining resolution is similar to the imaging resolution of the ESEM itself. The technique produces only small quantities of carbon residue along the boundaries of the cutting zone, with minimal effect on the native structural morphology of the CNT forest.

Low pressure scanning electron microscopy in a water vapor ambient is used to machine nanoscale to microscale features in carbon nanotube forests.

Präzisionsfräsen von Carbon Nanotube Wälder Verwendung von Niederdruck-Rasterelektronenmikroskopie

A nanoscale fabrication technique appropriate for milling carbon nanotube (CNT) forests is described. The technique utilizes an environmental scanning ...

High Temperature Fabrication of Nanostructured Yttria-Stabilized-Zirconia (YSZ) Scaffolds by In Situ Carbon Templating Xerogels

We demonstrate a method for the high temperature fabrication of porous, nanostructured yttria-stabilized-zirconia (YSZ, 8 mol% yttria - 92 mol% zirconia) scaffolds with tunable specific surface areas up to 80 m2&#183;g-1. An aqueous solution of a zirconium salt, yttrium salt, and glucose is mixed with propylene oxide (PO) to form a gel. The gel is dried under ambient conditions to form a xerogel. The xerogel is pressed into pellets and then sintered in an argon atmosphere. During sintering, a YSZ ceramic phase forms and the organic components decompose, leaving behind amorphous carbon. The carbon formed in situ serves as a hard template, preserving a high surface area YSZ nanomorphology at sintering temperature. The carbon is subsequently removed by oxidation in air at low temperature, resulting in a porous, nanostructured YSZ scaffold. The concentration of the carbon template and the final scaffold surface area can be systematically tuned by varying the glucose concentration in the gel synthesis. The carbon template concentration was quantified using thermogravimetric analysis (TGA), the surface area and pore size distribution was determined by physical adsorption measurements, and the morphology was characterized using scanning electron microscopy (SEM). Phase purity and crystallite size was determined using X-ray diffraction (XRD). This fabrication approach provides a novel, flexible platform for realizing unprecedented scaffold surface areas and nanomorphologies for ceramic-based electrochemical energy conversion applications, e.g. solid oxide fuel cell (SOFC) electrodes.

High Temperature Fabrication of Nanostructured Yttria-Stabilized-Zirconia YSZ Scaffolds by In Situ Carbon Templating Xerogels

A protocol for fabricating porous, nanostructured yttria-stabilized-zirconia (YSZ) scaffolds at temperatures between 1,000 &#176;C and 1,400 &#176;C is presented.

Hochtemperatur Herstellung von Nanostrukturierte Yttrium-stabilisiertes Zirkonoxid (YSZ) Scaffolds durch<em&gt; In Situ</em&gt; Carbon-Templating Xerogele

We demonstrate a method for the high temperature fabrication of porous, nanostructured yttria-stabilized-zirconia (YSZ, 8 mol% yttria - 92 mol% zirconia) ...

Fabrication of 3D Carbon Microelectromechanical Systems (C-MEMS)

A wide range of carbon sources are available in nature, with a variety of micro-/nanostructure configurations. Here, a novel technique to fabricate long and hollow glassy carbon microfibers derived from human hairs is introduced. The long and hollow carbon structures were made by the pyrolysis of human hair at 900 &#176;C in a N2 atmosphere. The morphology and chemical composition of natural and pyrolyzed human hairs were investigated using scanning electron microscopy (SEM) and electron-dispersive X-ray spectroscopy (EDX), respectively, to estimate the physical and chemical changes due to pyrolysis. Raman spectroscopy was used to confirm the glassy nature of the carbon microstructures. Pyrolyzed hair carbon was introduced to modify screen-printed carbon electrodes ; the modified electrodes were then applied to the electrochemical sensing of dopamine and ascorbic acid. Sensing performance of the modified sensors was improved as compared to the unmodified sensors. To obtain the desired carbon structure design, carbon micro-/nanoelectromechanical system (C-MEMS/C-NEMS) technology was developed. The most common C-MEMS/C-NEMS fabrication process consists of two steps: (i) the patterning of a carbon-rich base material, such as a photosensitive polymer, using photolithography; and (ii) carbonization through the pyrolysis of the patterned polymer in an oxygen-free environment. The C-MEMS/NEMS process has been widely used to develop microelectronic devices for various applications, including in micro-batteries, supercapacitors, glucose sensors, gas sensors, fuel cells, and triboelectric nanogenerators. Here, recent developments of a high-aspect ratio solid and hollow carbon microstructures with SU8 photoresists are discussed. The structural shrinkage during pyrolysis was investigated using confocal microscopy and SEM. Raman spectroscopy was used to confirm the crystallinity of the structure, and the atomic percentage of the elements present in the material before and after pyrolysis was measured using EDX.

Fabrication of 3D Carbon Microelectromechanical Systems C-MEMS

Long and hollow glassy carbon microfibers were fabricated based on the pyrolysis of a natural product, human hair. The two fabrication steps of carbon microelectromechanical and carbon nanoelectromechanical systems, or C-MEMS and C-NEMS, are: (i) photolithography of a carbon-rich polymer precursor and (ii) pyrolysis of the patterned polymer precursor.

Herstellung von 3D-Carbon-Mikroelektromechanischen Systemen (C-MEMS)

A wide range of carbon sources are available in nature, with a variety of micro-/nanostructure configurations. Here, a novel technique to fabricate long ...

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of nanowires. DEP is used for nanowire analysis, characterization, and for solution-based fabrication of semiconducting devices. The method works by applying an alternating electric field between metallic electrodes. The nanowire formulation is then dropped onto the electrodes which are on an inclined surface to create a flow of the formulation using gravity. The nanowires then align along the gradient of the electric field and in the direction of the liquid flow. The frequency of the field can be adjusted to select nanowires with superior conductivity and lower trap density. 
In this work, flow-assisted DEP is used to create nanowire field effect transistors. Flow-assisted DEP has several advantages: it allows selection of nanowire electrical properties; control of nanowire length; placement of nanowires in specific areas; control of orientation of nanowires; and control of nanowire density in the device. 
The technique can be expanded to many other applications such as gas sensors and microwave switches. The technique is efficient, quick, reproducible, and it uses a minimal amount of dilute solution making it ideal for the testing of novel nanomaterials. Wafer scale assembly of nanowire devices can also be achieved using this technique, allowing large numbers of samples for testing and large-area electronic applications.

In this paper, flow assisted dielectrophoresis is demonstrated for the self-assembly of nanowire devices. The fabrication of a silicon nanowire field effect transistor is shown as an example.

Flow-gestützte Dielektrophorese: Eine kostengünstige Methode für die Herstellung von Hochleistungs-Lösung-verarbeitbare Nanodraht-Geräte

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...